JP2010059032A - 垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハ及びその製造方法、垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置、並びに、垂直シリコンデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アンチモン等の揮発性ドーパントを添加したシリコン融液21からチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引き上げることにより垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、前記シリコン融液の表面に沿って流れるArガスの流量を増加させる。これにより、引き上げが進行するに連れてシリコン融液からのドーパントの蒸発が促進されることから、ドーパントの偏析が効果的に補償される。さらに、シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、チャンバー11内の圧力を低下させることが好ましく、これにより、ドーパントの偏析をより確実に補償することが可能となる。
【選択図】図1
Description
図1に示したシリコン単結晶引き上げ装置を用い、CZ法によって直径200mmでありボディ部の全長が1800mmであるシリコンインゴットを育成した。
比較例1−1は、シリコン融液からのSb(アンチモン)の蒸発が無いとした場合における理論値である。図4に示すように、理論値によれば、Sb(アンチモン)の偏析により、テール部に近づくに連れて抵抗率が大きく低下する。抵抗率は、固化率80%程度になると10Ω・cmまで低下する。
比較例1−2においては、図1に示したシリコン単結晶引き上げ装置から誘導板22aを省略するとともに、引き上げ時におけるAr流量を100L/minに固定し、チャンバー内の圧力を30torr(4000Pa)に固定した。その他の条件については、実施例1−1と同一とした。結果を図4に示す。図4に示すように、比較例1−2では、Sb(アンチモン)の蒸発が生じていることから、比較例1−1(理論値)に比べると抵抗率の変化が小さくなっているが、その差はごく僅かである。
実施例1−2においては、引き上げ時におけるチャンバー内の圧力を30torr(4000Pa)に固定した他は、実施例1−1と同一条件で引き上げを行った。結果を図4に示す。図4に示すように、実施例1−2では、引き上げが進むにつれて抵抗率が徐々に低下しているが、比較例1−2(Ar流量を100L/minに固定)と比べると、抵抗率の変化が緩和された。
n型のドーパントとしてAs(ヒ素)を用い、Ar流量を固化率65%未満の領域において100L/min、固化率65%以上の領域において180L/minとした他は、実施例1−1と同一条件で引き上げを行った。したがって、引き上げ時におけるチャンバー内の圧力は、トップ形成時において30torr(4000Pa)、テール形成時において10torr(1333Pa)とし、連続的に減少させた。ドーパントの濃度は、シリコンインゴット20のトップ部における抵抗率が50Ω・cmとなるよう調整した。
比較例2−1は、シリコン融液からのAs(ヒ素)の蒸発が無いとした場合における理論値である。図5に示すように、理論値によれば、As(ヒ素)の偏析により、テール部に近づくに連れて抵抗率が大きく低下する。
比較例2−2においては、図1に示したシリコン単結晶引き上げ装置から誘導板22aを省略するとともに、引き上げ時におけるAr流量を100L/minに固定し、チャンバー内の圧力を100torr(13333Pa)に固定した。その他の条件については、実施例2−1と同一とした。結果を図5に示す。図5に示すように、比較例2−2では、As(ヒ素)の蒸発が生じていることから、比較例2−1(理論値)に比べると抵抗率の変化が小さくなっているが、その差はごく僅かである。
11 チャンバー
12 支持回転軸
13 グラファイトサセプタ
14 石英るつぼ
15 ヒーター
16 支持軸駆動機構
17 シードチャック
18 ワイヤー
19 ワイヤー巻き取り機構
20 シリコンインゴット
21 シリコン融液
22 熱遮蔽部材
22a 誘導板
23 制御装置
24 ガス導入口
25 ガス管
26 コンダクタンスバルブ
27 ガス排出口
28 排ガス管
29 コンダクタンスバルブ
30 真空ポンプ
31 磁場供給装置
Claims (10)
- 揮発性ドーパントを添加したシリコン融液からチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引き上げることにより垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハを製造する方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、前記シリコン融液の表面に沿って流れるArガスの流量を増加させることを特徴とする垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハの製造方法。 - 前記シリコン単結晶の引き上げの初期における前記流量に対し、前記シリコン単結晶の引き上げの終期における前記流量を1倍超、3倍以下とすることを特徴とする垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、チャンバー内の圧力を低下させることを特徴とする請求項1又は2に記載の垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶の引き上げの初期における前記チャンバー内の圧力をaとし、前記シリコン単結晶の引き上げの終期における前記チャンバー内の圧力をa/4以上、a/2以下とすることを特徴とする請求項3に記載の垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハの製造方法。
- 前記揮発性ドーパントがSb(アンチモン)であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハの製造方法。
- るつぼが収容されたチャンバーと、
前記るつぼ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる引き上げ機構と、
前記チャンバー内にArガスを供給するガス供給手段と、
前記シリコン融液の表面に沿って配置され、前記Arガスが前記シリコン融液の表面に沿って流れるよう案内する誘導板と、を備えることを特徴とする垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置。 - 前記ガス供給手段は、前記シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、前記シリコン融液の表面に沿って流れるArガスの流量を増加させることを特徴とする請求項6に記載の垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置。
- 前記チャンバー内を減圧状態とする減圧手段をさらに備え、
前記減圧手段は、前記シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、前記チャンバー内の圧力を低下させることを特徴とする請求項6又は7に記載の垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法によって製造された垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハであって、格子間酸素濃度[Oi]が8.5×1017atoms/cm3以下であり(但し、[Oi]はASTM F−121(1979)に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法による測定値であり、kはボルツマン定数(8.617×10−5(eV/K))である)、抵抗率の面内ばらつきが10%以下であることを特徴とする垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハ。
- 請求項9のシリコンウェーハを用いて作製された垂直シリコンデバイス。
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