KR100468114B1 - 반도체장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체장치에 관한 것으로, 층간절연막(12)의 위 및 개구부(14)의 내부에는 이리디움층(16)이 설치되고, 이 이리디움층(16)은 캐파시터의 하부전극(16a)이 되는 부분과 드레인영역(6)과의 콘택트를 위한 배선(16b)가 되는 부분으로 구성되어 있으며, 이리디움층(16)의 하부전극(16a)의 부분위에는 PZT로 된 강유전체층(18)이 형성되는 한편, 그 위에는 상부전극으로서 이리디움층(20)이 설치되어 있어, 이리디움은 알루미늄보다도 융점이 높기 때문에 이리디움층(16)을 형성한 후에 PZT를 위한 열처리를 행하더라도 이리디움이 용융될 우려가 없고, 또한 이리디움은 실리콘과의 반응성이 낮기 때문에 계면에 있어서 불필요한 실리콘화합물이 생성되지 않으면서도 양호한 콘택트를 얻을 수 있다.

Description

반도체장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체소자의 배선에 관한 것이다.
종래 반도체소장의 배선에는 Al,W,Ta,Ti 또는 그 실리사이드, 알루미늄합금, 구리 또는 그 합금, 불순물을 도프한 폴리실리콘 등이 이용되고 있다.
그러나 알루미늄을 이용한 경우에는 알루미늄이 450℃이상에서 녹아버리기 때문에 알루미늄형성후에 450℃이상의 온도처리를 할 수 없다는 문제가 있다.
폴리실리콘의 융점이 높기 때문에 상기와 같은 문제는 발생하지 않지만 저항이 높아 긴거리의 배선이나 가는 배선에는 적합하지 않다.
또한 알루미늄을 실리콘층상으로 형성하면, 알루미늄이 실리콘중에 침투되어(스파이크), 알루미늄이 단선되는 등의 문제가 있었다.
이때문에 종래에는 실리콘층 상에 우선 얇은 TiN을 배리어층으로 형성하고, 이 위에 알루미늄을 형성하도록 하고 있으나, 상기 TiN의 배리어층에 의해서 실리콘중의 알루미늄이 확산되는 것을 방지하고 있다.
그러나 TiN의 배리어층을 형성한 후에는 O2를 포함하는 분위기에서 열처리하면 Ti가 산화하여 도전성이 없는 산화티탄이 생성되어 콘택트가 떨어지지 않게 될 우려가 있다.
또한 TiN은 아주 딱딱하기 때문에 열팽창계수가 다른 금속이나 실리콘에 대해서 박피가 생길 우려가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고성능의 배선을 가지는 반도체장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체장치는, 반도체기판과, 상기 반도체기판 위 또는 중간에 형성된 반도체소자영역 및 상기 반도체소자영역에 접속된 배선부로 구성되어지되, 상기 배선부가 이리디움으로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예는 반도체기판과, 상기 반도체기판의 위 또는 중간에 형성된 반도체소자영역 및 상기 반도체소자영역에 접속된 배선부로 구성되어지되, 상기 배선부가 산화이리디움으로 형성된 것을 특징으로 한다.
또 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예는 반도체기판과, 상기 상기 반도체기판의 위 또는 중간에 형성된 반도체소자영역 및 상기 반도체소자영역에 접속된 배선부로 구성되어지되, 상기 배선부가 배리어층과 주도전층으로 구성되고, 이 배리어층이 산화이리디움으로 형성된 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 예시도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 구성을 도시한 것으로, 기판(2)에는 소스영역(4) 및 드레인영역(6)이 형성되어 있고, 상기 소스영역(4)과 상기 드레인영역(6)의 사이에 위치한 채널영역(8)의 위에는 절연막을 매개로 게이트전극(10)이 형성되어 있다.
그리고 이들 위에 층간절연막(12)이 형성되어지되, 상기 드레인영역(6)의 상부에 해당하는 절연층(12)에는 개구부(14)가 마련되어져 있어, 상기 층간절연막(12)위 및 상기 개구부(14)의 내부에 이리디움층(16)이 형성되어 있다.
이 이리디움층(16)은 캐파시터의 하부전극(16a)이 되는 부분과, 드레인영역(6)과의 콘택을 위한 배선(16b)이 되는 부분으로 구성되어 있고, 상기 이리디움층(16)의 하부전극(16a)의 부분위에는 PZT로 된 강유전체층(18)이 형성되며, 게다가 그 위에는 상부전극으로서의 이리디움층(20)이 설치되어져 있다.
제2도 및 제3도에서 제1도의 반도체장치의 제조프로세스를 도시하는 바, 우선 실리콘기판(2)에 LOCOS에 의해서 소자분리영역(30)을 형성함과 아울러 게이트산화막(32)을 형성한다.
게이트산화막(32)의 위에 폴리실리콘이나 폴리사이드에 의해서 게이트전극(10)을 형성한다. 이 게이트전극(10)을 마스크로 하여 이온을 주입확산하고, 소스영역(4) 및 드레인영역(6)을 형성한다.(제2도(가)참조)
이어서 이위에 CVD에 의해 SiO2, BPSG, 등을 6000Å의 두께로 형성하여 층간절연막(12)으로 한다.(제2도(나))
그 후에 드레인영역(6)상의 층간절연막(12)에 개구를 형성하기 위해 제2도(다)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트마스크(34)를 형성한다. 이 마스크(34)에 따라서 층간절연막(12)을 에칭하여 개구(14)를 형성한다.(제2도(라)참조)
이 상태에서 스파터링, CVD, 진공증착 등에 의해서 전면이리디움충(16)을 형성한 후, Ar,Cl2등의 가스를 이용하여 RIE, 이온밀링, ECR, 등의 건식에칭에 의해서 필요부분만을 남긴다. (제3도(가)참조)
또한 건식에칭 신에 습식에칭을 행해도 된다.
이어서, 이 이리디움층(16) 및 층간절연막(12)의 위에 졸겔법에 의해서 강유전체층(18)로서 PZT막을 형성한다. 출발원료로서 Pb(CH3COO)2,3H2O, Zr(T-OC4H9)4, Ti(i-OC3H7)4의 혼합용액을 이용하였다.
이 경우 용액을 스핀코트한 후 150℃에서 건조시켜 드리이에어 분위기에서 400℃로 가소성을 행했다.
이것을 5회 반복한 후, O2 분위기중에서 700℃이상의 열처리를 실시하였다. 이렇게 해서 250mm의 강유전체층(18)을 형성하였다.
더욱이 그 위에 스파터링, CVD, 진공증착 등에 의해서 상부전극으로서의 이리디움층(20)을 형성한다. 에칭에 의해서 불필요한 부분을 제거하고, 제3도(나)에 도시한 바와 같이, 하부전극(16a)의 상부부분에만 강유전체층(18)과 이리디움층(20)을 남긴다.
이어서 플라즈마CVD 등에 의해 Si3N4, SiO2, 등을 보호막(40)으로서 형성한다.( 제3도(다)참조)
이 실시예에 있어서는 하부전극(16a) 및 배선(16b)으로서 이리디움층(16)을 이용하고 있는 바, 이리디움은 알루미늄보다도 융점이 높기 때문에 이리디움층(16)을 형성한 후에 PZT를 위한 열처리를 행하더라도 이리디움이 용해될 우려가 없다.
따라서 제1도에 도시된 바와 같이 하부전극(16a)으로서 뿐아니라 배선(16b)으로서도 사용할 수 있고, 또한 열처리에 의해서 이리디움이 산화되어도 도전성이 있는 산화이리디움이 되기 때문에 전극 혹은 배선으로서의 성능에는 손상이 없을 뿐아니라 폴리실리콘 등에 비해서 저항이 적은 잇점이 있다.
이에 비해 배선으로서 알루미늄(24)를 이용한 경우에는 제6도에 도시된 바와 같이 PZT를 성막한 후에 알루미늄막(24)를 형성하지 않으면 안되고, 여분의 절연층(22)이 필요로 되어 구성이 복잡하게 된다.
더욱이 제13도에 도시한 본 실시예에서는 하부전극(16a)를 동시에 형성할 수 있어 제조가 용이하게 된다.
또한 하부전극(16a)으로서 이리디움을 이용하게 되면 백금에 의한 전극에 비해서 그 위에 형성된 강유전체층(18)의 유전성이 향상되었다.
상기 실시예에서는 강유전체층(18)으로서 PZT막을 형성했지만 PLZT, BaTiO3, BiSrTa2O9, 등을 형성해도 된다.
또한 강유전체층(18)에 대신해서 고유전율을 가지는 강유전체층(예컨대, BaTiO3, (Sr,Ba)TiO3의 페로브스카이트구조를 가지는 고유전율박막)을 형성해도 된다.
상기 실시예에서는 배선(16b)으로서 이리디움층(16)을 사용하고 있지만 이것에 대신하여 산화이리디움층을 사용해도 된다. 산화이리디움은 실리콘과의 밀착성이 양호하기 때문에 배선으로서 바람직하다. 산화이리디움은 반응성 스파터링 등에 의해서 형성할 수 있다.
또한 산화이리디움은 실리콘과의 반응성이 극히 낮기 때문에 드레인영역(6)과의 계면α (제1도참조)에 대해서 실리사이드를 생성할 우려도 없다.
이것을 검증하기 위해서 실리콘기판 상에 다양한 금속재료를 형성한 경우에 생성되는 물질을 X선해석에 의해서 비교한 챠트를 제4도에 나타낸다. 제4도(가)가 백금의 경우, 제4도(나)가 티탄의 위에 백금을 위치시킨 경우, 제4도(다)가 산화이리디움의 경우, 제4도(라)가 산화이리디움의 위에 이리디움을 위치시킨 경우, 제4도(마)는 산화이리디움의 위에 백금을 위치시킨 경우이다.
제4도(가)와 제4도(다)를 비교하면 명백하듯이 백금의 경우에는 실리콘과의 화합물이 생기고 있는 것에 대해, 이리디움의 경우에는 실리콘과의 화합물이 생기지 않는다.
또 산화이리디움을 형성할 때에 산소결핍상태로 하여 IrO2X(X=0-2)로서 형성할 수 있고, 이렇게 함으로써 계면에 산화물(예컨대 실리콘산화물)이 형성되었다 하더라도, 이것을 환원(실리콘으로 환원)시킬 수 있다.
즉, 계면에 있어서, 바람직하지 못한 산화물의 생성을 배제할 수 있다.
상기 실시예에서는 전극과 배선을 동시에 형성하는 경우에 대해서 설명했지만, 배선만을 셩헝하는 경우에도 이 발명을 적용할 수 있다.
이 발명의 다른 실시예에 따른 반도체장치를 제5도에 도시한다.
이 실시예에서는 배선부(50)를 배리어층인 상화이리디움층(52)과 그 위에 형성된 주도전층인 이리디움층(54)에 의해서 구성하였다. 산화이리디움층(52)을 배리어층으로 형성함으로써 실리콘과의 밀착성을 좋게 할 수 있다.
이 실시예에서는 주도전층을 이리디움층(54)에 의해 형성하고 있기 때문에 산화이리디움만 배선부전체를 형성한 경우에 비해 저항을 낮게 억제할 수 있다.
또한 상기 실시예에서는 주도전층을 이리디움층에 의해서 구성하고 있지만 백금, 알루미늄 등을 이용해도 좋다.
이 경우 주도전층의 금속이 실리콘에 침투(스파이크)되는 것을 산화이리디움층(52)의 배리어효과에 의해서 방지할 수 있다.(제4도(마)참조)
이 실시예에 있어서 산화이리디움층(52)도 산소결핍상태에서 IrO2-X(X=0-2)로 형성하는 것에 의해 산화물의 생성을 방지할 수 있다.
이 발명에 다른 반도체장치는 배선부를 이리디움 또는 산화이리디움으로 형성하고 있다.
따라서 고온처리에도 강하고, 실리콘 등과의 계면에 절연물이 생성되지 않는다.
본 발명에 의한 반도체장치는 산화이리디움이 산소가 결핍한 상태로 형성되어 있다. 따라서 실리콘 등과의 계면에 있어서, 산화물의 생성을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체장치는 배선부를 배리어층과 주도전층에 의해 구성하고, 배리어층을 산화이리디움으로 형성하고 있다. 따라서 배리어층에서 우수하고, 실리콘이나 알루미늄 등과의 밀착성에도 우수하다.
그리고 도전층 형성후에 열처리에 의해서 유전체를 형성할 수 있을 뿐아니라 도전층과 배선부를 동시에 일체로 형성할 수 있다.
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체장치의 일례를 도시한 도면,
제2도(가)내지(라)는 제1도의 반도체장치의 제조순서를 도시한 도면,
제3도(가)내지(다)는 제1도의 반도체장치의 제조순서를 도시한 도면,
제4도는 산화이리디움과 실리콘의 무반응성을 보여주는 X선 해석결과를 도시한 챠트,
제5도는 다른 실시예에 의한 반도체장치를 도시한 도면,
제6도는 종래의 반도체장치를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
2: 실리콘 기판 4: 소스영역
6: 드레인영역 16: 이리디움층

Claims (3)

  1. 반도체소자영역(6)을 가지는 반도체기판(2); 상기 반도체 기판(2)위에 적층되고, 상기 반도체소자영역의 일부분을 노출시키는 개방부(14)를 가진 절연층(12); 및 이리듐 및 산화이리듐을 포함하여 상기 절연층(12)위에 구비되는 배선부(16a,16b;50); 상기 절연층(12) 상에 형성되고 상기 배선부와 일체로 형성된 하부전극(16a); 상기 하부전극(16a)위에 고유전체 또는 강유전체물질로 형성된 유전체층(18); 및 상기 유전체층(18)위에 형성된 상부전극(20)을 포함한 반도체장치에 있어서,
    상기 반도체기판(2)은 실리콘으로 이루어지고, 상기 배선부(16a,16b;50)는 상기 산화이리듐의 배리어층(52)과, 상기 배리어층위에서 배리어층과 직접 전기적으로 접촉하는 주도체층(54)로 이루어지며, 상기 배리어층은 상기 반도체기판(2)의 반도체 소자영역(6)의 부분을 덮어주고 아울러 그 반도체 소자영역과 직접 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화이리듐은 산소결핍상태의 IrO2-X:
    0〈X〈2
    인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부전극(20)은 이리듐 혹은 산화이리듐으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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