KR100884691B1 - 광-패턴화 방법에 사용하기 위한 수성 현상가능한광-화상화 조성물 선구물질 - Google Patents

광-패턴화 방법에 사용하기 위한 수성 현상가능한광-화상화 조성물 선구물질 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (I) 전도성 입자, 저항성 입자 및 유전성 입자중에서 선택되는 관능성 상 분말; 및 유리전이온도가 325 내지 600℃인 무기 결합제를 포함하는 무기 물질의 미분된 입자가, (II) (e) (1) C1-10 알킬 아크릴레이트, C1-10 알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 치환된 스티렌 또는 이들의 혼합물을 포함하는 비산성 공단량체 및 (2) 에틸렌계 불포화 카르복실산 함유 잔기를 포함하는 산성 공단량체를 각각 포함하는 코폴리머(copolymer), 인터폴리머(interpolymer) 또는 이들의 혼합물인 수성 현상가능한 비감광성 중합체; 및 (d) 제1 및 제2 관능 단위를 갖는 2관능성 자외선(UV)-경화성 단량체(이때, 제1 관능 단위는 비닐 기이고, 제2 관능 단위는 카르복실산 잔기와의 반응에 의해 화학결합을 형성할 수 있음)를 포함하는 유기 매질에 분산되어 있는 광-화상화(photo-imageable) 조성물 선구물질에 관한 것이다.
광-화상화 조성물, 광-패턴화, 현상가능한 중합체, 광-개시제, 후막 조성물, 감광성 수지

Description

광-패턴화 방법에 사용하기 위한 수성 현상가능한 광-화상화 조성물 선구물질{AQUEOUS DEVELOPABLE PHOTO-IMAGEABLE COMPOSITION PRECURSORS FOR USE IN PHOTO-PATTERNING METHODS}
본 발명은 광-패턴화(photo-patterning) 방법에 사용하기 위한 광-화상화(photo-imageable) 후막 조성물 및 테이프 조성물에 관한 것이다. 더 구체적으로 하나의 실시양태에서, 본 발명의 광-화상화 후막 페이스트 조성물을 사용하여 플라스마 표시 패널(plasma display panel, PDP)과 같은 평판 표시장치(flat panel display) 용도에서 전극 형성의 성능을 개선시킨다.
전자 산업에서는 더 작고 더 저렴한 전자 장치를 만들고 더 높은 해상도 성능을 제공하려는 노력이 계속되고 있다. 그러한 것으로, 이러한 목적을 달성하는 신규한 광-화상화 조성물 및 광-패턴화 방법을 개발하는 것이 필요하게 되었다.
광-패턴화 기법은 전통적인 스크린-인쇄 방법에 비하여 균일한 미세한 선 및 공간 해상도를 제공한다. 듀퐁(DuPont)의 포델(FODEL, 등록상표) 광-화상화 후막 페이스트와 같은 광-패턴화 방법은 미국 특허 제4,912,019호, 제4,925,771호, 제5,049,480호, 제5,851,732호 및 제6,075,319호에 기술되어 있는 광-화상화 유기 매질을 사용하는데, 기재를 먼저 광-화상화 후막 조성물로 완전히 덮고(인쇄, 분무, 코팅 또는 적층화하고) 필요하다면 건조시킨다. 패턴의 화상은 광-화상화 후막 조성물을 패턴을 갖는 광-마스크(photo-mask)를 통해 화학선에 노출시킴으로써 생성된다. 그 다음 노출된 기재를 현상한다. 기재에 광-화상화된 후막 조성물을 남기면서 노출되지 않은 패턴 부분을 세척한 다음, 소성시켜 유기 물질을 제거하고, 무기 물질을 소결시킨다. 이러한 광-패턴화 방법은 기재의 평활도, 무기 입자 입도 분포, 노출 및 현상 변수에 따라 약 30미크론 이상의 후막 선 해상도를 나타낸다. 이러한 기법은 플라스마 표시 패널과 같은 평판 표시장치의 제조에 유용한 것으로 밝혀졌다.
그러나, 종래 기술의 광-화상화 후막 조성물 및 테이프 조성물은 전형적으로 중합체 수지 자체에 광-반응성 기를 도입하지 않는다(미국 특허 제4,912,019호, 제4,925,771호, 제5,049,480호, 제5,851,732호 및 제6,075,319호의 경우에서와 같이).
가키누마(Kakinuma) 등에게 허여된 미국 특허 제6,342,322호 및 마사기(Masagi)에게 허여된 일본 특허 제3218767B2호에는 특정 감광성 수지, 희석제, 감광성 개시제, 무기 분말 및 안정제를 포함하는 감광성 조성물이 개시되어 있다.
마사기의 특허에는 감광성 수지로서 아크릴산 공중합체를 갖는 감광성 조성물이 개시되어 있다. 이 특허에도 감광성 조성물에서의 감광성 수지의 용도가 설명되어 있다.
본 발명자들은 더 경제적이고 환경친화적인 조성물, 광-패턴화 방법 및 전극 형성 방법을 제공하고자 하였다. 별개의 공정으로 감광성 중합체의 전-형성을 필 요로 하지 않는, 신규한 조성물 및 공정을 생성함으로써, 본 발명자들은 상기 목적을 달성하였다.
본 발명은 광-패턴화될 수 있는 감광성 중합체의 가공에서 생성되는 신규한 후막 페이스트 및 테이프 조성물을 개시한다. 종래의 기술과는 달리, 본 발명의 후막 페이스트 조성물은 감광성 수지를 함유하지 않으나, 가공하는 중에 감광성 수지를 생성하여 원하는 광-화상화 패턴을 형성한다.
발명의 요약
본 발명은 (a) 전도성 입자, 저항성 입자 및 유전성 입자중에서 선택되는 관능성 상 입자; 및 (b) 유리전이온도가 325 내지 600℃인 무기 결합제를 포함하는 무기 물질의 미분된 입자가, (c) (1) C1-10 알킬 아크릴레이트, C1-10 알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 치환된 스티렌 또는 이들의 혼합물을 포함하는 비산성 공단량체 및 (2) 에틸렌계 불포화 카르복실산 함유 잔기를 포함하는 산성 공단량체를 각각 포함하는 코폴리머(copolymer), 인터폴리머(interpolymer) 또는 이들의 혼합물인 수성 현상가능한 비감광성 중합체; 및 (d) 제1 및 제2 관능 단위를 갖는 2관능성 자외선(UV)-경화성 단량체(이때, 제1 관능 단위는 비닐 기이고, 제2 관능 단위는 카르복실산 잔기와의 반응에 의해 화학결합을 형성할 수 있음)를 포함하는 유기 매질에 분산되어 있는 광-화상화 조성물 선구물질에 관한 것이다.
동일 반응계내에서 활성화될 수 있는 광-패턴화 조성물을 형성하기 위하여 선구물질 조성물에 광-개시 시스템이 첨가될 수 있다.
본 발명은 또한 (a) 광-개시 시스템을 함유하는 선구물질 조성물을 기재상에 침적시키는 단계; (b) 현상가능한 광-비화상화 중합체와 2관능성 단량체의 반응을 개시하여 감광성 중합체 및 광-패턴화 조성물을 형성하는 단계; (c) (b)단계의 광-패턴화 조성물 및 (a)단계의 기재를 화학선에 노출시켜 노출된 부분을 형성하는 단계; (d) (b)단계의 노출된 부분을 현상하여 현상된 부분을 형성하는 단계; 및 (e) (c)단계의 현상된 부분을 소성시켜 유기 매질을 실질적으로 제거하고 무기 물질을 실질적으로 소결시키는 단계를 포함하는 광-패턴화 방법을 제공한다.
이 방법에서, 조성물에 존재하는 임의의 유기 용매를 제거하는 건조 단계가 침적 단계(a)에 뒤따를 수 있다. 또한 개시 단계를 건조 단계와 동시에 또는 노출 단계와 동시에 달성할 수 있다.
선구물질 조성물은 테이프, 필름 또는 후막 테이프를 제조하기 위한 완전 관능성 광-패턴화 조성물의 일부일 수 있다.
일반적으로, 후막 조성물은 전도성, 저항성 및 유전성과 같은 적당한 전기 관능성 특성을 부여하는 관능성 상을 포함한다. 관능성 상은 관능성 상의 단체로서 작용하는 유기 매질에 분산되어 있는 전기 관능성 분말을 포함한다. 관능성 상은 전기적 특성을 결정하고, 소성된 후막의 기계적 특성에 영향을 준다. 본 발명의 후막 페이스트 조성물 및 테이프 조성물은 유기 매질에 분산되어 있는 무기 결합제와 함께 상기 관능성 상을 포함한다.
본 발명의 요지는 선구물질 조성물의 가공중에 감광성 또는 광-가교결합성 중합체를 동일 반응계내 형성한다는 것이다. 특히, 감광성 또는 광-가교결합성 중합체는 광-패턴 형성중에 동일 반응계내 형성될 수 있다. 이는 플라스마 표시 패널을 포함하는 평판 표시장치 용도를 위한 전극의 광-패턴화 형성시에 특히 유용하다.
PDP 전극을 형성하기 위한, 듀퐁의 포델 제품과 같은 광-화상화 후막 페이스트의 일반적인 가공은, 유리 기재상에 후막 페이스트(전형적으로 광-반응성 기를 도입하지 않는 중합체를 함유함)를 인쇄하거나 덮고, 인쇄된 페이스트를 약 80℃에서 20 내지 40분동안 건조시키고, UV-노출시키고, 현상하고, 소성시킴을 포함한다.
그러나, 본 발명의 조성물은 광-비화상화 중합체(중합체 1) 및 바람직한 감광성 중합체를 형성하는 하기 화학 반응에서 나타낸 2관능성 단량체(중합체 2)를 이용함으로써 종래 기술에서 벗어난다. 이 반응은 건조 단계, 또는 광-패턴화 단계(즉, UV-노출), 또는 반응을 개시하기에 충분한 다른 조건을 포함한 광-패턴 형성중에 충분한 정도로 일어날 수 있다. 전형적으로, 광-패턴화 공정의 건조 조건은 약 80℃에서 약 20 내지 40분이다. 다른 조건 및 광-패턴화 단계 자체는 중합체 2를 생성하기 위한 화학 반응을 개시할 수 있다. 또한, 반응은 광범위한 시간 및 온도하에, 특히 잘 선택된 촉매의 존재하에, 예를 들어 에폭시 단위를 에스테르로 변환시키기 위하여 잘 선택된 촉매의 존재하에, 일어날 수 있다.
실시예 IV(본 발명의 실시양태)에서 설명된 바와 같이, 중합체 1과 2관능성 단량체(예: 글리시딜 메타크릴레이트(GMA))의 반응은 광-패턴 형성중에 일어날 수 있다. 특히, 중합체 2를 형성하는 반응은 반응을 개시하기에 충분한 에너지에 노출시키는 동안 가공함으로써 일어날 수 있다. 예를 들어, UV 노출에 의해 생성된 강산(UCB 케미칼스(UCB Chemicals)의 유바큐어(Uvacure, 등록상표) 1600 또는 다른 적합한 물질을 사용하여)은 중합체 1과 GMA의 반응을 촉진하여, 예를 들어 중합체 2를 형성할 수 있다.
본 발명의 선구물질 조성물을 유기 용매를 제거하기에 충분한 시간 및 온도에서 건조시킴으로써 본 발명의 선구물질 조성물로부터 테이프 또는 시이트를 형성할 수 있다. 테이프 또는 시이트 가공에 있어서, 테이프를 비감광성 중합체와 2관능성 단량체의 반응을 개시하기에 충분한 시간 및 온도 또는 에너지에서 가공하여 감광성 중합체를 형성한다면, 테이프를 건조시키고, 테이프를 적외선 오븐에서 가열하고, 테이프를 열오븐에서 가열하고, 기재를 예열하고, 기재 및 테이프를 가열하고, 화학선에 노출시키는 등을 포함한(비제한적으로) 다양한 방법에 의해 테이프를 가공할 수 있다.
후막 페이스트 조성물의 경우에, 기재에 페이스트를 침적한 후 동일한 유형의 반응 개시 방법을 사용할 수 있지만, 또한 페이스트 조성물에서 페이스트를 광-패턴화하는 동시에 반응을 개시할 수 있다:
Figure 112007018009683-pct00001
중합체 1은 본원에 참조로 인용된 미국 특허 제4,912,019호; 제4,925,771호; 제5,049,480호; 제5,851,732호; 및 제6,075,319호에 기술된 다수의 광-화상화 후막 페이스트 조성물에서 사용된 중합체(들)이다. 중합체 1은 메타크릴산 또는 아크릴산 및 기타 단량체 또는 단량체들(예: 메타크릴레이트)을 함유한다. 중합체 1은 감광성 중합체가 아니다.
상기 반응의 생성물인 중합체 2는 감광성 중합체이다. 상기 반응의 생성물(즉, 중합체 2)은 본 발명의 조성물에 존재하지 않지만, 광-패턴 형성(건조, 광-패턴화, UV 노출 등)중에 형성된다. 중합체가 가공되기 전에는 본 발명의 조성물에 중합체 1 및 2관능성 단량체 1(에폭시-아크릴레이트) 또는 2관능성 단량체 2(히드록시-아크릴레이트)만이 존재한다. 이렇게 가공함으로써 전극, 일반적으로 평판 표시장치 용도를 위한 전극(예: 플라스마 표시 패널(PDP))을 포함한 다수의 제품을 형성하기 위한 목적이 달성될 수 있다. 이 제품은 PDP 자체로 생각될 수 있다.
조성물 성능은 2관능성 아크릴레이트 단량체, 예를 들어 에폭시-아크릴레이트 유형의 단순 부가에 의해 개선될 수 있다.
본 발명의 광-화상화 조성물의 주성분을 이하에 논의하겠다.
I. 무기 물질
A. 관능성 상-전기 관능성 분말(입자)
i. 전도체 용도
전도체 용도에서, 관능성 상은 전기 관능성 전도체 분말로 이루어진다. 주어진 후막 조성물내 전기 관능성 분말은 단일 유형의 분말, 분말 혼합물, 몇몇 원소의 합금 또는 화합물을 포함할 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 전기 관능성 전도성 분말의 비제한적인 예로는 금, 은, 니켈, 알루미늄, 팔라듐, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈룸, 주석, 인듐, 란탄, 가돌리늄, 붕소, 루테늄, 코발트, 이트륨, 유로퓸, 갈륨, 황, 아연, 규소, 마그네슘, 바륨, 세륨, 스트론튬, 납, 안티몬, 전도성 탄소, 백금, 구리, 또는 이들의 혼합물이 있다. 금속 입자는 유기 물질로 코팅되거나 코팅되지 않을 수 있다. 실질적으로 구형 입자 및 박편(막대형, 원뿔형 및 판형)을 포함한 임의의 모양의 금속 분말을 본 발명의 실시에 사용할 수 있다. 바람직한 금속 분말은 금,은, 팔라듐, 백금, 구리 또는 이들의 혼합물이다. 입자가 구형인 것이 바람직하다. 본 발명의 분산액은 입도가 0.1㎛ 미만인 고체를 거의 함유하지 않아야 하는 것으로 밝혀졌다. 분산액을 사용하여 일반적으로 스크린-인쇄에 의해 적용되는 후막 페이스트를 제조할 때, 최대 입도는 스크린의 두께를 초과하여서는 안된다. 전도성 고체의 80중량% 이상이 0.5 내지 10㎛ 범위에 속하는 것이 바람직하다.
또한, 전도성 입자의 표면적은 20㎡/g을 초과하지 않고, 바람직하게는 10㎡/g을 초과하지 않고, 더 바람직하게는 5㎡/g를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 표면적이 20㎡/g보다 큰 금속 입자를 사용하면, 수반되는 무기 결합제의 소결 특징에 불리한 영향을 준다.
ii. 저항기 용도
저항기 조성물에서, 관능성 상은 일반적으로 전도성 산화물이다. 저항기 조성물내 관능성 상의 예로는 Pd/Ag, RuO2, 파이로클로르(pyrochlore) 산화물, 및 기타 당업계에 공지된 것이 있다.
루테늄계 다성분(polynary) 산화물은 하기 화학식으로 표현되는 Ru+4, Ir+4, 또는 이들의 혼합물(M")의 다성분 화합물인 파이로클로르 산화물의 한 유형이다:
(MxBi2-x)(M'yM"2-y)O7-z
상기 식에서,
M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리 및 희토류로 이루어진 군에서 선택되고;
M'은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군에서 선택되고;
M"은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고;
x는 0 내지 2이지만, 1가 구리의 경우 x는 1 이하이고;
y는 0 내지 0.5이지만, M'이 로듐이거나 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬중 1종보다 많은 것인 경우 y는 0 내지 1이고;
z는 0 내지 1이지만, M이 2가 납 또는 카드뮴인 경우 z는 약 x/2 이상이다.
루테늄 파이로클로르 산화물은 본원에 참조로 인용된 미국 특허 제3,583,931호에 상세하게 나와 있다.
바람직한 루테늄 다성분 산화물은 비스무스 루테네이트 Bi2Ru2O7, 납 루테네이트 Pb2Ru2O6, Pb1.5Bi0.5Ru2O6.5, PbBiRu2O6.75 및 GdBiRu2O6이다. 이들 물질은 순수한 형태로 쉽게 얻을 수 있고, 유리 결합제에 의해 불리한 영향을 받지 않으며, 공기중에서 약 1000℃로 가열되더라도 안정하다.
루테늄 산화물 및(또는) 루테늄 파이로클로르 산화물은 유기 매질을 포함한 전체 조성물의 중량을 기준으로 4 내지 50중량%, 바람직하게는 6 내지 30중량%, 더 바람직하게는 5 내지 15중량% 및 가장 바람직하게는 9 내지 12중량%의 비율로 사용된다.
iii. 유전성 용도
유전성 조성물에서, 관능성 상은 일반적으로 유리 또는 세라믹이다. 유전성 후막 조성물은 전하를 나누어 전하를 축전시킬 수 있는 비전도성 조성물 또는 절연체 조성물이다. 따라서, 후막 유전성 조성물은 전형적으로 세라믹 분말, 산화물 및 비산화물 프릿(frit), 결정화 개시제 또는 저해제, 계면활성제, 착색제, 유기 매질, 및 이러한 후막 유전성 조성물 분야에서 일반적인 기타 성분을 함유한다. 세라믹 고체의 예로는 알루미나, 티타네이트, 지르코네이트 및 스탄네이트, BaTiO3, CaTiO3, SrTiO3, PbTiO3, CaZrO3, BaZrO3, CaSnO3, BaSnO3, 및 Al2O3, 유리 및 유리 세라믹이 있다. 이것은 또한 이러한 물질의 선구물질, 즉 소성시 유전성 고체로 변환되는 고체 물질, 및 이들의 혼합물에 적용가능하다.
B. 무기 결합제
본 발명에 사용된 무기 결합제 및 일반적으로는 유리 프릿의 기능은 소성후에 입자를 서로 그리고 기재에 결합시키는 것이다. 무기 결합제의 예로는 유리 결합제(프릿), 금속 산화물 및 세라믹이 있다. 본 조성물에 유용한 유리 결합제는 당업계에 통상적인 것이다. 몇몇 예로는 보로실리케이트 및 알루미노실리케이트 유리가 있다. 추가의 예로는 B2O3, SiO2, Al2O3, CdO, CaO, BaO, ZnO, SiO2, Na2O, Li2O, PbO 및 ZrO와 같은 산화물의 혼합물이 있고, 이들은 유리 결합제를 형성하기 위하여 독립적으로 사용되거나 병용될 수 있다. 후막 조성물에 유용한 전형적인 금속 산화물은 당업계에 통상적인 것이고, 예를 들어 ZnO, MgO, CoO, NiO, FeO, MnO 및 이들의 혼합물일 수 있다.
가장 바람직하게는 사용되는 유리 프릿은 보로실리케이트 프릿, 예를 들어 납 보로실리케이트 프릿, 비스무스 보로실리케이트 프릿, 카드뮴 보로실리케이트 프릿, 바륨 보로실리케이트 프릿, 칼슘 보로실리케이트 프릿 또는 기타 알칼리토 보로실리케이트 프릿이다. 하나의 실시양태에서, 유리 결합제는 Pb-비함유 유리 프릿이다. 다양한 Pb-비함유 프릿이 사용될 수 있지만, 바륨-비스무스계 Pb-비함유 유리 프릿이 특히 유용하다.
이러한 유리 프릿의 제조는 널리 공지되어 있으며, 예를 들어 구성성분들의 산화물 형태의 유리의 구성성분들을 함께 용융시키고, 이러한 융해된 조성물을 물에 주입하여 프릿을 형성하는 것이다. 물론 배치 성분은 프릿 생성의 통상적인 조건하에 바람직한 산화물을 생성할 임의의 화합물일 수 있다. 예를 들어, 산화붕소는 붕산으로부터 얻어질 것이고, 이산화규소는 플린트(flint)로부터 생성될 것이고, 산화바륨은 탄산바륨으로부터 생성될 것이다. 유리는 바람직하게는 볼밀(ball mill)에서 물과 함께 분쇄하여 프릿의 입도를 감소시키고 실질적으로 균일한 크기의 프릿을 얻는다. 그 다음, 물에 침전시켜 미분을 분리하고, 미분을 함유하는 상층액을 제거한다. 다른 분류 방법도 마찬가지로 사용될 수 있다.
유리는 통상의 유리제조 기법에 의해, 바람직한 성분들을 바람직한 비율로 혼합하고 혼합물을 가열하여 용융물을 형성함으로써 제조된다. 당업계에 널리 공지되어 있는 바와 같이, 가열은 용융물이 완전히 액상으로 균질해질 시간동안 최고 온도까지 실행한다. 바람직한 유리전이온도는 325 내지 600℃이다.
무기 결합제 입자의 85% 이상은 0.1 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 그 이유는 더 작은 입자는 표면적이 크고 유기 물질을 흡착하는 경향이 있으므로 완전 분해를 방해하기 때문이다. 반면에, 입도가 클수록 소결 특징이 불량해지는 경향이 있다. 무기 결합제 대 전체 고체의 중량비는 0.1 내지 0.75, 더 바람직하게는 0.2 내지 0.5인 것이 바람직하다.
C. 비감광성 수성 현상가능한 중합체
중합체 결합제 자체는 감광성이 아니다. 이들은 코폴리머, 인터폴리머 또는 이들의 혼합물로 이루어지고, 이때 코폴리머 또는 인터폴리머는 각각 (1) C1-10 알킬 아크릴레이트, C1-10 알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 치환된 스티렌 또는 이들의 혼합물을 포함하는 비산성 공단량체; 및 (2) 에틸렌계 불포화 카르복실산 함유 잔기를 포함하는 산성 공단량체 10중량% 이상을 포함한다.
이 기법에서 조성물내 산성 공단량체 성분의 존재가 중요하다. 산성 관능기는 0.4 내지 2.0% 탄산나트륨 수용액과 같은 수성 염기내에서 현상될 수 있는 능력을 제공한다. 산성 공단량체가 10% 미만의 농도로 존재하면, 조성물은 수성 염기에 의해 완전히 씻겨 나가지 않을 수 있다. 산성 공단량체가 30%보다 큰 농도로 존재하면, 조성물이 현상 조건하에 덜 저항성이어서 화상 부분에 부분 현상이 일어난다. 적당한 산성 공단량체로는 에틸렌계 불포화 모노카르복실산(예: 아크릴산, 메타크릴산 또는 크로톤산) 및 에틸렌계 불포화 디카르복실산(예: 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 비닐 숙신산 및 말레산) 및 이들의 반에스테르, 및 일부 경우 이들의 무수물 및 이들의 혼합물이 있다. 메타크릴산 중합체는 저산소 분위기에서 청정연소되기 때문에, 메타크릴산 중합체가 아크릴산 중합체보다 바람직하다.
산성 공단량체 성분의 존재는 또한 2관능성 단량체가 중합체 쇄에 연결되는 반응 부위를 제공한다. 따라서, 이러한 산성 공단량체 성분은 결합제 중합체를 반응에 의해 감광성 중합체로 가공시킨다.
비산성 공단량체가 전술된 바와 같이 알킬 아크릴레이트 또는 알킬 메타크릴레이트이면, 이러한 비산성 공단량체는 중합체 결합제의 50중량% 이상, 바람직하게는 70 내지 85중량%를 구성하는 것이 바람직하다. 비산성 공단량체가 스티렌 또는 치환된 스티렌인 경우, 이러한 비산성 공단량체는 중합체 결합제의 50중량%를 구성하고, 나머지 50중량%는 말레산 무수물의 반에스테르와 같은 산 무수물인 것이 바람직하다. 유리한 치환된 스티렌은 알파-메틸스티렌이다.
중합체 결합제의 비산성 부분은 중합체의 알킬 아크릴레이트, 알킬 메타크릴레이트, 스티렌 또는 치환된 스티렌 부분의 치환체로서 기타 비산성 공단량체 약 50중량% 이하를 함유할 수 있다. 그 예로는 아크릴로니트릴, 비닐 아세테이트 및 아크릴아미드가 있다. 그러나, 이들은 완전 연소하기가 더 어렵기 때문에, 전체 중합체 결합제에 상기 단량체를 약 25중량% 미만으로 사용하는 것이 바람직하다. 하나의 코폴리머 또는 코폴리머 혼합물이 각각 상기의 여러가지 기준을 만족시킨다면, 결합제로서 하나의 코폴리머 또는 코폴리머 혼합물을 사용하는 것이 인정된다. 상기 코폴리머 이외에, 다른 중합체 결합제를 소량 첨가하는 것이 가능하다. 예를 들어, 폴리올레핀(예: 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 폴리이소부틸렌 및 에틸렌-프로필렌 코폴리머), 폴리비닐 알콜 중합체(PVA), 폴리비닐 피롤리돈 중합체(PVP), 비닐 알콜 및 비닐 피롤리돈 코폴리머, 및 저급 알킬렌 산화물 중합체(예: 폴리에틸렌 산화물)인 폴리에테르를 사용할 수 있다.
또한, 중합체 결합제의 바람직한 중량 평균 분자량은 2,000 내지 250,000이다. 중합체 결합제의 분자량은 용도에 따라 좌우될 것이다.
조성물내 총 중합체는 전체 조성물을 기준으로 5 내지 70중량%의 범위 및 그안의 임의의 범위내이다.
D. 2관능성 UV-경화성 단량체
2관능성 UV-경화성 단량체는 제1 및 제2 관능 단위를 갖는 반응성 분자이고, 이때 제1 관능 단위는 비닐 기이고, 제2 관능 단위는 카르복실산 함유 잔기와의 반응에 의해 화학결합을 형성할 수 있다. 동일한 분자내의 두 관능 단위는 상이하다. 비닐 기의 비제한적인 예로는 메타크릴레이트 및 아크릴레이트 기가 있다. 제2 관능 단위의 비제한적인 예로는 에폭사이드, 알콜 및 아민이 있다. 하나의 실시양태에서, 제1 관능 단위는 UV-관능성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트이고, 제2 관능 단위는 중합체의 카르복실산 잔기와의 반응에 의해 화학결합을 형성할 수 있다.
2관능성 UV-경화성 단량체의 제1 관능 단위가 메타크릴레이트 또는 아크릴레이트이면, 각각의 2관능성 분자내에 일반적으로 하나의 메타크릴레이트 또는 아크릴레이트 단위가 있다. 2관능성 단량체는 전극을 형성하기 위한 페이스트 조성물의 가공중에 비감광성 유기 결합제 중합체와 반응하여 감광성 결합제 중합체로 되고, 상기 전극은 평판 표시장치 용도에 사용될 수 있다. 2관능성 단량체는 조성물의 총중량을 기준으로 0.01 내지 10중량%의 양으로 존재할 수 있다. 이하에 설명되는 실시양태에서, 2관능성 단량체는 조성물의 총중량을 기준으로 0.05 내지 2.0중량%의 양으로 존재한다.
촉매는 전술된 반응에 대하여 높은 반응 수율을 달성하기에 매우 유용할 수 있지만, 필수적인 것은 아니다. 촉매의 비제한적인 예로는 4급 암모늄 염, 루이스산, 톨루술포늄 염 및 초강산이 있다. 촉매가 사용되는 경우 사용량은 전체 조성물의 0.01 내지 2중량%일 수 있다.
하기 성분은 본 발명의 광-화상화 조성물 선구물질에 도입되어 광-패턴화된 제품으로 직접 가공될 수 있는 조성물을 제공할 수 있다.
E. 광-경화성 단량체
통상의 광-경화성 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 단량체 및 올리고머가 본 발명에 사용될 수 있다. 단량체 성분은 무수 광중합성 층의 총중량을 기준으로 0 내지 20중량%의 양으로 존재할 수 있다. 이러한 바람직한 단량체로는 t-부틸 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 1,5-펜탄디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 헥사메틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,3-프로판디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 데카메틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 2,2-디메틸올프로판 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 글리세롤 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 폴리옥시에틸화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트 및 미국 특허 제3,380,831호에 개시된 유사 화합물, 2,2-디(p-히드록시페닐)-프로판 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트 및 테트라메타크릴레이트, 2,2-디-(p-히드록시페닐)-프로판 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리옥시에틸-2,2-디-(p-히드록시페닐)프로판 디메타크릴레이트, 비스페놀-A의 디-(3-메타크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르, 비스페놀-A의 디-(2-메타크릴옥시에틸) 에테르, 비스페놀-A의 디-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르, 비스페놀-A의 디-(2-아크릴옥시에틸)에테르, 1,4-부탄디올의 디-(3-메타크릴옥시-2-히드록시프로필)에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트, 부틸렌 글리콜 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1,2,4-부탄트리올 트리아크릴레이트 및 트리메타크릴레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디아크릴레이트 및 디메타크릴레이트, 1-페닐 에틸렌-1,2-디메타크릴레이트, 디알릴 푸마레이트, 스티렌, 1,4-벤젠디올 디메타크릴레이트, 1,4-디이소프로페닐 벤젠 및 1,3,5-트리이소프로페닐 벤젠이 있다. 또한 중량 평균 분자량이 300 이상인 에틸렌계 불포화 화합물, 예컨대 탄소수 2 내지 15의 알킬렌 글리콜 또는 에테르 연결기 수 1 내지 10의 폴리알킬렌 에테르 글리콜로부터 제조된 폴리알킬렌 글리콜 디아크릴레이트 또는 알킬렌, 및 미국 특허 제2,927,022호에 개시된 것(예컨대, 특히 말단 연결기로서 존재하는 경우 다수의 자유 라디칼 중합성 에틸렌 연결기를 갖는 것)이 유용하다. 특히 바람직한 단량체는 폴리옥시에틸화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 에틸화 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트 및 1,10-데칸디올 디메타크릴레이트이다.
또한, 우레탄 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 에스테르 아크릴레이트가 사용될 수 있다.
상기 언급된 단량체 외에, 양이온 중합되는, 자유 라디칼 중합된, 2관능성, 3관능성, 4관능성 에폭사이드 단량체인 것은, 아크릴레이트 단량체 및 오늄 염 광-개시제와 함께 공존하는 경우 더 우수한 성능을 발휘하는 것으로 밝혀졌다. 조성물에 일정량의 에폭사이드 단량체를 첨가할 수 있지만, 필요하지는 않다. 첨가될 수 있는 에폭사이드 단량체의 양은 전체 조성물 중량의 0.01 내지 5%이다.
F. 광-개시 시스템
적합한 광-개시 시스템은 주위 온도에서 화학선에 노출될 때 자유 라디칼을 생성하는 것이다. 이들로는 공액 탄소환 시스템내에 2개의 환내 탄소원자를 갖는 화합물인 치환되거나 치환되지 않은 다핵 퀴논, 예컨대 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 9,10-안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-3급부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트렌퀴논, 벤즈 (a) 안트라센-7,12-디온, 2,3-나프타센-5,12-디온, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 1,4-디메틸-안트라퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 레텐퀴논, 7,8,9,10-테트라히드로나프트라센-5,12-디온, 및 1,2,3,4-테트라히드로벤즈(a)안트라센-7,12-디온이 있다. 또한 유용한 다른 광-개시제는 (비록 일부는 85℃ 정도의 낮은 온도에서 열에 의해 활성일 수 있더라도) 미국 특허 제2,760,863호에 기술되어 있고, 그 예로는 이웃 케탈도닐 알콜(예: 벤조인, 피발로인, 아실로인 에테르), 예컨대 벤조인 메틸 및 에틸 에테르; 알파-탄화수소-치환된 방향족 아실로인(α-메틸벤조인, α-알릴벤조인 및 α-페닐벤조인 포함), 티옥산톤 및(또는) 티옥산톤 유도체, 및 적당한 수소 공여체가 있다. 미국 특허 제2,850,445호, 제2,875,047호, 제3,097,096호, 제3,074,974호, 제3,097,097호 및 제3,145,104호에 개시된 광환원성 염료 및 환원제는 물론, 미국 특허 제3,427,161호, 제3,479,185호 및 제3,549,367호에 기술된 류코 염료(leuco dye) 및 이들의 혼합물을 포함한, 수소 공여체를 갖는 페나진, 옥사진 및 퀴논류, 미힐러 케톤(Michler's ketone), 벤조페논, 2,4,5-트리페닐이미다졸릴 이량체의 염료가 개시제로서 사용될 수 있다. 광-개시제 및 광-저해제와 함께 또한 유용한 것은 미국 특허 제4,162,162호에 개시된 증감제이다. 광-개시제 또는 광-개시제 시스템은 무수 광중합성 층의 총중량을 기준으로 0.05 내지 10중량%로 존재한다.
G. 유기 용매
용매 또는 용매 혼합물일 수 있는, 유기 매질의 유기 용매 성분은 중합체 및 다른 유기 성분들의 완전 용액이 얻어지도록 선택된다. 용매는 조성물의 다른 구성성분을 대하여 불활성(비반응성)이어야 한다. 스크린 인쇄성 및 광-화상성 페이스트에 있어서, 용매는 대기압에서 비교적 낮은 수준의 열을 가함으로써 분산액으로부터 용매를 증발시키기에 충분히 높은 휘발성을 가져야 하지만, 용매는 인쇄 공정중에 페이스트가 정상적인 실온의 스크린에서 급속히 건조될 정도로 휘발성이어서는 안된다. 페이스트 조성물에 사용하기에 바람직한 용매는 대기압에서 300℃ 미만, 바람직하게는 250℃ 미만의 비점을 가져야 한다. 이러한 용매로는 지방족 알콜, 이러한 알콜의 에스테르(예를 들어, 아세테이트 및 프로피오네이트); 테르펜(예: 송유 및 알파- 또는 베타-테르피네올, 또는 이들의 혼합물); 에틸렌 글리콜 및 그의 에스테르(예: 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 부틸 셀로솔브 아세테이트); 카르비톨 에스테르(예: 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트 및 카르비톨 아세테이트); 및 텍산올(Texanol, 등록상표)(2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트)과 같은 기타 적당한 용매가 있다. 캐스팅(casting) 테이프의 경우, 용매는 스크린 인쇄성 페이스트에 사용된 용매보다 낮은 비점을 갖는다. 이러한 용매로는 에틸아세테이트, 메탄올, 이소프로판올, 아세톤, 크실렌, 에탄올, 메틸에틸 케톤 및 톨루엔이 있다.
H. 기타 첨가제
빈번하게는 유기 매질은 또한 1종 이상의 가소제를 함유할 것이다. 이러한 가소제는 기재에 대한 우수한 적층화를 보장하고 조성물의 노출되지 않은 구역의 현상성을 증진시킨다. 가소제의 선택은 주로 개질시켜야 할 중합체에 의해 결정된다. 다양한 결합제 시스템에 사용된 가소제중에서도 특히 디에틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 부틸 벤질 프탈레이트, 디벤질 프탈레이트, 알킬 포스페이트, 폴리알킬렌 글리콜, 글리세롤, 폴리(에틸렌 옥사이드), 히드록시 에틸화 알킬 페놀, 트리크레실 포스페이트 트리에틸렌 글리콜 디아세테이트 및 폴리에스테르 가소제가 사용된다. 분산제, 안정제, 이형제, 분산제, 소거제, 소포제 및 습윤제를 포함한 당업계에 공지된 추가의 성분이 조성물에 존재할 수 있다. 적합한 물질의 일반적인 개시는 미국 특허 제5,049,480호에 제공되어 있다.
샘플 제조 및 시험 과정
유기 매질 제조
유기 매질의 주 목적은 유리 또는 다른 기재에 쉽게 적용될 수 있는 형태로 조성물의 미분된 고체를 분산시키기 위한 부형제로서 작용하는 것이다. 따라서, 유기 매질은, 첫째 고체가 적절한 정도의 안정성으로 분산될 수 있는 것이어야 한다. 둘째, 유기 매질의 유동학적 특성은 이들이 분산액에 우수한 적용 특성을 제공하는 것이어야 한다.
유기 매질의 제조를 위한 일반적인 과정은 다음과 같다. 용매 및 아크릴산 중합체를 혼합하고 교반하면서 100℃로 가열하였다. 결합제 중합체가 전부 용해될 때까지 가열과 교반을 계속하였다. 나머지 유기 성분들을 첨가하고, 이 혼합물을 황색등 아래에서 모든 고체가 용해될 때까지 75℃에서 교반하였다. 용액을 냉각시켰다.
일반적인 페이스트 제조
전형적으로, 후막 조성물은 페이스트형 경점성(consistency)을 갖도록 배합되고, "페이스트"로 불린다. 일반적으로, 페이스트는 황색등 아래에서 유기 부형제, 단량체(들), 및 기타 유기 성분들을 혼합기내에서 혼합함으로써 제조된다. 그 다음, 유기 성분들의 혼합물에 무기 물질을 첨가한다. 그 다음, 유기 물질에 의해 무기 분말이 습윤될 때까지 전체 조성물을 혼합한다. 그 다음, 3개의 롤밀(roll mill)을 사용하여 혼합물을 압연시킨다. 이 시점의 페이스트 점도를 적당한 부형제 또는 용매로 조절하면 가공에 최적인 점도를 얻을 수 있다.
먼지 오염은 결함을 생성시킬 수 있기 때문에, 페이스트 조성물의 가공 및 부품의 제조시 먼지 오염을 피하도록 주의한다.
일반적인 테이프 제조
본 발명의 조성물을 사용하여 테이프, 시이트, 롤 또는 기타 유사 실재물을 형성할 수 있다. 본 발명자들은 일반적인 테이프 형성의 본질을 논의하겠다.
본 발명의 조성물을 테이프 형태로 사용할 수 있다. 조성물을 테이프 형태로 사용하려면, 슬립(slip)을 제조하여 테이프 캐스팅에 사용한다. 슬립은 테이프 제조시 조성물에 대하여 사용되는 일반적인 용어로서, 유기 매질에 분산되어 있는, 적당히 분산된 무기 분말의 혼합물이다. 유기 매질내의 무기 분말의 우수한 분산을 달성하는 일반적인 방법은 통상의 볼밀 공정을 사용하는 것이다. 볼밀링(ball milling)은 세라믹 분쇄 용기 및 분쇄 매질(전형적으로 구형 또는 원통형 알루미나 또는 지르코니아 펠렛)로 이루어진다. 전체 혼합물을 분쇄 용기에 넣고 분쇄 매질을 첨가한다. 용기를 누출방지성 뚜껑으로 밀폐한 후, 혼합 효율이 최적화되는 압연 속도에서 용기내의 분쇄 매질의 분쇄 작용이 생기도록 흔든다. 압연 길이는 성능 명세를 충족시키는 잘 분산된 무기 입자를 얻는데 필요한 시간이다. 블레이드(blade) 또는 막대 코팅 방법 또는 당업자에게 공지된 기타 방법을 사용하여 슬립을 기재에 적용할 수 있고, 그 후 주위 온도 건조 또는 가열 건조를 행한다. 건조 후의 코팅 두께는 용도에 따라 수 미크론 내지 수십 미크론일 수 있다. 테이프는 주위 온도 건조 또는 가열 건조에 의해 용매를 충분히 제거하여 형성된다. 그러나, 건조/가열의 시간 및 온도는 일반적으로 중합체와 2관능성 단량체의 반응을 개시하기에 충분하지 않다.
테이프는 커버시트(coversheet)를 적층시킨 후, 와이드스톡(widestock) 롤로서 권취된다. 실리콘 코팅된 마일라(mylar)(테레프탈레이트 PET 필름), 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 마일라 및 나일론은 일반적인 커버시이트 물질의 예이고, 이들이 커버시트로서 사용될 수 있다. 커버시트는 최종 기재에 적층되기 전에 제거된다.
유리 프릿의 제조
입수가능한 유리 프릿이 사용되거나, 필요하다면 유리 프릿은 직경 0.5인치×길이 0.5인치의 알루미나 원통을 사용하여 스웨코 밀(Sweco Mill)에서 수중 밀링에 의해 제조되었다. 그 다음, 유리 프릿 혼합물을 동결 건조시키거나 고온공기 건조시켰다. 고온공기 건조는 일반적으로 150℃에서 수행되었다. 다른 유리 프릿 제조 방법도 똑같이 유효할 수 있다.
C. 인쇄 및 적층화 조건
전형적인 흑색 페이스트를 먼저 355메쉬 폴리에스테르 스크린을 사용하여 스크린-인쇄에 의해 유리 기재상에 침적시켰다. 그 다음, 부품을 공기 분위기의 오븐에서 약 20분동안 ~80℃에서 건조시켰다. 건조된 코팅 두께는 5 내지 8미크론으로 측정되었다.
테이프는 테이프를 유리 기재상에 고온 가압함으로써 적층시킨 다음, 커버시이트를 벗겨내었다.
D. 공정 조건
포토툴(phototool)과 샘플 표면 사이의 틈이 약 100미크론인 직진성 UV 광원을 사용하여 포토툴을 통해 부품을 노출시켰다. 사용된 에너지 수준은 400 내지 1000mJ/㎠이었다. 현상제 용액으로서 물내 0.5중량% 탄산나트륨을 함유하는 컨베이어형 분무 가공기를 사용하여 노출된 부품을 현상하였다. 현상제 용액 온도는 ~30℃로 유지시켰고, 현상제 용액을 10 내지 20psi로 분무하였다. 현상된 부품은 과량의 물을 날려 보내 건조시키고, 현상 후에는 강제 기류에 의해 건조시켰다.
일반적인 소성 프로필
본 발명의 조성물은 소성 프로필을 사용하여 가공할 수 있다. 소성 프로필은 후막 필름 기법의 숙련자가 알고 있는 한의 것이다. 유기 매질의 제거 및 무기 물질의 소결은 소성 프로필에 따라 좌우된다. 이 프로필은 완성품으로부터 매질이 실질적으로 제거되는지 및 완성품에서 무기 물질이 실질적으로 소결되는지를 결정할 것이다. 본원에 사용된 "실질적으로"이란 용어는 매질이 95% 이상 제거되고 무기 물질을 소기의 용도 또는 적용에 적절한 저항성 또는 전도성 이상을 제공하는 정도로 소결시킴을 뜻한다.
실시예에서, 건조된 부품을 520 내지 580℃에서 10분 최고 온도의 3시간 프로필을 사용하여 공기 분위기에서 소성시켰다.
제거 시간(time to clear, TTC)
제거 시간(TTC)은 기재상에 코팅되거나 인쇄된 광-화상화 페이스트가 물내 0.5중량% 탄산나트륨을 함유하는 컨베이어형 분무 가공기(~30℃에서 분무압 10 내지 20psi)를 사용하여 현상에 의해 완전 제거되는 시간으로서 정의된다. TTC는 페이스트를 인쇄하고 건조시킨 후, 그러나 UV선에 노출되기 전에, 시험 부품에 대하여 TTC를 결정한다.
선 해상도
최소 배율 20배 및 접안렌즈 배율 10배의 줌(zoom) 현미경을 사용하여 화상화된 샘플을 검사하였다. 임의의 단락(선들 사이의 연결) 또는 개구(선내의 완전 파손)가 없이 매우 완전한 가장 미세한 군의 선을 그 샘플의 선 해상도라고 한다.
무수 샘플 두께
실시예 I 내지 IV의 경우에 인쇄된 샘플을 80℃에서 20분동안 건조시키고, 실시예 V 및 VI의 경우에는 인쇄된 샘플을 82℃에서 40분동안 건조시켰다. 건조된 부품을 주걱으로 긁었다. 텐코어 알파 스텝 2000(Tencor Alpha Step 2000)과 같은 콘택트 프로필로미터(contact profilometer)를 사용하여 4개의 다른 지점에서 두께를 측정하였다.
소성된 샘플 두께
인쇄하여 건조시킨 샘플을 550℃에서 최고 온도 10분의 3시간 가열 프로필을 사용하여 소성시켰다. 콘택트 프로필로미터를 사용하여 4개의 다른 지점에서 두께를 측정하였다.
실시예 I 내지 VIII의 조성(전체 조성물의 중량%로)을 하기 표 1에 요약하였다.
각 실시예의 샘플 조성(전체 조성물의 중량%로)
실시예 I 실시예 II 실시예 III 실시예 IV 실시예 V 실시예 VI 실시예 VII 실시예 VIII
유기 매질 I 35.1 35.1 35.1 35.1
유기 매질 II 22.48
유기 매질 III 24
전도체 분말 I 17.73 17.53 17.53 17.53
전도체 분말 II 69.9 6
유리 프릿 40.94 40.94 40.94 40.94 2.06
SR-454 7.31 7.31 7.31 7.31 4.06
말론산 0.97 0.97 0.97 0.97 0.15
텍산올
Figure 112007018009683-pct00002
 2.27 2.27 2.27 2.27 1.35
BHT 0.19 0.19 0.19 0.19
DC209 99.5 99.5
글리시딜 메타크릴레이트 10 5 0.5 0.5 3
TBAB 2 1 0.02 0.02
R0745(l-907)
EBA
유바큐어
Figure 112007018009683-pct00003
1500		 10 5 0.5
유바큐어
Figure 112007018009683-pct00004
1600		 3 1 0.02
유기 매질 조성물은 하기 표 2, 표 3 및 표 4에 요약하였다. 물질의 용어풀이는 표 4 다음에 제공되어 있다.
실시예 I 내지 IV에 대하여 표 1에 사용된 유기 매질 I 조성물
텍산올
Figure 112007018009683-pct00005
 62
DMAc 2
아크릴레이트 코폴리머 I 30
어가큐어(Irgacure)
Figure 112007018009683-pct00006
369		 6
TAOBN 0.1
주: 전체 유기 매질 조성물의 중량%
실시예 V, VI 및 VII에 대하여 표 1에 사용된 유기 매질 조성물
텍산올
Figure 112007018009683-pct00007
 57.36
아크릴레이트 코폴리머 36.01
DETX 3.28
EDAB 3.28
TAOBN 0.07
주: 전체 유기 매질 조성물의 중량%
실시예 VIII에 대하여 표 1에 사용된 유기 매질 III 조성물
텍산올
Figure 112007018009683-pct00008
 150
TBAB 2
아크릴레이트 코폴리머 I 50
어가큐어
Figure 112007018009683-pct00009
369		 2
물질의 용어풀이
전도체 분말 I: 듀퐁에 의해 제조된, 배합식 Bi2Sr2CaCu2O8의 흑색 전도체.
전도체 분말 II: 페로 코포레이션(Ferro Corporaiton)의 은 분말, 7000-7.
유리 프릿: 유리 프릿 조성(중량%): B2O3 12.5%, SiO2 9.1%, Al2O3 1.4%, PbO 77.0%의 유리 프릿[비옥스(Viox)의 유리 제품 번호 24109, 듀퐁에 의해 Y-분쇄됨].
SR-454: 사르토머(Sartomer)로부터 구입한, 트리메틸올프로판 에톡시 트리아크릴레이트.
말론산: 알드리흐 케미칼스(Aldrich Chemicals)로부터 구입함.
텍산올
Figure 112007018009683-pct00010
: 이스트만 케미칼스(Eastman Chemicals)로부터 구입한 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트.
BHT: 알드리흐 케미칼스로부터 구입한 2,6-디-3급부틸-4-메틸페놀.
글리시딜 메타크릴레이트: 알드리흐 케미칼스로부터 구입함.
유바큐어
Figure 112007018009683-pct00011
1500: UCB 케미칼스로부터 얻은 무료 샘플로서 지환족 디에폭사이드 단량체.
유바큐어
Figure 112007018009683-pct00012
1600: UCB 케미칼스로부터 얻은 무료 샘플로서 페닐-p-옥틸옥시페닐-요오도늄 헥사플루오르안티모네이트.
DMAc: 알드리흐 케미칼스로부터 구입한 N,N'-디메틸아세트아미드.
아크릴레이트 공중합체 I: 노베온(Noveon)으로부터 구입한, 메틸 메타크릴레이트 80중량% 및 메타크릴산 20중량%의 코폴리머, 중량 평균 분자량 Mw=~7,000, 산가=~125.
아크릴레이트 코폴리머 II: 일본 소재의 네가미 케미칼스(Negami Chemicals)에 의해 제조된, 메틸 메타크릴레이트 35%, 에틸 아크릴레이트 35%, 부틸 메타크릴레이트 20% 및 메타크릴산 20%의 코폴리머, 중량 평균 분자량=~38,000 및 산가=~129.
어가큐어
Figure 112007018009683-pct00013
369: 시바 스페셜티 케미칼스(Ciba Specialty Chemicals)로부터 구입한, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논.
DETX: 아세토 코포레이션(Aceto Corporation)의 2,4-디에틸-9H-티옥산텐-0-온 DETX 스피드큐어(speedcure).
EDAD: 알드리흐 케미칼스로부터 구입한 에틸 4-메틸아미노벤조에이트.
TAOBN:1,4,4-트리메틸-2,3-디아자비시클로[3,2,2]-논-2-엔-N,N'-디옥사이드.
DC209: 듀퐁에 의해 제조된, 포델 상표의 광-패턴화 은 전도체 후막 페이스트.
실시예들의 성능 비교를 하기 표 5 및 표 6에 요약하였다.
성능 비교
실시예 I II III IV
두께(미크론) 6.6 7.5 5 6
UV선량 @250mJ/㎠
UV선량 @400mJ/㎠ TWA PWA 30㎛ L/S 해상도 우수한 품질
UV선량 @800mJ/㎠ TWA PWA 동일함 20㎛ L/S 해상도
UV선량 @1000mJ/㎠ TWA PWA 동일함 우수한 품질
TTC(초) 7.8 12.9 7.1 7.7
현상 정도(XTTC) 1.5 이하 1.5 이하 1.5 이하 1.5 이하
주: TWA: 모두 씻겨나감; PWA: 부분적으로 씻겨나감.
성능 비교
실시예 V VI VII VIII
두께(미크론) 9.8 9.6 9.5 1.3
UV선량 @250mJ/㎠ 우수한 품질 우수한 품질 우수한 품질
UV선량 @400mJ/㎠ 우수한 품질
UV선량 @800mJ/㎠ 20㎛ L/S 해상도 20㎛ L/S 해상도
UV선량 @1000mJ/㎠ 우수한 품질
TTC(초) 9.9 10 10.2 3.4
현상 정도(XTTC) 1.5 3 4.5 1.5
주: TWA: 모두 씻겨나감; PWA: 부분적으로 씻겨나감.
실시예 I로부터, 실험 조건하에서 원래의 조성물, 즉 2관능성 단량체의 부재하의 조성물, 인쇄, 건조 및 UV-경화된 샘플은 현상 단계에 의해 모두 씻겨 나갔음을 알 수 있다.
실시예 II로부터, 디에폭사이드 관능기를 갖는 분자 및 오늄 염을 갖는 조성물이 원래의 조성물보다 약간 더 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있다.
실시예 III으로부터, 작은 2관능성 단량체를 갖는 조성물이 원래의 조성물보다 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있다.
실시예 IV로부터, 작은 2관능성 단량체 및 디에폭사이드 분자 및 오늄 염을 갖는 조성물이 가장 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있다. 이 조성물은 20미크론의 선을 가질 수 있다.
실시예 V로부터, 글리시딜 메타크릴레이트가 없는 조성물에 비하여, 현상된 전도체 선에 대하여 더 우수한 현상 정도를 나타내고 두께 감소가 없음을 알 수 있다.
실시예 VI으로부터, 글리시딜 메타크릴레이트를 듀퐁의 현 제품 DC209와 단지 단순 혼합하여, DC209에 더 우수한 성능(예: DC209에 비햐여, 현상된 전도체 선에 대하여 더 넓은 현상 정도 및 증가된 두께 감소율)을 제공함을 알 수 있다.
실시예 VII로부터, DC209 페이스트에 에폭사이드 단량체 및 오늄 염을 첨가하여, DC209에 더 우수한 성능(예: DC209 단독 사용에 비햐여, 현상된 전도체 선에 대하여 증가된 두께 감소율)을 제공함을 알 수 있다.
실시예 VIII로부터, 광-경화성 아크릴레이트 단량체를 사용하지 않고 은 전도체 패턴을 얻을 수 있음을 알 수 있다.

Claims (19)

  1. (a) 전도성 입자, 저항성 입자 및 유전성 입자중에서 선택되는 전기 관능성 분말; 및 (b) 유리전이온도가 325 내지 600℃인 무기 결합제를 포함하는 무기 물질의 미분된 입자가, (c) (1) C1-10 알킬 아크릴레이트, C1-10 알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 치환된 스티렌 또는 이들의 혼합물을 포함하는 비산성 공단량체 및 (2) 에틸렌계 불포화 카르복실산 함유 잔기를 포함하는 산성 공단량체를 각각 포함하는 코폴리머(copolymer), 인터폴리머(interpolymer) 또는 이들의 혼합물인 수성 현상가능한 비감광성 중합체; (d) 제1 및 제2 관능 단위를 갖는 2관능성 자외선(UV)-경화성 단량체(이때, 제1 관능 단위는 비닐 기이고, 제2 관능 단위는 카르복실산 함유 잔기와의 반응에 의해 화학결합을 형성할 수 있음); 및 (e) 아크릴산 또는 메타크릴산 광-경화성 단량체, 전체 조성물의 중량을 기준으로 0.01% 내지 5%의 2관능성, 3관능성 및/또는 4관능성 에폭사이드 단량체 및 오늄 염 광-개시제를 포함하는 유기 매질에 분산되어 있는 광-화상화(photo-imageable) 선구물질 조성물.
  2. 제1항의 선구물질 조성물 및 광-개시 시스템을 포함하는 광-화상화 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 유기 용매를 추가로 포함하고, 스크린-인쇄에 적합한 페이스트 형태인 광-화상화 조성물.
  4. 제2항의 광-화상화 조성물을 포함하는 테이프.
  5. (a) 제2항의 조성물을 기재상에 침적시키는 단계; (b) 현상가능한 광-비화상화 중합체와 2관능성 단량체의 반응을 개시하여 감광성 중합체 및 광-패턴화 조성물을 형성하는 단계; (c) (b)단계의 광-패턴화 조성물 및 (a)단계의 기재를 화학선에 노출시켜 노출된 부분을 형성하는 단계; (d) (b)단계의 노출된 부분을 현상하여 현상된 부분을 형성하는 단계; 및 (e) (c)단계의 현상된 부분을 소성시켜 유기 매질을 실질적으로 제거하고 무기 물질을 실질적으로 소결시키는 단계를 포함하는 광-패턴화(photo-patterning) 방법.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 촉매를 추가로 포함하는 선구물질 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 2관능성 UV-경화성 단량체의 비닐 기가 메타크릴레이트, 아크릴레이트 기 및 이들의 혼합물중에서 선택되는 선구물질 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 전기 관능성 분말이 (i) Au, Ag, Pd, Pt 또는 Cu, (ii) RuO2, (iii) 루테늄계 다성분(polynary) 산화물, 및 (v) 이들의 혼합물중에서 선택되는 선구물질 조성물.
  10. 제5항에 있어서, (a)단계 다음에, 조성물에 존재하는 유기 용매를 제거하기 위한 건조 단계가 있는 방법.
  11. 제5항에 있어서, (b)단계의 개시가 (c) 단계와 동시에 일어나는 방법.
  12. 제10항에 있어서, (b)단계의 개시가 건조 단계와 동시에 일어나는 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140138722A (ko) * 2012-03-22 2014-12-04 도레이 카부시키가이샤 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴의 제조 방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100996235B1 (ko) * 2004-06-01 2010-11-25 주식회사 동진쎄미켐 ＰＤＰ 어드레스 전극용 Ｐｂ 미함유 Ａｇ 페이스트 조성물
US20060027307A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Bidwell Larry A Method of application of a dielectric sheet and photosensitive dielectric composition(s) and tape(s) used therein
KR100927611B1 (ko) * 2005-01-05 2009-11-23 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 ｐｄｐ전극, 및 이를 포함하는 ｐｄｐ
KR100927610B1 (ko) * 2005-01-05 2009-11-23 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 및 이를 이용하여 제조된플라즈마 디스플레이 패널
US7569165B2 (en) * 2005-03-09 2009-08-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
JP4644878B2 (ja) * 2005-06-08 2011-03-09 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 黒色電極およびプラズマディスプレイパネル
US7214466B1 (en) * 2005-12-14 2007-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cationically polymerizable photoimageable thick film compositions, electrodes, and methods of forming thereof
EP2061528A1 (en) * 2006-09-13 2009-05-27 DSMIP Assets B.V. Antimicrobial hydrophilic coating comprising metallic silver particles
JP2008297409A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Jsr Corp 無機粉体含有樹脂組成物、パターン形成方法およびフラットパネルディスプレイ用電極の製造方法
TW201013742A (en) * 2008-05-19 2010-04-01 Du Pont Co-processable photoimageable silver and carbon nanotube compositions and method for field emission devices
US8129088B2 (en) * 2009-07-02 2012-03-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode and method for manufacturing the same
JP5003773B2 (ja) 2010-02-15 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
TW201235783A (en) * 2010-12-10 2012-09-01 Sumitomo Chemical Co Photosensitive resin composition
CN105867067A (zh) * 2011-03-14 2016-08-17 东丽株式会社 感光性导电糊剂和导电图案的制造方法
CN102212304B (zh) * 2011-03-25 2013-01-02 北京化工大学 一种柔性电路导电组成物及其制备方法与使用方法
JP6097556B2 (ja) * 2012-12-25 2017-03-15 太陽インキ製造株式会社 導電性樹脂組成物及び導電回路
WO2015046018A1 (ja) * 2013-09-25 2015-04-02 東レ株式会社 感光性遮光ペースト及びタッチセンサー用積層パターンの製造方法
KR20210081510A (ko) * 2019-12-23 2021-07-02 주식회사 잉크테크 자외선 경화형 수성 잉크 조성물 및 이의 제조방법
CN116018655B (zh) * 2020-09-28 2024-02-02 东丽株式会社 感光性树脂组合物、带导电图案的基板、天线元件、图像显示装置的制造方法及触摸面板的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1008909A1 (en) 1998-12-11 2000-06-14 E.I. Dupont De Nemours And Company Composition for a photosensitive silver conductor tape and tape comprising the same
US6342322B1 (en) 1998-03-02 2002-01-29 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive composition and calcined pattern obtained by use thereof
WO2003032087A2 (en) 2001-10-12 2003-04-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous developable photoimageable thick film compositions
US20030162128A1 (en) * 2001-12-31 2003-08-28 Industrial Technology Research Institute Photosensitive thick film composition

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL101499C (ko) 1951-08-20
US2875047A (en) 1955-01-19 1959-02-24 Oster Gerald Photopolymerization with the formation of coherent plastic masses
US2850445A (en) 1955-01-19 1958-09-02 Oster Gerald Photopolymerization
NL218803A (ko) 1956-07-09
US3074974A (en) 1957-12-06 1963-01-22 Monsanto Chemicals Method for the preparation of diglycidyl ether of tetrachlorobisphenol-a
US3097097A (en) 1959-02-12 1963-07-09 Gisela K Oster Photo degrading of gel systems and photographic production of reliefs therewith
NL254306A (ko) 1959-08-07
US3380831A (en) 1964-05-26 1968-04-30 Du Pont Photopolymerizable compositions and elements
GB1090142A (en) 1965-02-26 1967-11-08 Agfa Gevaert Nv Photochemical insolubilisation of polymers
US3479185A (en) 1965-06-03 1969-11-18 Du Pont Photopolymerizable compositions and layers containing 2,4,5-triphenylimidazoyl dimers
US3549367A (en) 1968-05-24 1970-12-22 Du Pont Photopolymerizable compositions containing triarylimidazolyl dimers and p-aminophenyl ketones
US3583931A (en) 1969-11-26 1971-06-08 Du Pont Oxides of cubic crystal structure containing bismuth and at least one of ruthenium and iridium
US4162162A (en) 1978-05-08 1979-07-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Derivatives of aryl ketones and p-dialkyl-aminoarylaldehydes as visible sensitizers of photopolymerizable compositions
JPS63265979A (ja) 1987-04-23 1988-11-02 Toyobo Co Ltd 光硬化型導電性焼成ペ−スト
US4925771A (en) 1988-05-31 1990-05-15 E. I. Dupont De Nemours And Company Process of making photosensitive aqueous developable ceramic coating composition including freeze drying the ceramic solid particles
US4912019A (en) 1988-05-31 1990-03-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable ceramic coating composition
US5049480A (en) 1990-02-20 1991-09-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable silver conductor composition
JP3672105B2 (ja) 1991-09-09 2005-07-13 東レ株式会社 感光性導電ペースト
JP3153828B2 (ja) 1991-11-29 2001-04-09 旭化成株式会社 光重合性導電ペースト組成物
JPH05209139A (ja) 1991-11-29 1993-08-20 Asahi Chem Ind Co Ltd 光重合性導電ペースト組成物およびその保存方法
JP3151049B2 (ja) 1991-11-29 2001-04-03 旭化成株式会社 薄膜状光重合性導電ペースト組成物積層体
JPH05206600A (ja) 1991-11-29 1993-08-13 Asahi Chem Ind Co Ltd 導体パターン形成用積層体
JP3218767B2 (ja) 1992-01-24 2001-10-15 東レ株式会社 感光性導電ペースト
DE69324640T2 (de) * 1992-09-23 1999-10-14 Du Pont Photoempfindliches dielektrisches Schichtmaterial und untereinander verbundene Mehrschichtschaltungen
US5858616A (en) 1995-10-13 1999-01-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive film and process for preparing fluorescent pattern using the same, and phosphor subjected to surface treatment and process for preparing the same
TW367504B (en) 1996-05-21 1999-08-21 Du Pont Photosensitive aqueous developable thick film composition employing vinylpyrrolidone polymer
US5851732A (en) 1997-03-06 1998-12-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Plasma display panel device fabrication utilizing black electrode between substrate and conductor electrode
JP3510761B2 (ja) 1997-03-26 2004-03-29 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
JP4090103B2 (ja) 1998-03-02 2008-05-28 太陽インキ製造株式会社 感光性組成物及びそれを用いて得られる焼成物パターン
JP4175591B2 (ja) * 1999-11-26 2008-11-05 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルム
JP2003100208A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Taiyo Ink Mfg Ltd 電極パターンの形成方法および該電極パターンを形成したプラズマディスプレイパネル
US20030124461A1 (en) * 2001-10-12 2003-07-03 Suess Terry R. Aqueous developable photoimageable thick film compositions for making photoimageable black electrodes
US6762009B2 (en) * 2001-10-12 2004-07-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous developable photoimageable thick film compositions with photospeed enhancer
JP3943057B2 (ja) * 2003-07-11 2007-07-11 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
JP2005249998A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Toray Ind Inc 感光性セラミックス組成物およびそれを用いたセラミックス多層基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342322B1 (en) 1998-03-02 2002-01-29 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive composition and calcined pattern obtained by use thereof
EP1008909A1 (en) 1998-12-11 2000-06-14 E.I. Dupont De Nemours And Company Composition for a photosensitive silver conductor tape and tape comprising the same
WO2003032087A2 (en) 2001-10-12 2003-04-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous developable photoimageable thick film compositions
US20030162128A1 (en) * 2001-12-31 2003-08-28 Industrial Technology Research Institute Photosensitive thick film composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140138722A (ko) * 2012-03-22 2014-12-04 도레이 카부시키가이샤 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴의 제조 방법
KR101716722B1 (ko) 2012-03-22 2017-03-15 도레이 카부시키가이샤 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴의 제조 방법

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