KR100309367B1 - 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법 - Google Patents

다공성 양극산화알루미나막의 제작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100309367B1
KR100309367B1 KR1019997000206A KR19997000206A KR100309367B1 KR 100309367 B1 KR100309367 B1 KR 100309367B1 KR 1019997000206 A KR1019997000206 A KR 1019997000206A KR 19997000206 A KR19997000206 A KR 19997000206A KR 100309367 B1 KR100309367 B1 KR 100309367B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
recesses
aluminum plate
film
anodizing
porous
Prior art date
Application number
KR1019997000206A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000023742A (ko
Inventor
나카오마사시
타마무라토시아키
마스다히데키
Original Assignee
미야즈 쥰이치로
닛뽄텔리그라프앤드텔리폰코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미야즈 쥰이치로, 닛뽄텔리그라프앤드텔리폰코포레이션 filed Critical 미야즈 쥰이치로
Publication of KR20000023742A publication Critical patent/KR20000023742A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100309367B1 publication Critical patent/KR100309367B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
    • B01D67/0053—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
    • B01D67/006—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods
    • B01D67/0065—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods by anodic oxidation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02—Inorganic material
    • B01D71/024—Oxides
    • B01D71/025—Aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/045—Anodisation of aluminium or alloys based thereon for forming AAO templates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/16—Pretreatment, e.g. desmutting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)

Abstract

알루미늄판의 평활성을 가지는 표면에, 미리 양극산화시에 형성될 알루미나막의 구멍의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열을 가지는 복수의 오목부를 형성한 후, 상기 알루미늄판을 양극산화해서, 다공성 양극산화알루미나막의 구멍의 진원도 및 구멍 크기의 균일성을 개선하고, 구멍을 일정 간격으로 규칙적으로 배열한다.
또, 상기 오목부는, 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판을 양극산화하는 상기 알루미늄판 표면에 압착시켜서 형성한다.

Description

다공성 양극산화알루미나막의 제작방법{METHOD OF MANUFACTURING POROUS ANODIZED ALUMINA FILM}
종래에는 균일한 구멍 크기를 가지는 다공성 재료로 다공성 양극산화알루미나막이 알려져 있다. 다공성 양극산화알루미나막은, 알루미늄을 산성전해액 중에서 양극산화하는 것에 의해 알루미늄 표면에 형성되는 다공성 알루미나막으로, 막 면에 수직한 구멍이 자기정렬(self-aligned)로 형성되어, 구멍 크기의 균일성이 비교적 양호하다는 특징을 가지고 있다. 따라서, 필터를 비롯한 기능성 재료로서 뿐만 아니라 여러 가지 나노디바이스(nanodevices) 제작의 출발 구조로서의 이용이 기대되고 있다.
이러한 다공성재료의 공업적 유용성은, 구멍 구조(구멍 형상 및 배열)의 규칙성에 의해 현저하게 영향을 받는다. 이러한 점에서, 종래 기술에 따라 제작된 다공성 양극산화알루미나막의 규칙성은 충분하다고는 할 수 없다. 즉, 종래기술에 의해 제작된 다공성 양극산화알루미나막에서는, 각 구멍이 막 면에 수직한 독립된 구멍이 아니고, 인접하는 구멍의 간격도 일정하지 않으며, 또 구멍의 형상도 완전한 원이 아니므로, 그 결과 구멍 크기가 넓은 범위로 분포되어 있다.
수직하고 곧은 독립된 구멍이 제공되지 않는 이유는, 다음과 같은 양극산화 알루미나막의 다공질 구조의 형성 기구에 의한 것으로 생각된다. 즉, 양극산화 개시시에는 구멍이 랜덤하게 발생하고, 이들중의 일부가 우선적으로 성장함으로써 다공질 구조가 형성된다. 따라서, 양극 산화 개시 초기에는 구멍 구조은 규칙적이지 못하고, 구멍은 굴곡된 구조가 된다.
종래, 이러한 문제를 개선하기 위한 방법으로, 2단계로 나누어 양극산화를 수행하는 방법이 제안되어 있다(Jpn. Journal of Applied Phisics, Vol.35, Part 2, No. 1B, pp.L126-L129, 15 January 1996). 즉, 일정 시간 동안 양극산화를 실시해서 형성한 산화피막을 일단 선택적으로 용해 제거한 후, 다시 동일한 조건에서 양극산화를 해서 막 면에 수직하고 곧은 독립된 구멍을 가지는 산화피막을 제공하는 방법이다. 이것은, 1단계째 양극산화에 의해 형성된 양극산화피막을 제거함으로써 알루미늄 표면에 오목부가 형성되고, 이 오목부가 2단계째 양극산화의 개시점이 되는 것을 이용한 것이다.
그러나, 상기 방법에 의해 각 구멍의 수직성, 직진성 및 독립성은 개선되지만, 구멍의 배열에 일정한 무질서가 생겨서 구멍의 간격이 일정하지 못하고, 구멍의 진원도(roundness)도 충분하지 못하다는 문제가 있었다.
본발명은 소정 형상의 작은 구멍(pore)이 소정 간격으로 배열된 다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법에 관한 것이다.
도 1 은 본발명의 방법을 제 1 실시예에서 사용한 정육각형 형상으로 배열된 오목부를 가지는 알루미늄판의 평면도이다.
도 2 는 제 1 실시예에 있어서 알루미늄판 표면에 오목부를 형성하는 순서를 설명하는 도면이다.
도 3 은 제 1 실시예에 있어서 양극산화에 의해 다공성 양극산화알루미나막이 형성되는 모양을 설명하는 도면이다.
도 4 는 제 1 실시예에서 형성된 양극산화알루미나막의 평면도이다.
도 5 는 본발명의 제 2 실시예에 있어서 알루미늄판 표면에 오목부를 형성하는 순서를 설명하는 도면이다.
도 6 은 본발명의 제 3 실시예에 있어서 프레스 패터닝에 의한 텍스터링(texturing)에 의해 알루미늄판 표면에 오목부를 형성하는 순서를 설명하는 단면도이다.
도 7 은 본발명의 제 4 실시예에 있어서 다공성 양극산화알루미나막을 스루홀 멤브레인(through hole membrane)으로 만드는 순서를 설명하는 단면도이다.
도 8 은 본발명의 제 5 실시예에 있어서 알루미늄막에 다공성 양극산화알루미나막을 형성하는 순서를 설명하는 단면도이다.
본발명의 목적은 상술한 종래 기술에 의해 제작된 다공성 양극산화피막에 있어서의 구멍의 배열 규칙성의 저하, 구멍의 진원도, 및 구멍 크기의 분포가 양호하지 못하다는 문제점을 해결하고, 각 구멍의 간격을 일정하게 규칙적으로 배열하고, 구멍의 진원도·구멍 크기의 균일성을 개선한 다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법을 제공하는 데 있다.
본발명은 상술한 목적을 달성하기 위해 이루어진 것으로, 본발명에 따른 제1다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법은, 양극산화를 하는 알루미늄판의 평활성한 표면에, 미리 양극산화시에 형성될 알루미나막의 구멍의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열을 가지는 복수의 오목부(요부)를 형성한 후, 상기 알루미늄판을 양극산화하는 것에 의해, 소정 형상의 구멍이 상기 복수의 오목부의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 규칙적으로 배열된 다공성 양극산화알루미나막을 제작하는 것이다.
본발명에서는, 양극산화를 실시하는 알루미늄판 표면에 미리 양극산화시에 형성될 구멍의 간격과 동일한 간격으로 오목부를 인공적으로 형성해 둠으로써, 상기 오목부가 양극산화의 개시점이 되어 상기 오목부에 대응하는 위치에 구멍이 생기고, 상기 오목부의 배열에 따라 굴곡이 없는 구멍이 등간격으로 배열된 다공성 양극산화알루미나막이 형성된다. 따라서, 직진성, 수직성, 및 독립성이 더 높은 구멍을 규칙적인 배열로 형성하기 위해서는, 알루미늄판의 양극산화를 실시하는 표면은 평활성이 높은 것이 바람직하다. 그 결과, 각 구멍의 수직성, 직진성 및 독립성이 높을 뿐만 아니라, 소정 간격으로 규칙적으로 예를들어 주변의 구멍이 정육각형 형상으로 배열되어, 막두께 방향에 대해 높은 종횡비의 구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 제공할 수 있다.
또, 본발명에 따른 알루미늄판은, 양극산화를 하는 평활면을 가지는 알루미늄 전체를 포함하는 것으로, 여기서는 알루미늄 단일체 외에, 예를들어 실리콘 등과 같은 다른 재질로 이루어진 기판 상에 형성된 알루미늄막도 포함한다.
또, 본발명에 있어서 알루미늄판의 표면에 복수의 오목부를 소정 간격 및 배열로 형성하기 위해서는, 예를들어 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피법으로 알루미늄판 표면에 레지스트 패턴을 형성한 후 이것을 에칭해도 된다. 그러나, 특히 구멍 간격이 0.1㎛ 전후인 매우 미세한 다공성 양극알루미나막을 제작하는 경우, 상기 알루미늄판 표면에 미세한 오목부를 인공적으로 규칙적으로 형성하기 위해 전자빔리소그래피나 X선리소그래피 등을 이용한 고해상도 미세가공기술을 이용해야 하는데, 이러한 미세가공기술을 다공성 양극산화알루미나를 제작할 때마다 매번 적용하는 것은 경제적이지 못하다.
그래서, 본발명에 따른 제2의 다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법은, 오목부에 대응하는 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판을 양극산화하는 알루미늄판 표면에 압착시켜서, 상기 알루미늄판 표면에 양극산화시에 형성될 알루미나막의 구멍의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열을 가지는 오목부를 형성한 후, 상기 알루미늄판을 양극산화하는 것에 의해, 구멍이 소정 간격으로 규칙적으로 배열된 다공성 양극산화알루미나막을 제작하는 것이다.
본발명에 있어서 상술한 것과 같은 돌기를 구비한 기판을 알루미늄판에 압착시키는 방법은, 돌기를 가지는 기판을 알루미늄판 상에 밀착시켜서 유압 프레스 등을 이용해서 압력을 인가해서 실시할 수 있다.
기판에 설치하는 돌기의 배열(패턴)은, 양극산화에 의해 형성되는 다공성 양극산화알루미나막의 구멍의 배열에 대응시키는 것으로, 정육각형 형상의 주기적 배열은 물론, 주기적 배열의 일부가 빠진 임의의 패턴으로 할 수도 있다.
또, 돌기를 형성하는 기판은 경면 표면을 가짐과 동시에, 압착시키는 압력에 의해 파괴되거나 돌기의 배치가 변형되지 않을 정도의 강도와 경도를 가지는 것이 바람직하다. 이를 위해서는, 알루미늄, 탄탈륨과 같은 금속 기판 뿐만 아니라, 미세 가공이 용이하고 범용적인 실리콘 기판 등을 사용할 수 있지만, 강도 높은 다이아몬드나 실리콘 카바이드로 구성되는 기판이 반복 사용 회수를 늘릴 수 있기 때문에 더 바람직하다.
따라서, 돌기를 가지는 기판을 1개 제작해 두면, 이것을 반복사용함으로써 효율적으로 다수의 알루미늄판에 규칙적인 오목부 배열을 형성할 수 있고, 나아가서는 경제적으로 다공성 양극산화알루미나막을 제작할 수 있다.
한편, 양극산화에 의해 형성되는 구멍의 간격은 양극산화시의 전압에 비례하고, 그 비례 상수는 약 2.5nm/V 임이 알려져 있다. 양극 산화에 의해 자기규칙적으로 형성된 다공성 양극산화알루미나막의 구멍은, 최종적으로는 육방충진배열(hexagonal close-packed array)을 형성하는 경향이 있다. 이때의 구멍 간격은 양극산화전압에 의해 정해지고, 이 간격과 동일한 간격으로 오목부를 형성하면 규칙성이 양호해진다.
그리고, 제3의 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법에 따른 발명은, 양극산화를 하는 알루미늄판 표면에 복수의 오목부를 각 오목부에 대해 주변의 오목부가 정육각형 형상으로 배열되도록 형성하고, 이들 오목부의 간격을 2.5nm/V로 나눠서 전압을 얻고 이 전압을 애노드산화전압으로 하여 양극산화를 수행하는 것을 특징으로 한다.
여기서 양극산화에 사용하는 전해액은 알루미늄산화물에 용매 작용이 있는 것이면 되는데, 예를들어 수산(oxalic acid) 외에, 황산, 수산과 황산의 혼합욕, 인산 등의 산성전해액을 사용할 수 있다.
또, 제4방법에 따른 발명은, 양극산화에 수산욕을 사용했을 경우는 특히 35-45V의 전압범위를 가지는 애노드산화전압으로 양극산화를 하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 제5방법에 따른 방법은, 황산욕을 사용했을 경우는 특히 23-28V의 전압범위를 가지는 애노드산화전압으로 양극산화를 하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라 구멍의 진원도가 양호하고, 구멍 크기의 균일성이 향상된 양호한 육방충진배열의 다공성 양극산화알루미나막을 제공할 수 있다. 따라서, 각종 필터를 비롯한 다공성 재료의 기능을 향상시킬 수 있고, 그 유용성을 높이는 효과가 있다.
또, 이들 혼합욕을 이용하는 경우에는 상기의 중간전압에서 양호한 결과를 얻을 수 있다.
또, 제6방법에 따른 발명은, 양극산화에 의해 상기 복수의 오목부의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 소정 형상의 구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 형성한 후, 상기 다공성 양극알루미나막으로부터 상기 알루미늄판을 제거하고, 그리고 상기 다공성 양극알루미나막의 배리어층(무공층)을 제거하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라 관통구멍(through hole)을 가지는 알루미나막을 얻을 수 있고, 각종 필터를 비롯한 다공성 재료로 만들 수 있다.
도 1 은 본발명의 제 1 실시예에서 사용하는 알루미늄판의 평면도이다.
알루미늄판(10)의 표면에는 미리 아주 작은 복수의 오목부(11)가 형성되어 있다. 이들 오목부(11)는 양극산화에 의해 형성되는 구멍의 간격 및 배열과 일치한다. 본실시예에서는 양극산화에 의해 형성되는 구멍의 규칙성이 최고로 향상되도록 각 오목부에 대해 주변의 오목부가 정육각형 형상으로 배열되게 한다.
알루미늄판으로는 고순도 알루미늄판을 사용하는데, 99.99% 이상의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
이 알루미늄판(10)의 표면은, 오목부(11)를 형성하기 전에, 평활성을 가지도록 미리 적당한 방법으로 연마를 수행해서 경면으로 마무리한다. 구체적으로는, 적당한 전해액 속에서 알루미늄판(10)을 양극으로 해서 연마를 수행하는 전해연마법을 사용할 수 있다. 이러한 전해연마법의 일예로는, 과염소산 및 에탄올을 1대4로 혼합한 욕(bath)을 전해액으로 사용하고, 알루미늄판(10)을 양극으로 해서, 약 4분간 전해연마를 하면 경면을 가지는 알루미늄판(10)을 얻을 수 있다.
본실시예에서는 상기 알루미늄판(10)상에 도 1 과 같은 등간격으로 배열된 복수의 오목부(11)를 에칭에 의해 형성했다. 그 공정을 도 2 에 도시한 단면도를 참조해서 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상술한 바와 같이 경면으로 마무리된 알루미늄판(10)의 표면에 포토리소그래피 또는 전자빔 리소그래피법을 이용해서, 양극 산화에 의해 형성되는 구멍과 대응하는 레지스트 패턴(20)을 형성한다(도 2(a)).
다음으로 Br2의 메탄올포화액을 이용해서 에칭해서, 상기 알루미늄판(10)의 표면에 레지스트 패턴(20)에 대응하는 오목부(11)를 형성한다(도 2(b)). 에칭에는 상술한 것과 같은 습식식각 외에, Ar 플라즈마를 이용한 건식식각을 이용할 수도 있다.
그리고, 레지스트 패턴(20)을 제거하면, 양극산화에 의해 형성되는 구멍과 대응하는 오목부(11)가 표면에 형성된 상기 알루미늄막(10)을 얻는다(도 2(c)).
이렇게 해서 알루미늄판(10)의 표면에 오목부(11)를 형성한 다음, 이것을 산성전해액 중에서 양극산화해서, 다공성 양극산화알루미나막을 형성한다. 그 프로세스는 다음과 같다.
도 1 및 도 2(c) 에서와 같이 미세한 오목부(11)를 형성한 알루미늄판(10)을 수산 등의 산성전해액 속에서 양극산화하면, 도 3(a) 에서와 같이, 알루미늄판(10)의 표면에 양극산화알루미나막(30)이 형성된다. 이 알루미나막(30)은, 알루미늄 밑바탕에 접한 부분에 형성되는 무공질이면서 유전성이 있는 얇은 배리어층(32)과, 이에 접해서 각각 중앙에 구멍(31)을 가지는 다공층(33)으로 이루어져 있다. 이때, 구멍(31)은 미리 형성된 오목부(11) 부분에서 형성된다.
양극산화를 더 계속하면, 도 3(b) 에서와 같이, 양극산화알루미나막(30)의 다공층(33)은 두꺼워지고, 그에 따라 양극산화알루미나막의 구멍(31)도 깊어진다. 그 결과, 알루미늄판(10) 표면에 설치한 오목부(11)에 대응하는 위치에 독립된 수직성 및 직진성이 양호한 구멍이 형성된다.
또, 본발명에서 사용할 수 있는 전해액은 알루미늄 산화물에 용매작용이 있는 전해액이면 되는데, 구체적으로는 수산 외에, 황산, 수산과 황산의 혼합욕, 인산 등과 같은 산성전해액을 예로 들수 있다.
이 다공성 양극산화알루미나막의 구멍의 간격은 양극산화시의 전압, 즉 양극산화 전압(애노드산화 전압)에 비례하고, 그 비례 상수는 약 2.5nm/V임이 알려져 있다. 따라서, 본발명의 다공성 양극산화알루미나막은, 미리 양극산화시에 형성될 구멍의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 이 간격과 동일한 간격으로 오목부(11)를 형성하면 규칙성이 양호해진다.
또, 구멍 간격의 배열의 규칙성을 향상시킬 수 있는 양극산화의 조건은, 수산욕에서는 35-45V, 황산욕에서는 23-28V의 전압범위, 또 이들의 혼합욕을 사용하는 경우에는 상기의 중간 전압에서 양호한 결과를 얻을 수 있다. 따라서, 양호한 육방충진배열을 형성하기 위해서는 상기 전압에 대응하는 구멍 간격으로 오목부를 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 조건하에서는 구멍 간격이 0.1㎛ 전후인 다공성 양극산화알루미나막이 얻어진다.
상술한 것과 같이 해서 형성된 구멍이 등간격으로 배열된 다공성 양극산화 알루미나막(30)의 평면도를 도 4에 도시한다. 이 다공성 양극산화알루미나막(30)에 있어서 구멍(31)은, 미리 알루미늄판(10) 상에 등간격으로 정육각형 형상으로 배열된 오목부에 대응해서 양호한 육방충진배열을 형성하고 있다.
(제 2 실시예)
다음으로 본발명의 제 2 실시예를 도 5를 참조해서 설명한다.
본실시예는, 알루미늄판 표면에 복수의 오목부를 형성할 때, 포토리소그래피 대신에 폴리스티렌 볼(polystyrene ball)을 이용해서 마스크를 형성해서 에칭을 수행하는 방법이다.
먼저, 상술한 제 1 실시예와 마찬가지로 양극산화를 하는 표면을 경면처리한 알루미늄판(50) 표면에 폴리스티렌 볼(52)을 2차원적으로 충전하여 최밀착 상태( tight contact state)의 막을 형성한다(도 5(a)).
이 최밀착상태의 폴리스티렌 볼(52)을 마스크로 해서 예를들어 SiO2를 적당한 압력하에서 과잉 증착하면, SiO2가 돌아들어감으로써 알루미늄판(50)의 표면에 폴리스티렌 볼(52)에 대응하는 개구를 가지는 SiO2의 마스크가 형성된다(도 5(b)).
이렇게 형성된 SiO2막을 마스크로 해서 알루미늄판(50)을 에칭하면, 도 5(c) 에서와 같이 주기적인 오목부(51)를 가지는 표면 구조를 얻을 수 있다. 도 5(c) 는 도 5(b)의 A-A에 따른 단면도이다.
상술한 것과 같이 오목부를 형성한 다음, 이 알루미늄판(50)을 제 1 실시예에서 설명한 방법으로 양극산화한다. 이에 따라 도 2 에 도시한 제 1 실시예과 동일한 결과를 얻을 수 있다.
본실시예에서는 폴리스티렌 볼(52)의 직경을 50nm - 수 ㎛까지 변화시킬 수 있다. 이에 따라 오목부(51)의 주기를 가변적으로 만들어, 구멍의 간격을 변경할 수도 있다.
본실시예에서는 마스크를 형성할 때 실리콘 산화막(SiO2)을 증착했지만, 질화막을 증착할 수도 있다.
또, 오목부(51)를 형성할 때에는 건식식각 또는 습식식각을 이용할 수가 있다.
(제 3 실시예)
그런데 상술한 제 1 실시예에서 제공되는 다공성 양극산화알루미나막의 구멍 간격은 0.1㎛ 전후로 매우 미세하므로, 알루미늄판 표면에 이러한 미세한 오목부를 인공적으로 규칙적으로 형성하기 위해서는 고해상도의 미세 가공기술이 필요해진다. 전자빔 리소그래피나 X선 리소그래피를 이용함에 따라 알루미늄판(10)(도 1)에 매우 미세한 오목부(11)를 형성할 수 있지만, 다공성 양극산화알루미나를 제조할 때마다 매번, 상기와 같은 고도의 가공기술을 적용하는 것은 경제적이지 못하므로, 본발명의 다공성 양극산화알루미나막의 이용 범위가 제한받을 수도 있다.
따라서, 본발명의 제 3 실시예에 따른 다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법은, 알루미늄판 표면에 복수의 오목부를 형성할 때, 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판을 알루미늄판 표면에 압착시켜서 수행하는 것, 즉 몰딩에 의해 머더패턴(mother pattern)을 알루미늄판에 전사하는 것에 특징이 있다.
이하, 도 6 을 참조해서 본실시예에 대해 설명한다.
도 6 은 규칙적으로 돌기(볼록부)(61)를 설치한 기판(60)을 이용해서 알루미늄판(10) 표면에 오목부(11)를 형성하는 순서을 설명하는 도면이다.
먼저, 도 6(a) 에서와 같이, 표면에 돌기(61)를 가지는 기판을 준비한다. 이들 돌기(61)는 알루미늄판(10)에 형성되는 오목부에 대응해서 규칙적으로 배열되어 있다. 이 기판(60)과 돌기(61)의 재질은, 압착하는 압력으로 인해 파괴되거나돌기의 배치가 변형되지 않는 강도와 경도를 가지는 것이 바람직하다. 이를 위해서는, 미세 가공이 용이하고 범용적인 실리콘 기판을 사용할 수 있지만, 반복사용회수를 늘린다는 점을 고려하면 강도 높은 다이아몬드나 실리콘 카바이드로 구성되는 기판이 보다 바람직하다.
또, 돌기(61)를 형성하는 기판(60)은 경면 표면을 가져야 한다. 돌기(61)는 고해상도 리소그래피를 이용해서 상기 오목부에 대응하도록 상기 기판(60) 상에 형성된다.
돌기(61)의 형상은 반구형으로 한정되는 것이 아니고, 원추형, 삼각추, 사각추 등과 같은 다각추여도 된다.
상술한 바와 같이 규칙적으로 배열된 돌기(61)를 설치한 기판(60)을 알루미늄판(10) 표면에 압착시켜서, 알루미늄판(10) 표면에 미세한 오목부(요부)(61)를 형성한다(도 6(b)). 이하, 이 공정을 프레스 패터닝(press patterning)에 의한 텍스터링(texturing)이라 한다.
프레스 패터닝에 의한 텍스터링에 있어서, 상기 돌기(61)를 가지는 기판(60)을 알루미늄판(10)에 압착시키는 방법은, 돌기(61)를 가지는 기판(60)을 알루미늄판(10)상에 밀착시키고, 유압 프레스 등을 이용해서 압력을 인가함으로써 실시할 수 있다. 이때, 오목부의 형성을 보다 용이하게 하기 위해서, 미리 알루미늄판을 200-250℃에서 2시간 정도 가열한 후, 소둔 처리를 실시하는 것도 유효하다.
상술한 바와 같이 알루미늄판(10)의 표면에 머더패턴을 전사함으로써, 알루미늄판(10) 표면에는 소정 간격으로 규칙적으로 복수의 오목부가 형성된다(도 6(c)).
이렇게 해서 복수의 오목부(11)를 형성한 알루미늄판(10)을 제 1 실시예에서 설명한 요령대로 양극산화하면, 상기 오목부(11)에서 구멍이 형성되어, 소정 간격으로 배열된 구멍으로 이루어진 다공성 양극산화알루미나막을 제작할 수 있다.
본실시예에 따른 다공성 양극산화알루미늄막의 제작 방법에서는, 돌기를 가지는 기판 1개를 제작하고 이것을 반복 사용함으로써, 다수의 알루미늄판에 넓은 면적에 걸쳐서 규칙적인 오목부 배열을 형성할 수 있다. 따라서, 효율적으로 저렴하게 소정의 오목부를 가지는 알루미늄판을 대량생산할 수 있다.
(제 4 실시예)
다음으로, 보다 구체적인 예를 이하에 개시해서 본발명을 더 구체적으로 설명한다.
실리콘 기판 상에 포지티브형 전자빔 레지스트(ZEP-520: 일본 제온(주)(Nippon Zeon Co., Ltd.)의 상품명)를 0.1㎛의 두께로 스핀코팅(spin coating)하고, 각 돌기에 대해 주변의 돌기가 정육각형 형상으로 0.1㎛ 주기로 배열된 도트 패턴을 전자빔 노광장치로 노광한 후, 이것을 현상해서 상기 레지스트에 약 25nm 지경을 가지는 구멍을 뚫었다. 그런 다음, 전자빔 증착장치를 이용해서 50nm 두께의 크롬을 증착하고, 용제인 디글라임(diglime) 속에 담가서 초음파를 인가하고, 레지스트 상의 크롬을 레지스트와 함께 제거해서, 약 25nm 직경, 50nm 높이의 크롬 돌기를 형성했다. 그리고, 상기 크롬을 마스크로 해서 CF4가스를 이용한 반응성 건식식각법으로 실리콘기판을 60nm의 깊이로 에칭했다. 이후, 산소플라즈마에서 크롬을 제거하여 약 25nm 직경, 60nm 높이의 돌기를 0.1㎛ 주기로 규칙적으로 배열한 기판을 제작했다.
한편, 순도 99.99%인 알루미늄판을, 과염소산 및 에탄올이 1대4인 혼합욕 속에서 약 4분간 전해연마함으로써 경면을 가지는 알루미늄판을 얻었다. 그리고, 상술한 돌기를 형성한 실리콘기판을 상기 알루미늄 상에 두고, 유압 프레스기를 이용해서 3톤/㎠의 압력을 가해서 알루미늄판 표면에 오목부를 형성했다.
이후, 오목부를 형성한 상기 알루미늄판을 0.3M(몰) 농도의 수산 중에서 17℃, 40V에서 정전압 양극산화를 수행했다.
그 결과, 구멍 간격이 100nm이고, 각 구멍에 대해 정육각형 형상으로 주위의 구멍이 등간격으로 배열된 다공성 양극산화알루미나막을 얻었다. 각 구멍이 이상적으로 규칙 배열되어 있으므로, 각 구멍의 형상은 완전한 원형으로 이루어지고, 또 구멍의 균일성도 향상되었다.
(제 5 실시예)
실리콘 카바이드 기판 상에, 상기 실시예 1과 동일한 공정으로 약 20nm 직경, 60nm 높이의 돌기를 63nm 주기로 규칙적으로 배열한 돌기를 제작했다.
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 연마한 순도 99.99%의 알루미늄판 상에, 돌기를 형성한 실리콘 카바이드 기판을 밀착시키고, 유압 프레스기를 이용해서 3.5톤/㎠의 압력을 가해서 상기 알루미늄판 표면에 오목부를 형성했다.
이후, 0.5M 농도의 황산 속에서 10℃, 25V에서 정전압 양극산화를 수행함으로써, 구멍의 간격이 63nm이고, 각 구멍에 대해 정육각형 형상으로 주위의 구멍이 등간격으로 배열된 다공성 양극산화알루미나막을 얻었다. 각 구멍이 이상적으로 규칙 배열되고 있으므로, 각 구멍 형상은 완전한 원형으로 이루어지고, 또 구멍의 균일성도 향상되었다.
(제 6 실시예)
다이아몬드 박막을 두께 0.5㎛ 퇴적시킨 실리콘 카바이드 기판 상에, 전자빔 네가티브형 레지스트(SNR-M5: 동소(주)(Tosoh Corporation)의 상품명)을 0.1㎛ 스핀코팅하고, 전자빔 노광으로 약 25nm 직경, 높이 70nm의 돌기를 75nm 주기로 규칙적으로 배열한 돌기를 형성했다.
실시예 1과 같은 방법으로 연마한 순도 99.99%인 알루미늄판 상에, 돌기를 형성한 실리콘 카바이드 기판을 밀착시키고, 유압 프레스기를 이용해서 4톤/㎠의 압력을 가해서 상기 알루미늄판 표면에 오목부를 형성했다.
이후, 0.3M 농도인 수산과 0.3M 농도인 황산을 3:2의 비율로 혼합한 혼합욕 중에서 5℃, 30V에서 정전압 양극산화를 했다.
그 결과, 구멍의 간격이 75nm이고 각 구멍에 대해 정육각형 형상으로 주위의 구멍이 등간격으로 배열된 다공성 양극산화 알루미나막을 얻을 수 있었다. 각 구멍은 이상적인 규칙 배열을 하고 있으므로, 각 구멍 형상은 완전한 원형으로 이루어지고, 또 구멍의 균일성도 향상되었다.
(제 7 실시예)
다음으로 본발명의 제 7 실시예에 대해 도 7을 참조해서 설명한다.
본실시예는 상기 제3실시예에 의해 알루미늄판 상에 형성된 다공성 양극산화알루미늄막의 구멍을 관통화시켜서 스루홀 멤브레인으로 하는 것이다.
본실시예에서는, 먼저 본발명의 제3실시예로 설명한 것와 같이, 경면처리한 알루미늄판(10)에, 소정 간격으로 배열된 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판(도 7 에는 도시하지 않음)을 이용해서 프레스 패터닝에 의한 텍스터링을 실시하여, 알루미늄판(10) 표면에 복수의 오목부(11)를 형성하고, 이것을 양극산화함으로써, 도 7(a)와 같은 구멍(71)을 가지는 다공성 양극산화알루미나막(70)을 제작한다.
이렇게 제작된 알루미나막(70)은, 알루미늄 밑바탕과 접한 부분에 형성되는 무공질이면서 유전성이 있는 얇은 배리어층(72)과, 이것과 접해서 각각 중앙에 구멍을 가지는 육각기둥형상의 다공층(73)으로 이루어져 있다.
관통구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 얻기 위해서는, 알루미늄판 (10)과 배리어층(72)(무공층)을 제거해야 한다.
먼저 알루마늄판(10)을 제거하기 위해서는 알루미늄을 용해 제거할 수도 있지만, 본실시예에서는 알루미늄을 선택적으로 에칭해서 제거한다(도 7(b)). 에칭액으로는 승홍(corrosive sublimate)(HgC12) 포화액이나 Br2의 메탄올포화액을 사용할 수 있다.
다음으로, 인산 등을 이용해서 배리어층(72)을 제거함으로써, 스루홀 멤브레인으로 했다(도 7(c)).
이렇게 해서 제공되는 스루홀 멤브레인은, 프레스 패터닝에 의한 텍스터링을 실시한 후 양극산화를 수행했기 때문에, 직행성이 양호하고 나노미터오더(nanometer order)로 지름이 균일한 구멍이 일정 간격으로 규칙적으로 배열된 것이다.
따라서, 이 스루홀 멤브레인은 필터로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 막을 출발 구조로 해서 금속이나 반도체의 규칙 구조 제작에도 사용할 수 있다.
또, 상기 알루미늄판의 주변 부분을 프레임(frame) 형태로 에칭해서, 상기 막의 지지부로 할 수도 있다.
한편, 본발명에 따른 다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법은, 알루미늄판 뿐만 아니라, 알루미늄 이외의 하지재료(underlying material) 기판 상에 형성된 알루미늄 박막에도 적용할 수 있다. 이것을 실리콘기판 상에 형성한 알루미늄막을 예로 들어 본발명의 제 5 실시예로 도 8 을 참조해서 설명한다.
먼저, 실리콘 기판(81) 상에 진공증착 또는 스퍼터링에 의해 알루미늄판(80)을 형성한다(도 8(a)). 이것 외에도, 알루미늄막(80)을 형성하기 위해서는 용액으로터의 석출을 이용한 전착(electrodeposition)을 이용할 수도 있다.
알루미늄막(80)의 하지재료인 실리콘기판(81)의 표면은 nm의 평활성을 가질 필요가 있다.
다음으로, 프레스 패터닝에 의한 텍스터링에 의해 알루미늄막(80) 표면에 복수의 오목부(82)를 소정 간격으로 배열한다(도 8(b)). 그리고, 이것을 양극산화함으로써, 알루미늄막(80) 표면의 오목부에 대응하는 위치에 구멍(84)이 성장된 다공성 양극산화알루미나막(83)을 얻을 수 있다(도 8(c)).
그리고, 상기 다공성 양극산화알루미나막(83)의 배리어층을 인산 등을 이용해서 에칭함으로써, 하지재료인 실리콘기판(81)까지 관통구멍화 할 수 있다(도 8(d)). 하지 재료를 침식시키고 싶지 않을 경우에는 선택적인 에칭법을 이용한다.
본발명에 따르면, 청구범위에 기재한 바와 같이 함으로써, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
(1) 알루미늄판의 표면에 미리 양극산화시에 형성될 알루미나막의 구멍 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 복수의 오목부(요부)를 인공적으로 형성한 후 양극산화함으로써, 구멍의 간격이 일정하게 규칙적으로 배열되어, 각 구멍의 진원도 및 구멍 크기의 균일성이 개선된 다공성 양극산화알루미나막을 제작할 수 있다.
(2) 또, 알루미늄판 표면에 형성되는 오목부의 패턴을 바꿈으로써, 다공성 양극산화알루미나막의 구멍의 배치를 제어할 수도 있다.
(3) 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판을 양극산화하는 알루미늄판 표면에 압착시킴으로써, 상기 알루미늄판 표면에 양극산화시에 형성될 알루미나막의 구멍의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열을 가지는 오목부를 형성하므로, 한 장의 기판(머더패턴)을 이용해서 다수의 알루미늄판에 미세한 오목부 배열을 효율적으로 형성할 수 있고, 나아가서는 경제적으로 다공성 양극산화알루미나막을 제작할 수 있다.
(4) 또, 양극산화시의 애노드산화전압 및 산성전해욕의 온도를 적절히 설정함으로서, 구멍 크기 및 구멍의 배열면에서 품질이 더 좋은 다공성 양극산화 알루미나막을 제공할 수 있다.
(5) 그리고, 구멍의 진원도가 양호하고, 구멍 크기의 균일성이 양호한 관통구멍을 가지는 알루미나막을 얻을 수 있고, 각종 필터를 비롯한 다공성재료로서의 기능을 향상시킬 수 있으며, 그 유용성을 높이는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 평활성을 가지는 알루미늄판의 표면에 복수의 오목부를 소정 간격 및 배열로 형성하는 공정과,
    상기 알루미늄판을 양극산화해서, 상기 복수의 오목부의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 소정 형상의 구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 오목부는,
    상기 알루미늄판 상에 있어서 각 오목부에 대해 주변의 오목부가 정육각형 형상으로 배열되고,
    상기 알루미늄판을 양극산화하는 공정은,
    상기 오목부의 간격을 2.5nm/V 로 나눠서 전압을 얻고, 이 전압을 애노드산화전압으로 하여 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 구멍이 육방충진배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 알루미늄판을 양극산화하는 공정은,
    수산욕 중에서 애노드산화전압이 35 내지 45V의 전압 범위에서 상기 알루미늄판을 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 구멍이 육방충진배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 알루미늄판을 양극산화하는 공정은,
    황산욕 중에서 애노드산화전압이 23 내지 28V의 전압 범위에서 상기 알루미늄판을 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 구멍이 육방충진배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    양극 산화에 의해 상기 복수의 오목부의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 소정 형상의 구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 형성한 후, 상기 다공성 양극알루미나막으로부터 상기 알루미늄판을 제거하고,
    상기 다공성 양극알루미나막의 배리어층을 제거해서 관통구멍을 가지는 알루미나막을 제공하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄판의 표면에 오목부를 형성하는 공정은,
    상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판을 상기알루미늄판의 표면에 압착시키는 것에 의해 상기 소정 간격 및 배열로 상기 복수의 오목부를 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 오목부는,
    상기 알루미늄판 상에 있어서 각 오목부에 대해 주변의 오목부가 정육각형 형상으로 배열되고,
    상기 알루미늄판을 양극산화하는 공정은,
    상기 오목부의 간격을 2.5nm/V로 나눠서 전압을 얻고, 이 전압을 애노드산화전압으로 하여 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 구멍이 육방충진배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 알루미늄판을 양극산화하는 공정은,
    수산욕 중에서 애노드산화전압이 35 내지 45V인 전압 범위에서 상기 알루미늄판을 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 구멍이 육방충진배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 알루미늄판을 양극산화하는 공정은,
    황산욕 중에서 애노드산화전압이 23 내지 28V인 전압 범위에서 상기 알루미늄판을 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 구멍이 육방충진배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    양극 산화에 의해 상기 복수의 오목부의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 소정 형상의 구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 형성한 후, 상기 다공성 양극알루미나막으로부터 상기 알루미늄판을 제거하고,
    상기 다공성 양극알루미나막의 배리어층을 제거해서 관통구멍을 가지는 알루미나막을 제공하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  11. 평활한 표면을 가지는 기판에 알루미늄막을 형성하는 공정과,
    상기 알루미늄막 표면에 복수의 오목부를 소정 간격 및 배열로 형성하는 공정과,
    상기 알루미늄막 표면을 양극산화함으로써 상기 복수의 오목부의 간격 및 배열과 동일한 간격 및 배열로 소정 형상의 구멍을 가지는 다공성 양극산화알루미나막을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 알루미늄막 표면에 오목부를 형성하는 공정은,
    상기 복수의 오목부에 대응하는 복수의 돌기를 표면에 구비한 기판을 상기 알루미늄막 표면에 압착시키는 것에 의해 상기 소정 간격 및 배열로 상기 복수의 오목부를 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법.
KR1019997000206A 1996-08-26 1999-01-12 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법 KR100309367B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1996-223526 1996-08-26
JP22352696 1996-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000023742A KR20000023742A (ko) 2000-04-25
KR100309367B1 true KR100309367B1 (ko) 2001-09-26

Family

ID=16799536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019997000206A KR100309367B1 (ko) 1996-08-26 1999-01-12 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6139713A (ko)
EP (1) EP0931859B1 (ko)
KR (1) KR100309367B1 (ko)
CN (1) CN1125891C (ko)
DE (1) DE69738752D1 (ko)
WO (1) WO1998009005A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101190657B1 (ko) * 2003-04-21 2012-10-15 삼성전자주식회사 자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법
KR101417991B1 (ko) 2012-10-09 2014-07-09 한국전기연구원 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 및 그 제조방법

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3902883B2 (ja) * 1998-03-27 2007-04-11 キヤノン株式会社 ナノ構造体及びその製造方法
JP3020154B2 (ja) * 1998-06-12 2000-03-15 東京大学長 ダイヤモンド多孔質体の製造方法
JP3020155B2 (ja) * 1998-06-12 2000-03-15 東京大学長 針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法
JP4532634B2 (ja) 1998-12-25 2010-08-25 キヤノン株式会社 細孔の製造方法
JP4146978B2 (ja) * 1999-01-06 2008-09-10 キヤノン株式会社 細孔を有する構造体の製造方法、該製造方法により製造された構造体
JP4536866B2 (ja) 1999-04-27 2010-09-01 キヤノン株式会社 ナノ構造体及びその製造方法
JP3387897B2 (ja) 1999-08-30 2003-03-17 キヤノン株式会社 構造体の製造方法、並びに該製造方法により製造される構造体及び該構造体を用いた構造体デバイス
US6430123B1 (en) * 1999-11-10 2002-08-06 Maxtor Corporation Scanning micropatterns on an optical medium
JP3667188B2 (ja) * 2000-03-03 2005-07-06 キヤノン株式会社 電子線励起レーザー装置及びマルチ電子線励起レーザー装置
DE10020877C1 (de) * 2000-04-28 2001-10-25 Alcove Surfaces Gmbh Prägewerkzeug, Verfahren zum Herstellen desselben, Verfahren zur Strukturierung einer Oberfläche eines Werkstücks und Verwendung einer anodisch oxidierten Oberflächenschicht
DE10154756C1 (de) * 2001-07-02 2002-11-21 Alcove Surfaces Gmbh Verwendung einer anodisch oxidierten Oberflächenschicht
US7066234B2 (en) 2001-04-25 2006-06-27 Alcove Surfaces Gmbh Stamping tool, casting mold and methods for structuring a surface of a work piece
JP3754876B2 (ja) 2000-07-03 2006-03-15 キヤノン株式会社 細孔を有する構造体の製造方法及び細孔を有する構造体
JP2002074936A (ja) 2000-08-31 2002-03-15 Canon Inc 磁気デバイス
JP2002084019A (ja) 2000-09-08 2002-03-22 Canon Inc 磁気デバイス及び固体磁気メモリ
JP2002084018A (ja) 2000-09-08 2002-03-22 Canon Inc 磁気デバイス及びその製造方法、並びに固体磁気メモリ
JP3762277B2 (ja) * 2000-09-29 2006-04-05 キヤノン株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法
US6936854B2 (en) * 2001-05-10 2005-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Optoelectronic substrate
US6804081B2 (en) * 2001-05-11 2004-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Structure having pores and its manufacturing method
US7079250B2 (en) * 2002-01-08 2006-07-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Structure, structure manufacturing method and sensor using the same
DE10207952A1 (de) * 2002-02-25 2003-09-04 Max Planck Gesellschaft Verfahren zur Erzeugung von porösem Material mit periodischer Porenanordnung
US6972146B2 (en) * 2002-03-15 2005-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Structure having holes and method for producing the same
US6930053B2 (en) * 2002-03-25 2005-08-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of forming grating microstructures by anodic oxidation
JP4073002B2 (ja) * 2002-03-27 2008-04-09 キヤノン株式会社 磁気記録媒体の作製方法
US6878634B2 (en) 2002-04-10 2005-04-12 Canon Kabushiki Kaisha Structure having recesses and projections, method of manufacturing structure, and functional device
KR20030084279A (ko) * 2002-04-26 2003-11-01 이진규 다공성 알루미나 또는 나노패턴 알루미늄을 이용하여대면적의 나노표면 구조를 가지는 물질을 제조하는 방법
AU2003304068A1 (en) * 2002-08-28 2004-11-23 University Of Pittsburgh Self-organized nanopore arrays with controlled symmetry and order
JP4027218B2 (ja) * 2002-12-13 2007-12-26 キヤノン株式会社 濾過膜の製造方法
US20040124092A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Black Charles T. Inorganic nanoporous membranes and methods to form same
JP4560270B2 (ja) * 2003-02-07 2010-10-13 キヤノン株式会社 構造体の製造方法
ITTO20030167A1 (it) * 2003-03-06 2004-09-07 Fiat Ricerche Procedimento per la realizzazione di emettitori nano-strutturati per sorgenti di luce ad incandescenza.
JP4220475B2 (ja) * 2003-03-19 2009-02-04 富士通株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法
US7384792B1 (en) * 2003-05-27 2008-06-10 Opto Trace Technologies, Inc. Method of fabricating nano-structured surface and configuration of surface enhanced light scattering probe
JP2005008909A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Canon Inc 構造体の製造方法
US7045851B2 (en) 2003-06-20 2006-05-16 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same
WO2005014893A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Method for production of structure and porous member
US6986838B2 (en) * 2003-08-14 2006-01-17 Johnson Research & Development Co., Inc. Nanomachined and micromachined electrodes for electrochemical devices
JP2005177935A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tdk Corp ナノホール穿孔装置及びナノホール穿孔方法
JP2005305634A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Fujitsu Ltd ナノホール構造体及びその製造方法、スタンパ及びその製造方法、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法
US7268948B2 (en) * 2004-03-31 2007-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Optical element and optical scanning device using the same
CN100460092C (zh) * 2004-04-28 2009-02-11 东莞理工学院 一种提高纳米微粒材料品质的方法
US7432218B2 (en) * 2004-09-01 2008-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing porous body
WO2007011388A2 (en) * 2004-10-04 2007-01-25 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microdischarge devices with encapsulated electrodes and method of making
CN100444939C (zh) * 2004-12-09 2008-12-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 纳米筛网及其制造方法
US7591641B2 (en) * 2005-03-22 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Mold and process of production thereof
JP4603402B2 (ja) * 2005-03-31 2010-12-22 富士フイルム株式会社 微細構造体およびその製造方法
US20060234396A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing structure
US7540717B2 (en) * 2005-06-03 2009-06-02 The Hong Kong University Of Science And Technology Membrane nanopumps based on porous alumina thin films, membranes therefor and a method of fabricating such membranes
US8906609B1 (en) 2005-09-26 2014-12-09 Arrowhead Center, Inc. Label-free biomolecule sensor based on surface charge modulated ionic conductance
WO2007046162A1 (ja) * 2005-10-20 2007-04-26 Japan Science And Technology Agency 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置
CN100529196C (zh) * 2005-12-06 2009-08-19 四川大学 用于组装纳米-微米阵列材料的金属铝模板制备方法
JP2007190899A (ja) * 2005-12-21 2007-08-02 Fujifilm Corp 規則配列したナノ構造材料およびその製造方法
CN100460327C (zh) * 2006-01-23 2009-02-11 中国科学院化学研究所 高度亲水氧化铝膜材料的制备方法
US8133538B2 (en) * 2006-03-17 2012-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing mold having uneven structure
US8679630B2 (en) * 2006-05-17 2014-03-25 Purdue Research Foundation Vertical carbon nanotube device in nanoporous templates
US7713768B2 (en) * 2006-06-14 2010-05-11 Kanagawa Academy Of Science And Technology Anti-reflective film and production method thereof, and stamper for producing anti-reflective film and production method thereof
EP1884578A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-06 MPG Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. A method of manufacturing a self-ordered porous structure of aluminium oxide, a nanoporous article and a nano object
WO2008034471A1 (en) 2006-09-22 2008-03-27 Istanbul Teknik Universitesi Method for the preparation of nanostructures and nanowires
JP2008165947A (ja) * 2007-01-05 2008-07-17 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体及びその製造方法
US20080284042A1 (en) * 2007-03-27 2008-11-20 Fujifilm Corporation Anisotropically conductive member and method of manufacture
JP2008293609A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Fujitsu Ltd 複製用型の製造方法、ナノホール構造体の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法
JP2009045757A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Fujitsu Ltd 転写型の固定装置および基板の取り外し方法
TWI481062B (zh) * 2007-10-05 2015-04-11 Delta Electronics Inc 磊晶基板製造方法及發光二極體裝置及其製造方法
JP2009140557A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体の製造方法及びその製造方法により製造される磁気記録媒体、並びに、該磁気記録媒体を備える磁気記録装置
US20090194424A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Franklin Aaron D Contact metallization of carbon nanotubes
JP5143045B2 (ja) * 2008-07-09 2013-02-13 富士フイルム株式会社 微細構造体およびその製造方法
US8008213B2 (en) * 2008-09-30 2011-08-30 Sandisk 3D Llc Self-assembly process for memory array
KR101025033B1 (ko) * 2008-11-18 2011-03-25 한국전기연구원 판상의 양극산화 나노다공질 산화물 세라믹 막을 포함하는 복합재료 막 및 이를 이용한 다기능 필터
US20100155251A1 (en) * 2008-12-23 2010-06-24 United Technologies Corporation Hard anodize of cold spray aluminum layer
US8715981B2 (en) * 2009-01-27 2014-05-06 Purdue Research Foundation Electrochemical biosensor
US8872154B2 (en) * 2009-04-06 2014-10-28 Purdue Research Foundation Field effect transistor fabrication from carbon nanotubes
US20100298135A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Mcgill University Porous aluminum oxide templates
NL2003250C2 (en) * 2009-07-20 2011-01-24 Metal Membranes Com B V Method for producing a membrane and such membrane.
CN102666941B (zh) * 2009-11-06 2015-01-21 夏普株式会社 模具的制造方法和模具
JP2011170905A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Fuji Electric Device Technology Co Ltd ディスクリートトラック構造を有する磁気記録媒体の製造方法
CN102803577B (zh) * 2010-03-31 2015-12-02 夏普株式会社 模具和模具的制造方法以及防反射膜的制造方法
JP2012033853A (ja) * 2010-04-28 2012-02-16 Fujifilm Corp 絶縁性光反射基板
US20120049151A1 (en) 2010-08-30 2012-03-01 Invenlux Corporation Light-emitting devices with two-dimensional composition-fluctuation active-region and method for fabricating the same
US9422154B2 (en) * 2010-11-02 2016-08-23 International Business Machines Corporation Feedback control of dimensions in nanopore and nanofluidic devices
KR101594723B1 (ko) 2011-08-18 2016-02-16 애플 인크. 양극 산화 및 도금 표면 처리
WO2013058629A2 (ko) * 2011-10-20 2013-04-25 한국전기연구원 양끝이 열린 나노크기 직경의 직관통공을 갖는 나노다공질 알루미나 분리막의 제조방법
US9683305B2 (en) * 2011-12-20 2017-06-20 Apple Inc. Metal surface and process for treating a metal surface
KR101417988B1 (ko) * 2012-02-27 2014-08-07 한국전기연구원 금속 메시와 양극산화 나노다공질 금속산화물 분리막으로 구성된 복합 분리막
JP5986308B2 (ja) 2012-06-22 2016-09-06 アップル インコーポレイテッド 白色様陽極酸化膜及びその形成方法
US9493876B2 (en) 2012-09-14 2016-11-15 Apple Inc. Changing colors of materials
US9337002B2 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Corrosion resistant aluminum coating on plasma chamber components
US9181629B2 (en) 2013-10-30 2015-11-10 Apple Inc. Methods for producing white appearing metal oxide films by positioning reflective particles prior to or during anodizing processes
US9839974B2 (en) 2013-11-13 2017-12-12 Apple Inc. Forming white metal oxide films by oxide structure modification or subsurface cracking
US9076790B1 (en) 2014-01-09 2015-07-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures
CN104404597A (zh) * 2014-11-10 2015-03-11 常毅 一种多孔α-氧化铝膜的制备方法
WO2017038709A1 (ja) 2015-09-03 2017-03-09 浜松ホトニクス株式会社 表面支援レーザ脱離イオン化法、質量分析方法、及び質量分析装置
CN106796198B (zh) * 2015-09-03 2020-06-30 浜松光子学株式会社 试样支撑体和试样支撑体的制造方法
KR102130665B1 (ko) * 2015-09-16 2020-07-06 한국전기연구원 초발수용 몰드 제조방법, 초발수용 몰드를 이용한 초발수용 재료 및 그 제조방법
EP3144271B1 (en) * 2015-09-21 2019-03-27 Point Engineering Co., Ltd. Unit anodic oxide film structure
CN105463548A (zh) * 2015-11-03 2016-04-06 西华大学 铝合金缸体内表面陶瓷层及其工艺方法
US10262839B2 (en) * 2016-06-14 2019-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aluminum apparatus with aluminum oxide layer and method for forming the same
EP3428955A1 (en) * 2017-07-10 2019-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Substrates employing surface-area amplification, for use in fabricating capacitive elements and other devices
EP3431637A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-23 IMEC vzw Porous solid materials and methods for fabrication
EP3751271A4 (en) * 2018-02-09 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. SAMPLE CARRIERS, IONIZATION METHOD AND MASS SPECTROMETRIC METHOD
CN112007522A (zh) * 2020-07-31 2020-12-01 常州费曼生物科技有限公司 自支撑双面氧化铝多孔输液器滤膜及其制备方法
CN114077136B (zh) * 2020-08-20 2024-03-08 台达电子工业股份有限公司 波长转化元件及光源模块
JP2022162667A (ja) * 2021-04-13 2022-10-25 株式会社光触媒研究院 除去装置及び除去方法
CN113733774A (zh) * 2021-09-18 2021-12-03 深圳创代实业有限公司 一种阳极表面彩色印刷方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177198A (ja) * 1984-02-22 1985-09-11 Nippon Sheet Glass Co Ltd 薄膜状Ａｌ↓２Ｏ↓３多孔質体の製造方法
JPS61101946A (ja) * 1984-10-23 1986-05-20 Kao Corp メツシユの製造方法
GB8609250D0 (en) * 1986-04-16 1986-05-21 Alcan Int Ltd Anodic oxide membranes
JP3463367B2 (ja) * 1994-08-31 2003-11-05 ソニー株式会社 量子構造の形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101190657B1 (ko) * 2003-04-21 2012-10-15 삼성전자주식회사 자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법
KR101417991B1 (ko) 2012-10-09 2014-07-09 한국전기연구원 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0931859A4 (en) 2003-02-05
KR20000023742A (ko) 2000-04-25
EP0931859A1 (en) 1999-07-28
EP0931859B1 (en) 2008-06-04
CN1125891C (zh) 2003-10-29
US6139713A (en) 2000-10-31
DE69738752D1 (de) 2008-07-17
CN1222943A (zh) 1999-07-14
WO1998009005A1 (en) 1998-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100309367B1 (ko) 다공성 양극산화알루미나막의 제작방법
JP3714507B2 (ja) 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法
JP3387897B2 (ja) 構造体の製造方法、並びに該製造方法により製造される構造体及び該構造体を用いた構造体デバイス
JP4532634B2 (ja) 細孔の製造方法
Lee et al. Wafer‐scale Ni imprint stamps for porous alumina membranes based on interference lithography
JP3848303B2 (ja) 構造体、機能性構造体及び磁気記録媒体の製造方法
JP3020154B2 (ja) ダイヤモンド多孔質体の製造方法
US20100326710A1 (en) Mono-Domain Hexagonal Arrays of Nanopillars and Processes For Preparing the Same
JP5276830B2 (ja) インプリント用モールドの製造方法
JP2002285382A (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法
US20030186514A1 (en) Nano-structure and method of manufacturing nano-structure
JP2000315785A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体デバイス
US7432218B2 (en) Method for producing porous body
Nadeem et al. Fabrication of microstructures using aluminum anodization techniques
JP4315717B2 (ja) 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法
JP4445766B2 (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
JP3995769B2 (ja) 電解コンデンサ用電極箔の作製方法
JP4125151B2 (ja) 構造体の製造方法
JP2004319762A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
KR101103484B1 (ko) 롤 스탬프의 제조방법
JP4808234B2 (ja) 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜
JP2004001191A (ja) 凹凸を有する構造体、該構造体の製造方法及び機能デバイス
JP4178087B2 (ja) 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜
JP2004292904A (ja) 陽極酸化アルミナ膜の製造方法
JP2006022365A (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110804

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120809

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee