KR100386064B1 - 다이본딩 장치 및 반도체 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 리드 프레임과 반도체 칩의 접합에서 수지 필름을 접합재로 사용할 때에, 공기의 흡인에 의한 보이드(void)의 발생이나 접합재의 삐어져 나옴의 발생을 막는다. 이러한 본 발명은 적층 수지 필름(4F)으로부터 반도체 칩(2)의 폭 치수와 동일 폭 치수를 갖는 띠형(strap-like) 적층 수지 필름(4)을 잘라 내어, 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R) 상에 그 필름(4)을 수지 리본(4b)의 전이 온도 미만의 온도로 가열하면서 가압함으로써 접합한다. 이어서, 그 필름(4)으로부터 비점착성의 커버 리본(4a)을 제거한 후에, 전이 온도 전후의 온도까지 가열된 점착성의 수지 리본(4b)을 통해 반도체 칩(2)을 본딩하여 그 칩(2)을 가압한다.

Description

다이본딩 장치 및 반도체 장치{DIE BONDING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 장치의 리드 프레임 상에 수지 필름을 접합재로 하여서 반도체 칩을 다이본딩하기 위한 기술에 관한 것이다.

도 10 및 도 11은, 종래의 다이본딩 장치에서의 반도체 칩과 리드 프레임의 접합 방법을 모식적으로 나타낸 공정도이다. 두 도면에서, 도면번호 110은 디스펜서(dispenser) 헤드, 111은 수지 페이스트(paste), 1은 반도체 장치용 리드 프레임(이하, 간단히 리드 프레임이라고 함), 2는 반도체 칩(이하, 간단히 칩이라고 함)을 나타낸다.

먼저, 종래의 다이본딩 장치에 설치된 리드 프레임의 반송장치(미도시)와 위치결정 장치(미도시)는, 리드 프레임(1)의 필요한 위치를 위치결정하고, 그 후, 리드 프레임(1)의 본딩 패드내의 소정 영역 위쪽으로 이송 가능하게 안내된 디스펜서 헤드(110)는, 그 소정 영역 상에 수지 페이스트(111)를 적당량 도포한다(도 10 참조).

다음으로, 칩 이송 헤드(미도시)는 칩(2)을 리드 프레임(1) 상에 도포된 수지 페이스트(111)상에 얹어 놓고, 칩(2)에 필요한 하중을 인가하여 칩(2)의 밑면과 리드 프레임(1)의 표면 사이에 수지 페이스트(111)를 균일하게 펴서 칩(2)과 리드프레임(1)을 임시로 접합한다(도 11 참조). 그리고, 상기 접합방법에 의해서 리드 프레임(1)상에 복수개의 칩(2)이 동일하게 임시로 접합된다.

그 후, 각 리드 프레임(1)마다 후속 공정인 큐어(cure)공정에서 수지 페이스트(111)는 건조되고, 이에 따라 칩(2)은 리드 프레임(1)에 완전히 접합된다.

종래의 다이본딩 장치는, 수지 페이스트의 도포를 이용하여 칩과 리드 프레임을 접합하는 구성을 채용하고 있기 때문에, 크게 나누어 다음과 같은 2개의 문제점 (i) 및 (ii)이 생기고 있다.

(i) 첫째로, 종래의 접합방법에서는, 칩(2)을 리드 프레임(1)상에 수지 페이스트(111)를 통해서 임시로 접합시킬 때에, 수지 페이스트(111)에 필요한 하중을 인가하여 칩(2)의 밑면과 리드 프레임(1)의 표면 사이에 그 페이스트(111)를 균일하게 도포하려고 하고 있지만, 도 12의 종단면도에 예시한 것과 같이, 동시에 공기를 수지 페이스트(111)내로 흡인하여 보이드(Void)(120)를 생기게 하는 개연성이 높다고 하는 점에 있다. 이러한 보이드(120)가 발생하여 수지 페이스트(111)내에 잔류된 채로 되어 있으면, 칩(2)이나 리드 프레임(1)의 내부 리드부(미도시) 등이 몰드 수지(미도시)에 의해서 밀봉된 뒤에, 다음과 같은 폐해가 생길 수 있다. 즉, 반도체 장치의 동작에 의해 칩(2) 등이 열을 발생시키면, 이 발열에 의해 칩(2)의 밑면과 리드 프레임(1)의 표면 사이에 끼워진 수지(111)의 온도가 상승해버린다. 그 결과, 기포인 보이드(120)(도 12)가 팽창하게 되어, 이 보이드의 팽창에 의해서칩(2)이 응력을 받아 비뚤어지거나 또는 손상을 입는다고 하는 폐해가 걱정된다. 또한 상기 보이드(120)의 팽창력이 칩(2) 등을 밀봉한 주변의 몰드 수지에도 작용하여서, 그 몰드 수지에 크랙을 생기게 하여 밀봉이 불완전하게 된다고 하는 걱정도 생기는 것이다. 따라서, 이러한 폐해가 예측되는 한, 보이드(12O)의 발생을 미연에 방지할 필요성이 크다.

(ii) 둘째로, 종래기술에서 사용하고 있는 수지 페이스트(111)(도 11)는 칩(2)을 통하여 위쪽으로부터 하중이 가해지더라도, 어느쪽의 방향으로 넓어질지는 모른다는 것, 즉, 하중 인가시의 수지 페이스트(111)의 확대 방향이 똑같지 않음으로 인하여 생기는 문제점이다. 이 때문에, 하중 인가시에 일 방향으로 기울어서 수지 페이스트(111)가 확대되면, 예를 들면, 도 12에 예시한 것 같이, 칩(2)의 밑면으로부터 한쪽의 측면측에 수지 페이스트(111)의 삐어져 나온 부(112)가 생긴다고 하는 문제점이 발생할 수 있다. 이 삐어져 나온 부(112)도 또, 다음 같은 폐해를 가져온다. ① 먼저 제 1로, 삐어져 나온 부(112)가 생긴만큼만 밀봉 영역이 감소한다고 하는 문제점이 생기고, 삐어져 나온 부(112)를 갖는 칩(2)의 존재 장소 여하에 따라서는, 몰드 수지의 두께가 얇게 되는 부분이 발생할 수 있다. ② 제 2로, 삐어져 나온 부(112)가 칩(2)의 표면 가까이까지 고조될 때에는, 칩(2)의 와이어 본딩 공정시에 와이어(미도시)와 삐어져 나온 부(112)의 접촉이 생길 수 있다. 이때, 수지 페이스트(111)가 순수히 절연성 물질이면 상기 접촉은 문제도 없다고 말할 수가 있지만, 예를 들면 은을 포함하고 있는 수지 페이스트(111)가 사용되는 경우도 많고, 이와 같은 때에는 그 페이스트(111)와 와이어가 도통하여 버린다고 하는 사태가 생긴다. ③ 제 3으로, 도 12에 나타낸 것과 같이, 칩(2)의 타단측에 빈틈(113)이 생기기 쉽고, 그 후의 밀봉 공정시 빈틈(113)에 몰드 수지가 들어가게 되어 칩(2)과 리드 프레임(1)의 접합강도가 약해지고, 칩(2)이 벗겨지기 쉽게 된다는 걱정도 생긴다. ④ 덧붙여, 도 12에 나타낸 것과 같이, 칩(2)이 리드 프레임(2)의 표면과 평행하게 접합되어 없어지고, 상기 ③과 마찬가지로 칩(2)과 리드 프레임(1)의 접합강도가 약해지는 원인으로도 될 수 있음과 동시에, 칩(2)이 기울어진 만큼만 칩(2)의 상면 위쪽의 몰드 수지층도 얇게 되고, 이 점이 밀봉성이라는 점에서 문제가 될지도 모른다. 따라서, 도 12에 나타낸 것과 같은 삐어져 나온 부(112)가 사전에 생기지 않도록 해둘 필요성은 크다고 말할 수 있다.

본 발명은 상술한 문제점 (i) 및 (ii)을 해소하기 위해서 이루어진 것으로, 수지 페이스트가 삐어져 나오고, 보이드의 발생을 막을 수 있음과 동시에, 칩의 밑면과 리드 프레임의 표면 사이에 균일하게 확대된 수지 필름을 끼워서 칩과 리드 프레임의 접합을 강도 있게 할 수 있는 다이본딩 기술을 제공하는데 목적이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 다이본딩 장치를 모식적으로 나타낸 사시도,

도 2는 도 1의 다이본딩 장치의 상세한 구성을 도시한 도면,

도 3은 도 1의 다이본딩 장치의 상세한 구성을 도시한 도면,

도 4는 잘라 낸 적층 수지 필름을 나타낸 사시도,

도 5는 도 1의 다이본딩 장치에서의 커버 리본 제거부의 구성을 나타낸 단면도,

도 6은 본 발명의 실시예 1의 변형예에 따른 다이본딩 장치의 구성을 도시한 도면,

도 7은 본 발명의 실시예 1의 변형예에 따른 다이본딩 장치의 구성을 도시한 도면,

도 8은 본 발명의 실시예 4에 따른 다이본딩 장치의 특징 부분을 나타낸 단면도,

도 9는 본 발명의 실시예 3에 따른 다이본딩 장치의 특징 부분을 나타낸 사시도,

도 10은 종래의 다이본딩 장치를 모식적으로 나타낸 단면도,

도 11은 종래의 다이본딩 장치를 모식적으로 나타낸 단면도,

도 12는 종래의 다이본딩 장치를 사용하였을 때의 문제점을 지적한 단면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 리드 프레임 1R : 소정 영역

2 : 반도체 칩 3 : 적층 수지 필름 공급부

4F : 적층 수지 필름 4 : 띠형 적층 수지 필름

4A, 4a : 커버 리본 4B, 4b : 수지 리본

4C : 감기 리본 5 : 가열기

6 : 제 1 반송기 7 : 제 1 가압기

8 : 커버 리본 제거부 9 : 제 2 반송기

1O : 제 2 가압기 31 : 적층 필름 공급 릴

32 : 한 쌍의 로울러 33 : 감기 가이드

34 : 감기 릴 35 : 아랫날

36 : 윗날 81 : 점착 테이프 공급부

82 : 점착 테이프 82a : 점착면

82b : 비점착면 83A, 83B, 83C, 83D, 83E, 83F : 테이프 가이드

84 : 제 1 점착 테이프 가압부 84a : 가압체

85 : 커버 리본 검출부 86 : 제 2 점착 테이프 가압부

86a : 가압 가이드 87 : 점착 테이프 배출부

본 발명의 제 1 국면은, 이면이 점착성을 갖는 소정 두께의 수지 필름으로부터, 제 1 및 제 2 방향으로 각각 제 1 및 제 2 폭을 갖고, 상기 소정 두께를 갖는 띠형 수지 필름을 생성하는 공급부와, 상기 띠형 수지 필름을 리드 프레임의 표면내의 소정 영역으로 반송하여 상기 띠형 수지 필름의 상기 이면을 상기 소정 영역에 접촉시키는 반송부와, 상기 띠형 수지 필름의 온도를 상온보다 높게 상기 띠형수지 필름의 전이 온도 미만의 범위내로 설정하는 가열부와, 상기 가열부에 의해서 가열된 상기 띠형 수지 필름의 표면으로부터 상기 띠형 수지 필름을 상하 동작 가능한 압착부에서 가압하여 상기 띠형 수지 필름의 상기 이면과 상기 소정 영역을 결합시키는 가압부를 구비하고, 상기 소정 영역은 상기 제 1 및 제 2 방향으로 각각 상기 제 1 및 제 2 폭을 갖는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 제 2 국면은, 상기 제 1 국면에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 수지 필름은, 상온에서의 점착성이 그 전이온도에서의 점착성보다도 낮은 수지 리본과, 상기 수지 리본의 표면상에 적층되고 비점착성의 표면을 갖는 커버 리본을 구비하고, 상기 띠형 수지 필름도 띠형 수지 리본과 상기 띠형 수지 리본의 표면상에 적층된 띠형 커버 리본을 구비하고, 상기 가압부의 상기 압착부는, 상기 상온보다도 높게 상기 띠형 수지 리본의 상기 전이 온도 미만의 범위내의 온도로 설정된 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 적층된 상기 띠형 커버 리본의 상기 표면을 가압하여 상기 띠형 수지 리본의 이면과 상기 소정 영역을 결합시킨 것으로, 상기 반송부, 상기 가열부 및 상기 가압부를 각각 제 1 반송부, 제 1 가열부 및 제 1 가압부로 정의할 경우, 상기 다이본딩 장치는, 상기 띠형 수지 리본의 상기 이면이 상기 소정 영역과 결합된 상기 띠형 수지 필름이 갖는 상기 띠형 커버 리본만을 제거하는 제거부와, 상기 띠형 수지 리본의 온도를 상기 띠형 수지 리본의 상기 전이 온도를 포함한 소정의 온도 범위내로 설정하는 제 2 가열부와, 상기 띠형 커버 리본이 없는 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 각각 상기 제 1 및 제 2 폭을 갖는 반도체 칩을 반송하는 제 2 반송부와,상기 제 2 가열부에 의해서 가열된 상기 띠형 수지 리본 및 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 반송된 상기 반도체 칩을 상하 동작 가능한 압착부에서 상기 반도체 칩의 표면으로부터 가압하여 상기 반도체 칩의 이면과 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면을 결합시키는 제 2 가압부를 더 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 제 3 국면은, 상기 제 1 국면에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 수지 필름은, 상온에서의 점착성이 그 전이온도에서의 점착성보다도 낮은 수지 리본으로 구성되고, 상기 띠형 수지 필름도 띠형 수지 리본으로 구성되며, 상기 가압부의 상기 압착부는 비점착성의 압착면을 갖고 있고, 상기 가열부에 의해서 상기 상온보다도 높게 상기 띠형 수지 리본의 상기 전이 온도 미만의 범위내의 온도로 설정된 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면을 상기 압착면을 통해서 가압하여 상기 띠형 수지 리본의 이면과 상기 소정 영역을 결합시킨 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 제 4 국면은, 상기 제 3 국면에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 반송부, 상기 가열부 및 상기 가압부를 각각 제 1 반송부, 제 1 가열부 및 제 1 가압부로 정의하면, 상기 띠형 수지 리본의 온도를 상기 띠형 수지 리본의 상기 전이온도를 포함한 소정의 온도 범위내로 설정하는 제 2 가열부와, 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 각각 상기 제 1 및 제 2 폭을 갖는 반도체 칩을 반송하는 제 2 반송부와, 상기 제 2 가열부에 의해서 가열된 상기 띠형 수지 리본 및 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 반송된 상기 반도체 칩을 상하 동작가능한 압착부에서 상기 반도체 칩의 표면으로부터 가압하여상기 반도체 칩의 이면과 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면을 결합시키는 제 2 가압부를 더 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 제 5 국면은, 상기 제 2 국면 또는 제 4 국면에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 제 2 가압부의 상기 압착부는, 상기 제 2 반송부에 의해서 각각이 대응하는 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 반송된 복수개의 반도체 칩의 표면을 일괄하여 가압가능한 형상 및 치수를 갖는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 제 6 국면은, 상기 제 5 국면에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 제 2 가압부는, 가압전의 상기 압착부의 위치와 상기 복수개의 반도체 칩의 상기 표면 사이에 배치된, 비점착성이고 두께 방향으로 소정의 탄성력을 갖는 간섭재를 더 구비하고, 상기 제 2 가압부의 상기 압착부는 상기 간섭재를 통해서 상기 복수개의 반도체 칩의 상기 표면을 가압한 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 제 7 국면은, 상기 제 2 국면에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 제거부는, 점착성을 갖는 제 1 면과 상기 제 1 면에 대향하여, 비점착성의 제 2 면을 가짐과 동시에, 상기 띠형 리본의 위쪽에 배치된 가요체를 휘어서 상기 제 1 면과 상기 띠형 커버 리본의 상기 표면을 접착시킨 뒤에, 휜 상기 가요체를 원래의 위치로 강제적으로 되돌림으로써 상기 띠형 커버 리본을 제거한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 제 8 국면은, 상기 제 1 국면 내지 제 7 국면중 어느 하나에 기재된 다이본딩 장치에 있어서, 상기 공급부는, 상기 수지 필름을 잡고 있는 한 쌍의 로울러와, 상기 한 쌍의 로울러의 동작에 의해서 상기 수지 필름이 송출되는 방향으로 위치하고, 상기 한 쌍의 로울러의 동작에 의해서 송출된 소정의 치수의 상기 수지 필름의 선단부를 절단하여 상기 띠형 수지 필름을 생성하는 날부를 구비하고, 상기 한 쌍의 로울러를 구성하는 적어도 한 쪽의 로울러는, 상기 수지 필름의 점착부에 이를 수 있는 치수를 갖는 복수개의 돌기 바늘이 배치된 금속성의 로울러인 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 제 9 국면은, 상기 제 2 국면 내지 제 7 국면중 어느 하나에 기재된 상기 다이본딩 장치에 의해서 상기 소정 영역 위쪽에 다이본딩된 적어도 1개의 반도체 칩을 구비한 것을 특징으로 한다.

(실시예)

(실시예 1)

본 실시예에서는, 다층 수지 필름을 "이면이 점착성을 갖는 수지 필름" 으로 사용하는 경우에 다이본딩 장치의 구성 및 그 장치를 사용한 반도체 장치의 제조방법에 관해서 설명한다. 이 경우에는, 후술한 것과 같이, 다층 수지 필름중의 수지 리본이 반도체 칩과 리드 프레임의 다이 패드(die pad)부 소정 영역 사이의 접합재 내지는 다이본드재로서 기능한다.

도 1은 다이본딩 장치(100)의 전체 구성을 모식적으로 나타낸 사시도이다. 그 도면에서, 각 도면부호는 다음과 같다. 즉, 1은 리드 프레임, 2는 소정의 두께를 갖고 제 1 및 제 2 방향으로 각각 제 1 폭 및 제 2 폭을 갖는 반도체 칩(이하, 간단히 칩이라고 함), 1R은 리드 프레임(1)의 다이 패드 부분의 표면중 상기 제 1및 제 2 방향으로 각각 상기 제 1 폭 및 상기 제 2 폭을 갖는 소정 영역이다. 또한, 3은 적층 수지 필름으로부터 띠형 적층 수지 필름을 생성하는 적층 수지 필름 공급부, 4F는 상기 제 2 방향으로 상기 제 2 폭과 동일 폭을 갖는 적층 수지 필름, 4는 상기 제 1 및 제 2 방향으로 상기 제 1 폭 및 제 2 폭을 갖는 띠형 적층 수지 필름, 51 내지 55는 각각 제 1 내지 제 5 가열기(히터)이고, 이들을 총칭할 때에는 가열기(5)로 정의한다. 또한, 6은 스테이지(3STG) 상에 적재된 띠형 적층 수지 필름(4)을 흡착 헤드(6a)에서 진공 흡착하여 그 필름(4)을 대응하는 소정 영역(1R) 상에 정확히 반송하는 제 1 반송부임과 아울러, 소정 영역(1R) 상에 적재된 그 필름(4)을 흡착 헤드(6a)를 통하여 가압하여 그 영역(1R) 상에 본딩하는 제 1 본딩부로서의 기능을 겸비한 띠형 적층 수지 필름 반송부(제 1 반송기)이다. 또한, 7은 제 2 가열기(52)상에 반송된 본딩 완료된 띠형 적층 수지 필름(4)을 압착부(7a)에서 가압하는 띠형 적층 수지 필름 가압부 내지는 제 1 가압기이고, 8은 커버 리본 제거부이다. 또한, 9는 진공흡착 가능한 흡착 헤드(9a)로 다이본딩해야 할 반도체 칩(2)을 반도체 웨이퍼(2O) 내에서 추출한 뒤에, 이 칩(2)을 제 4 가열기(54)상에 반송된 리드 프레임(1)상의 띠형 수지 리본의 표면상에 반송하는 제 2 반송부로서 기능함과 아울러, 흡착 헤드(9a)를 압착부로서 사용함으로써 이 칩(2)을 상기 띠형 수지 리본의 표면상에 본딩하는 칩 본딩부(제 2 반송기)이고, 10은 본딩 후의 칩(2)의 표면으로부터 압착부(10a)로 가압함에 의해 띠형 수지 리본을 통해 이 칩(2)을 소정 영역(1R)에 접합하기 위한 칩 가압부 내지는 제 2 가압기이다. 또한, 15는 리드 프레임 반송장치의 일부를 이루는 반송 기구부로, 여기서는, 리드 프레임(1)의 양단부의 각각과 접촉가능한 벨트 컨베이어형의 것이 채용되고 있지만, 그 밖의 공지의 것, 예를 들면, 리드 프레임(1)의 각 단부를 상하로부터 파악하면서 그 프레임(1)을 이송하는 타입이어도 된다. 또한, 상기 반송 기구부(15)는 각 가열기(5)간에 배치되어 있고, 콘트롤러(미도시)에 의해서 그 동작이 제어된다. 또한, 기호 D는 리드 프레임(1)의 반송방향을 나타낸다.

다음으로, 도 2는 도 1에 나타낸 본 본딩장치(100)의 보다 상세한 구성을 나타낸 도면임과 아울러, 반도체 칩(2) 본딩 공정의 흐름을 나타낸 도면이기도 하다. 이하, 도 2에 의거하여 각 부의 작용에 대해서 상세히 설명한다.

먼저, 본 실시예에서 접합재의 모재로서 사용된 적층 수지 필름(4F)은, 최초는 3층의 적층체로 구성되어 있지만, 전술한 띠형 적층 수지 필름(4)을 생성하는 과정에서 이 필름(4F)이 2층의 적층체로 변경된다. 이 단계에서 적층 수지 필름(2층 구조)(4F)은, "이면이 점착성을 갖는 소정 두께의 수지 필름"에 해당한다. 이하, 그 구성을 상세히 설명한다.

도 2에 도시한 것과 같이, 적층 수지 필름(4F)의 중핵 부분은, 상온에서는 저점착성, 즉, 상온에서의 점착성이 그 유리 전이 온도(간단히 전이 온도로 칭함)에서의 점착성보다도 충분히 낮은 특성을 갖는 수지 리본(4B)으로 구성된다. 여기서는, 일 예로서, 그 전이 온도가 약 180℃인 것이 그 리본(4B)으로서 채용되고, 그 두께는 예를 들면 30㎛ 내지 20O㎛의 범위내의 값이고, 그 리본(4B)은 박막이다. 이와 같은 리본(4B)의 상면에, 표면이 비점착성으로 수지 리본(4B)의 상면 전체를 덮은 커버 리본(4A)이 적층 형성되어 있다. 그 두께는 예를 들면 100㎛이고,그 리본(4A)은 플라스틱과 같은 정도의 경도를 갖는다. 또한, 수지 리본(4B)의 밑면 내지는 이면상에는, 그 밑면 전체를 덮은 감기 리본(4C)이 적층 내지는 부착되어 있다. 이 리본(4C)은 시이트 형으로, 매우 부드러운 재질로 이루어진다. 또한, 이 감기 리본(4C)과 수지 리본(4B) 사이의 부착력은, 사람의 손으로 상기 리본(4C)을 벗길 수 있는 정도이다. 그리고, 이러한 3층 구조를 갖는 적층 수지 필름(4F)의 제 2 방향에서의 폭, 즉, 도 2의 지면에 수직한 방향의 폭은, 미리 칩(2)의 제 2 폭과 같게 되도록 설정되어 있다. 물론, 이와 같이 그 필름(4F)의 제 2 방향의 폭을 칩(2)의 제 2 폭과 동등하게 시작부터 설정해둘 필요는 없고, 후술할 날부에서 제 2 방향의 폭을 칩(2)의 제 2 폭과 같게 되도록 절단하여도 좋다.

여기서, 도 1의 적층 수지 필름 공급부(3)의 구성 및 그 동작을 도 3의 종단면도로 확대하여 나타낸다. 동일 도면에 나타낸 것과 같이, 그 부(3)는, ① 3층 구조의 형태인 적층 수지 필름(4F)을 릴 형으로 감아서 보유한 공급 릴(31)과, ② 3층 구조 형태의 적층 수지 필름(4F)을 상하로부터 쥐어서 그 필름(4F)을 송출방향 DD로 송출하는 한 쌍의 로울러(32)와, ③ 송출방향 DD에 관해서 한 쌍의 로울러(32) 하측의 로울러(32B)의 바로 가까이에 배치되어 있고, 감기 리본(4C)만을 통해서 얻을 수 있는 곡율 스키마(37)가 형성된 블럭형의 감기 가이드(33)와, ④ 송출방향 DD에 관해서 한 쌍의 로울러(32)의 상측의 로울러(32A)의 후방 위치에 있고, 커버 리본(4A)의 표면에 대향한 이면이 감기 가이드(33)의 일부의 상면에 대향한 위치에 배치된 윗날(제 1 날)(36)과, ⑤ 비절단시는 도 3에 예시한 것과 같이 날의 선단이 상기 가이드(33)의 상면과 동일 위치가 되도록 감기 가이드(33)의 단부(33E)의 위치로부터 송출방향 DD으로 약간 떨어진 위치에 배치되고, 적층 수지 필름(4F)의 절단시에는 모터 등의 구동기구(미도시)에 의해서 상하 동작 가능한 아랫날(제 2 날)(35)과, ⑥ 그 중심축에 모터(미도시)가 결합되고, 이 모터의 토오크에 의해서 감기 리본(4C)을 릴 형으로 감기 가능한 감기 릴(34)로 구성된다. 이들 중에서, 윗날(36)과 아랫날(35)은, "한 쌍의 로울러(32)의 동작에 의해서 송출방향 DD를 따라 송출된 소정 치수 W1의 수지 필름 4F(4A, 4B)의 선단부(4FP)를 절단하는 날부"를 구성한다. 이하, 도 3의 공급부(3)의 동작에 관해서 상세히 설명한다.

먼저, 조작자는 적층 수지 필름(4F)이 릴 형으로 감긴 공급 릴(31)로부터 이 필름(4F)을 잡아 당기기 시작한 뒤에 한 쌍의 로울러(32) 사이에 그 필름(4F)을 삽입한 후, 감기 리본(4C)만을 그 선단 부분으로부터 벗겨 내고, 감기 리본(4C)이 벗겨내어진 부분을 곡율 스키마(37)를 통해서 감기 릴(34)에 휘감김과 동시에, 감기 리본(4C)이 벗겨내어져서 수지 리본(4B)과 커버 리본(4A)의 2층 구조로 된 적층 수지 필름(4F)의 선단부분을 필요한 쥐는 힘으로 로울러 이송을 하는 한 쌍의 로울러(32)에 의해서 송출방향 DD로 안내되고, 이 선단부를 윗날(36)의 단부(36E)의 바로 아래 및 감기 가이드(33)의 단부(33E)의 바로 위의 공간 위치에 까지 이끈다. 이때, 벗겨내어진 감기 리본(4C)의 단부는 감기 릴(34)에 한 번 감겨지고, 이후는, 한 쌍의 로울러(32)의 로울러 이송에 연동하여서 동작하는 감기 릴(34)의 상기 모터의 토오크에 의해서, 감기 리본(4C)은 가능하게 이 릴(34)에 연속적으로 감겨지게 된다.

이 상태에서, 조작자는 한 쌍의 로울러(32)를 일정량만 구동시킨다. 이러한한 쌍의 로울러(32)의 로울러 이송에 의해서, 소정량 W1만큼 수지 리본(4B)과 커버 리본(4A)으로 구성된 적층 수지 필름(4F)의 선단부(4FP)가, 송출방향 DD을 따라 양단부(36E, 33E)의 위치로부터 풀어내어진다. 그 후, 조작자는 상하 동작가능한 아랫날(35)을 구동 제어한다. 그 결과, 윗날(36)과 아랫날(35)의 커트 동작에 의해 도 4에 나타낸 띠형 적층 수지 필름(4)이 잘라내어진다. 이 때, 상기 소정량 W1은 반도체 칩(2) 및 소정 영역(1R)의 제 1 방향의 제 1 폭과 같게 설정되어 있기 때문에, 이 필름(4)은, 제 1 및 제 2 방향(D1, D2)으로 각각 제 1 및 제 2 폭(W1, W2)을 갖고, 제 3 방향(D3)으로 소정의 두께 T를 갖게 된다. 이 띠형 적층 수지 필름4(4a, 4b)은, 절단 후 아랫날(35)의 스테이지(3STG)에 적재된다. 이하에서는, 다시 도 1 및 도 2로 되돌아가서 설명을 한다.

도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같이, 리드 프레임(1)의 반송장치 및 위치결정 장치(미도시)(이후, 양자를 합쳐서 간단히 반송 위치 결정장치로 칭함)는, 다이본딩해야할 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)을 제 1 가열기(51)의 소정 위치에 까지 반송하여 그 위치로 위치 결정한다. 여기서, 제 1 가열기(51)는, 상온보다도 높고 띠형 적층 수지 필름(4)의 유리 전이 온도, 즉, 띠형 수지 리본(4b)의 유리 전이 온도 미만의 온도가 되도록 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)을 가열한다. 즉, 이때의 가열온도로서는, 그 리본(4b)의 점착성이 저점착성으로부터 중점착성까지 이행하기 위해서 필요한 값이 설정되는 것으로, 예를 들면 가열온도는 100℃ 내지 120 ℃ 범위내의 값이다. 이와 같은 범위내의 온도까지 가열된 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)상에, 띠형 적층 수지 필름 반송부(6)는 스테이지(3STG)상에 적재된 띠형적층 수지 필름(4)을 반송한 뒤에 이 필름(4)을 본딩한다. 즉, 그 반송부(6)의 흡착 헤드 내지는 압착부(6a)는 절단 후의 띠형 적층 수지 필름(4)의 위쪽에 까지 이동한 뒤에, 하강하여 커버 리본(4a)의 표면(필름(4)의 상면에 해당함)에 접촉한다. 그리고, 그 헤드(6a)에 연결된 진공 펌프(미도시)의 작동에 의해, 그 헤드(6a)는 띠형 적층 수지 필름(4)을 진공 흡착하고, 이 상태에서 일단 상승한 뒤에 그 필름(4)을 상기 소정 영역(1R)상에 까지 이송하고, 그 영역(1R) 상에 정확히 얹어 놓는다. 또한, 반송부(6)의 흡착 헤드(6a)는 그 중심축의 주위에 각도θ(최대 90°까지)만 회전가능하고, 이에 따라 잘라내어진 직후의 띠형 적층 수지 필름(4)의 제 1 및 제 2 방향(D1, D2)과 대상이 되는 소정 영역(1R)의 제 1 및 제 2 방향이 서로 다른 경우라도, 양자 4 및 1R의 제 1 및 제 2 방향을 서로 일치시키는 것이 가능해진다.

소정 영역(1R)상에 정확히 적재된 띠형 적층 수지 필름4(4a+4b)의 온도는, 즉시 열전도에 의해서 상온으로부터 소정 영역(1R)과 거의 동일 온도까지 높여진다. 이에 따라, 띠형 수지 리본(4b)은 상온시 보다도 부드러운 연성 상태가 되어, 그 점착성은 중간 정도로 이행한다. 그리고, 이 이행 상태중에 즉, 그 필름(4)을 적재한 후 즉시, 흡착 헤드(6a)는 띠형 적층 수지 필름(4)에 대하여 소정의 하중을 인가한다. 이 본딩 동작시에 인가하는 하중과 인가 시간은, 띠형 수지 리본(4b)의 온도에 의존하고 있다. 이 때, 너무나도 강하게 과가압하면, 띠형 수지 리본(4b)의 소정 영역(1R)에서 삐어져 나온 양이 많아지기 때문에, 그와 같은 상태를 회피하면서 인가할 하중을 적절히 설정해야 한다. 따라서, 가열온도에 따라 현저히 하중이커지지 않는 정도로 적절하게 소정의 하중과 소정의 인가 시간을 설정하면 좋다. 이 경우, 하중이 비교적 크면 인가 시간은 그 만큼 짧게 되고, 하중이 비교적 작으면 그 반대가 된다.

여기서는, 일 예로서, 반도체 칩(2) 및 소정 영역(1R)의 제 1 및 제 2 폭이 함께 1mm일 때에는, 하중은 9.8N 이고, 인가 시간은 약 1초이다. 하중 인가후, 흡착 헤드(6a)와 상기 필름(4)의 상면 사이의 진공은 해제되어, 그 헤드(6a)는 상승한다.

이와 같은 띠형 적층 수지 리본(4)의 임시 부착에 의해서 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.

즉, ① 띠형 적층 수지 필름(4)의 제 1 및 제 2 폭(W1, W2)은 반도체 칩(2) 및 소정 영역(1R)의 제 1 및 제 2 방향의 치수와 동일하게 설정되어 있고, ② 예를 들면 띠형 수지 리본(4b)의 두께를 50㎛ 또는 100㎛로 설정하여도 이 필름(4)의 두께 T는 150㎛ 또는 200㎛이고, 이 필름(4)은 박막이고, 더구나, ③ 그 필름(4)은 제 1 가열기(51)에 의해서 가열은 되지만, 그 온도는 띠형 수지 리본(4b)의 전이 온도 미만이기 때문에, 용융상태까지는 달하지 않고, 보다 연성상태로 멈추어 있기 때문에, 즉, 이 리본(4b)을 용해시키지 않고서 그 리본(4b)이 중점착성의 상태에 있는 동안에 하중을 그 리본(4b)에 인가하여 이 리본(4b) 내의 공기 내지는 보이드를 배출하도록 하고 있기 때문에, 흡착 헤드(6a)에 의해서 띠형 수지 리본(4)을 본딩하여도, (a) 그 필름(4)의 소정 영역(1R)으로부터 삐어져 나오는 것을 거의 없앨 수 있음과 아울러, (b) 띠형 수지 리본(4b) 내에 혼입한 기포인 보이드를 본딩중에 외부로 확실히 압출할 수 있어서 발생한 보이드의 잔류량을 미소한 양으로 충분히 억제할 수 있다. 아울러, (c) 띠형 적층 수지 필름(4)의 상층이 비점착성의 커버 리본(4a)이기 때문에, 본딩시에 흡착 헤드(6a)의 압착면(실제로, 이 면은 테프론 코팅면이다)이 띠형 수지 리본(4b)에 부착되어 버리는 사태를 미연에 방지할 수도 있다는 이점이 있다.

다음으로, 조작자는 리드 프레임(1)의 상기 반송 위치 결정 장치를 구동시키고, 이에 따라 이 반송 위치 결정 장치는, 리드 프레임(1)상에 임시로 부착된 띠형 적층 수지 필름(4)을 리드 프레임(1)의 피치 전송 분(일반적으로 리드 프레임(1)에 설치된 복수개의 반도체 칩의 탑재 간격에 해당함)씩 순차로 반송 방향 D로 이동시켜, 그 필름(4)이 임시로 부착된 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)을, 다음 제 2 가열기(52)의 상면상에 까지 반송하여 이 위치에서 위치를 결정한다. 이 위치에서는, 제 2 가열기(52)의 상면 위쪽으로 상하 동작 가능한 제 1 가압기(7)가 배치되어 있고, 이 가압기(7)는, 실린더(미도시)나, 그 실린더 축의 선단부에 연결한 압착부(7a)를 갖고 있다. 여기서, 제 2 가열기(52)의 온도는 상온으로 설정된다. 지금, "가열"이라고 하는 용어를 "피가열부의 온도를 상온보다도 높인다"라는 의미로 정의하면, 여기서의 제 2 가열기(52)는 실질적으로는 리드 프레임(1)의 가열기로서는 기능하지 않고, 오히려, 최초는 동일하게 상온에 있는 압착부(7a)와 함께, 선행하는 본딩시에 예를 들면 100℃ 내지 120℃의 범위내의 온도로 가열된 상태에 있는 띠형 적층 수지 필름(4)을 냉각하는 작용을 갖는다고 말할 수 있다. 이와 같이 제 2 가열기(52)에 의해서 서서히 냉각되고 있는 상태에서 제 2 가열기(52)의상면에 적재된 리드 프레임(1) 상의 띠형 적층 수지 필름(4)에 대하여, 후 프레스(afterpress) 내지는 처음의 본딩으로서의 제 2 단계 째의 가압을 다음과 같이 한다.

압착부(7a)는 하강하여 그 부(7a)의 압착면이 커버 리본(4a)의 표면에 접촉하면, 제 1 가압기(7)는, 여기서는 상기 본딩시의 하중보다도 커지는 하중에 의해서 띠형 적층 수지 필름(4)을 그 표면부터 가압한다. 이 경우에도 극단적으로 큰 하중을 인가하는 것은 회피할 수 있지만, 상온으로 향하여 냉각되고 있지만 이때 상온보다도 높은 온도를 갖는 그 필름(4)의 온도에 따라서 적절히 소정의 하중 및 소정의 가압시간을 설정가능하다. 예를 들면, 제 1 및 제 2 폭(W1, W2)이 함께 1Omm인 경우(10mm각의 칩(2)의 경우)에는, 하중을 29.4N, 가압시간을 1초로 설정한다. 가압 종료 후 압착부(7a)는 상승한다.

이와 같은 가압 동작에 의해서 다음과 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.

즉, 본 공정시에는, 띠형 수지 리본(4b)은, 그 전이 온도 미만의 고온 상태(예를 들면 1O0℃ 내지 120℃ 이내의 값)부터 서서히 상온을 향하여 냉각되어 가는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 이 리본(4b)은 중점착성 상태로부터 저점착성 상태로 되돌아가고 있는 상태에 있고, 이 상태에서 그 리본(4b)은 커버 리본(4a)을 통해 상기 하중에 의해서 가압된다. 따라서, 띠형 수지 리본(4b)의 내부에 포함되어 있는 미세한 보이드는 완전히 배제된다. 물론, 여기서도, 띠형 수지 리본(4b)이 소정 영역(1R)에서 삐어져 나온 양은 무시할 수 있는 정도로 억제된다. 덧붙여, 압착부(7a)의 압착면이 띠형 수지 리본(4b)에 부착되는 경우도 완전히 없고, 접합재로부터 안정적으로 보이드를 제거할 수 있다.

또한, 여기서는 (압착부(7a)의 하중)>(흡착 헤드(6a)의 하중)이라는 관계로 양 하중을 설정하였지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 반대의 관계로 양 하중을 설정하여도 된다. 후자의 경우에는, 본딩 단계에서 강하게 띠형 수지 리본(4b)을 가압해두고, 후의 가압단계에서는 압착부(7a)가 인가해야 할 하중을 서서히 약하게 하여 감으로써, 띠형 적층 수지 필름(4)을 소정 영역(1R)으로부터 삐어져 나오게 하는 경우가 없고, 또한 보이드를 그 필름(4)내에 잔류시키지 않고 그 필름(4)을 소정 영역(1R)에 완전히 결합시키는 것이 가능하다.

이상의 설명으로부터 밝혔듯이, 제 1 및 제 2 가열기(51, 52)는, 띠형 적층 수지 필름(4)의 온도를 상온보다도 높게 또한 그 필름(4), 특히 띠형 수지 리본(4b)의 전이 온도 미만의 범위내의 값으로 제어하는 "제 1 가열부(5A)"를 구성하고 있는 것으로 간주할 수 있다. 또한, 제 1 반송기(6) 및 제 1 가압기(7)는, 상기 제 1 가열부(5A)에 의해서 가열되어 그 온도가 제어된 상태에 있는 띠형 적층 수지 필름(4)을 그 표면부터 가압하여 그 필름(4)의 이면을 소정 영역(1R)에 결합 내지는 접합시키는 "제 1 가압부"를 구성하고 있는 것으로 생각할 수 있다.

다음으로, 조작자는 리드 프레임(1)의 반송 위치 결정 장치를 자동 콘트롤에 의해서 구동시키고, 그 장치는 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R) 상에 빈틈 없고 또한 보이드도 없는 상태로 밀착하여 결합한 띠형 적층 수지 필름(4)을, 다음 제 3 가열기(53)의 상면상의 소정 위치상에 반송하여 위치 결정한다. 이에 따라서 제 3 가열기(53)의 상면상에 위치 결정된 띠형 수지 리본(4b)의 상면을 피복한 띠형 커버 리본(44a)은, 커버 리본 제거부(8)에 의해서 배제된다. 이 제거부(8)의 구체적인 구성예와 제거 동작의 순서에 관해서는 후술한다. 또한, 제 3 가열기(53)의 온도도 상온으로 설정되어 있고, 제 3 가열기(53)는 실질적으로는 가압 기능을 갖지 않는다.

다음으로, 조작자는 리드 프레임(1)의 반송 위치 결정 장치를 구동시키고, 이 장치는, 그 표면이 전면적으로 노출된 띠형 수지 리본(4b)만이 결합된 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)을, 제 4 가열기(54)의 상면의 소정 위치까지 반송하여 위치결정한다. 그 후에, 조작자는 이동 가능한 제 2 반송기(9)를 반도체 웨이퍼(20)위쪽에 까지 이동시키고, 이 반송기(9)의 실린더(미도시) 축에 결합된 선단부인 흡착 헤드(9a)를 하강시켜 다이본딩해야할 칩(2)을 진공 흡착한다. 그 후, 제 2 반송기(9)는, 제 3 가열기(53)의 상면상에 반송되어 위치결정되어 있는 띠형 수지 리본(4b)의 위쪽에 까지 이동하여 흡착 헤드(9a)를 하강시키고, 칩(2)을 소정 영역(1R)에 정확히 결합된 띠형 수지 리본(4b)의 표면상에 얹어 놓는다(이때, 진공은 해제된다. ). 이에 따라, 칩(2)은 띠형 수지 리본(4b)의 표면상에 삐어져 나오는 경우가 없이 정확히 적재된다. 또한, 흡착 헤드(9a)도 또한 흡착 헤드(6a)와 같이, 최대 90°까지 그 축 주위로 회전 가능하다.

여기서는, 제 2 반송기(9)는, ① 칩(2)의 이면과 띠형 수지 리본(4b)의 표면이 정확히 일치하여 접촉하도록 칩(2)을 반송하는 기구로서 작동할 뿐만 아니라, ② 반송 후에 바로 진공 흡착된 칩(2)에 대하여 본딩하는 본딩장치로서도 기능할 수 있다. 따라서, 흡착 헤드(9a)는 압착부로서도 기능한다.

그래서, 제 2 반송기(9)의 흡착 헤드(9a)는, 칩(2)의 적재 후에 바로 칩(2) 본딩 공정의 실행으로 옮긴다. 이 본딩 공정에서는, 제 4 가열기(54)는 리드 프레임(1)이 띠형 수지 리본(4b)의 전이 온도 근방으로 또한 전이 온도 미만의 온도에까지 가열되도록 설정되어 있다. 따라서, 칩(2)의 본딩 공정 이행시에는, 소정 영역(1R) 상의 띠형 수지 리본(4b)도 또한 거의 상기 온도로까지 가열되어 있는 상태에 있고, 따라서, 이 리본(4b)은 고점착성에 가까운 반 용융 상태 내지는 고 연화 상태에 있어, 이 상태하에서, 그 리본(4b)은 해당 온도에 따라 적절히 설정된 소정의 하중을 소정의 시간만큼 인가되게 되는 것이다. 여기서는, 일 예로서 전이 온도가 약 180℃의 띠형 수지 리본(4b)이 선정되어 있기 때문에, 제 4 가열기(54)의 가열온도는 약 160℃로 설정되어 있다. 이 상태에서, 흡착 헤드(9a)는, 진공 흡착되고 있는 반도체 칩(2)의 표면부터 소정의 하중을 소정 시간만큼 가압하여, 반도체 칩(2)의 이면과 띠형 수지 리본(4b)의 표면의 임시 결합인 본딩을 실행한다.

이때의 하중 및 가압 시간은 수지 리본(4b)의 온도와의 관계로 적절히 설정된 것은 상술한 것과 같지만, 극단적으로 큰 하중을 인가하는 경우는 이 리본(4b) 및 칩(2)의 변형을 방지하는 관점에서 피해야 한다. 여기서는, 일 예로서, 4.9N의 하중이 0.5초 동안만 인가된다. 본 공정 종료 후는, 흡착 헤드(9a)와 칩(2)의 표면사이의 진공 흡착은 해제되어 그 헤드(9a)는 상승한다.

본 본딩 공정에 의해서도, 다음의 작용 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다. 즉, 칩(2)의 표면적과 띠형 수지 리본(4b)의 표면적이 정확히 일치하고 있기 때문에, 그 본딩시에 이 리본(4b)이 삐어져 나온 양을 무시할 수 있을 정도로 제어 가능하다. 덧붙여, 이 리본(4b)은 반 용융 상태에 있는 상태에서 하중이 인가되기 때문에, 칩(2)을 그 리본(4b)에 결합시킬 때에 그 리본(4b) 내에 혼입한 공기의 대부분은 하중 인가중에 외부로 압출됨으로써, 그 리본(4b)중의 보이드의 발생 및 잔류를 극소로 억제할 수 있다.

다음으로, 조작자는 리드 프레임(1)의 반송 위치 결정 장치를 구동하고, 이 장치는, 그 위쪽에 칩(2)이 본딩되어 있는 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)을 제 5 가열기(5) 상면의 소정 위치로 반송하여 위치결정한다. 이 위치에서는, 위쪽에 상하 동작 가능한 제 2 가압기(10)가 배치되어 있고, 이 가압기(1O)는, 실린더(미도시) 축의 선단부에 결합된 압착부(1Oa)를 갖는다. 또한, 제 5 가열기(55)는 띠형 수지 리본(4b)의 전이 온도 이상의 온도로 설정되어 있고, 이 때문에 반송 위치 결정된 그 리본(4b)도 상기 온도까지 가열된다. 따라서, 그 리본(4b)은 완전히 용융상태에 있어 고점착성 수지 필름으로 바뀐다. 예를 들면, 제 5 가열기(55)의 온도는 180℃ 이상의 소정 온도로 설정되어 있다. 이 상태에서, 압착부(10a)는 하강하여 반도체 칩(1)의 상면으로부터, 여기서는 제 1 가압기(7)가 띠형 수지 리본(4b)에 가압한 하중보다도 커지는 소정의 하중에 의해서, 그 칩(2) 및 리본(4b)을 가압한다. 예를 들면, 이때의 하중 및 가압시간은, 제 1 및 제 2 폭(W1, W2)이 함께 10 mm인 때에는, 각각 9.8N 및 1초이다. 본 공정 종료 후, 압착부(10a)는 상승한다.

이 제 2 가압기(10)에 의한 후 프레스 내지는 본 본딩에 의해서 다음의 작용 효과를 얻을 수 있다. 즉, 띠형 수지 리본(4b)이 고점착성 상태에 있을 때에 더욱 하중이 그 리본(4b) 및 칩(2)에 인가되기 때문에, 이 리본(4b) 내에 혼입되어 여전히 잔류하고 있는 보이드는 완전히 압출되고, 그 때에 이 리본(4b)이 칩(2)의 측면측으로 삐어져 나오는 경우도 거의 없고 균일하게 칩(2)과 리드 프레임(1)의 사이에 끼워져서, 이 리본(4b)과 칩(2) 사이 및 이 리본(4b)과 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R) 사이에 반도체 장치로서 필요 충분한 접합 강도를 얻을 수 있다.

또한, 칩(2)의 본딩 공정과 본 본딩 공정에서도, 상기 설명과는 반대로, (흡착 헤드(9)에 의한 하중)>(압착부(10a)에 의한 하중)이라는 관계로 양 하중을 설정하여도 좋고, 이 경우에는, 압착부(10a)에 의한 하중을 서서히 약하게 하여 감으로써, 상기 효과를 마찬가지로 얻을 수 있다.

또한, 여기서는, [(제 2 반송기(9)에 의한 하중)+(제 2 가압기(1O)에 의한 하중)]>[(제 1 반송기(6)에 의한 하중)+(제 1 가압기(7)에 의한 하중)]이라는 관계를 설정하고 있지만, 이 조건에 한정될 필연성은 없고, 반대의 관계로 설정하여도 된다.

이상으로부터, 제 4 및 제 5 가열기(54, 55)를, 띠형 수지 리본(4b)의 온도를 그 전이 온도 전후의 온도, 즉, 그 전이온도를 포함한 소정의 온도 범위내의 온도로 설정하는 "제 2 가열부(5B)"라고 하여 총칭할 수 있다. 부가적으로, 제 2 반송기(9) 및 제 2 가압기(10)를, 상기 리본(4b)의 전이온도를 포함한 소정의 온도범위내의 온도를 갖는 띠형 수지 리본(4b) 및 이 리본(4b)의 표면상에 반송된 칩(2)을 칩(2)의 표면으로부터 가압하여 그 리본(4b)의 표면과 칩(2)의 이면을 결합시키는 "제 2 가압부"라고 하여 총칭할 수 있다.

칩(2)이 띠형 수지 리본(4b)을 통해 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R) 상에접합된 뒤, 다른 칩(2)도 반송방향 D를 따라 순차로 반송됨에 따라, 다른 칩(2)에 대하여도 차례차례로 같은 다이본딩 처리가 실행된다.

그 후, 다른 회로 부품도 리드 프레임상에 다이본딩됨과 동시에, 와이어 본딩 공정 등이 행해진 뒤에, 트랜스퍼 몰드법에 의해서 칩(2)이나 리드 프레임(1)의 내부 리드부 등은 몰드 수지에 의해서 밀봉되고, 또 리드 프레임(1)의 지지봉(tie bar)부 절단 공정 등이 실행되어 반도체 장치가 완성된다.

다음으로, 전술한 커버 리본 제거부(8)의 구체적인 구성 및 그 동작 내지는 작용에 관해서, 도 5를 사용하여 자세히 설명한다. 또한, 커버 리본 제거부(8)의 구성으로서는, 이것으로 한정되는 것이 아니라, 띠형 수지 리본(4b)의 표면에 적층한 커버 리본(4a)을 제거할 수 있다는 기능을 나타내는 한, 여러 가지 구성예를 제거부(8)로서 적용 가능하다.

도 5에서, 도면부호 82는 점착 테이프를 나타내고, 이 테이프(82)의 표면(82a)은 점착면(제 1 면)으로, 한편에서 본다면, 그 테이프(82)의 이면(82b)은 비점착면(제 2 면)이다. 또한, 도면부호 81은, 지면 위쪽에서 봐서 시계회전 가능하게 회전가능하고, 점착 테이프(82)가 감긴 점착 테이프 공급부를 나타내고, 이 부(81)는 그 테이프(82)를 잡아 당기기 시작하는 힘을 받으면 회전하여 그 테이프(82)를 송출한다. 한편에서 본다면, 도면부호 87은, 모터(미도시)의 구동에 따라서 지면 위쪽에서 봐서 시계방향으로 회전하고, 이에 따라 그 테이프(82)를 자동적으로 감는 점착 테이프 배출부이다. 또, 도면부호 83A, 83B, 83C, 83D, 83E 및 83F는 점착 테이프(82)를 안내하기 위한 테이프 가이드를 나타내고, 84는 실린더기구(미도시)를 내부에 갖는 제 1 점착 테이프 가압부이며, 상기 실린더의 축에 결합된 선단부는 가압체(84a)를 이룬다. 이 부분(84a)은 상기 실린더 기구의 작동에 의해서 상하 동작 가능하지만, 본 제거 공정 이외의 때에는, 도면중의 위치 P1보다도 위쪽에 위치한다. 또한, 85는 예를 들면 적외선 센서로 구성된 커버 리본 검출기이고, 점착면(82a)에 점착된 띠형 커버 리본(4a)이 점착 테이프(82)의 배출 경로상에서 검출될 때에는, 비검출을 나타낸 신호를 콘트롤러(미도시)에 송신하고, 이것을 받은 그 콘트롤러는 점착 테이프 배출부(87)의 상기 모터의 구동을 정지시킨다. 또한, 86은 내부에 예를 들면 실린더(미도시)를 갖는 제 2 점착 테이프 가압부이고, 점착 테이프(83)의 배출 경로 근방에 위치하고 있고, 또한 최대 돌출시에는 그 배출경로를 초과할 수 있는 그 실린더 축의 선단부에는, 도 1에 예시한 것과 같이, 도 5의 지면에 수직한 방향으로 늘어 놓여진 막대 형상의 가압 가이드(86a)가 형성되어 있다.

점착 테이프 공급부(81)에 감긴 점착 테이프(탄성체 또는 가요체)(82)는, 이 부분(81)으로부터 인공으로 인출된 후에, 도 5에 나타낸 것과 같이, 점착면(82a)이 양 테이프 가이드 83B와 83C 사이에서 리드 프레임(1)의 소정 영역(1R)(도 1)에 접합된 띠형 수지 리본(4b)의 상면에 적층된 띠형 커버 리본(4a)의 사이에서 소정의 간격을 두고 대향하도록, 점착 테이프(82)는 가압 전의 위치 P1을 통해서 테이프 가이드 83A 내지 83F에 의해서 안내되어 있고, 더구나, 그 선단부가 점착 테이프 배출부(87)에 휘감겨져 있다. 또한, 가압체(84a)는, 커버 리본(4a)의 상공에 방치된 상태로부터 하강하여 비점착면(82a)에 접촉하고, 점착면(82a)을 통해서 띠형 커버 리본(4a)의 비점착면에 대하여 선택적으로 가압하여서, 그 리본(4a)과 점착면(82a)의 접착 후에 상승하는 것이다. 또한, 가압체(84a)가 위치 P1보다도 위쪽으로 이동한 후, 점착 테이프 공급부(81)와 점착 테이프 배출부(87)를 동작 정지상태(이 배출부(87)의 상기 모터가 정지상태에 있다)로 된 채로, 제 2 점착 테이프 가압부(86)의 실린더 축의 선단부가 초기 돌출위치 P3로부터 수축하고, 가압 가이드(86a)는 점착면(82a)과 접촉하고, 이 가이드(86a)는 그 접촉상태인 채로 점착 테이프(82)를 가압하여서 점착 테이프(82)의 배출경로 방향과 대략 직각 방향으로 이 테이프(82)를 휘게 한다. 그 결과, 이 테이프(82)는 도 5에 점선으로 나타낸 것과 같이 휘고, 가압 가이드(86a)는 도 5의 위치 P4에서 정지한다.

다음으로, 제거 동작에 관해서 상세히 설명한다.

제 3 가열기(53) 상면의 소정 위치에 반송 위치 결정된 리드 프레임(1)에 접합된 띠형 수지 리본(4b)의 표면에 적층된 띠형 커버 리본(4a)의 상면에, 위치 P1에서 대향하도록 가이드 83A 내지 83B에 의해서 안내되어 뻗어진 가요성을 갖는 점착 테이프(82)의 점착면(82a)은, 아래로 동작하는 가압체(84a)의 가압면과 비점착면(82b)의 접촉에 의해서 가압되어, 위치 P1으로부터 위치 P2를 향하여 크게 휘어진다. 이 때, 가이드 83A 및 83B에 의해 안내된 점착 테이프(82)는, 가압체(84a)의 상기 가압에 의해 일어난 점착 테이프(82)의 휘어짐 양에 따라서 점착 테이프 공급부(81)로부터 소정 량만큼 인출됨과 동시에, 계속 하강하는 가압체(84a)는 띠형 커버 리본(4a)의 비점착면에 점착 테이프(82)의 접착면(82a)을 접촉시키고 또한 가압한다. 이에 따라, 띠형 커버 리본(4a)의 비점착면과 점착 테이프(82)의점착면(82a)은 서로 접착된다. 그 후, 가압체(84a)는 상승하여 원래의 위치로 되돌아간다.

여기서, 띠형 커버 리본(4a)의 제거에 사용하는 점착 테이프(82)의 재질에 관해서는, 다음의 관점에서 선정해야 한다. 즉, 여기서는, 제 3 가열기(53)는 상온으로 설정되어 있기 때문에, 띠형 수지 리본(4b)도 또한 상온의 상태에 있고, 상온에서는 띠형 수지 리본(4b)은 저점착성이므로 띠형 수지 리본(4b)의 저점착력보다도 약간 강한 점착성을 갖는 것을 점착 테이프(82)로서 선택해야 한다. 이와 같은 조건을 만족하는 점착 테이프(82)를 사용하므로, 점착면(82a)과 띠형 커버 리본(4a) 상면의 접착 강도가 띠형 수지 리본(4b)의 상면과 띠형 커버 리본(4a)의 밑면의 접착 강도보다도 커지기 때문에, 후술하는 동작에 따라서 띠형 커버 리본(4a)을점착 테이프(82)에 점착한 채로의 상태로 띠형 수지 리본(4b)의 상면으로부터 용이하게 벗겨낼 수 있는 것이다. 이하, 이 점을 상세히 설명한다.

먼저, 제 2 점착 테이프 가압부(86)는, 가압 가이드(86a)를, 위치 P3으로부터 위치 P4를 향하여, 점착 테이프(82)의 배출 경로 방향과 대략 직각 방향으로 동작시킨다. 이에 따라, 가압체(84a)의 조금 전의 상하 동작에 의해 소정량 만큼 인출되어 휘고, 그 결과, 띠형 커버 리본(4a)의 비점착면에 가압 접착되어 있던 점착 테이프(82)를 최초의 위치 P1까지 원래대로 되돌리는 힘이 점착 테이프(82)에 작용하여, 이 원래대로 되돌리는 동작에 의해서, 띠형 커버 리본(4a)이 점착면(82a)에 점착된 채로의 상태로 띠형 수지 리본(4b)의 상면으로부터 박리되어, 이 리본(4b)의 상면은 노출된다.

그 후, 제 2 점착 테이프 가압부(86)는 가압 가이드(86a)를 원래의 위치 P3까지 되돌리고, 그에 따라서 점착 테이프 배출부(87)의 모터가 소정량 만큼 구동하여 그 부분(87)이 시계 회전으로 소정량 만큼 회전한 결과, 이 부분(87)은, 띠형 커버 리본(4a)의 제거를 위해 점착 테이프 공급부(81)로부터 인출된 양에 해당하는 소정량의 점착 테이프(82)를 감고, 이에 따라 일련의 제거동작이 종료된다.

이 때, 소정량의 점착 테이프(82)의 감기 동작을 점착 테이프 배출부(87)가하게 할 것인지 아닌지는, 전술한 커버 리본 검출부(85)의 검출 결과에 근거하여서 제어할 수 있다. 즉, 이 검출부(85)가 반송되어 가야할 띠형 커버 리본(4a)의 존재를 검출할 수 없을 때에는, 그 취지의 신호를 상기 콘트롤러에 송신한 결과, 콘트롤러는 띠형 커버 리본(4a)의 제거 오류 발생이라고 인식하여, 상기 배출부(87)의 동작을 정지하도록 그 부분(87)의 모터를 제어한다. 이 검출동작을 함으로써, 안정된 띠형 커버 리본 제거동작을 제공할 수 있다.

(실시예 1의 변형예)

(1). 도 6은, 공급 릴(31)에 감겨 있는 단계부터 수지 필름(4F)이 수지 리본(4b)과 그 상면에 형성된 커버 리본(4A)의 2층 구조로 이루어지는 경우에 있어서의, 다이본딩 장치(1OOA)의 구성을 도시한 도면이다. 본 장치(100A)가 도 2의 장치(100)와 서로 다른 점은, 도 2의 감기 리본(4C)이 없는 만큼만 도 2에 나타낸 감기 릴(34)이 불필요 해질 수 있는 점, 및 감기 가이드(33)가 곡율 스키마(37)(도 3)가 없는 간단히 2층 구조의 수지 필름(4F)을 지지하는 만큼의 블럭에 지나지않게 되는 점에 있고, 이에 따라, 다이본딩 장치의 간소화를 어느정도 꾀할 수 있다.

(2). 도 7은 공급 릴(31)에 감겨 있는 단계부터 수지 필름(4F)이 수지 리본(4b)만으로 이루어진 경우에 있어서의, 다이본딩 장치(100B)의 구성을 도시한 도면이다. 이 변형예는, 수지 리본(4b) 자체가, "이면이 점착성을 갖는 소정의 두께의 수지 필름"에 해당한다. 동일 도면중, 도면부호 6S 및 7S는 예를 들면 테프론이 코팅된 부분이고, 비점착면을 구성하고 있다. 이에 따라, 압착면 6S 및 7S가 상기 리본(4b)과 접착해버리는 경우는 없다. 본 변형예에 의하면, 상기 변형예 (1)과 같이 도 2의 감기 릴(34)을 불필요로 하고 또한 감기 가이드(33)의 구조를 간단한 것으로 할 수 있음과 아울러, 도 2의 커버 리본 제거부(8) 및 제 3 가열기(53)도 불필요로 하여서, 다이본딩 장치의 구성을 더 한층 간소화할 수 있다.

(3). 도 2에서는, 제 1 반송기(6)가 반송부와 본딩부의 양쪽을 겸비하고 있었지만, 이것을 2개로 분할하여 양쪽 부분을 따로따로 구성하여도 좋다. 동일한 변형이 도 2의 제 2 반송기(9)에 대해서도 적합하다.

(4). 도 2, 도 6 및 도 7에서는, 리드 프레임(1)을 반송 위치 결정부에 의해서 하나하나 차례로 각 가열기의 상면의 소정 위치에 반송했었지만, 이 대신에, 절단 후의 띠형 수지 필름(4)을 하나의 가열기의 상면상의 소정 위치에 반송한 뒤, 그 후의 상술한 공정을 모두 그 소정 위치에서 하도록 하여도 된다. 그 경우에는, 상기 가열기가 도 2의 제 1 및 제 2 가열부(5A, 5B)나 제 3 가열기(53)의 기능을 겸비하게 된다.

(실시예 2)

실시예 1의 도 2의 예에서는, 1개의 반도체 칩(2)마다 이 칩(2)을 수지 리본(4b)의 상면 상에 본딩한 뒤에, 제 2 가압기(10)로 수지 리본(4b) 및 칩(2)을 가압 했었지만, 장치의 처리능력 향상이라는 관점에서 본 경우에는, 최후의 제 2 가압부(5B)에서의 공정을 1 칩마다가 아니고 1 프레임마다의 배치(batch)처리로 하는 쪽이 바람직하다고 말할 수 있다. 더구나, 이 경우, 인가해야 할 하중값을 칩수 분만큼 감소할 수 있기 때문에, 각 칩의 보호라는 관점에서 본 경우라도 이러한 배치(batch)처리는 바람직한 것이라 말할 수가 있다. 그래서, 본 실시예에서는, 제 2 가압부(5B)의 압착부, 즉, 제 2 가압기(10)의 압착부(10a)는, 각각 리드 프레임(1)의 대응한 소정 영역(1R)에 띠형 수지 리본(4b)을 통해서 탑재된 복수개의 칩(2)의 표면을 일괄해서 가압가능한 형상 및 치수를 갖게 되어 있다.

이와 같은 제 2 가열기(10)의 구성예를 도 8의 단면도에 나타낸다. 이 도 8에서, 도면부호 11은 가이드이고, 15는 도 1의 제 5 가열기(55)에 해당하는 가열기이다. 또한, 여기서는, 일괄하여 가압할 때의 복수개의 칩(2)의 두께 방향의 변동을 고려한다는 목적으로서, 또한 칩(2)의 표면보호를 꾀한다는 목적으로서, 두께 방향으로 소정의 탄성력을 갖는 리본형 또는 필름형의 간섭재(14)를 통해 일괄적으로 가압하도록 하고 있다. 또한, 도면부호 12 및 13은 간섭재(14)가 감긴 릴이다.

여기서는 일 예로서, 10개의 칩(2)을 일괄적으로 가압하고, 또한 각 칩이 10 mm 각 사이즈일 때에는, 압착부(10a)가 인가하는 하중은 98N, 가압시간은 1초이다.또는, 가압시간을 칩수배하여 10초로 하는 대신에 하중을 9.8N으로 감소시켜, 칩(2)의 표면보호를 꾀하도록 하여도 된다.

(실시예 3)

본 실시예의 특징점은, 도 1의 공급부(3)에서의 한 쌍의 로울러(32)내의 적어도 한쪽의 로울러를, 적어도 수지 필름의 점착부에 까지 도달하여 미세한 구멍을 뚫는 것이 가능한 치수를 갖는 복수개의 돌기 바늘이 배치된 금속성의 로울러로 구성한 점에 있다. 돌기 바늘을 갖지 않은 다른쪽의 로울러는 고무 로울러와 같은 탄성체이어도 되고, 금속제 로울러이어도 된다. 또한, 양쪽의 로울러의 각각에 상기 돌기 바늘을 설치할 때에는, 각각의 로울러의 돌기 바늘의 위치를 서로 조정할 필요성은 있다. 그 밖의 점에서는, 실시예 1이나 그 변형예나 실시예 2가 변하는 점은 없다. 이하, 실시예 1의 도 2의 본딩장치에 본 실시예를 적용하였을 때의 공급부(3)의 확대도를 도 9에 나타낸다. 물론, 본 형태를 실시예 2에 적용하는 것은 가능하다.

도 9에 나타낸 것과 같이, 금속제 로울러(32A)의 표면에는 복수개의 돌기 바늘(32a)이 형성되어 있다. 이 돌기 바늘(32a)의 각각의 길이 치수는, 선단이 커버 리본(4A)에서 수지 리본(4b)의 거의 이면에까지 도달 가능한 최대치로 설정되어 있다. 물론, 이 치수를 그것보다도 짧게 하여도 좋지만, 적어도 이 리본(4b)의 상면에 구멍을 뚫을 수 있는 만큼의 치수는 필요하다. 이러한 구성의 채용에 의해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.

즉, 커버 리본(4A)과 수지 리본(4b)과 돌기 바늘(32a)의 지름과 동일 지름의 미세 구멍(21)을 설치한 것으로 도 1의 각 부(6, 7 및 5A)를 사용한 후의 띠형 수지 리본(4b)의 본딩 동작 및 가압 동작시에, 미세구멍(21)이 보이드의 샛길로 되어, 보이드가 보다 빨리 또한 보다 확정으로 외부로 압출되기 쉽기 때문에, 보이드의 발생·잔류를 없앨 수 있고, 더구나, 그 때의 본딩 시간 및 가압 시간을 돌기 바늘(32a)을 설치하지 않은 경우보다도 단축할 수 있다고 하는 효과도 있다. 부가적으로, 로울러의 한쪽이 금속제이기 때문에, 로울러 이송시에 수지 필름(4F)을 확실히 송출할 수 있다고 하는 이점도 있다. 또한, 미세구멍(21)은, 칩(2)의 본딩 및 가압 동작시의 가열온도에 의해서 띠형 수지 리본(4b)이 녹기 때문에, 이에 의해 소실한다.

(요약)

이상과 같이, 본 실시예 1∼3의 다이본딩 장치에 의하면, 반도체 칩(2)을 리드 프레임(1)의 소정영역(1R) 상에 본딩할 때에, 칩(2)의 치수에 맞추어서 절단된 띠형 수지 리본(4a)을 사용하고 있기 때문에, 삐어져 나오는 불량 발생도 없고, 또한 띠형 수지 리본(4b)내의 보이드를 없앨 수 있으며, 칩(2)과 소정 영역(1R)의 사이에 균일한 두께로 확대된 띠형 수지 리본(4b)으로 구성된 부분(접합재 부분)을 안정되게 형성할 수 있다.

(1). 제 1 국면 내지 제 9 국면에 따른 각 발명에 의하면, 띠형 수지 필름의리드 프레임으로의 결합에 있어서, 이 필름을 리드 프레임의 소정 영역에서 삐어져 나오게 하지 않고, 더구나, 이 필름내에 혼입하는 보이드를 그 필름으로부터 외부로 압출하는 것에 의해 제거하여 보이드의 발생 및 잔류를 충분히 억제하면서, 그 필름의 이면을 소정 영역상에 안정하게 또한 확실히 결합시킬 수 있는 효과를 나타낸다.

(2). 제 2, 5, 6, 7, 8 및 제 9 국면의 각 발명에 의하면, 띠형 수지 리본이 소정 영역보다 삐어져 나와서 반도체 칩의 측면에까지 부착되거나 하는 사태를 유효하게 방지하여 리본을 균일한 두께로 할 수 있음과 동시에, 띠형 수지 리본 내에 보이드가 잔류하는 것을 완전히 방지할 수 있고, 그 결과 반도체 칩을 안정하게 또한 확실히 소정 영역상에 본딩할 수 있고, 이에 따라 반도체 칩과 띠형 수지 리본의 사이 및 그 리본과 소정 영역의 사이에 원하는 결합 강도를 얻을 수 있다.

부가적으로, 상기 각 발명에 의하면, 가압부의 압착부는 커버 리본과 비점착상태로 띠형 수지 리본의 이면을 소정 영역에 결합시킬 수 있는 효과도 나타낸다.

(3). 제 3, 4, 5, 6, 8 및 제 9 국면의 각 발명에 의하면, 수지 필름이 수지 리본으로 이루어지는 경우에 있어서도, 가압부의 압착부는 띠형 수지 리본과 접착하지 않고서 리본을 유효하게 가압할 수 있는 효과를 나타낸다.

(4). 제 4, 5, 6, 8 및 제 9 국면의 각 발명에 의하면, 수지 필름이 수지 리본으로 이루어지는 경우에 있어서도, 띠형 수지 리본이 소정 영역보다 삐어져 나온 반도체 칩의 측면에까지 부착되거나 하는 사태를 유효하게 방지하여 리본을 균일한 두께로 할 수 있음과 동시에, 띠형 수지 리본 내에 보이드가 잔류하는 것을 완전히방지할 수 있고, 그 결과, 반도체 칩을 안정하게 또한 확실히 소정 영역상에 본딩할 수 있고, 이에 따라 반도체 칩과 띠형 수지 리본의 사이 및 그 리본과 소정 영역의 사이에 원하는 결합 강도를 얻을 수 있다.

(5). 제 5, 6, 8 및 제 9 국면의 각 발명에 의하면, 다이본딩 장치의 처리능력을 각별히 향상시킬 수 있다.

(6). 제 6, 8 및 제 9 국면의 각 발명에 의하면, 간섭재를 사이에 끼워서 간접적인 가압이 되기 때문에, 복수개의 반도체 칩의 두께에 변동이 있더라도, 그 영향을 받지 않고 확실히 또한 안정적으로 복수개의 반도체 칩을 일괄해서 가압할수 있음과 동시에, 복수개의 반도체 칩의 각각의 표면을 확실히 보호할 수도 있다.

(7). 제 7, 8 및 제 9 국면의 각 발명에 의하면, 확실히 또한 용이하게 띠형 커버 리본을 제거할 수 있다.

(8). 제 8 국면의 발명에 의하면, 수지 필름의 점착성부에 까지 이를 수 있는 돌기 바늘의 지름에 해당하는 미세 구멍을 그 필름내에 그 필름의 송출단계에서 생성할 수 있기 때문에, 이 미세구멍이 띠형 수지 필름내에 혼입한 보이드의 샛길을 제공할 수 있어, 더 한층 많은 양의 보이드를 외부로 압출할 수 있다.

(9). 제 9 국면의 발명에 의하면, 다이본딩재 내지는 접합재가 삐어져 나오거나 이와 같은 재료내에 보이드가 잔류해버리는 것으로 인한 문제점이 없어, 뛰어 난 특성 및 품질을 갖는 반도체 장치를 실현하는 것이 가능해진다.

Claims (6)

1. 이면이 점착성을 갖는 소정의 두께의 수지 필름으로부터 제 1 및 제 2 방향으로 각각 제 1 및 제 2 폭을 갖고, 상기 소정의 두께를 갖는 띠형 수지 필름을 생성하는 공급부와,

   상기 띠형 수지 필름을 리드 프레임의 표면내의 소정 영역에 반송하여 상기 띠형 수지 필름의 상기 이면을 상기 소정 영역에 접촉시키는 반송부와,

   상기 띠형 수지 필름의 온도를 상온보다 높게 상기 띠형 수지 필름의 전이 온도 미만의 범위내로 설정하고, 그 후 상기 띠형 수지 필름을 상기 상온으로 냉각하는 가열부와,

   상기 가열부에 의해서 가열된 상기 띠형 수지 필름의 표면으로부터 상기 띠형 수지 필름을 상하 동작 가능한 압착부에서 가압하고, 그 후 상기 전이 온도 미만의 고온상태에서 상기 상온으로 냉각되어 가는 상태에 있는 상기 띠형 수지 필름에 대해서 더 가압하여, 상기 띠형 수지 필름의 상기 이면과 상기 소정 영역을 결합시키는 가압부를 구비하고,

   상기 소정 영역은 상기 제 1 및 제 2 방향으로 각각 상기 제 1 및 제 2 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 다이본딩 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 수지 필름은,

   상온에서의 점착성이 그 전이 온도에서의 점착성보다도 낮은 수지 리본과,

   상기 수지 리본의 표면상에 적층되고, 비점착성의 표면을 갖는 커버 리본을구비하고,

   상기 띠형 수지 필름도 띠형 수지 리본과 상기 띠형 수지 리본의 표면상에 적층된 띠형 커버 리본을 구비하고,

   상기 가압부의 상기 압착부는, 상기 상온보다도 높게 상기 띠형 수지 리본의 상기 전이 온도 미만의 범위내의 온도로 설정된 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 적층된 상기 띠형 커버 리본의 상기 표면을 가압하여 상기 띠형 수지 리본의 이면과 상기 소정 영역을 결합시킨 것이고,

   상기 반송부, 상기 가열부 및 상기 가압부를 각각 제 1 반송부, 제 1 가열부 제 1가압부로 정의하는 경우, 상기 다이본딩 장치는,

   상기 띠형 수지 리본의 상기 이면이 상기 소정 영역과 결합된 상기 띠형 수지 필름이 갖는 상기 띠형 커버 리본만을 제거하는 제거부와,

   상기 띠형 수지 리본의 온도를 상기 띠형 수지 리본의 상기 전이온도를 포함하는 소정의 온도범위내로 설정하는 제 2 가열부와,

   상기 띠형 커버 리본이 없는 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에, 상기 제 1 및 제 2 방향으로 각각 상기 제 1 및 제 2 폭을 갖는 반도체 칩을 반송하는 제 2 반송부와,

   상기 제 2 가열부에 의해서 가열된 상기 띠형 수지 리본 및 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 반송된 상기 반도체 칩을 상하 동작 가능한 압착부에서 상기 반도체 칩의 표면으로부터 가압하여 상기 반도체 칩의 이면과 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면을 결합시키는 제 2 가압부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 다이본딩장치.
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4. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 가압부의 압착부는, 상기 제 2 반송부에 의해서 각각이 대응하는 상기 띠형 수지 리본의 상기 표면상에 반송되는 복수개의 반도체 칩의 표면을 하나로 묶어 가압가능한 형상 및 치수를 가지는 것을 특징으로 하는 다이본딩 장치.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 가압부는, 가압전의 상기 압착부의 위치와 상기 복수개의 반도체 칩의 상기 표면과의 사이에 배치되며, 비점착성이면서 두께방향으로 소정의 탄성력을 가지는 간섭재를 더 구비하고 있으며, 상기 제 2 가압부의 압착부는 상기 간섭재를 매개로 하여 상기 복수개의 반도체 칩의 상기 표면을 가압하는 것을 특징으로 하는 다이본딩 장치.
6. 제 2 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 다이본딩 장치에 의해서 상기 소정 영역 위쪽에 다이본딩된 적어도 1개의 반도체 칩을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.