JP3526651B2 - 半導体装置および配線方法 - Google Patents

半導体装置および配線方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体素子の配線に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】従来、半導体素子の配線
には、Al,W,Ta,Tiまたはそのシリサイド、アルミニウム
合金(Al-Si-Cu等)、銅またはその合金、不純物をドープ
したポリシリコン等が用いられている。しかし、アルミ
ニウムを用いた場合には、アルミニウム形成後に４５０
゜Ｃ以上の温度処理ができないという問題点がある。こ
れは、４５０゜Ｃ以上になるとアルミニウムが融けてし
まうからである。
【０００３】ポリシリコンは融点が高いため上記のよう
な問題を生じない。しかし、ポリシリコンは抵抗が高
く、長い距離の配線や細い配線には適していない。
【０００４】また、アルミニウムをシリコン層上に形成
すると、アルミニウムがシリコン中に入り込み（スパイ
ク）、アルミニウムが欠線する等の問題があった。この
ため、従来は、シリコン層の上に、まず薄いTiNをバリ
ア層として形成し、その上にアルミニウムを形成するよ
うにしていた。このTiNのバリア層によって、シリコン
中へのアルミニウムの拡散（スパイク）を防止してい
る。
【０００５】しかしながら、TiNのバリア層を形成した
後にＯ2を含む雰囲気で熱処理するとTiが酸化して、導
電性のない酸化チタンが形成され、コンタクトが取れな
くなるおそれがあった。また、TiNは非常に硬いため、
熱膨張係数の違いにより金属やシリコンに対してはがれ
を生じるおそれもあった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決し
て、高性能の配線を有する半導体装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置
は、配線部をイリジウムによって形成したことを特徴と
している。
【０００８】この発明の半導体装置は、配線部を酸化イ
リジウムによって形成したことを特徴としている。
【０００９】この発明の半導体装置は、酸化イリジウム
が、酸素の欠乏した状態で形成されていることを特徴と
している。
【００１０】この発明の半導体装置は、配線部をバリア
層と主導電層によって構成し、バリア層を酸化イリジウ
ムによって形成したことを特徴としている。
【００１１】この発明の半導体装置は、前記主導電層
が、イリジウムであることを特徴としている。
【００１２】この発明の半導体装置は、酸化イリジウム
が、酸素の欠乏した状態で形成されていることを特徴と
している。
【００１３】この発明の半導体装置における配線方法
は、半導体素子領域に接続される配線部を、イリジウム
または酸化イリジウムによって形成することを特徴とし
ている。
【００１４】この発明の半導体装置における配線方法
は、半導体素子領域に接続される配線部を形成する際
に、半導体素子領域に接触するよう酸化イリジウム層を
バリア層として形成し、当該バリア層の上に主導電層を
形成するようにしたことを特徴としている。
【００１５】この発明の誘電体を備えた素子は、当該誘
電体の直下に形成される導電層から延長して配線部を一
体に形成するとともに、導電層および配線部をイリジウ
ムまたは酸化イリジウムによって形成したことを特徴と
している。
【００１６】
【作用および発明の効果】この発明の半導体装置および
配線方法は、配線部をイリジウムまたは酸化イリジウム
によって形成している。したがって、高温処理にも強
く、シリコン等との界面に絶縁物を生じない。
【００１７】この発明の半導体装置および配線方法は、
酸化イリジウムが、酸素の欠乏した状態で形成されてい
る。したがって、シリコン等との界面において、酸化物
の生成を防止することができる。
【００１８】この発明の半導体装置および配線方法は、
配線部をバリア層と主導電層によって構成し、バリア層
を酸化イリジウムによって形成している。したがって、
バリア性に優れ、シリコンやアルミニウム等との密着性
に優れている。
【００１９】この発明の誘電体を備えた素子は、当該誘
電体の直下に形成される導電層から延長して配線部を一
体に形成するとともに、導電層および配線部をイリジウ
ムまたは酸化イリジウムによって形成している。したが
って、導電層形成後に熱処理によって誘電体を形成する
ことができるばかりでなく、導電層と配線部を同時に一
体に形成することができる。
【００２０】
【実施例】図１に、この発明の一実施例による半導体装
置の構成を示す。この実施例では、基板２には、ソース
領域４およびドレイン領域６が形成されている。ソース
領域４とドレイン領域６の間のチャネル領域８の上に
は、絶縁膜を介してゲート電極１０が形成されている。
さらに、これらの上に層間絶縁膜１２が形成されてい
る。ドレイン領域６の上部にあたる絶縁層１２には、開
口部１４が設けられている。
【００２１】層間絶縁膜１２の上および開口部１４の内
部には、イリジウム層１６が設けられている。このイリ
ジウム層１６は、キャパシタの下部電極１６ａになる部
分と、ドレイン領域６とのコンタクトのための配線１６
ｂになる部分とから構成されている。イリジウム層１６
の下部電極１６ａの部分の上には、ＰＺＴからなる強誘
電体層１８が形成され、さらにその上には上部電極とし
てのイリジウム層２０が設けられている。
【００２２】図２および図３に、図１の半導体装置の製
造プロセスを示す。まず、シリコン基板２に、ＬＯＣＯ
Ｓによって素子分離領域３０を形成するとともに、ゲー
ト酸化膜３２を形成する。ゲート酸化膜３２の上にポリ
シリコンやポリサイドによってゲート電極１０を形成す
る。このゲート電極１０をマスクにして、イオンを注入
して拡散し、ソース領域４およびドレイン領域６を形成
する（図２Ａ参照）。
【００２３】次にこの上に、ＣＶＤによってSiO2やBPSG
等を６０００オングストロームの厚さに形成し、層間絶
縁膜１２とする（図２Ｂ参照）。その後、ドレイン領域
６上の層間絶縁膜１２に開口を形成するため、図２Ｃの
ようにフォトレジストマスク３４を形成する。このマス
ク３４にしたがって、層間絶縁膜１２をエッチングし、
開口１４を形成する（図２Ｄ参照）。
【００２４】この状態で、スパッタリング、ＣＶＤ、真
空蒸着等によって、全面にイリジウム層１６を形成した
後、Ar,Cl2等のガスを用いＲＩＥ、イオンミリング、Ｅ
ＣＲ等のドライエッチングによって、必要部分のみを残
す（図３Ａ参照）。なお、ドライエッチングに代えて、
ウエットエッチングを行っても良い。
【００２５】次に、このイリジウム層１６および層間絶
縁膜１２の上に、ゾルゲル法によって、強誘電体層１８
としてＰＺＴ膜を形成する。出発原料として、Pb(CH3CO
O)2・3H2O,Zr(T-OC4H9)4,Ti(i-OC3H7)4の混合溶液を用い
た。この混合溶液をスピンコートした後、１５０度（摂
氏、以下同じ）で乾燥させ、ドライエアー雰囲気におい
て４００度で３０秒の仮焼成を行った。これを５回繰り
返した後、Ｏ2雰囲気中で、７００度以上の熱処理を施
した。このようにして、２５０ｎｍの強誘電体層１８を
形成した。
【００２６】さらにその上に、スパッタリング、ＣＶ
Ｄ、真空蒸着等によって、上部電極としてのイリジウム
層２０を形成する。エッチングによって不要部分を取り
除き、図３Ｂに示すように、下部電極１６ａの上部分に
のみ、強誘電体層１８とイリジウム層２０を残す。次
に、プラズマＣＶＤ等により、Si3N4,SiO2等を保護膜４
０として形成する（図３Ｃ参照）。
【００２７】この実施例においては、下部電極１６ａお
よび配線１６ｂとしてイリジウム層１６を用いている。
イリジウムはアルミニウムよりも融点が高いので、イリ
ジウム層１６を形成した後に、ＰＺＴのための熱処理を
行なっても、イリジウムが溶けるおそれがない。したが
って、図１に示すように下部電極１６ａとしてだけでは
なく、配線１６ｂとしても用いることができる。また、
熱処理によってイリジウムが酸化しても、導電性のある
酸化イリジウムとなるので、電極もしくは配線としての
性能を損なうことがない。また、ポリシリコン等に比べ
て抵抗が小さい。
【００２８】これに対して、配線としてアルミニウム２
４を用いた場合には、図６に示すように、ＰＺＴを成膜
した後にアルミニウム膜２４を形成しなければならず、
余分な絶縁層２２が必要となって構成が複雑となる。
【００２９】さらに、図１に示す本実施例では、下部電
極１６ａと配線１６ｂを同時に形成でき、製造が容易で
ある。
【００３０】また、下部電極１６ａとしてイリジウムを
用いることにより、白金等による電極に比べて、その上
に形成される強誘電体層１８の誘電性が向上した。
【００３１】上記実施例では、強誘電体層１８として、
ＰＺＴ膜を形成したが、ＰＬＺＴ、BaTiO3、BiSr2Ta2O9
等を形成してもよい。また、強誘電体層１８に代えて、
高誘電率を有する誘電体層（たとえば、SrTi03,(Sr,Ba)
TiO3のペロブスカイト構造を有する高誘電率薄膜）を形
成してもよい。
【００３２】上記実施例では、配線１６ｂ（および下部
電極１６ａ）として、イリジウム層１６を用いている
が、これに代えて酸化イリジウム層を用いてもよい。酸
化イリジウムは、シリコンとの密着性が良好であるため
配線として好ましい。酸化イリジウムは、反応性スパッ
タリング等によって形成することができる。
【００３３】また、酸化イリジウムはシリコンとの反応
性が極めて低いため、ドレイン領域６との界面α（図１
参照）において、シリサイドを生じるおそれがない。こ
れを検証するため、シリコン基板の上に種々の金属材料
を形成した場合に形成される物質を、Ｘ線解析によって
調べたチャートを図４に示す。図４Ａが白金の場合、図
４Ｂががチタンの上に白金を載せた場合、図４Ｃが酸化
イリジウムの場合、図４Ｄが酸化イリジウムの上にイリ
ジウムを載せた場合、図４Ｅは酸化イリジウムの上に白
金を載せた場合である。図４Ａと図４Ｃを比べれば明ら
かなように、白金の場合にはシリコンとの化合物が生じ
ているのに対し、イリジウムの場合にはシリコンとの化
合物は生じていない。
【００３４】また、酸化イリジウムを形成する際に、酸
素欠乏状態とし、IrO2-X(X=0-2)として形成することも
できる。このようにすれば、界面において酸化物（例え
ばシリコン酸化物）が形成されたとしても、これを還元
（シリコンに還元）することができる。つまり、界面に
おける好ましくない酸化物の生成を排除することができ
る。
【００３５】上記実施例では、電極と配線を同時に形成
する場合について説明したが、配線のみを形成する場合
にもこの発明を適用することができる。
【００３６】この発明の他の実施例による半導体装置を
図５に示す。この実施例では、配線部５０を、バリア層
である酸化イリジウム層５２とその上に形成された主導
電層であるイリジウム層５４によって構成した。酸化イ
リジウム層５２をバリア層として形成することにより、
シリコンとの密着性をよくすることができる。この実施
例では、主導電層をイリジウム層５４によって形成して
いるので、酸化イリジウムのみ配線部全体を形成した場
合に比べ、抵抗を低く抑えることができる。
【００３７】なお、上記実施例では、主導電層をイリジ
ウム層によって構成しているが、白金、アルミニウム等
を用いてもよい。この場合、主導電層の金属がシリコン
にスパイクするのを、酸化イリジウム層５２のバリア効
果によって防止することができる（図４Ｅ参照）。
【００３８】この実施例における酸化イリジウム層５２
も、酸素欠乏状態としてIrO2-X(X=0-2)として形成する
ことにより、酸化物の生成を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の一例を
示す図である。
【図２】図１の半導体装置の製造フローを示す図であ
る。
【図３】図１の半導体装置の製造フローを示す図であ
る。
【図４】酸化イリジウムとシリコンとの無反応性を明ら
かにするＸ線解析結果を示すチャートである。
【図５】他の実施例による半導体装置を示す図である。
【図６】従来の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
２・・・シリコン基板 ４・・・ソース領域 ６・・・ドレイン領域 １６・・・イリジウム層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 301 H01L 21/3205 H01L 27/10 G11C 11/34

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子領域、 前記半導体素子領域に接続される配線部、 を備えた半導体装置において、 前記配線部を酸素の欠乏した状態で形成された酸化イリ
    ジウムとした、 ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】半導体素子領域、 前記半導体素子領域に接続される配線部、 を備えた半導体装置において、 前記配線部をバリア層と主導電層によって構成し、 前記バリア層を酸化イリジウムによって形成したことを
    特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】請求項２の半導体装置において、 前記主導電層が、イリジウムであることを特徴とするも
    の。
  4. 【請求項４】請求項２の半導体装置において、 前記酸化イリジウムは、酸素の欠乏した状態で形成され
    ていることを特徴とするもの。
  5. 【請求項５】半導体装置における配線方法であって、 半導体素子領域に接続される配線部を形成する際に、 半導体素子領域に接触するよう酸化イリジウム層をバリ
    ア層として形成し、当該バリア層の上に主導電層を形成
    するようにしたことを特徴とするもの。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6040616A (en) * 1995-06-06 2000-03-21 Lucent Technologies Inc. Device and method of forming a metal to metal capacitor within an integrated circuit
JP3299909B2 (ja) * 1997-02-25 2002-07-08 シャープ株式会社 酸化物導電体を用いた多層構造電極
JP3201468B2 (ja) * 1997-05-26 2001-08-20 日本電気株式会社 容量素子及びその製造方法
JP3028080B2 (ja) * 1997-06-18 2000-04-04 日本電気株式会社 半導体装置の構造およびその製造方法
EP0893832A3 (en) 1997-07-24 1999-11-03 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor device including a capacitor device and method for fabricating the same
US6069398A (en) * 1997-08-01 2000-05-30 Advanced Micro Devices, Inc. Thin film resistor and fabrication method thereof
JPH11330378A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置
JP3114710B2 (ja) * 1998-11-30 2000-12-04 日本電気株式会社 強誘電体メモリ及びその製造方法
JP3323847B2 (ja) 1999-02-22 2002-09-09 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
US6900487B2 (en) * 2001-06-29 2005-05-31 Oki Electric Industry Co., Ltd. Wiring layer structure for ferroelectric capacitor
US6885570B2 (en) * 2001-11-09 2005-04-26 Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw (IMEC vzw) Simplified bottom electrode-barrier structure for making a ferroelectric capacitor stacked on a contact plug
KR100449247B1 (ko) * 2001-12-26 2004-09-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 커패시터의 Ｉｒ／Ｉｒ02 전극 제조방법
US7361100B1 (en) 2006-12-20 2008-04-22 Karsten Manufacturing Corporation Metal composite golf club head

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5441870B2 (ja) * 1972-11-22 1979-12-11
US4026742A (en) * 1972-11-22 1977-05-31 Katsuhiro Fujino Plasma etching process for making a microcircuit device
JPS5441870A (en) * 1977-09-02 1979-04-03 Sumitomo Chem Co Ltd Benzazole derivative, its preparation and bactricidal agent for agriculture and floriculture containing it as effective ingredient
JP2558351B2 (ja) * 1989-06-29 1996-11-27 沖電気工業株式会社 アクティブマトリクス表示パネル
JPH0712074B2 (ja) * 1990-03-01 1995-02-08 日本電気株式会社 薄膜コンデンサ及びその製造方法
JPH0687493B2 (ja) * 1990-03-07 1994-11-02 日本電気株式会社 薄膜コンデンサ
US5191510A (en) * 1992-04-29 1993-03-02 Ramtron International Corporation Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices
US5254217A (en) * 1992-07-27 1993-10-19 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide
JPH0783061B2 (ja) * 1993-01-05 1995-09-06 日本電気株式会社 半導体装置
US5407855A (en) * 1993-06-07 1995-04-18 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material
US5555486A (en) * 1994-12-29 1996-09-10 North Carolina State University Hybrid metal/metal oxide electrodes for ferroelectric capacitors

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