JPH02116695A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH02116695A JPH02116695A JP26880588A JP26880588A JPH02116695A JP H02116695 A JPH02116695 A JP H02116695A JP 26880588 A JP26880588 A JP 26880588A JP 26880588 A JP26880588 A JP 26880588A JP H02116695 A JPH02116695 A JP H02116695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- inert gas
- control ring
- melt
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣ２（チョクラルスキー）法によりアンチモン
をドープした単結晶を製造する方法に関する。
をドープした単結晶を製造する方法に関する。
ＣＺ法は、例えばシリコン単結晶を製造する場合には坩
堝内に原料である多結晶シリコンを入れてこれを加熱溶
融させた後、この溶融液に種結晶を接触させ、これを回
転させつつ引上げて種結晶下端に単結晶を成長せしめる
方法である。
堝内に原料である多結晶シリコンを入れてこれを加熱溶
融させた後、この溶融液に種結晶を接触させ、これを回
転させつつ引上げて種結晶下端に単結晶を成長せしめる
方法である。
ところで近年にあっては通常ｎ型の半導体単結晶を製造
する場合ドーパントとしてはＰ（リン）が−船釣である
が、近時にあってはアンチモン（５ｂ）をドープした単
結晶の需要が増加している。
する場合ドーパントとしてはＰ（リン）が−船釣である
が、近時にあってはアンチモン（５ｂ）をドープした単
結晶の需要が増加している。
しかしｐ、ｓｂのいずれも偏析係数が小さく単結晶の軸
長方向においてドーパント濃度を均一に維持するのは容
易でない。一般に単結晶の引上率とドーパント？震度と
の関係は下記（１１式で表される。
長方向においてドーパント濃度を均一に維持するのは容
易でない。一般に単結晶の引上率とドーパント？震度と
の関係は下記（１１式で表される。
Ｃｓ＝ ｋＣｏ（１ｇ）ｋ−’ ・（ｔｌ但し、Ｃｓ
：ｇの点における単結晶中のドーパント濃度 にニド−バント固有の偏析係数 ｃｏ＝単結晶引上げ開始前の溶融液中のドパント濃度 例えばドーパントとしてＰを用いた場合には偏析係数は
０．３５であり、単結晶の引上げ開始初期と後期とでは
ドーパン）？Ｈ度に４〜５倍の差が生じる。
：ｇの点における単結晶中のドーパント濃度 にニド−バント固有の偏析係数 ｃｏ＝単結晶引上げ開始前の溶融液中のドパント濃度 例えばドーパントとしてＰを用いた場合には偏析係数は
０．３５であり、単結晶の引上げ開始初期と後期とでは
ドーパン）？Ｈ度に４〜５倍の差が生じる。
一方ｓｂの場合はＰに比較して偏析係数は更に低く （
０，０２３） ドーバンＩ−ｔＨ度の均一化は一層難
しい。
０，０２３） ドーバンＩ−ｔＨ度の均一化は一層難
しい。
ところで一般にアンチモンは沸点が低く （１４４０
℃ｌａｔｍ）、減圧下ではシリコン溶融液中から薄発し
易い性質があるため、この性質を利用して単結晶の引上
げ過程で単結晶中に取り込まれずに溶融液中に取り残さ
れるアンチモン量の残留分を蒸発によって除去し、溶融
液中のアンチモン量を一定に維持すべく単結晶の引上げ
速度を変化させ、或いは不活性ガス供給量、或いはチャ
ンバ内圧力を調節することが試みられている。
℃ｌａｔｍ）、減圧下ではシリコン溶融液中から薄発し
易い性質があるため、この性質を利用して単結晶の引上
げ過程で単結晶中に取り込まれずに溶融液中に取り残さ
れるアンチモン量の残留分を蒸発によって除去し、溶融
液中のアンチモン量を一定に維持すべく単結晶の引上げ
速度を変化させ、或いは不活性ガス供給量、或いはチャ
ンバ内圧力を調節することが試みられている。
しかし単結晶の引上速度を変更することは逆に引上条件
が規制されて任意に選択出来ないことによる不都合が生
じ、またチャンバ内圧力の調節する方法では蒸発したア
ンチモン、シリコン酸化物が凝縮してシリコン溶融面に
落下し、結晶に転位が生じるおそれがあり、十分なアン
チモンの蒸発量制御が出来ないという欠点があった。こ
の対策として第５図に示す如き方法が提案されている。
が規制されて任意に選択出来ないことによる不都合が生
じ、またチャンバ内圧力の調節する方法では蒸発したア
ンチモン、シリコン酸化物が凝縮してシリコン溶融面に
落下し、結晶に転位が生じるおそれがあり、十分なアン
チモンの蒸発量制御が出来ないという欠点があった。こ
の対策として第５図に示す如き方法が提案されている。
第５図は従来における単結晶製造方法（特開昭６１−２
２７９８６号）の拡大部分断面図であり、坩堝２２上に
大径の円筒体２３を、またこれよりも内側に截頭円錐形
をなすガス整流体２４を同心状に配設し、坩堝２２内の
溶融液の中央から単結晶２７を前記ガス整流体２４、円
筒体２３を通して上方に引上げるようにしである。単結
晶２７の引上げ過程で円筒体２３の上端側から不活性ガ
スを坩堝２２内に向けて供給し、その一部は円筒体２３
下端を通って坩堝２２内の周縁部側に導き坩堝２２外に
排出し、また他の一部はガス整流体２４の上端からその
内側に導き、溶融液表面を中心部側から周縁部側に流し
て坩堝２２外に排出する。この結果、坩堝２２内の溶融
液表面に対する不活性ガスの通流量を調節することでア
ンチモンの蒸発量を調節することを可能としである。
２７９８６号）の拡大部分断面図であり、坩堝２２上に
大径の円筒体２３を、またこれよりも内側に截頭円錐形
をなすガス整流体２４を同心状に配設し、坩堝２２内の
溶融液の中央から単結晶２７を前記ガス整流体２４、円
筒体２３を通して上方に引上げるようにしである。単結
晶２７の引上げ過程で円筒体２３の上端側から不活性ガ
スを坩堝２２内に向けて供給し、その一部は円筒体２３
下端を通って坩堝２２内の周縁部側に導き坩堝２２外に
排出し、また他の一部はガス整流体２４の上端からその
内側に導き、溶融液表面を中心部側から周縁部側に流し
て坩堝２２外に排出する。この結果、坩堝２２内の溶融
液表面に対する不活性ガスの通流量を調節することでア
ンチモンの蒸発量を調節することを可能としである。
ところでこのような従来方法にあっては円筒体２３を通
じて溶融液表面に供給される不活性ガスの流れは複雑で
坩堝２２の直径が大きくなった場合、アンチモン蒸発の
精細な制御が難しいという問題があった。
じて溶融液表面に供給される不活性ガスの流れは複雑で
坩堝２２の直径が大きくなった場合、アンチモン蒸発の
精細な制御が難しいという問題があった。
下記（２）式は（１）式の蒸発の項を蒸発係数Ｅとおい
た場合を示している。
た場合を示している。
Ｃｓ＝ ｋＣｏ（１ｇ）”’−’ ・−（２）但し
、Ｃｓ：ｇの点における単結晶中のドーパント濃度 にニド−パント固有の偏析係数 Ｃｏ：単結晶引上げ開始前の溶融液中のドパント濃度 Ｅ：蒸発係数 この式から明らかなように単結晶の軸方向のアンチモン
濃度を均一にするにはに＋Ｅ＝１とする必要があり低偏
析係数（０，０２３）のｓｂの場合は、蒸発係数を制御
することが重要となっている。しかも石英坩堝の大口径
化に伴いその重みが増している。
、Ｃｓ：ｇの点における単結晶中のドーパント濃度 にニド−パント固有の偏析係数 Ｃｏ：単結晶引上げ開始前の溶融液中のドパント濃度 Ｅ：蒸発係数 この式から明らかなように単結晶の軸方向のアンチモン
濃度を均一にするにはに＋Ｅ＝１とする必要があり低偏
析係数（０，０２３）のｓｂの場合は、蒸発係数を制御
することが重要となっている。しかも石英坩堝の大口径
化に伴いその重みが増している。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところはアンチモンの蒸発量を定量的に制御
可能とした単結晶の製造方法を提供するにある。
目的とするところはアンチモンの蒸発量を定量的に制御
可能とした単結晶の製造方法を提供するにある。
本発明に係る単結晶の製造方法は、溶融液面に吹き付け
る不活性ガス流速及び不活性ガスを直接吹き付けるべき
溶融液面積を調節する。
る不活性ガス流速及び不活性ガスを直接吹き付けるべき
溶融液面積を調節する。
本発明はこれによって単結晶の引上げ過程でアンチモン
の蒸発量を所定値に維持することが可能となる。
の蒸発量を所定値に維持することが可能となる。
以下本発明を図面に基づき置体的に説明する。
第１図は本発明に係る単結晶製造方法の実施状態を示す
構成的断面図、第２図は部分拡大図であり、図中１はチ
ャンバ、２は坩堝、３はヒータヲ示している。
構成的断面図、第２図は部分拡大図であり、図中１はチ
ャンバ、２は坩堝、３はヒータヲ示している。
チャンバ１内の下部中央に坩堝２が支持軸４にて回転、
並びに昇降可能に支持され、またその外周にヒータ３、
保温壁１ａが同心状に配設されている。
並びに昇降可能に支持され、またその外周にヒータ３、
保温壁１ａが同心状に配設されている。
チャンバ１の上部壁中央にはＡｒ等の不活性ガスの供給
筒を兼ねて即結晶引上げ用の保護筒１ｂが立設され、こ
の保護筒１ｂの上方から引上軸５がチャソバ１内に垂下
されている。引上軸５の下端には種結晶６が取り付けら
れており、これを溶融液に浸した後回転させつつ上昇さ
せることによって種結晶６の下端に単結晶７を成長せし
めてゆくようになっている。
筒を兼ねて即結晶引上げ用の保護筒１ｂが立設され、こ
の保護筒１ｂの上方から引上軸５がチャソバ１内に垂下
されている。引上軸５の下端には種結晶６が取り付けら
れており、これを溶融液に浸した後回転させつつ上昇さ
せることによって種結晶６の下端に単結晶７を成長せし
めてゆくようになっている。
そしてチャンバｌ内には坩堝２の上方に位置して遮蔽部
材９が配設され、またこの遮蔽部材９下に制御リング１
０が吊設されている。
材９が配設され、またこの遮蔽部材９下に制御リング１
０が吊設されている。
遮蔽部材９は内径が坩堝２の外径と略等しい環状板９ａ
の外周縁部から支持筒９ｂを垂直下向きに、また内周縁
部から中心部側に向けて斜め下方に傾斜させて逆円錐台
形の覆板９Ｃを備えており、覆板９ｃの中心部には単結
晶７の直径よりも若干大きい開口部９ｄを備えている。
の外周縁部から支持筒９ｂを垂直下向きに、また内周縁
部から中心部側に向けて斜め下方に傾斜させて逆円錐台
形の覆板９Ｃを備えており、覆板９ｃの中心部には単結
晶７の直径よりも若干大きい開口部９ｄを備えている。
このような遮蔽部材９を保温壁ｌａ上に載置することに
よって坩堝２の上方を単結晶７の周囲に僅かの間隙を残
して覆い、溶融液面からの輻射熱及び加熱ガス等が単結
晶７の周囲に達するのを遮断すると共に、保護筒１ｂ上
方から供給される不活性ガスを単結晶７の周囲に沿って
坩堝２内の溶融液中央に轟くようになっている。
よって坩堝２の上方を単結晶７の周囲に僅かの間隙を残
して覆い、溶融液面からの輻射熱及び加熱ガス等が単結
晶７の周囲に達するのを遮断すると共に、保護筒１ｂ上
方から供給される不活性ガスを単結晶７の周囲に沿って
坩堝２内の溶融液中央に轟くようになっている。
制御リング１０は石英製であって第２．３図に示す如く
円環状に形成され、その下端部がＯ〜５０璽醜溶融液中
に沈めた状態で前記遮蔽部材９における覆板９ｃに吊り
下げられて溶融液表面を制御リング１０で囲われた領域
Ａと、その外側の領域Ｂとに区分するようになっている
。
円環状に形成され、その下端部がＯ〜５０璽醜溶融液中
に沈めた状態で前記遮蔽部材９における覆板９ｃに吊り
下げられて溶融液表面を制御リング１０で囲われた領域
Ａと、その外側の領域Ｂとに区分するようになっている
。
制御リング１０の外径、高さは特に限定するものではな
いが、例えば直径１６＃の坩堝に用いる場合は外径が２
００〜３６０鶴、高さは２０〜１００ ＊＊程度である
。
いが、例えば直径１６＃の坩堝に用いる場合は外径が２
００〜３６０鶴、高さは２０〜１００ ＊＊程度である
。
制御リング１０の内径が余り小さ過ぎると、単結晶の成
長域に温度変動を与える広れがあり、また径が大き過ぎ
るとアンチモンの蒸発量が過大となり、蒸発量制御が難
しくなることから、外径は２００〜３６０龍、望ましく
は２５０〜３００龍とするのがよい。
長域に温度変動を与える広れがあり、また径が大き過ぎ
るとアンチモンの蒸発量が過大となり、蒸発量制御が難
しくなることから、外径は２００〜３６０龍、望ましく
は２５０〜３００龍とするのがよい。
なおこの寸法は溶融液中のアンチモンの濃度とは実質的
に無関係である。何故なら、揮発性の高い溶質が希薄溶
液中に含まれている場合における蒸発量はラウールの法
則から明らかな如く溶融液中の溶質の濃度に比例するか
らである。
に無関係である。何故なら、揮発性の高い溶質が希薄溶
液中に含まれている場合における蒸発量はラウールの法
則から明らかな如く溶融液中の溶質の濃度に比例するか
らである。
また制御リング１０の材質については石英に限らずカー
ボン、セラミック等を用いてもよい。
ボン、セラミック等を用いてもよい。
保護筒１ｂを通じて坩堝２側に向けて供給する不活性ガ
スの供給量は特に限定するものではないがアンチモン蒸
気の逆流、溶融液面の振動を防止するために０．５〜１
０ｍ／秒程度、望ましくは３〜６ｍ／秒の不活性ガス流
速で得られるようにするのが望ましい。
スの供給量は特に限定するものではないがアンチモン蒸
気の逆流、溶融液面の振動を防止するために０．５〜１
０ｍ／秒程度、望ましくは３〜６ｍ／秒の不活性ガス流
速で得られるようにするのが望ましい。
而してこのような本発明装置にあっては坩堝２内に原料
を装入してヒータ３によりこれを加熱溶融した後、引上
軸５を下降してその下端に装着した種結晶６を遮蔽部材
９の開口部９ｄを通して坩堝２内の溶融液に浸漬し、回
転させつつ引上げ、種結晶６の下端に単結晶７を成長せ
しめてゆ（。この間保護筒１ｂの上端側からはＡｒ、
Ｎ２等の不活性ガスを坩堝２内の溶融液表面における制
御リング１０で囲われた内側領域Ａで所定の流速が得ら
れるように供給する。不活性ガスは単結晶７の周囲に沿
って下降し、保護筒１ｂの下端から、更に逆円錐台形を
なす遮蔽部材９の覆板９ｃに沿って下降し、開口部９ｄ
と単結晶７との間の隙間から坩堝２内の溶融液上であっ
て、且つ制御リング１０で囲われた領域Ａ内に流入し、
溶融液面に沿って周縁部側に向は所定の流速で流れ、制
御リング１０に達してこれに沿って上昇し、制御リング
１０と遮蔽部材９下面との間の間隙を経て制御リング１
０の外側領域Ｂに流れ、坩堝２の周縁部とヒータ３との
間を経て外部に排出されることとなる。
を装入してヒータ３によりこれを加熱溶融した後、引上
軸５を下降してその下端に装着した種結晶６を遮蔽部材
９の開口部９ｄを通して坩堝２内の溶融液に浸漬し、回
転させつつ引上げ、種結晶６の下端に単結晶７を成長せ
しめてゆ（。この間保護筒１ｂの上端側からはＡｒ、
Ｎ２等の不活性ガスを坩堝２内の溶融液表面における制
御リング１０で囲われた内側領域Ａで所定の流速が得ら
れるように供給する。不活性ガスは単結晶７の周囲に沿
って下降し、保護筒１ｂの下端から、更に逆円錐台形を
なす遮蔽部材９の覆板９ｃに沿って下降し、開口部９ｄ
と単結晶７との間の隙間から坩堝２内の溶融液上であっ
て、且つ制御リング１０で囲われた領域Ａ内に流入し、
溶融液面に沿って周縁部側に向は所定の流速で流れ、制
御リング１０に達してこれに沿って上昇し、制御リング
１０と遮蔽部材９下面との間の間隙を経て制御リング１
０の外側領域Ｂに流れ、坩堝２の周縁部とヒータ３との
間を経て外部に排出されることとなる。
この結果、制御リング１０の内側領域Ａでは不活性ガス
の殆んどが溶融液表面に沿って通流する結果、ガス流速
が大きくアンチモンの分圧が低下し、アンチモンの蒸発
が一層活発となる。これに対し制御リング１０の外側領
域Ｂでは不活性ガス流が制御リング１０の上端部を通っ
てくるため、溶融液面に沿った流速は小さく、アンチモ
ンの分圧低下が小さ（アンチモンの蒸発はむしろ制御さ
れることとなる。
の殆んどが溶融液表面に沿って通流する結果、ガス流速
が大きくアンチモンの分圧が低下し、アンチモンの蒸発
が一層活発となる。これに対し制御リング１０の外側領
域Ｂでは不活性ガス流が制御リング１０の上端部を通っ
てくるため、溶融液面に沿った流速は小さく、アンチモ
ンの分圧低下が小さ（アンチモンの蒸発はむしろ制御さ
れることとなる。
従って制御リング１０の直径を変えることによって不活
性ガスが大きい流速で直接的に吹き付けられる内側領域
Ａの面積が変化し、不活性ガス流速と組み合わせること
によりアンチモンの蒸発量を精細に調節することが可能
となる。
性ガスが大きい流速で直接的に吹き付けられる内側領域
Ａの面積が変化し、不活性ガス流速と組み合わせること
によりアンチモンの蒸発量を精細に調節することが可能
となる。
直径１６″の石英坩堝を使用して直径６″のシリコン単
結晶を１．０ｍｍ／分で引上げ製造する過程で、直径２
５０ ｍ、 ３００ ｗ論、 ３５０ ｍｍの石英製制
御リング１０を溶融液中に５麿磨浸漬して用いた。単結
晶製造時のチャンバ内圧力は１０Ｔｏｒｒ、坩堝の回転
数５ｒ。
結晶を１．０ｍｍ／分で引上げ製造する過程で、直径２
５０ ｍ、 ３００ ｗ論、 ３５０ ｍｍの石英製制
御リング１０を溶融液中に５麿磨浸漬して用いた。単結
晶製造時のチャンバ内圧力は１０Ｔｏｒｒ、坩堝の回転
数５ｒ。
１．ｍ、、種結晶回転数２０ｒ、ｐ、ｍ、で互いに逆向
きに回転させた。
きに回転させた。
この結果、直径２５０ ｗの制御リングを用いたときの
薫発係数は０．７４となり、引上率８０％でのアンチモ
ン濃度のばらつきは±１１％であった。
薫発係数は０．７４となり、引上率８０％でのアンチモ
ン濃度のばらつきは±１１％であった。
なお、直径３００龍の制御リングを用いたときの蒸発係
数は１．０５であり引上率８０％でのアンチモン濃度の
ばらつきは、±６．５以下迄向上した。
数は１．０５であり引上率８０％でのアンチモン濃度の
ばらつきは、±６．５以下迄向上した。
第４図は単結晶の引上率（単結晶の全長に対する種結晶
側端部からの距離の比率）と抵抗率（０ｃｍ）との関係
を示すグラフであり、直径３００■厘の制御リングを用
いたときの抵抗率は略一定しており、直径２５０關、３
５０請會の制御リングを用いたときの抵抗率は前者では
若干低く、後者では高くなっていることが解る。
側端部からの距離の比率）と抵抗率（０ｃｍ）との関係
を示すグラフであり、直径３００■厘の制御リングを用
いたときの抵抗率は略一定しており、直径２５０關、３
５０請會の制御リングを用いたときの抵抗率は前者では
若干低く、後者では高くなっていることが解る。
〔発明の効果〕
以上の如く本発明方法にあっては不活性ガスの供給量と
、この不活性ガスを直線的に吹き付ける溶融液面積を変
更することによってアンチモン蒸発量を調節するから、
アンチモン蒸発量の精細な制御が可能となり、単結晶の
軸方向におけるアンチモン濃度を均一化出来るなど本発
明は優れた効果を奏するものである。
、この不活性ガスを直線的に吹き付ける溶融液面積を変
更することによってアンチモン蒸発量を調節するから、
アンチモン蒸発量の精細な制御が可能となり、単結晶の
軸方向におけるアンチモン濃度を均一化出来るなど本発
明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明方法の実施状態を示す模式的断面図、第
２図は不活性ガスによるアンチモンの窯発制御の態様を
示す説明図、第３図は制Ｊｌｌリングの斜視図、第４図
は単結晶の引上率と抵抗率との関係を示すグラフ、第５
図は従来方法の説明図である。 １・・・チャンバ ２・・・坩堝 ３・・・ヒータ４・
・・支持軸 ５・・・引上軸 ６・・・種結晶７・・・
単結晶 ９・・・遮蔽部材 １０・・・制御リング特
許 出願人 大阪チタニウム製造株式会社（外１名） 代理人 弁理士 河 野 登 火弟 図 弔 図 弔 図 （ｇ） 弔 図
２図は不活性ガスによるアンチモンの窯発制御の態様を
示す説明図、第３図は制Ｊｌｌリングの斜視図、第４図
は単結晶の引上率と抵抗率との関係を示すグラフ、第５
図は従来方法の説明図である。 １・・・チャンバ ２・・・坩堝 ３・・・ヒータ４・
・・支持軸 ５・・・引上軸 ６・・・種結晶７・・・
単結晶 ９・・・遮蔽部材 １０・・・制御リング特
許 出願人 大阪チタニウム製造株式会社（外１名） 代理人 弁理士 河 野 登 火弟 図 弔 図 弔 図 （ｇ） 弔 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単結晶原料の溶融液からのアンチモンドーパントの
蒸発量を、不活性ガス流で調節しつつ単結晶を引上げる
単結晶の製造方法において、 溶融液面に吹き付ける不活性ガス流速及び 不活性ガスを直接吹き付けるべき溶融液面積を調節する
ことを特徴とする単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26880588A JPH02116695A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26880588A JPH02116695A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116695A true JPH02116695A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17463513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26880588A Pending JPH02116695A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116695A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177389A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-01 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の引上げ装置 |
| WO2007046287A1 (ja) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
| JP2010059032A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sumco Corp | 垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハ及びその製造方法、垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置、並びに、垂直シリコンデバイス |
| WO2018159108A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26880588A patent/JPH02116695A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177389A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-01 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の引上げ装置 |
| WO2007046287A1 (ja) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
| US8187383B2 (en) | 2005-10-20 | 2012-05-29 | Sumco Techxiv Corporation | Semiconductor single crystal manufacturing device and manufacturing method |
| DE112006002850B4 (de) | 2005-10-20 | 2018-03-01 | Sumco Techxiv Corp. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen |
| JP2010059032A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sumco Corp | 垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハ及びその製造方法、垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置、並びに、垂直シリコンデバイス |
| WO2018159108A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット |
| JPWO2018159108A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2019-06-27 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット |
| US11078595B2 (en) | 2017-02-28 | 2021-08-03 | Sumco Corporation | Method of producing silicon single crystal ingot and silicon single crystal ingot |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2686460B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPH0676274B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| JP2580197B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2813592B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPH10167892A (ja) | シリコン単結晶の引き上げ方法 | |
| US6136090A (en) | Method for producing a silicon single crystal | |
| US7329317B2 (en) | Method for producing silicon wafer | |
| JPH02116695A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP4013324B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
| WO2021095324A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2670548B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| JPH10167881A (ja) | 半導体単結晶の引き上げ方法 | |
| JP2681115B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP2520925B2 (ja) | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JP3528888B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置および方法 | |
| JP2783049B2 (ja) | 単結晶シリコン棒の製造方法及び製造装置 | |
| JP2520926B2 (ja) | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| KR20190088653A (ko) | 실리콘 단결정 성장 방법 및 장치 | |
| JPH04198086A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP2005145724A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶 | |
| JPS63319288A (ja) | 鍔付石英るつぼ | |
| JP2681114B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPH0474789A (ja) | 半導体単結晶引上方法 | |
| JPH0543381A (ja) | 溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JP2759105B2 (ja) | 単結晶製造方法 |