KR100392867B1 - 플라즈마디스플레이패널장치및그의제조방법 - Google Patents

플라즈마디스플레이패널장치및그의제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100392867B1
KR100392867B1 KR10-1998-0007453A KR19980007453A KR100392867B1 KR 100392867 B1 KR100392867 B1 KR 100392867B1 KR 19980007453 A KR19980007453 A KR 19980007453A KR 100392867 B1 KR100392867 B1 KR 100392867B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
composition
black
substrate
conductive
Prior art date
Application number
KR10-1998-0007453A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980079982A (ko
Inventor
히로시 간다
제롬 데이빗 스미쓰
테리 알. 수스
Original Assignee
이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 filed Critical 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니
Publication of KR19980079982A publication Critical patent/KR19980079982A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100392867B1 publication Critical patent/KR100392867B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07K—PEPTIDES
    • C07K14/00—Peptides having more than 20 amino acids; Gastrins; Somatostatins; Melanotropins; Derivatives thereof
    • C07K14/435—Peptides having more than 20 amino acids; Gastrins; Somatostatins; Melanotropins; Derivatives thereof from animals; from humans
    • C07K14/52—Cytokines; Lymphokines; Interferons
    • C07K14/54—Interleukins [IL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H01J11/24—Sustain electrodes or scan electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
    • A01K2217/00—Genetically modified animals
    • A01K2217/05—Animals comprising random inserted nucleic acids (transgenic)
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
    • A01K2217/00—Genetically modified animals
    • A01K2217/07—Animals genetically altered by homologous recombination
    • A01K2217/075—Animals genetically altered by homologous recombination inducing loss of function, i.e. knock out
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07K—PEPTIDES
    • C07K2319/00—Fusion polypeptide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N2799/00—Uses of viruses
    • C12N2799/02—Uses of viruses as vector
    • C12N2799/021—Uses of viruses as vector for the expression of a heterologous nucleic acid
    • C12N2799/026—Uses of viruses as vector for the expression of a heterologous nucleic acid where the vector is derived from a baculovirus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/22—Electrodes
    • H01J2211/225—Material of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/44—Optical arrangements or shielding arrangements, e.g. filters or lenses
    • H01J2211/444—Means for improving contrast or colour purity, e.g. black matrix or light shielding means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Gastroenterology & Hepatology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Genetics & Genomics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Proteomics, Peptides & Aminoacids (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 흑색 전극이 기판 및 전도체 설비 전극 사이에 존재하는, 그 자체로서 사진석판술이 적용가능한 감광성 후막 전도체 조성물을 사용하여 제조된 PDP 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 PDP 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 전극 및 상호 접속 전도체 패턴 형성을 위한 미세한 선 및 구역 해상도가 얻어지고, 전극 및 전도체 색상의 흑색화로 인해 디스플레이 대비가 향상된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 장치 및 그의 제조 방법 {Plasma Display Panel Device and Method of Fabricating the Same}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel) 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 교류 플라즈마 디스플레이 패널(AC PDP) 장치 및 AC PDP의 제조 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은, 전형적으로 서로 반대 위치로 정렬되어 디스플레이 소자인 복수개의 셀을 형성하는 한쌍의 전면 및 후면 절연 기판을 포함하고, 각 셀은 일정한 간격으로 유지된 절연 기판 및 절연 기판 사이에 정렬된 셀 베리어(cell barrier)에 의해 각각 한정되며, 전극 사이에 삽입된 유전성 층을 구비한 절연 기판의 내부 표면에 배치된 2개의 교차 전극을 포함하고, 두 전극은 전극 사이에 AC 전압을 가하여 복수개의 셀의 전기 방전을 유발시킴으로써 셀 베리어의 벽면 위에 인(phosphor) 스크린을 형성하며, 또한 투명한 절연 기판을 관통하는 빛에 의해 빛을 방사하고 이미지를 디스플레이 한다. 더욱 상세하게는, 도 4에 도시된 바와 같이 투명 전극(1) 및 어드레싱 전극(2)은 매트릭스 형태로 정렬되고, 이와 같은 전극(1 및 2)의 선택된 교차 지점에서 플라즈마 방전이 생성되어 빛을 방사하는 형광 물질(3)을 생성한다. 매트릭스 또는 선형 구조의 셀 베리어(4)는 디스플레이 소자로서 전면 유리 기판(5)과 후면 유리 기판(6) 사이에 정렬되어 복수개의 셀을 형성한다. 모선(母線) 전극(7)은, 하나씩 순차적으로 선택된 디스플레이 라인을 위하여 투명 전극(1)을 접속하고, 선택된 디스플레이 라인의 셀을 삭제하기 위해 사용되며, 선택된 셀에 대한 디스플레이 데이터는 전면 유리 기판(5) 위의 투명 전극(1)의 표면에 형성되는 것으로 나타나고, 유전성 층(8)은 절연층으로 작용하며 투명 전극(1) 및 모선 전극(7) 위에 형성된다. 보호막인 MgO막(9)은 유전성 층(8) 위에 형성된다.
AC PDP 장치의 이미지 해상도 및 명도는 전극 폭, 상호 접속 전도체 피치(pitch) 및 유전성 층의 투명도에 좌우된다. 스크린 프린트(screen print)법, 스퍼터링(sputtering)법 또는 화학적 에칭법과 같은 통상의 패턴화법에 의해 이들 물질이 적용되는 경우, 전극 및 상호 접속 전도체 패턴 형성을 위한 미세한 선 및 구역 해상도를 얻는 것은 어렵다. 더욱이, 디스플레이 대비를 향상시키기 위해, 전면 유리 기판 위에 정렬된 전극 및 전도체로부터의 외부 광의 반사를 감소시키는 것이 필수적이다. 이와 같은 반사 감소는, 디스플레이의 전면 판을 통해서 보여지는 전극 및 전도체의 색상을 흑색화함으로써 가장 용이하게 수행될 수 있다.
본 발명의 목적은, 전극 및 상호 접속 전도체 패턴 형성을 위한 미세한 선 및 구역 해상도가 얻어지고, 전극 및 전도체 색상의 흑색화로 인해 디스플레이 대비가 향상된, 흑색 전극이 기판 및 전도체 설비 전극 사이에 존재하는, 그 자체로서 사진석판술이 적용가능한 감광성 후막 전도체 조성물을 사용하여 제조된 PDP 장치를 제공하는 것이다.
<발명의 요약>
본 발명은 그 자체로서 사진석판술이 적용가능한 감광성 후막 전도체 조성물을 사용하여 제조되는, 기판과 전도체 설비 전극 사이에 흑색 전극이 존재하는 PDP 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 PDP 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
더욱 상세하게는, 본 발명은 서로 이격된 전면 및 후면 절연 기판 및 전극 배열을 포함하고; 상기 전극 배열은 이온성 가스로 충전된 방전 구역에 면하는 제1 군의 병렬 전극 복합체 및 제2 군의 전극 복합체를 포함하며, 또한 이 전극 배열이 적어도 하나의 절연 기판 상에서는 유전체로 코팅되는 것이고; 제1 및 제2 군의 전극 복합체가 방전 구역에 걸쳐 직교 관계로 직면하도록 배치되고, 절연 기판의 표면 위에 특정한 전극 패턴을 갖도록 형성되며, 여기서 적어도 전면 절연 기판 위의 전극 복합체는,
동일한 기판 위의 각 모선 전도체에 접속되는 상태로 각 기판 위에 형성된 일군의 전도체 전극을 포함하는 전도체 전극 배열;
기판과 전도체 전극 배열 사이에 형성된, RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 층을 포함하는, 그 자체로서 사진석판술이 적용가능한 흑색 전극
을 포함하는 것인, AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한,
(1) (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 감광성 흑색 전도성 조성물을 기판 위에 적용하는 단계;
(2) 흑색 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 특정 패턴을 형성하는 단계;
(3) 노출된 흑색 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 조성물을 제거하는 단계;
(4) 현상된 흑색 조성물을 가열 경화하여, 기판 위에 흑색 전도성 성분을 형성하는 단계;
(5) (a) Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 그의 조합물로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진, 전도체 전극을 형성하는 감광성 전도성 조성물을 적용하는 단계;
(6) 전도성 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계;
(7) 노출된 감광성 전도성 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 조성물을 제거하는 단계;
(8) 현상된 전도성 조성물을 가열 경화하여, 기판 위의 흑색 전극 배열의 최상부 위에 전도체 전극을 형성하는 단계;
의 연속 단계로 이루어진, AC PDP 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
이외에도, 본 발명은 흑색 전극 조성물 및 전도체 전극 조성물을 동시에 현상하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 흑색 전극 조성물 및 전도체 전극 조성물을 동시에 노출하고 현상하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 AC PDP 장치의 도해도.
도 2는 동일한 기판 위의 모선 전극과 투명 전극 사이에 모선 전극 및 상호 접속 전극을 배치하는 방법의 연속 단계를 보여주는 일련도.
도 3은 본 발명의 방법의 다른 연속 단계를 보여주는 일련도.
도 4는 선행 기술에 해당하는 AC PDP 장치의 도해도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 투명 전극
2: 어드레싱 전극
3: 형광 물질
4: 셀 베리어
5: 전면 유리 기판
6: 후면 유리 기판
7: 모선 전극
8: 유전성 층
9: MgO 막
10: 흑색 전극
11: MgO
도 1은 본 발명에 따라 제조된 AC PDP의 도해도이다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명은 유기 기판 위에 형성된 기저부의 투명 전극(1); RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진, 페이스트 또는 건식 막으로 적용될 수 있는 감광성 전도체 조성물을 이용하며, 기저부의 투명 전극(1) 위에 형성되는 흑색 전극(10); Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 전도성 입자 및 그의 조합물을 포함하는 감광성 전도체를 이용하며, 기저부의 흑색 전극(10) 위에 형성되는 모선 전도체 전극(7)의 최상층으로 이루어진 개량된 형태를 특징으로 하는 AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치를 기술한다.
흑색 전극(10) 및 모선 전도체 전극(7)은, 화학선 복사에 이미지식으로 노출되어 패턴화되고, 염기성 수용액에서 현상되고, 승온에서 고온 경화되어 유기 성분이 제거되고 무기 물질이 소결된다. 흑색 전극(10) 및 모선 전도체 전극(7)은 동일하거나 매우 유사한 이미지를 사용하여 패턴화된다. 최종적으로 얻어진 결과물은, 투명한 전극(1) 표면 위에 흑색으로 나타나는 고온 경화된 전극 복합체로서, 전면 유리 기판 위에 정렬된 전극 복합체로부터 외부 광의 반사를 감소시키고, 우수한 전도성을 갖는다. 본원에서 사용되는 "흑색"이라는 용어는 색상을 의미하는 것으로, 흑색의 색상은 백색의 배경에 대해 가시적으로 현저한 대비를 나타낸다. 즉, 이 용어는 색조의 부재를 나타내는 흑색으로만 제한되는 것은 아니다. 대조적으로, 도 1에 도시되어 있지만, 기저부의 투명 전극은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 실시에 필수적이지는 않다.
존재하는 경우에는, 투명 전극(1)은 SnO2또는 ITO를 사용하여 이온 스패터링(spattering)법 또는 도금법, 화학 증착법 또는 전착법에 의해 형성된다. 본 발명에서, 이와 같은 투명 전극 형태 및 형성 방법은 통상의 AC PDP 기술 분야에 잘 공지되어 있다.
도 1을 다시 참조하자면, AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치는, 패턴화되고 고온 경화된 금속화층을 갖는 유리 기판을 기재로 하며, 금속화층은 유전성 상회제(上繪劑: overglaze)에 의해 코팅되고 이어서 MgO(11)로 코팅된다.
전도체 선은 선 폭이 균일하고 흠집이 없고 손상되지 않으며, 고전도성, 광학적 투명성 및 선 간의 투명성을 갖는다.
PDP 장치 전면의 유리 기판 위의 선택적인 투명 전극 위에 모선 및 흑색 전극을 제조하는 방법을 하기에 논의한다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 제1 태양의 형성 방법은 하기의 연속 단계로 이루어진다:
a. SnO2또는 ITO를 사용하여 당업계에 공지된 통상의 방법과 동일한 방법으로 형성된 투명 전극(1) 위에 감광성 후막 조성물 층(10)을 배치하여 적용하는 단계. 흑색 전극 조성물은 (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자(Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 그의 조합물로 이루어진 추가의 전도성 입자를 포함할 수도 있으며, Cu가 존재하는 경우 비환원성 대기가 사용되어야 함), (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진다(도 2a에 도시된 바와 같음);
b. 먼저 적용된 흑색 전극 조성물 층(10)에 감광성 후막 전도성 조성물 층(7)을 적용하여, (a) Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 그의 조합물로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 모선 전극을 형성하는 단계(도 2b에 도시된 바와 같음). a) 및 b) 단계 후 질소 또는 공기 대기 오븐에서 75 내지 100 ℃로 건조하는 단계가 수반된다.
c. 현상 후 정확한 형태가 얻어지도록 하는 노출에 의해 결정되는 최적 노출 시간 동안, 투명 전극(1)과 상호 연관되게 정렬된 흑색 및 모선 전극의 패턴에 상응하는 형태를 갖는 포토툴(phototool) 또는 타깃(target)(13)을 통해 화학선복사(UV 광원이 주로 사용됨)에 제1 흑색 조성물 층(10) 및 제2 모선 전극 조성물 층(7)을이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계(도 2c에 도시된 바와 같음).
d. 0.8 중량%의 탄산나트륨인 염기성 수용액 또는 기타 알칼리성 수용액 중에서 제1 흑색 전극 조성물 층(10) 및 제2 모선 전극 조성물 층(7) 내의 노출된 부분(10a 및 7a)을 현상하여 층(10 및 7)의 노출되지 않은 부분(10b 및 7b)를 제거하고(도 2d에 도시된 바와 같음) 현상된 조합체를 임의로 소성의 조건하에 오븐에서 건조하여 유기 성분을 휘발시키는 단계; 및
e. 기판 물질에 따라 500 내지 700 ℃에서 약 2시간 30분 동안 노출된 부분(10a 및 7a)을 가열 경화하여, 무기 결합제 및 전도성 성분을 소결하는 단계(도 2e에 도시된 바와 같음).
도 3을 참조하여, 본 발명에 따른 제2 태양의 형성 방법에 대해 하기에 기재하고자 한다. 설명의 편의상, 도 2와 동일한 도 3의 성분에 대해서는 동일한 번호를 사용한다. 제2 태양의 방법은 하기의 연속 단계로 이루어진다:
a'. SnO2또는 ITO를 사용하여 PDP 장치의 전면 기판인 유리 기판(5) 위에 통상의 방법으로 이미 형성된 투명 전극(1) 위에 흑색 전극의 형성을 위한 감광성 후막 조성물 층(10)을 배치하여 적용하는 단계. 흑색 전극 조성물은 (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자(Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 그의 조합물로 이루어진 추가의 전도성 입자를 포함할 수도 있으며, Cu가 존재하는 경우 비환원성 대기가 사용되어야만 함), (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체로 이루어지고, 후막 조성물 층(10)은 질소 또는 공기 대기 오븐에서 75 내지 100 ℃로 건조된다(도 3a 및 b에 도시된 바와 같음);
b'. 현상 후 정확한 형태가 얻어지도록 하는 노출에 의해 결정되는 최적 노출 시간 동안, 투명 전극(1)과 상호 연관되게 정렬된 흑색 및 모선 전극의 패턴에 상응하는 형태를 갖는 포토툴(phototool) 또는 타깃(target)(13)을 통해 화학선 복사(UV 광원이 주로 사용됨)에 제1 흑색 조성물 층(10)을 이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계(도 3c에 도시된 바와 같음).
c'. 0.8 중량%의 탄산나트륨인 염기성 수용액 또는 기타 알칼리성 수용액 중에서 제1 흑색 전극 조성물 층(10) 내의 노출된 부분(10a)을 현상하여 층(10)의 노출되지 않은 부분(10b)을 제거하고(도 3d에 도시된 바와 같음) 현상된 조합체를 임의로 소정의 조건하에 오븐에서 건조하여 유기 성분을 휘발시키는 단계;
d'. 기판 물질에 따라 500 내지 700 ℃에서 약 2시간 30분 동안 노출된 부분(10a)을 가열 경화하여, 무기 결합제 및 전도성 성분을 소결하는 단계(도 3e에 도시된 바와 같음);
e'. 제1 감광성 후막 조성물 층(10)의 고온 경화되고 패턴화된 부분(10a)에 상응하는 흑색 전극(10a) 위에 감광성 후막 전도성 조성물 층(7)을 적용하여 (a) Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 그의 조합물로이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 모선 전극을 형성하고(3f에 도시된 바와 같음), 질소 또는 공기 대기 오븐에서 75 내지 100 ℃로 건조하는 단계;
f'. 현상 후 정확한 형태가 얻어지도록 하는 노출에 의해 결정되는 최적 노출 시간 동안, 투명 전극(1)과 상호 연관되게 정렬된 모선 전극(7) 및 흑색 전극(10a)의 패턴에 상응하는 형태를 갖는 포토타깃(phototarget)(13)을 통해 화학선 복사(UV 광원이 주로 사용됨)에 제2 모선 전극 조성물 층(7)을 이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계(도 3c에 도시된 바와 같음);
g'. 0.8 중량%의 탄산나트륨인 염기성 수용액 또는 기타 알칼리성 수용액 중에서 제2 모선 전극 조성물 층(7) 내의 노출된 부분(7a)을 현상하여 층(7)의 노출되지 않은 부분(7b)을 제거하고(도 3h에 도시된 바와 같음), 현상된 조합체를 임의로 소정의 조건하에 오븐에서 건조하여 유기 성분을 휘발시키는 단계; 및
h'. 기판 물질에 따라 500 내지 700 ℃에서 약 2시간 30분 동안 노출된 부분(7a)을 가열 경화하여, 무기 결합제 및 전도성 성분을 소결하는 단계(도 3i에 도시된 바와 같음).
도시되지는 않았으나, 제3 태양은 하기의 연속 단계로 이루어진다:
(1) (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 감광성 흑색 전도성 조성물을 기판 위에 적용하는 단계;
(2) (a) Au, Ag, Pd, Pt 및 Cu의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 그의 조합물로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 감광성인 전도성 조성물을 기판 위에 적용하는 단계;
(3) 흑색 및 전도성 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 특정 패턴을 형성하는 단계;
(4) 노출된 흑색 및 전도성 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 조성물을 제거하는 단계; 및
(5) 현상된 전도성 조성물을 가열 경화하는 단계.
도 1을 다시 참조하면, 상기한 방법으로 흑색 전극(10) 및 모선 전극(7)과 결합된 투명한 전극(1)이 전면 유리 기판(5) 위에 형성된 후, 전면 유리 조합체는 유전체(8)로 캡슐화되고 MgO(11)로 코팅된다. 이어서, 전면 유리 기판(5)은 후면 유리 기판(6)과 짝을 이루고, 후면 유리 기판(6)에서는 셀 베리어(4)가 형성되어 스크린 프린트된 인(phosphor)을 포함하는 복수개의 디스플레이 셀이 한정된다. 또한, 전면 기판 조합체 위의 전극 구성물은 후면 유리 어드레싱 전극 구성물에 수직이다. 전면 및 후면 유리 기판(5 및 6) 사이의 구역은 밀봉 유리(sealing glass)로 밀봉되고, 동시에 방전 혼합물 가스는 방전 구역에 밀봉된다. 이와 같이 하여, AC PDP 장치가 조합된다.
본 발명의 자체로서 사진석판술이 적용가능한 흑색 전극의 성분에 대해 하기에 논의하고자 한다.
A.흑색 전극 조성물의 전기 전도성 입자
본 발명의 전도성 흑색 조성물은, 전도성 성분으로서 RuO2및(또는) 루테늄 기재의 다가 산화물을 함유한다. 전도성 입자는 본 단락의 (B)에서 논의되는 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리와 같은 귀금속 또는 그의 조합물을 임의로 포함할 수 있다. 루테늄 기재의 다가 산화물은 하기 화학식으로 표시되는, Ru+4, Ir+4또는 그의 혼합물(M")의 다성분 화합물인 피로클로르 산화물 중 일종이다.
(MxBi2-x)(M'yM"2-y)O7-z
식 중,
M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리 및 희토류 물질로 이루어진 군으로부터 선택되고,
M'은 백금, 티타늄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
M"은 루테늄, 이리듐 또는 그의 혼합물이고,
x는 0-2이지만, 단 1가 구리에 대해서는 x℃1이며,
y는 0-0.5이지만, 단 M'이 로듐 또는 백금, 티타늄, 크롬, 로듐, 또는 안티몬 중 1종 이상인 경우에는 y는 0-1이고,
z는 0-1이지만, 단 M이 2가 납 또는 카드뮴인 경우에는 적어도 약 x/2와 동일하다.
루테늄 피로클로르 산화물은 미국 특허 제3,583, 931호에 상세히 기재되어 있다.
바람직한 루테늄 다가 산화물은 비스무쓰 루테늄산염 Bi2Ru2O7, 납 루테늄산염 Pb2Ru2O6, Pb1.5, BiO0.5, Ru2O6.5 및 GdBiRu2O6이다. 이와 같은 물질은 쉽게 순수한 형태로 얻어질 수 있고, 유리 결합제에 의해 악영향을 받지 않으며, 공기 중에서 약 1000 ℃로 가열되는 경우에도 안정하고, 환원 대기 중에서도 비교적 안정하다.
루테늄 산화물 및(또는) 루테늄 피로클로르 산화물은, 유기 매질을 포함하는 전체 조성물의 중량을 기준으로 4-50 중량%, 바람직하게는 6-30 중량%, 더욱 바람직하게는 5-15 중량%, 가장 바람직하게는 9-12 중량%의 비율로 사용된다.
B.흑색 전극 조성물의 전기 전도성 금속 입자
전기 전도성 금속은 흑색 조성물에 임의로 첨가될 수 있다. 구형 입자 및 박편(막대형, 원뿔형, 판형)을 포함하는 거의 모든 형태의 금속 분말이 본 발명의 실시에 사용될 수 있다. 바람직한 금속 분말은 금, 은, 팔라듐, 백금, 구리 또는 그의 조합물이다. 입자가 구형인 것이 바람직하다. 본 발명의 분산액은 입도가 0.2 ℃m 미만인 고상물을 현저한 양으로 포함해서는 안된다. 이와 같은 작은 크기의 입자가 존재하는 경우, 유기 매질이 제거되고 무기 결합제 및 금속 고상물의 소결이 수행되도록 막 또는 층이 고온 경화될 때 유기 매질의 완전한 연소물을 적합하게 얻기에는 어려움이 있다. 분산액을 사용하여 일반적으로 스크린 프린트법에의해 적용되는 후막 페이스트를 제조하는 경우, 최대 입도는 스크린의 두께를 초과해서는 안된다. 80 중량% 이상의 전도성 고상물의 입도가 0.5-10 ℃m 범위인 것이 바람직하다.
또한, 바람직하게는 전도성 입자의 표면적/중량비는 20 m2/g, 바람직하게는 10 m2/g, 더욱 바람직하게는 5 m2/g를 초과해서는 안된다. 표면적/중량비가 20 m2/g를 초과하는 금속 입자가 사용되는 경우, 수반되는 무기 결합제의 소결 특성에 악영향을 미치게 된다. 적합한 연소물을 얻기가 어렵고 발포체가 나타날 수 있다.
종종, 접착성이 향상되도록 구리 산화물이 첨가된다. 구리 산화물은 미세하게 분쇄된, 바람직하게는 크기가 약 0.5 내지 5 미크론 범위인 입자 형태로 존재해야 한다. Cu2O로 존재하는 경우, 구리 산화물은 총 조성물 중 약 0.1 내지 약 3 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 1.0 중량%를 구성한다. 일부분의 또는 모든 Cu2O는 몰 당량의 CuO로 대체될 수 있다.
C. 무기 결합제
유리 또는 유리 원료로 칭해질 수도 있는, 본 발명에서 사용되는 무기 결합제는 전도성 성분 입자가 소결되도록 돕는 성분으로, 연화점이 전도성 성분의 융점 미만인 당업계에 공지된 임의의 조성물일 수 있다. 무기 결합제의 연화점은 소결 온도에 상당한 영향을 미친다. 본 발명의 전도성 조성물이 기저층 위에서 충분히 소결되기 위해서는, 유리 연화점은 약 325-700 ℃, 바람직하게는 약 350-650 ℃,더욱 바람직하게는 약 375-600 ℃이다.
325 ℃ 미만에서 용융되는 경우, 유기 물질은 캡슐화되기 쉽고, 유기 물질이 분해되면서 조성물에 발포체가 형성되는 경향이 있다. 한편, 연화점이 700 ℃를 초과하는 경우, 점착성이 열등한 조성물이 얻어지는 경향이 있다.
가장 바람직하게 사용되는 유리 재료는, 납 붕규산염 유리 재료, 비스무쓰, 카드뮴, 바륨, 칼슘 또는 기타 알칼리 토금속 붕균산염 유리 재료와 같은 붕균산염 유리 재료이다. 이와 같은 유리 재료의 제조법은 당업계에 공지되어 있고, 예를 들면 산화물 형태의 유리 성분을 함께 용융하는 단계, 및 이와 같은 용융 조성물을 물에 부어 유리 재료를 형성하는 단계로 이루어진다. 물론, 배치(batch) 성분은 유리 재료 제조를 위한 일반적인 조건하에서 바람직한 산화물을 생성하는 임의의 화합물일 수 있다. 예를 들면, 산화붕소는 붕산으로부터 얻어지고, 이산화규소는 부싯돌로부터 얻어지고, 산화바륨은 탄산바륨 등에서 얻어질 수 있다.
고체상 조성물에 집괴체가 없어야 하므로, 큰 입자가 제거되도록 유리 재료를 미세한 메시 스크린에 통과시킨다. 무기 결합제는 중량에 대한 표면의 비율이 10 m2/g 이하여야 한다. 바람직하게는 90 중량% 이상의 입자가 0.4-10 ℃m의 입도를 갖는다.
무기 결합제는, 바람직하게는 전도성 또는 절연 입자의 0.01-25 중량%를 구성한다. 무기 결합제의 양이 보다 많은 경우에는, 기판에 대한 결합성이 감소된다.
D. 유기 중합체 결합제
중합체 결합제는 본 발명의 조성물에서 중요하다. 이들 성분의 수현상성이 고려되어야만 하고, 높은 해상능을 제공해야만 한다. 이와 같은 요구 사항은 하기 결합제를 선택함으로써 충족될 수 있음을 알게 되었다. 즉, 이들 결합제는 (1) C1-10알킬 아크릴레이트, C1-10알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 치환된 스티렌, 또는 그의 조합물을 포함하는 비산성 공단량체 및 (2) 중합체 총 중량의 15 중량% 이상의, 잔기를 포함하는 에틸렌계 불포화 카르복실산을 포함하는 산성 공단량체로부터 제조된 공중합체 또는 혼성중합체이다.
조성물 내의 산성 공단량체 성분의 존재는 본 방법에서 중요하다. 산성 작용기에 의해, 0.8 %의 탄산나트륨의 수용액과 같은 수성 염기 중에서 현상되는 현상능이 나타난다. 산성 공단량체가 15% 미만의 농도로 존재하는 경우, 조성물은 수성 염기 내에서 세정에 의해 완전히 제거되지 않는다. 산성 공단량체가 30%를 초과하는 농도로 존재하는 경우, 조성물은 현상 조건에서 덜 안정하고 이미지 부분에서 부분적으로 현상된다. 적합한 산성 공단량체로는 아크릴산, 메타크릴산, 또는 크로톤산과 같은 에틸렌계 불포화 모노카르복실산류 및 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 비닐 숙신산 및 말레산과 같은 에틸렌계 불포화 디카르복실산류, 뿐만 아니라 그의 반에스테르류, 및 몇몇 경우에는 그의 무수물 및 그의 혼합물이 있다. 메타크릴산 중합체가 아크릴산 중합체에 비해 바람직한데, 그 이유는 메타크릴산 중합체가 저산소 대기에서 보다 청결하게 연소되기 때문이다.
비산성 공단량체가 상기한 바와 같이 알킬 아크릴레이트 또는 알킬 메타크릴레이트인 경우, 비산성 공단량체는 중합체 결합제의 50 중량% 이상, 바람직하게는 70-75 중량%를 구성하는 것이 바람직하다. 비산성 공단량체가 스티렌 또는 치환된 스티렌인 경우, 이들 비산성 공단량체는 중합체 결합제의 50 중량%를 구성하고, 다른 50 중량%는 말레산 무수물의 반에스테르와 같은 산무수물인 것이 바람직하다. 바람직한 치환된 스티렌은 ℃-메틸스티렌이다.
바람직하지는 않지만, 중합체 결합제의 비산성 부분은, 중합체의 알킬 아크릴레이트, 알킬 메타크릴레이트, 스티렌 또는 치환된 스티렌 부분에 대한 치환체로서 약 50 중량% 이하의 기타 비산성 공단량체를 함유할 수 있다. 비산성 부분의 예로는 아크릴로니트릴, 비닐 아세테이트, 아크릴아미드가 있다. 그러나, 이들 성분은 완전히 연소되는 것이 다소 어렵기 때문에, 총 중합체 결합제 중에 이들 단량체가 약 25 중량% 미만으로 사용되는 것이 바람직하다. 단일 공중합체 또는 공중합체의 조합물은, 이들 성분 각각이 상기 각종의 기준을 만족시키는 한 결합제로서 사용될 수 있다. 상기 공중합체 이외에, 소량의 기타 중합체 결합제를 첨가할 수 있다. 이의 예로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 폴리이소부틸렌, 및 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀류, 뿐만 아니라 산화폴리에틸렌과 같은 저분자량의 산화알킬렌 중합체인 폴리에테르류를 들 수 있다.
중합체는, 아크릴레이트 중합화 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 사용되는 용액 중합화법에 의해 제조될 수 있다.
전형적으로, 이와 같은 산성 아크릴레이트 중합체는, ℃- 또는 ℃-에틸렌계불포화산(산성 공단량체)과 1종 이상의 공중합성 비닐 단량체(비산성 공단량체)를 비교적 저비등점(75-150 ℃)인 유기 용매에서 혼합하여 10-60%의 단량체 혼합액을 얻는 단계, 이어서 중합화 촉매를 첨가하고 혼합물을 상압에서 용매의 환류 온도로 가열하여 단량체를 중합화하는 단계에 의해 제조된다. 중합화 반응이 실질적으로 완료된 후, 제조된 산성 중합체 용액을 실온으로 냉각하고, 시료를 수집하여 중합체 점도, 분자량 및 산 당량을 측정한다.
나아가서, 산-함유 중합체 결합제의 분자량을 50,000 미만, 바람직하게는 25,000 미만, 더욱 바람직하게는 15,000 미만으로 유지할 필요가 있다.
상기 조성물이 스크린 프린트법에 의해 코팅되는 경우, 중합체 결합제의 Tg(유리 전이 온도)는 90 ℃를 초과하는 것이 바람직하다.
스크린 프린트 후, 상기 페이스트는 일반적으로 90 ℃ 미만의 온도에서 건조되고, 이 온도 미만의 Tg 수치를 갖는 페이스트는 일반적으로 매우 점성인 조성물이 된다. 스크린 프린트법 이외의 수단에 의해 코팅되는 물질의 경우에는, 보다 낮은 Tg 수치가 사용될 수 있다.
유기 중합체 결합제는, 일반적으로 건조 광중합성 층 총 중량의 5-45 중량%의 양으로 존재한다.
E.광개시제
적합한 광개시제는, 열적으로 비활성이지만 185 ℃ 이하에서 화학선 복사에 노출될 때 자유 라디칼을 생성하는 것이다. 이와 같은 광개시제로는 공액 탄소 고리계에 2종의 분자내 고리를 갖는 화합물인 치환되거나 비치환된 다핵 퀴논이 있고, 예를 들면 9,10-안트라퀴논, 2-메틸 안트라퀴논, 2-에틸 안트라퀴논, 2-tert-부틸 안트라퀴논, 옥타메틸 안트라퀴논, 1,4-나프토튀논, 9,10-페난트렌 퀴논, 벤즈(자) 안트라센-7,12-디온, 2,3-나프타센-5,12-디온, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 1,4-디메틸 안트라퀴논, 2,3-디메틸 안트라퀴논, 2-페닐 안트라퀴논, 2,3-디페닐 안트라퀴논, 레텐퀴논, 7,8,9,10-테트라히드로나프타센-5,12-디온, 및 1,2,3,4-테트라히드로벤즈(자) 안트라센-7,12-디온이 있다. 일부는 85℃와 같은 낮은 온도에서도 열적으로 활성이나, 유용한 기타 광개시제는 미국 특허 제2,760,863호에 기재되어 있고, 이들 광개시제로는 인접(비시날) 케트알도닐 알코올류, 예를 들면 벤조인 또는 피발로인; 아실로인 에테르류, 예를 들면 벤조인 메틸 및 에틸 에테르류; ℃-메틸 벤조인, ℃-알릴 벤조인, ℃-페닐 벤조인, 티옥톤 및 티옥톤 유도체를 포함하는 탄화수소-치환된 방향족 아실로인류 및 수소 공여체가 있다.
미국 특허 제2,850,445호, 동 2,875,047호, 동 3,097,096호, 동 3,074,974호, 동 3,097,097호, 및 동 3,145,104호에 기재된 광환원성 염료 및 환원제, 뿐만 아니라 펜아진, 옥사진 및 퀴논계의 미힐러(Michler)의 케논, 에틸 미힐러의 케톤, 벤조페논, 류코(leuco) 염료를 포함하는 수소-공여체와의 2,4,5-트리페닐 이미다졸 이합체 및 그의 혼합물(미국 특허 제3,427,161호, 동 3,479,185호 및 동 3,549,367호)이 개시제로 사용될 수 있다. 또한, 미국 특허 제4,162,162호에 기재된 증감제(sensitizer)가 광개시제 및 광억제제와 함께 유용하다. 광개시제 또는 광개시제 시스템은, 건조 광중합성 층의 총 중량을 기준으로 0.05 내지 10 중량%의 양으로 존재한다.
F.광경화성 단량체
본 발명의 광경화성 단량체 성분은 1종 이상의 중합성 에틸렌기를 갖는, 1종 이상의 첨가 중합성인 에틸렌계 불포화 화합물로 이루어진다.
이와 같은 화합물은 자유 라디칼에 의해 개시되고 사슬 증식 첨가 중합화에 의해 중합체를 형성할 수 있다. 단량체 화합물은 비가스상, 즉 비등점이 100 ℃를 초과하며, 유기 중합체 결합제에 대한 가소 효과를 갖는다.
단독으로 사용되거나 기타 단량체와 함께 사용될 수 있는 바람직한 단량체로는 t-부틸 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 1,5-펜탄디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 헥사메틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,3-프로판디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 데카메틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 2,2-디메틸롤프로판 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 글리세롤 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 및 미국 특허 제3,380,381호에 기재된 것과 같은 화합물, 2,2-디(p-히드록시페닐)-프로판 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트 및 테트라메타크릴레이트, 2,2,-디(p-히드록시페닐)-프로판 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리옥시에틸-1,2-디-(p-히드록시에틸)프로판 디메타크릴레이트, 비스페놀-A 디-(3-메타크릴옥시-2-히드록시프로필)에스테르, 비스페놀-A 디(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르, 비스페놀-A 디(2-메타크릴옥시에틸)에테르, 비스페놀-A 디(2-아크릴옥시에틸)에테르, 1,4-부탄디올 디-(3-메타크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 폴리옥시프로필 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 부틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,2,4-부탄디올 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1-페닐에틸렌-1,2-디메타크릴레이트, 디알릴 푸마레이트, 스티렌, 1,4-벤젠디올 디메타크릴레이트, 1,4-디이소프로페닐 벤젠 및 1,3,5-트리이소프로페닐벤젠이 있다.
분자량이 300 이상인 에틸렌계 불포화 화합물, 예를 들면 탄소수 2-15의 알킬렌 글리콜 내에 1 내지 10개의 에테르 결합을 갖는, 알킬렌 글리콜 또는 폴리알킬렌 글리콜로부터 제조된 알킬렌 또는 폴리알킬렌 글리콜 디아크릴레이트 및 미국 특허 제2,927,022호에 기재된 화합물, 예를 들면 특히 말단 결합으로 존재하는 경우 몇개의 첨가-중합성 에틸렌 결합을 갖는 화합물이 또한 유용하다.
기타 유용한 단량체는 미국 특허 제5,032,490호에 개시되어 있다
바람직한 단량체로는 폴리옥시에틸화 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 에틸화 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 및 1,10-데칸디올 디메타크릴레이트가 있다.
다른 바람직한 단량체로는 모노히드록시폴리카프로락톤 모노아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(분자량: 약 200), 및 폴리에틸렌 글리콜 400 디메타크릴레이트(분자량: 약 400)이 있다. 불포화 단량체 성분은, 건조 광중합성 층의 총 중량을 기준으로 1-20 중량%의 양으로 존재한다.
G.유기 매질
유기 매질의 주된 용도는, 분산액이 세라믹 또는 기타 기판에 쉽게 적용될 수 있는 형태가 되도록 하는, 조성물의 미분화된 고상물의 분산액에 대한 운반체로 작용하는 것이다. 따라서, 유기 매질의 제1 조건은 고상물을 적합한 정도의 안정성으로 분산시킬 수 있어야 한다. 제2 조건은, 유기 매질의 유동학적 특성에 의해 분산액에 우수한 적용 특성이 부여되어야 한다.
용매의 혼합물일 수 있는 유기 매질의 용매 성분은, 중합체 및 기타 유기 성분의 완전한 용액이 얻어지도록 선택된다. 용매는 페이스트 조성물의 기타 성분에 대해서 비활성(비반응성)이어야만 한다. 용매(들)는, 대기압에서 비교적 저열을 가하여 분산액으로부터 용매가 증발되기에 충분히 높은 휘발성을 가져야 하지만 프린트 공정 중 정상 실온에서 페이스트가 스크린 상에서 고속 건조될 정도로 휘발성이어서는 안된다. 페이스트 조성물에 사용되기에 바람직한 용매는 대기압에서 300 ℃ 미만의 비등점, 바람직하게는 250 ℃ 미만의 비등점을 가져야만 한다. 이와 같은 용매로는 지방족 알코올류, 이와 같은 알코올류의 에스테르류, 예를 들면 아세테이트 및 프로피오네이트; 솔유 및 알파-또는 베타-테르핀올과 같은 테르펜류 또는 그의 혼합물; 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 부틸 셀로솔브 아세테이트와같은 에틸렌 글리콜 및 그의 에스테르류; 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트 및 카르비톨 아세테이트와 같은 카르비톨 에스테르류 및 텍사놀(Texanol: 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트)과 같은 기타 적합한 용매가 있다.
H.부가 성분
당업계에 공지된 부가 성분으로서는 분산제, 안정화제, 가소제, 방출제, 분산제, 스트립제, 소포제, 및 습윤제가 조성물에 존재할 수 있다. 적합한 물질에 대해서는 미국 특허 제5,032,490호에 일반적으로 개시되어 있다.
모선 전도체 조성물
본 발명의 모선 전도체 조성물은 시판되는 후막 감광성 전도체 조성물이다. 본 발명에 사용되는 바람직한 조성물은 은 입자, UV 중합성 운반체 및 유리 재료를 함유한다.
전도성 상은 조성물의 주 성분이고, 형상이 랜덤하거나 박편이며, 크기가 0.05-20 마이크로미터(미크론) 범위인 은 입자를 함유하며, 바람직하게는 UV 중합성 운반체와 결합된 조성물 중에서은 입자의 크기는 0.3-10 미크론 범위이다. 바람직한 조성물은 완전히 제제된 후막 페이스트를 기준으로 66 중량%의 은 입자를 함유하고, 입자의 표면적은 0.34 m2/g이다.
모선 전극을 형성하는 은 전도체 조성물은, 산화알루미늄, 산화구리, 산화카드뮴, 산화가돌리늄, 산화지르코늄, 산화코발트/철/크롬, 알루미늄 및 구리를 포함하는, 미분화된 무기 미립자인 반사성 비-유리 형성 물질 또는 그의 전구체 1-10 중량%를 함유한다. 이들 산화물 또는 산화물 전구체의 입도 범위는 0.05-44 미크론이고, 80 중량% 이상의 입자가 0.1-5 미크론의 입도 범위 내에 있다. 조성물은 또한 연화점이 325-600 ℃인 5-20 중량%의 유리 재료를 함유한다. 바람직한 유리 재료로는 붕규산납-형의 유리를 들 수 있고, 특히 바람직한 조성은 PbO(53.1 몰%), B2O3(2.9 몰%), SiO2(29.0 몰%), TiO2(3.0 몰%), ZrO2(3.0 몰%), ZnO(2.0 몰%), Na2O(3.0 몰%), 및 CdO(4.0 몰%)이다. 유리 재료 및 적합한 첨가제의 이와 같은 제제는, 용융된 상회제 중에 1시간 동안 600 ℃하에서 침지되는 동안 반응 및 용해되지 않고, 손상되거나 기저부의 흑색 전극에 대한 점착성이 유실되지 않는, 미세한 선을 구비한 고온 경화된 금속화물에 대한 요구 사항을 달성하기 위한 것이다.
은 전도체 조성물은, 상기 미립자 물질이 분산되는 감광성 운반체 10-30 중량%를 추가로 함유할 수 있다. 이와 같은 감광성 운반체의 예로는 폴리메틸 메타크릴레이트 및 다가 단량체의 용액이 있다. 단량체는, 은 전도체 조성물 페이스트의 제조 및 UV 경화 전의 프린트/건조 단계 중에 단량체의 증발이 최소화 되도록 낮은 휘발성을 보유해야만 한다. 감광성 운반체는 또한 용매 및 UV 감수성 개시제를 함유한다. 바람직한 UV 중합성 운반체는 메틸 메타크릴레이트(95 중량%)/에틸 아크릴레이트(5 중량%) 기재의 중합체를 함유하고, 은 전도체 조성물은 점도가 50 내지 200 파스칼·s인 자유롭게 유동하는 페이스트로 제제된다.
운반체에 대한 적합한 용매로는 부틸 카르비톨 아세테이트 및 베타-테르핀올이 있으나 이에 제한되지는 않는다. 부가적으로, 운반체는 분산제, 안정화제 등을 함유할 수도 있다.
얻어진 은 전도체 전극은, 85 부의 유리 재료(조성: PbO 68.2 몰%, SiO212.0 몰%, B2O314.1 몰%, CdO 5.7 몰%, 연화점: 480 ℃) 및 14 부의 에틸 셀룰로오스 운반체를 함유하는 상회제 조성물로 코팅될 수 있다. 이와 같이 얻어진 상회제로 처리된 전극 복합체는 AC PDP 제조에 유용하다.
투명 조성물
투명 전극은 SnO2또는 ITO를 사용하여 스패터링법 또는 도금법, 화학 증착법 또는 전착법에 의해 형성된다. 이와 같은 투명 전극의 형태 및 형성 방법은 통상의 AC PDP 기술 분야에서 공지되어 있다.
광활성이며 수가공성인 페이스트의 제조
A. 유기 운반체의 제조
용매 및 아크릴산 중합체를 혼합하고 교반하면서 100 ℃로 가열하였다. 모든 결합체 중합체가 용해될 때까지 가열 및 교반을 계속하였다. 이어서, 용액을 80 ℃로 냉각하고 잔류하는 유기 성분을 첨가하였다. 이어서, 모든 고상물이 용해될 때까지 이와 같은 혼합물을 80℃에서 교반하였다. 용액을 325 메시의 필터에 통과시키고 냉각하였다.
B. 유리 재료의 제조
유리 재료로는 시판되는 것을 사용하거나, 필요한 경우에는 직경이 1.27cm(0.5 인치)이고 길이가 1.27 cm(0.5 인치)인 알루미나 실린더를 사용하여 스웨코 밀(Sweco Mill)에서 수분쇄하여 제조하였다. 이어서, 유리 재료 혼합물을 냉동 건조하거나 열풍 건조하였다. 열풍 건조는 일반적으로 150 ℃의 온도에서 수행하였다.
C. 페이스트 제제
황색광 하에서, 유리 운반체, 단량체 또는 복수종의 단량체, 및 기타 유기 성분을 혼합 용기에서 혼합하여 페이스트를 제조하였다. 이어서, 무기 물질을 유기 성분의 혼합물에 첨가하였다. 이어서, 무기 분말이 유기 물질에 의해 습윤될 때까지 총 조성물을 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 3롤(roll)-분쇄기를 사용하여 롤 분쇄하거나 후버 오토매틱 뮬러(Hoover Automatic Muller), 모델 M5 상에서 미분화하였다. 이어서, 페이스트를 직접 사용하거나 635 메시의 스크린(screen)을 통해 걸러내었다. 이 때 적합한 운반체 또는 용매를 사용하여 가공에 적합한 점도가 얻어지도록 페이스트의 점도를 조절할 수 있었다.
D. 가공 조건
오염에 의해 결함이 생길 수 있으므로, 페이스트 조성물의 제조 과정 및 구조물의 제조시에 오물에 의해 오염되지 않도록 주의하였다. 페이스트 조성 및 요망되는 건조 두께에 따라 200-400 메시 스크린을 사용하여 스크린 프린트하여 페이스트를 유리 기판에 적용하였다. 질소 또는 공기 대기 오븐에서 약 80 ℃하에서 구조물을 건조하였다. 이와 같은 물질로 이루어진 단층에 대해 측정된 건조 코팅 두께는 5-14 미크론이었다.
많은 경우에, 상기와 같은 단층 및(또는) 2층 구조 형태로 구조물을 평가하였다. 2층 구조의 경우, 페이스트 조성 및 요망되는 건조 두께에 따라 200-400 메시 스크린을 사용하여 먼저 유리 기판에 실시예의 페이스트를 스크린 프린트하여 적용하였다. 이어서, 질소 또는 공기 대기 오븐에서 약 80 ℃하에서 구조물을 건조하였다. 이어서, 325-400 메시 스크린을 사용하여 스크린 프린트법에 의해 듀퐁 포델 (DuPont Fodel:등록상표) DC202 광이미지성 Ag 전도체 페이스트로 구조물을 프린트하였다. 구조물을 다시 약 80 ℃에서 건조하였다. 2층 구조에 대해 측정된 건조 코팅 두께는 15-19 미크론이었다.
이어서, 조준된 UV 노출 광원에 단층 또는 2층 구조인 구조물을 포토툴을 통하여 노출시켰다. 현상액으로서 0.4-0.85 중량%의 탄산나트륨 수용액을 함유한, 콘베이어 벨트가 설치된 분무 가공기를 사용하여 노출된 구조물을 현상하였다. 현상제 온도를 약 30 ℃로 유지하였고, 현상액을 10-20 psi로 분무하였다. 각 조성물에 대해서 임의의 범위의 노출 시간 및 현상율을 갖는 구조물의 매트릭스를 제조하여 최적 노출 시간 및 현상율을 결정하였다. 현상 후 구조물에 대한 현미경 조사에 의해, 각 조성물에 대한 최소 선 폭 또는 비아(via) 직경이 재현성 있게 얻어지는 최상의 노출 시간 및 현상율에 대한 정보를 얻었다. 현상 후 강제 기류를 가하여 과량의 물을 날려보냄으로써 현상된 구조물을 건조하였다. 이어서, 건조된 조성물을 공기 대기하에서 540 내지 605 ℃의 최고 온도 및 의도된 적용 분야에 특정한 프로파일로 정상적으로 고온 경화하였다.
선이 직선이고 겹쳐지지 않도록 가장 미세한 선 간격이 재현성 있게 얻어진구조물로부터 해상도를 결정하였다. 광도계로 건조된 광감성 전도체 조성물의 표면에서 광 강도를 측정하고, 여기에 최적의 노출에 요구된 시간을 곱하여 광속을 결정하였다.
실시예
NA로 표시된 모든 결과는, 시료가 제조되었을 때 수집되지 않은 것이다. 모든 실시예의 조성물에 대한 모든 조성 성분은 "부" 단위로 나타낸다.
<실시예 1-6>
하기의 조성물을 사용하여 상기한 바와 같이 구조물을 제조하였다. 포델(Fodel:등록상표) DC 202 광이미지성 Ag 전도체를 구비한 2층 구조 형태로 구조물을 평가하였다.
2층 구조를 동시에 고온 경화한 후, 구조물의 외형에 있어서, DC202 최상 전도체 층은 백색 또는 연회색으로, 기판 측면은 흑색의 색상으로 나타나서 AC PDP 장치에 매우 현저한 대비를 제공하는 것으로 나타났다. 조성을 나타내는 표 아래에 실시예 1-6에 대한 부가적인 실험 결과를 나타낸다.
조성
실시예 1 2 3 4 5 6
산화루테늄 I 20.0 6.0
다가 산화물 I 20.0
다가 산화물 II 20.0 8.6 16.7 25.0
유리 재료 I 40.0 40.0 40.0 33.3 25.0
유리 재료 II 15.0
유리 재료 III 30.1
오산화니오븀 0.3
운반체 I 40.0 40.0 40.0 40.0 50.0 50.0
실시예 1-6, 결과
실시예 1 2 3 4 5 6
최상층 Ag 색상 회색 백색 백색 백색 백색 백색
기판 측면 색상 흑색 흑색 흑색 흑색 흑색 흑색
건조 두께(℃m) 18.0 18.5 19.0 19.5 14.0 14.0
노출 에너지(mJ/cm2) 1500 1500 1500 1500 1000 1000
해상도(℃m) <50 <50 <50 <50 <30 <30
<실시예 7-12>
하기의 조성물을 사용하여 상기한 바와 같이 구조물을 제조하였다. 실시예 7-12는 물질만으로 이루어진 단층 형태로 평가하였다. 실시예 7-12는 포델(Fodel:등록상표) DC 202 광이미지성 Ag 전도체로 이루어진 최상층에 대해서는 평가하지 않았다.
구조물은, 시료에 존재하는 산화루테늄 II의 양에 따라 다양한 색상을 나타내었다. 실시예 7 및 8은 색상이 너무 밝아서 디스플레이 패널에 대해 충분한 대비를 제공하지 않는 것으로 생각되었다. 실시예 9 및 10은 색상이 중회색이었으며 디스플레이 패널에 적합한 대비를 제공하였다. 실시예 11 및 12는 600 ℃의 최고 고온 경화 온도에서 완전히 소결되지 않아서, 기판에 대한 점착력이 감소되었다. 조성을 나타내는 표 아래에 실시예 7-12에 대한 부가적인 실험 결과를 나타낸다.
조성
실시예 7 8 9 10 11 12
은 63.00 64.48 64.64 60.60 61.44 53.32
산화루테늄 II 0.60 1.24 3.20 3.00 6.40 12.40
유리 재료 IV 2.70 1.44 1.40
유리 재료 I 1.35 1.40 1.44
단량체 II 1.05 1.09 1.12
단량체 I 4.20 4.34 4.48
단량체 III 2.25 2.40 2.33
운반체 II 29.10 31.04 30.07
운반체 I 24.00 24.80 25.60
CBT 0.15 0.16 0.16 0.09 0.10 0.09
말론산 0.06 0.06 0.06
텍사놀 4.50 4.65 4.80 2.25 2.40 2.33
실시예 7-12, 결과
실시예 7 8 9 10 11 12
색상 연회색 회색 중회색 중회색 진회색 진회색
건조 두께(℃m) 9.7 10.1 9.7 12.7 12.5 12.9
고온 경화 두께(℃m) 6.3 6.8 8.0 7.0 8.5 9.3
노출 에너지(mJ/cm2) 1050 1350 2250 1800 675 675
해상도(℃m) ℃25 ℃25 ℃25 ℃25 ℃25 ℃25
<실시예 13-16>
농도를 "부"단위로 나타낸 하기의 조성물을 사용하여 상기한 바와 같이 구조물을 제조하였다. 실시예 13 및 14는 물질만으로 이루어진 단층 형태로 평가하였다. 실시예 13 및 14는 포델(Fodel:등록상표) DC 202 광이미지성 Ag 전도체로 이루어진 최상층에 대해서는 평가하지 않았다. 실시예 15 및 16는 단층 구조물로, 그리고 포델(Fodel:등록상표) DC 202 광이미지성 Ag 전도체를 구비한 2층 구조물로 평가하였다.
구조물은, 시료에 존재하는 산화루테늄 II의 양에 따라 다양한 색상을 나타내었다. 실시예 13 및 14는 색상이 중회색이었으며 디스플레이 패널에 최저의 대비를 제공할 것이다. 실시예 15 및 16은 색상이 흑색이었으며 디스플레이 패널에 대한 매우 현저한 대비를 제공하였다. 실시예 14, 15 및 16은 600 ℃의 최고 고온 경화 온도에서 최저로 소결되어, 기판에 대한 점착력이 감소되었다. 실시예 15 및 16의 2층 구조의 구조물을 동시에 고온 경화한 후, 2층 구조에서의 DC202 Ag 전도체층, 최상층의 외관은 회색이었다. 일반적으로, 유리 기판 위에서 600 ℃하에서 고온 경화된 DC202 전도체의 색상은 백색이었다. 조성을 나타내는 표 아래에실시예 13-16에 대한 부가적인 실험 결과를 나타낸다.
조성
실시예 13 14 15 16
은 62.62 62.62 37.20 31.62
산화루테늄 II 3.10 3.10 22.32 18.91
유리 재료 IV 6.20 10.23
유리 재료 V 2.79
유리 재료 VII 1.40
유리 재료 VI 1.40
단량체 III 2.33 2.33 2.33 2.33
운반체 II 30.07 30.07 30.07 30.07
CBT 0.09 0.09 0.09 0.09
말론산 0.06 0.06 0.06 0.06
텍사놀 2.33 2.33 2.33 2.33
실시예 13-16, 단층 결과
실시예 13 14 15 16
색상 중회색 중회색 흑색 흑색
건조 두께(℃m) 12.1 12.5 6.5 6.7
고온 경화 두께(℃m) 6.4 7.7 NA NA
노출 에너지(mJ/cm2) 450 450 2250 3600
해상도(℃m) ℃25 ℃25 ℃25 ℃25
실시예 15-16, 2층 구조 결과
실시예 15 16
최상층 Ag 색상 회색 회색
기판 측면 색상 흑색 흑색
건조 두께(℃m) 17.6 17.2
고온 경화 두께(℃m) 10.6 15.8
노출 에너지(mJ/cm2) 450 450
해상도(℃m) ℃25 ℃25
<실시예 17-22>
하기의 조성물을 사용하여 상기한 바와 같이 구조물을 제조하였다. 실시예 17 및 18은 물질만으로 이루어진 단층 형태로 평가하였다. 실시예 7-12는 포델(Fodel:등록상표) DC202 광이미지성 Ag 전도체로 이루어진 최상층에 대해서는평가하지 않았다. 실시예 19-22는 단일층 구조물로 그리고 포델(Fodel:등록상표) DC 202 광이미지성 Ag 전도체를 구비한 2층 구조물로 평가하였다.
구조물은 다양한 색상을 나타내었고, 실시예 19-22의 색상은 흑색이었으며 디스플레이 패널에 매우 현저한 대비를 제공하였다. 실시예 19-22의 2층 구조의 구조물을 동시에 고온 경화한 후, 2층 구조에서의 DC202 Ag 전도체층, 최상층의 외관은 백색이었다. 조성을 나타내는 표 아래에 실시예 17-22에 대한 부가적인 실험 결과를 나타낸다.
조성
실시예 17 18 19 20 21 22
은 62.66 54.83 36.15 30.73 24.70 24.70
피로클로르 III 1.21 9.04 21.69 18.38 15.06 15.06
유리 재료 IV 1.36 6.03 9.94 11.15 15.06
유리 재료 I 1.36
단량체 II 1.05
단량체 I 4.22
단량체 III 2.26 2.26 2.26 2.26 2.26
운반체 II 29.22 29.22 29.22 29.22 29.19
운반체 I 24.10
CBT 0.15 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09
말론산 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06
텍사놀 4.52 2.26 2.26 2.26 2.26 2.26
실시예 17-22, 단층 결과
실시예 17 18 19 20 21 22
색상 회색 진회색 흑색 흑색 흑색 흑색
건조 두께(℃m) 10.2 11.6 6.8 7.3 6.6 7.6
고온 경화 두께(℃m) 6.4 7.4 NA NA NA 2.6
노출 에너지(mJ/cm2) 1350 1125 1200 975 1200 900
해상도(℃m) ℃25 ℃25 ℃25 ℃25 ℃25 ℃25
실시예 19-22, 2층 구조 결과
실시예 19 20 21 22
최상층 Ag 색상 백색 백색 백색 백색
기판 측면 색상 흑색 흑색 흑색 흑색
건조 두께(℃m) 17.4 16.0 16.6 NA
고온 경화 두께(℃m) 8.6 7.7 6.9 6.6
노출 에너지(mJ/cm2) 450 450 450 450
해상도(℃m) ℃40 ℃35 ℃25 ℃40
<실시예 23-25>
하기의 조성물을 사용하여 상기한 바와 같이 구조물을 제조하였다. 실시예 23-25는 물질만으로 이루어진 단층 형태로 평가하였다. 실시예 23-25는 포델(Fodel:등록상표) DC202 광이미지성 Ag 전도체로 이루어진 최상층에 대해서는 평가하지 않았다.
시료에 존재하는 염료에 양에 따라 구조물은 다양한 고온 경화 색상을 나타내었다. 실시예 24 및 25는 색상의 너무 밝아서 디스플레이 패널에 충분한 대비를 제공하지 않는 것으로 생각되었다. 실시예 23은 색상이 중회색이었으며 디스플레이 패널에 대한 최소한의 대비를 제공하였다. 모든 시료는 기판 측면에서 초록빛 색상을 나타내었다. 이와 같은 색상으로 이해 바람직하지 않은 효과인, 디스플레이 이미지 색상의 상당한 정도의 변화가 야기될 것이다. 실시예 24 및 25는 600 ℃의 최고 고온 경화 온도에서 완전히 소결되지 않아서, 기판에 대한 점착성이 감소되었다. 조성을 나타내는 표 아래에 실시예 23-25에 대한 부가적인 실험 결과를 나타낸다.
조성
실시예 23 24 25
은 58.85 61.91 61.91
안료 6.13 3.07 3.07
유리 재료 IV 1.38
유리 재료 V 2.76
유리 재료 VIII 1.38
유리 재료 VI 1.38
단량체 III 2.30 2.30 2.30
운반체 I 29.73 29.73 29.73
CBT 0.09 0.09 0.09
말론산 0.06 0.06 0.06
텍사놀 2.30 2.30 2.30
실시예 23-25, 결과
실시예 23 24 25
색상 중회색 연회색 연회색
건조 두께(℃m) 13.3 12.3 12.1
고온 경화 두께(℃m) 7.1 5.5 4.9
노출 에너지(mJ/cm2) 675 450 450
해상도(℃m) ℃25 ℃25 ℃25
<실시예 26-30>
하기의 조성물을 사용하여 상기한 바와 같이 구조물을 제조하였다. 실시예 26-30는 단층 구조물로, 그리고 포델(Fodel:등록상표) DC202 광이미지성 Ag 전도체를 구비한 2층 구조물로 평가하였다.
구조물은 다양한 색상을 나타내었고, 실시예 26-30의 색상은 농회색이었으며 디스플레이 패널에 대한 매우 현저한 대비를 제공하였다. 실시예 27-29의 색상은 흑색이었으며 디스플레이 패널에 대한 매우 현저한 대비를 제공하였다. 실시예 26, 28 및 29의 2층 구조의 구조물을 동시에 고온 경화한 후, 2층 구조의 최상층인 DC202 Ag 전도체층의 외관은 회색이었다. 실시예 27 및 30의 2층 구조의 구조물을 동시에 고온 경화한 후, 2층 구조의 최상층인 DC202 Ag 전도체층의 외관은 백색이었다. 실시예 26-30에 대한 부가적인 실험 결과를 조성을 나타내는 표 아래에 나타낸다.
조성
실시예 26 27 28 29 30
은 24.31 24.31 24.31 24.31 24.31
다가 산화물 IV 14.83
다가 산화물 V 14.83
다가 산화물 VI 14.83
다가 산화물 VII 14.83
다가 산화물 I 14.83
유리 재료 IV 10.97 10.97 10.97 10.97 10.97
단량체 III 2.22 2.22 2.22 2.22 2.22
운반체 II 28.73 28.73 28.73 28.73 28.73
CBT 0.09 0.09 0.09 0.09 0.09
말론산 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06
텍사놀 2.22 2.22 2.22 2.22 2.22
실시예 26-30, 단층 결과
실시예 26 27 28 29 30
색상 농회색 흑색 흑색 흑색 농회색
건조 두께(℃m) 7.6 7.5 5.5 7.1 7.3
고온 경화 두께(℃m) 4.1 3.3 2.6 3.4 3.2
노출 에너지(mJ/cm2) 900 900 1200 900 900
해상도(℃m) ℃25 ℃25 ℃25 ℃25 ℃25
실시예 26-30, 2층 구조 결과
실시예 26 27 28 29 30
최상층 Ag 색상 회색 백색 회색 회색 백색
기판 측면 색상 농회색 흑색 흑색 흑색 농회색
건조 두께(℃m) NA NA NA NA NA
고온 경화 두께(℃m) 9.3 7.7 8.5 9.7 7.5
노출 에너지(mJ/cm2) 450 450 450 450 450
해상도(℃m) ℃30 ℃25 ℃25 ℃25 ℃25
용어 해설
A. 무기물
유리 재료 I: (성분 중량%) Bi2O3(82.0), PbO(11.0), B2O3(3.5), SiO2(3.5),표면적 1.5-2.5 m2/gm, 연화점 370 ℃.
유리 재료 II: (성분 중량%) PbO(66.0), Al2O3(0.8), ZnO(6.6), B2O3(11.8), SiO2(14.8), 표면적 3.1-4.1 m2/gm, 연화점 453 ℃.
유리 재료 III: (성분 중량%) PbO(62.1), Al2O3(2.6), ZnO(2.7), B2O3(1.8), SiO2(30.8), 표면적 4.3-5.5 m2/gm, 연화점 500 ℃.
유리 재료 IV: (성분 중량%) Bi2O3(82.0), PbO(11.0), B2O(3.5), SiO2(3.5), d50=0.45-0.60 ℃m.
유리 재료 V: (성분 중량%) PbO(80.5), SiO2(6.0), B2O3(12.0), ZnO(1.5), 표면적 1.5-3.0 m2/gm.
유리 재료 VI: (성분 중량%) SiO2(13.8), Al2O3(4.9), B2O3(28.1), CaO(1.1), ZnO(17.2), Bi2O3(34.9), 표면적 약 1.8 m2/gm.
유리 재료 VII: (성분 중량%) Al2O3(13.0), B2O3(1.0), ZnO(16.0), CuO(5.1), P2O5(61.0), Ag2O(3.9).
유리 재료 VIII: (성분 중량%) CuO(30.0), B2O3(50.0), Ag2O(20.0).
은: 구상 은 입자; 입도, d50=1.9-2.6 ℃m
산화루테늄 I: RuO2, 표면적 11.4-15.1 m2/gm.
산화루테늄 II: RuO2, 표면적 27.5-32.5 m2/gm.
다가 산화물 I: GdBiRu2O7, 표면적 2.7-3.3 m2/gm.
다가 산화물 II: Pb2Ru2O6, 표면적 7.2-8.9 m2/gm.
다가 산화물 III: Pb2Ru2O6, 표면적 8.5-11.3 m2/gm.
다가 산화물 IV: Co2Ru2O6,
다가 산화물 V: PbBiRu2O6.5,
다가 산화물 VI: CuxBi2-xRu2O7(식 중, x=0-1),
다가 산화물 VII: Bi2Ru2O7, 표면적 9.5-12.5 m2/gm.
안료: 아크롬산구리
오산화니오븀: Nb2O5, 표면적 5.8-7.0 m2/gm.
B. 중합체 결합제
중합체 I: 75% 메틸메타크릴레이트 및 25% 메타크릴산의 공중합체,
분자량 = 약 7000, Tg = 120 ℃, 산 번호 = I64
중합체 II: 사르복스(Sarbox:등록상표) SB 510 E35, 미국 펜실베니아주 엑톤 소재의 사르토머 캄파니 인크(Sartomer Company Inc.)로부터 시판되는 방향족 산 메타크릴레이트 반 에스테르.
중합체 III: PVP/VA S-630, 60%의 비닐피롤리돈 및 40%의 비닐 아세테이트의 공중합체, K값 = 30-50.
C. 단량체
단량체 I: TEOTA 1000- 폴리에톡실화 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트. 분자량 = 약 1162.
단량체 II: TMPTA- 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트
단량체 III: TMPEOTA- 트리메틸롤프로판 에톡시 트리아크릴레이트.
분자량 = 약 428.
D. 용매
베타-테르핀올: 1-메틸-1-(4-메틸-4-히드록시시클로헥실)에텐.
카르비톨 아세테이트: 디(에틸렌 글리콜) 에틸 에테르 아세테이트
텍사놀: 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트
E. 광개시제
Irgacure 651: 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온
ITX: 이소프로필 티옥산톤
EPD: 에틸 4-(디메틸아미노) 벤조에이트
F. 안정화제
TAOBN: 1,4,4-트리메틸-2,3-디아자비시클로[3.2.2]-논-2-엔-N,N'-디옥시드
G. 첨가제
BT: 1,2,3-벤조트리아졸
CBT: 1H-벤조트리아졸 카르복실산
말론산
H. 운반체
운반체 운반체 번호
성분 I II
텍사놀 52.11 98.1
중합체 I 38.82 54.9
중합체 II 53.4
Irgacure 651 2.74 5.9
ITX 2.31 17.8
EPD 2.31 17.8
중합체 III 1.64 3.1
TAOBN 0.07 0.31
I. 기타
델라웨어주 윌밍톤 소재의 이.아이.듀퐁 디 네모아 엔드 캄파니로부터 시판되는 듀퐁 포델(Fodel:등록상표) DC202- 광경화성 Ag 전도체 페이스트
본 발명에 의해 전극 및 상호 접속 전도체 패턴 형성을 위한 미세한 선 및 구역 해상도가 얻어지고, 전극 및 전도체 색상의 흑색화로 인해 디스플레이 대비가 향상된다.

Claims (9)

  1. 서로 이격된 전면 및 후면 절연 기판, 및 전면 및 후면 기판 위에 각각 특정한 전극 패턴을 갖도록 형성되고, 절연 기판 사이의 이온성 가스로 충전된 방전 구역에 걸쳐 직교 관계로 직면하도록 배치된 복수군의 전극들로 이루어진 전극 배열을 포함하는 AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치의 제조 방법에 있어서, 전면 절연기판 상에 전극 복합체로서 전극을 형성하는 방법이,
    (1) (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 감광성 흑색 조성물을 기판 위에 적용하는 단계;
    (2) 흑색 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 특정 패턴을 형성하는 단계;
    (3) 노출된 흑색 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 조성물을 제거하는 단계;
    (4) 현상된 흑색 조성물을 가열 경화하여, 기판 위에 흑색 전도성 성분을 형성하는 단계;
    (5) (a) Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기 카르복실산함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진, 전도체 전극을 형성하는 감광성 전도성 조성물을 적용하는 단계;
    (6) 전도성 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계;
    (7) 노출된 감광성 전도성 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 조성물을 제거하는 단계;
    (8) 현상된 전도성 조성물을 가열 경화하여, 기판 위의 흑색 전극 배열의 최상부 위에 전도체 전극을 형성하는 단계;
    의 연속 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 서로 이격된 전면 및 후면 절연 기판, 및 전면 및 후면 기판 위에 각각 특정한 전극 패턴을 갖도록 형성되고, 절연 기판 사이의 이온성 가스로 충전된 방전 구역에 걸쳐 직교 관계로 직면하도록 배치된 복수군의 전극들로 이루어진 전극 배열을 포함하는, AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치의 제조 방법에 있어서, 전면 절연기판 상에 전극 복합체로서 전극을 형성하는 방법이,
    (1) (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 감광성 흑색 전도성 조성물을 기판 위에 적용하는 단계;
    (2) 흑색 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 특정 패턴을 형성하는 단계;
    (3) (a) Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진, 전도체 전극을 형성하는 감광성 전도성 조성물을 적용하는 단계;
    (4) 전도성 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계;
    (5) 노출된 감광성 전도성 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 흑색 및 전도성 조성물을 제거하는 단계;
    (6) 현상된 전도성 조성물을 가열 경화하는 단계;
    의 연속 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 서로 이격된 전면 및 후면 절연 기판, 및 전면 및 후면 기판 위에 각각 형성되고 특정한 전극 패턴을 갖도록 절연 기판 사이의 이온성 가스로 충전된 방전 구역에 걸쳐 직교 관계로 직면하도록 배치된 복수군의 전극들로 이루어진 전극 배열을 포함하는, AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치의 제조 방법에 있어서, 전면 절연기판 상에 전극 복합체로서 전극을 형성하는 방법이,
    (1) (a) RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진 감광성 흑색 전도성 조성물을 기판 위에 적용하는 단계;
    (2) (a) Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자, (b) 1종 이상의 무기 결합제, (c) 유기, 카르복실산 함유 중합체 결합제, (d) 광개시 시스템, (e) 광경화성 단량체의 혼합물로 이루어진, 전도체 전극을 형성하는 감광성 전도성 조성물을 적용하는 단계;
    (3) 흑색 및 전도성 조성물을 화학선 복사에 이미지식으로 노출하여 전극 패턴을 형성하는 단계;
    (4) 노출된 흑색 및 전도성 조성물을 염기성 수용액 중에서 현상하여 화학선 복사에 노출되지 않은 영역의 조성물을 제거하는 단계;
    (5) 현상된 전도성 조성물을 가열 경화하는 단계;
    의 연속 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 흑색 조성물이 Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자를 추가로 포함하는 것인 방법.
  5. 제2항에 있어서, 흑색 조성물이 Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자를 추가로 포함하는 것인 방법.
  6. 제3항에 있어서, 흑색 조성물이 Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합의 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자를 추가로 포함하는 것인 방법.
  7. 서로 이격된 전면 및 후면 절연 기판; 및 이온성 가스로 충전된 방전 구역에 평행하게 면하는 제1 군의 전극 복합체, 및 제2 군의 전극 복합체를 포함하는 전극 배열을 포함하고; 상기 제1 및 제2 군의 전극 복합체가 방전 구역에 걸쳐 직교 관계로 직면하도록 배치되고, 절연 기재의 표면 위에 특정한 전극 패턴을 갖도록 형성되며; 상기 전극 배열이 적어도 하나의 절연 기판 상에서는 유전체로 코팅되는 것인 AC 플라즈마 디스플레이 패널 장치에 있어서,
    적어도 전면 절연 기판 상의 전극 복합체는,
    동일한 기판 위의 각 모선(母線) 전도체에 접속되는 상태로 각 기판 위에 형성된 일군의 전도체 전극을 포함하는 전도체 전극 배열; 및
    기판과 전도체 전극 배열 사이에 형성된, RuO2, 루테늄 기재의 다가 산화물 또는 그의 혼합물 중 1종 이상으로 이루어진 전도성 층을 포함하는, 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 따라 형성된 흑색 전극
    을 포함하는 것인 장치.
  8. 제7항에 있어서, 흑색 전극이 Au, Ag, Pd, Pt, Cu 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 전도성 입자를 추가로 포함하는 것인 장치.
  9. 제7항에 있어서, 투명 전극이 상기 기판과 흑색 전극 사이에 형성되는 것인 장치.
KR10-1998-0007453A 1997-03-06 1998-03-06 플라즈마디스플레이패널장치및그의제조방법 KR100392867B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8/812,230 1997-03-06
US08/812,230 1997-03-06
US08/812,230 US5851732A (en) 1997-03-06 1997-03-06 Plasma display panel device fabrication utilizing black electrode between substrate and conductor electrode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980079982A KR19980079982A (ko) 1998-11-25
KR100392867B1 true KR100392867B1 (ko) 2003-09-19

Family

ID=25208934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0007453A KR100392867B1 (ko) 1997-03-06 1998-03-06 플라즈마디스플레이패널장치및그의제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5851732A (ko)
EP (1) EP0863534B1 (ko)
JP (2) JPH10255670A (ko)
KR (1) KR100392867B1 (ko)
CN (1) CN1175460C (ko)
DE (1) DE69834972T2 (ko)
SG (1) SG75828A1 (ko)
TW (1) TW410361B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8057979B2 (en) 2005-01-05 2011-11-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Photosensitive paste composition and plasma display panel manufactured using the same

Families Citing this family (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6156433A (en) 1996-01-26 2000-12-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electrode for plasma display panel and process for producing the same
JP3510761B2 (ja) * 1997-03-26 2004-03-29 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
JP3739163B2 (ja) 1997-03-31 2006-01-25 三菱電機株式会社 プラズマディスプレイパネル
JPH10319875A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Sony Corp プラズマアドレス表示装置の製造方法
KR19980084659A (ko) * 1997-05-24 1998-12-05 손욱 플라즈마 디스플레이 패널
JPH11246638A (ja) * 1998-03-02 1999-09-14 Taiyo Ink Mfg Ltd 感光性組成物及びそれを用いて得られる焼成物パターン
JP3953625B2 (ja) 1998-03-02 2007-08-08 太陽インキ製造株式会社 感光性組成物
JP4090103B2 (ja) 1998-03-02 2008-05-28 太陽インキ製造株式会社 感光性組成物及びそれを用いて得られる焼成物パターン
JP3920449B2 (ja) * 1998-03-13 2007-05-30 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性組成物及びそれを用いて得られる焼成物パターン
JP3661398B2 (ja) * 1998-03-24 2005-06-15 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4587567B2 (ja) * 1998-10-20 2010-11-24 三星エスディアイ株式会社 プラズマ表示パネル
WO2000030065A1 (en) * 1998-11-13 2000-05-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A high resolution and high luminance plasma display panel and drive method for the same
DE69910335T2 (de) 1998-12-11 2004-07-01 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington Zusammensetzung für ein Silber enthaltendes, lichtempfindliches, leitendes Band und das damit behandelte Band
JP3479463B2 (ja) 1999-01-29 2003-12-15 太陽インキ製造株式会社 光硬化型導電性組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
JP3394938B2 (ja) * 1999-03-25 2003-04-07 株式会社村田製作所 感光性導体ペースト
JP3775556B2 (ja) * 1999-08-13 2006-05-17 日本電気硝子株式会社 プラズマディスプレーパネル用材料及びガラス粉末
JP3389240B2 (ja) * 1999-12-21 2003-03-24 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
FR2803945A1 (fr) * 2000-01-17 2001-07-20 Thomson Plasma Pate pour realiser des electrodes et procede de fabrication d'une dalle de panneau a plasma
JP4248721B2 (ja) * 2000-02-22 2009-04-02 三菱電機株式会社 紫外線変換材料とこの紫外線変換材料を用いた表示装置
JP2001305570A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Nec Corp 表示パネルモジュール及びその製造方法
JP2002075227A (ja) * 2000-06-14 2002-03-15 Sharp Corp 気体放電表示装置およびプラズマアドレス液晶表示装置ならびにその製造方法
TW505942B (en) 2000-06-29 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for forming pattern onto panel substrate
US7133005B2 (en) 2000-07-05 2006-11-07 Lg Electronics Inc. Plasma display panel and method and apparatus for driving the same
KR100370020B1 (ko) * 2000-08-26 2003-01-29 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 감광성 단위막 제조방법
EP1389342B1 (en) * 2001-01-29 2009-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Fibers or ribbons for use in the manufacture of structures in flat panel display
EP1367621A4 (en) * 2001-02-06 2008-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd PLASMA DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR100399787B1 (ko) * 2001-05-04 2003-09-29 삼성에스디아이 주식회사 기판과 이 기판의 제조방법 및 이 기판을 가지는 플라즈마표시장치
US7763189B2 (en) * 2001-05-16 2010-07-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition with reduced resistance
US6599681B2 (en) 2001-07-13 2003-07-29 Shielding Express Electromagnetic filter for display screens
US20050014091A1 (en) * 2001-10-12 2005-01-20 Smith Jerome David Aqueous developable photoimageable thick film compositions for making photoimageable black electrodes
US20030124461A1 (en) * 2001-10-12 2003-07-03 Suess Terry R. Aqueous developable photoimageable thick film compositions for making photoimageable black electrodes
US6838828B2 (en) * 2001-11-05 2005-01-04 Lg Electronics Inc. Plasma display panel and manufacturing method thereof
CN100422274C (zh) * 2001-11-08 2008-10-01 东丽株式会社 黑色浆料及等离子体显示板及其制造方法
CN1278297C (zh) * 2001-11-09 2006-10-04 三洋电机株式会社 对光学元件的亮度数据具有初始化功能的显示器
US7378793B2 (en) * 2001-11-13 2008-05-27 Lg Electronics Inc. Plasma display panel having multiple shielding layers
US6660184B2 (en) 2001-12-13 2003-12-09 Osram Sylvania Inc. Phosphor paste compositions
JP2003186437A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003255899A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP3953330B2 (ja) * 2002-01-25 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003295825A (ja) * 2002-02-04 2003-10-15 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003308030A (ja) 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003257645A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2003258094A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
JP2003332058A (ja) * 2002-03-05 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP3671012B2 (ja) * 2002-03-07 2005-07-13 三洋電機株式会社 表示装置
CN100517422C (zh) * 2002-03-07 2009-07-22 三洋电机株式会社 配线结构、其制造方法、以及光学设备
JP3837344B2 (ja) * 2002-03-11 2006-10-25 三洋電機株式会社 光学素子およびその製造方法
JP4042497B2 (ja) * 2002-04-15 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
TWI237287B (en) * 2002-04-24 2005-08-01 Fujitsu Hitachi Plasma Display Fluorescent layer forming apparatus
US20030226882A1 (en) * 2002-05-03 2003-12-11 Jose Porchia Corrugated paperboard dishware and cookware
US7163596B2 (en) * 2002-06-07 2007-01-16 E. I. Du Pont Nemours And Company Fibers and ribbons for use in the manufacture of solar cells
KR100580683B1 (ko) * 2002-12-20 2006-05-15 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
TWI299877B (en) * 2003-01-29 2008-08-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for manufacturing bus electrodes of plasma display panel
CN100437879C (zh) * 2003-04-08 2008-11-26 中华映管股份有限公司 等离子平面显示器辅助电极的制造方法
JP2004334180A (ja) * 2003-04-18 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd 表示装置用遮光膜、その製造方法及びこれを形成するための組成物
US20050051207A1 (en) * 2003-05-02 2005-03-10 Carroll Alan F. Fibers and ribbons for use in the manufacture of solar cells
KR100499038B1 (ko) * 2003-07-08 2005-07-01 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20050037278A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Jun Koishikawa Photosensitive thick-film paste materials for forming light-transmitting electromagnetic shields, light-transmitting electromagnetic shields formed using the same, and method of manufacture thereof
KR100542219B1 (ko) * 2003-09-26 2006-01-10 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100551767B1 (ko) * 2003-10-02 2006-02-10 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR100647590B1 (ko) * 2003-11-17 2006-11-17 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널과, 이의 제조 방법
JP2005183372A (ja) * 2003-11-26 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
KR100531796B1 (ko) * 2003-12-10 2005-12-02 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널용 광셔터 및 그 구동방법
CN100418177C (zh) * 2003-12-16 2008-09-10 松下电器产业株式会社 等离子体显示屏
WO2005076308A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネル
KR100683669B1 (ko) * 2004-03-08 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP4416556B2 (ja) * 2004-03-31 2010-02-17 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ用電極修理方法及び電極修理装置
KR100611446B1 (ko) * 2004-05-18 2006-08-10 제일모직주식회사 수성 현상가능한 감광성 코팅액 조성물의 제조방법
KR100996235B1 (ko) * 2004-06-01 2010-11-25 주식회사 동진쎄미켐 ＰＤＰ 어드레스 전극용 Ｐｂ 미함유 Ａｇ 페이스트 조성물
KR20050116431A (ko) * 2004-06-07 2005-12-12 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 ｐｄｐ전극, 및 이를 포함하는 ｐｄｐ
KR20050122498A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 ｐｄｐ전극, 및 이를 포함하는 ｐｄｐ
JP4760709B2 (ja) * 2004-07-22 2011-08-31 東レ株式会社 感光性ペーストおよびディスプレイパネル用部材の製造方法
US6992326B1 (en) 2004-08-03 2006-01-31 Dupont Displays, Inc. Electronic device and process for forming same
US7135267B2 (en) * 2004-08-06 2006-11-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous developable photoimageable compositions for use in photo-patterning methods
KR100738234B1 (ko) * 2004-12-14 2007-07-12 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 제조용 그린 쉬트 및 플라즈마 디스플레이 패널
KR100683742B1 (ko) * 2004-12-17 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 보호막, 상기 보호막 형성용 복합체, 상기 보호막 제조방법 및 상기 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이디바이스
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
US7569165B2 (en) * 2005-03-09 2009-08-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7326370B2 (en) * 2005-03-09 2008-02-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
TW200703414A (en) * 2005-03-09 2007-01-16 Du Pont Black conductive compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7384577B2 (en) 2005-03-09 2008-06-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
KR100671110B1 (ko) 2005-03-29 2007-01-17 제일모직주식회사 플라스마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US7615581B2 (en) * 2005-08-17 2009-11-10 Lg Electronics Inc. Black paste composite, upper plate of plasma display panel, and manufacturing method by using the same
KR100705888B1 (ko) 2005-08-26 2007-04-09 제일모직주식회사 비감광성 흑색층용 조성물과 그 조성물로부터 형성된흑색층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그제조방법
JP5256574B2 (ja) * 2005-09-29 2013-08-07 Ｔｄｋ株式会社 電子部品の製造方法
US20070145896A1 (en) * 2005-11-22 2007-06-28 Lee Hong C Green sheets, method and apparatus for producing the green sheets, plasma display panels using the green sheets, and methods fabricating the plasma display panels
US7214466B1 (en) * 2005-12-14 2007-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cationically polymerizable photoimageable thick film compositions, electrodes, and methods of forming thereof
US7678296B2 (en) * 2006-05-04 2010-03-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
WO2008002055A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Lg Electronics Inc. Paste, method of manufacturing plasma display panel using the paste and plasma display apparatus
US7608784B2 (en) 2006-07-13 2009-10-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
US7655864B2 (en) * 2006-07-13 2010-02-02 E.I Du Pont De Nemours And Company Photosensitive conductive paste for electrode formation and electrode
EP2116527A4 (en) 2007-01-23 2011-09-14 Fujifilm Corp OXIME COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, COLOR FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING THE COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT
JP2008251319A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネル
EP2402315A1 (en) 2007-05-11 2012-01-04 Basf Se Oxime ester photoinitiators
KR101526619B1 (ko) 2007-05-11 2015-06-05 바스프 에스이 옥심 에스테르 광개시제
US7749321B2 (en) * 2007-06-28 2010-07-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black pigment compositions, thick film black pigment compositions, conductive single layer thick film compositions, and black and conductive electrodes formed therefrom
JP5303127B2 (ja) 2007-08-03 2013-10-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 黒色バス電極用導電組成物およびプラズマディスプレイパネルの前面板
US20090039781A1 (en) * 2007-08-08 2009-02-12 E. I. Dupont De Nemours And Company Electrode paste for plasma display panel and black bus electrode for plasma display panel
WO2009038038A1 (ja) 2007-09-19 2009-03-26 Fujifilm Corporation アセチレン化合物、その塩、その縮合物、及びその組成物
US7648655B2 (en) 2007-10-30 2010-01-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive composition for black bus electrode, and front panel of plasma display panel
US8193707B2 (en) * 2007-11-06 2012-06-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive composition for black bus electrode, and front panel of plasma display panel
US8436537B2 (en) * 2008-07-07 2013-05-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Substrate structure for plasma display panel, method of manufacturing the substrate structure, and plasma display panel including the substrate structure
US8329066B2 (en) * 2008-07-07 2012-12-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Paste containing aluminum for preparing PDP electrode, method of preparing the PDP electrode using the paste and PDP electrode prepared using the method
US7887992B2 (en) * 2008-12-23 2011-02-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive paste and process for production of pattern using the same
US20100167032A1 (en) * 2008-12-29 2010-07-01 E.I.Du Pont De Nemours And Company Front electrode for pdp
US20100205804A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Alireza Ousati Ashtiani Thick Conductor
US8129088B2 (en) * 2009-07-02 2012-03-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode and method for manufacturing the same
US9344823B2 (en) 2010-03-22 2016-05-17 Aliphcom Pipe calibration device for calibration of omnidirectional microphones
CN103153952B (zh) 2010-10-05 2016-07-13 巴斯夫欧洲公司 苯并咔唑化合物的肟酯衍生物及其在可光聚合组合物中作为光敏引发剂的用途
US9051397B2 (en) 2010-10-05 2015-06-09 Basf Se Oxime ester
US8753160B2 (en) * 2011-01-14 2014-06-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming front electrode of PDP
EP2714659B1 (en) 2011-05-25 2017-07-05 American Dye Source, Inc. Compounds with oxime ester and/or acyl groups
CN102902425B (zh) * 2011-07-28 2016-06-08 宸鸿科技(厦门)有限公司 电容式触控面板结构及制造方法
WO2013083505A1 (en) 2011-12-07 2013-06-13 Basf Se Oxime ester photoinitiators
CN103794430A (zh) * 2011-12-31 2014-05-14 四川虹欧显示器件有限公司 等离子显示屏中电极及其制备方法，以及等离子显示屏
KR101947252B1 (ko) 2012-05-09 2019-02-12 바스프 에스이 옥심 에스테르 광개시제
US9236155B2 (en) * 2013-02-04 2016-01-12 E I Du Pont De Nemours And Company Copper paste composition and its use in a method for forming copper conductors on substrates
US10234761B2 (en) 2013-07-08 2019-03-19 Basf Se Oxime ester photoinitiators
CN105531260B (zh) 2013-09-10 2019-05-31 巴斯夫欧洲公司 肟酯光引发剂
US20220121113A1 (en) 2019-01-23 2022-04-21 Basf Se Oxime ester photoinitiators having a special aroyl chromophore
JP2023517304A (ja) 2020-03-04 2023-04-25 ベーアーエスエフ・エスエー オキシムエステル光開始剤

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52149966A (en) * 1976-06-09 1977-12-13 Dainippon Printing Co Ltd Fluorescent display unit
US4320418A (en) * 1978-12-08 1982-03-16 Pavliscak Thomas J Large area display
JPS5673840A (en) * 1979-11-20 1981-06-18 Matsushita Electronics Corp Gas discharge type display unit
US4454449A (en) * 1980-06-30 1984-06-12 Ncr Corporation Protected electrodes for plasma panels
FR2559602B1 (fr) * 1984-02-10 1991-02-15 Japan Broadcasting Corp Panneau d'affichage a decharge de gaz muni d'au moins une enveloppe scellee
JPS61176035A (ja) * 1985-01-29 1986-08-07 Nec Corp プラズマデイスプレイパネル
JPS62295331A (ja) * 1987-05-29 1987-12-22 Nec Corp 表示パネル
US5035980A (en) * 1989-08-21 1991-07-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive semi-aqueous developable gold conductor composition
US5032490A (en) * 1989-08-21 1991-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable copper conductor composition
US5049480A (en) * 1990-02-20 1991-09-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable silver conductor composition
JP3169628B2 (ja) * 1991-02-26 2001-05-28 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP3219450B2 (ja) * 1992-01-24 2001-10-15 旭硝子株式会社 導電膜の製造方法、低反射導電膜とその製造方法
US5260163A (en) * 1992-05-07 1993-11-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoenhanced diffusion patterning for organic polymer films
JP3394799B2 (ja) * 1993-09-13 2003-04-07 パイオニア株式会社 プラズマディスプレイ装置
EP0713240B1 (en) * 1994-11-17 2004-10-13 Sumitomo Metal Mining Company Limited Transparent conductor film for electric field shielding

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8057979B2 (en) 2005-01-05 2011-11-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Photosensitive paste composition and plasma display panel manufactured using the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1175460C (zh) 2004-11-10
EP0863534A2 (en) 1998-09-09
JPH10255670A (ja) 1998-09-25
US6075319A (en) 2000-06-13
US5851732A (en) 1998-12-22
JP3779297B2 (ja) 2006-05-24
EP0863534B1 (en) 2006-06-21
CN1197281A (zh) 1998-10-28
EP0863534A3 (en) 1999-01-07
DE69834972D1 (de) 2006-08-03
TW410361B (en) 2000-11-01
KR19980079982A (ko) 1998-11-25
JP2004158456A (ja) 2004-06-03
SG75828A1 (en) 2000-10-24
DE69834972T2 (de) 2007-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100392867B1 (ko) 플라즈마디스플레이패널장치및그의제조방법
US7384577B2 (en) Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
JP5108239B2 (ja) 黒色導電性組成物、黒色電極、およびその形成方法
KR100803498B1 (ko) 흑색 전도성 조성물, 흑색 전극 및 그의 형성 방법
KR100884691B1 (ko) 광-패턴화 방법에 사용하기 위한 수성 현상가능한광-화상화 조성물 선구물질
KR101100490B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 페이스트 및 플라즈마 디스플레이 패널용 블랙 버스 전극
US7381353B2 (en) Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7214466B1 (en) Cationically polymerizable photoimageable thick film compositions, electrodes, and methods of forming thereof
US7326370B2 (en) Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7678296B2 (en) Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
KR100616056B1 (ko) 전계방출형 표시장치용 전극 형성 조성물 및 이러한조성물의 사용 방법
KR100540967B1 (ko) 광화상화 흑색 전극 제조용 수성 현상가능한 광화상화후막 조성물
US20050014091A1 (en) Aqueous developable photoimageable thick film compositions for making photoimageable black electrodes

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120620

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130618

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee