JP2002285382A - 陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法 - Google Patents
陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002285382A JP2002285382A JP2001084709A JP2001084709A JP2002285382A JP 2002285382 A JP2002285382 A JP 2002285382A JP 2001084709 A JP2001084709 A JP 2001084709A JP 2001084709 A JP2001084709 A JP 2001084709A JP 2002285382 A JP2002285382 A JP 2002285382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous alumina
- pore
- mold
- anodized porous
- anodized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３５ｎｍ以下の細孔周期を有する陽極酸化ポ
ーラスアルミナを提供する。 【解決手段】 一旦陽極酸化を行った後、地金Ａｌ層を
除去した酸化物層あるいはそれと同一の幾何学構造を有
する鋳型により、他のＡｌ基板に前記鋳型の規則構造を
転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化すること
により元の細孔周期の１／２に対応する細孔周期を有す
る陽極酸化ポーラスアルミナとするか、又は、一旦陽極
酸化を行った後、酸化物被膜層を除去したＡｌ地金ある
いはそれと同一の幾何学構造を有する鋳型により、他の
Ａｌ基板に前記鋳型の規則構造を転写し、該転写部分を
孔発生点として陽極酸化することにより元の細孔周期の
１／√３に対応する細孔周期を有する陽極酸化ポーラス
アルミナとする。
ーラスアルミナを提供する。 【解決手段】 一旦陽極酸化を行った後、地金Ａｌ層を
除去した酸化物層あるいはそれと同一の幾何学構造を有
する鋳型により、他のＡｌ基板に前記鋳型の規則構造を
転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化すること
により元の細孔周期の１／２に対応する細孔周期を有す
る陽極酸化ポーラスアルミナとするか、又は、一旦陽極
酸化を行った後、酸化物被膜層を除去したＡｌ地金ある
いはそれと同一の幾何学構造を有する鋳型により、他の
Ａｌ基板に前記鋳型の規則構造を転写し、該転写部分を
孔発生点として陽極酸化することにより元の細孔周期の
１／√３に対応する細孔周期を有する陽極酸化ポーラス
アルミナとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は微細な細孔周期を有
する陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法に関す
る。更に詳細には、本発明は陽極酸化ポーラスアルミナ
のフラクタル構造を利用した新規な規則的ポーラス構造
微細化プロセスに関する。
する陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法に関す
る。更に詳細には、本発明は陽極酸化ポーラスアルミナ
のフラクタル構造を利用した新規な規則的ポーラス構造
微細化プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム（Ａｌ）を酸性、あるいは
アルカリ性電解液中において陽極酸化することにより得
られる陽極酸化ポーラスアルミナは、膜面に垂直な均一
な細孔径を有する直行細孔を有することから、種々の機
能デバイスを作製する上での出発構造材料として利用さ
れている。
アルカリ性電解液中において陽極酸化することにより得
られる陽極酸化ポーラスアルミナは、膜面に垂直な均一
な細孔径を有する直行細孔を有することから、種々の機
能デバイスを作製する上での出発構造材料として利用さ
れている。
【０００３】陽極酸化ポーラスアルミナの機能的な応用
分野の典型例として、細孔内に磁性体を充填した磁気
記録媒体，半導体を充填した量子素子，金属を充填
した光学素子等が上げられる。このほか、陽極酸化アル
ミナを地金Ａｌから剥離し、その後皮膜底部のバリア層
とよばれる孔が閉じた部分をエッチングにより除去する
ことにより貫通孔化し、分離用フィルターとすることが
できる。
分野の典型例として、細孔内に磁性体を充填した磁気
記録媒体，半導体を充填した量子素子，金属を充填
した光学素子等が上げられる。このほか、陽極酸化アル
ミナを地金Ａｌから剥離し、その後皮膜底部のバリア層
とよばれる孔が閉じた部分をエッチングにより除去する
ことにより貫通孔化し、分離用フィルターとすることが
できる。
【０００４】これらの機能的な応用に際しては、細孔径
の均一性に加え、細孔配列の規則性が重要となる。一例
として、陽極酸化ポーラスアルミナに磁性体を充填した
磁気記録媒体を例にとれば、細孔配列の規則性が媒体ノ
イズの低減に寄与することが知られている。加えて、陽
極酸化ポーラスアルミナにおける細孔配列の乱れは、細
孔径状の歪み、細孔径の不均一性をもたらすことから、
細孔配列の規則性はポーラスアルミナを分離用フィルタ
ーへ応用するに際しても重要となる。
の均一性に加え、細孔配列の規則性が重要となる。一例
として、陽極酸化ポーラスアルミナに磁性体を充填した
磁気記録媒体を例にとれば、細孔配列の規則性が媒体ノ
イズの低減に寄与することが知られている。加えて、陽
極酸化ポーラスアルミナにおける細孔配列の乱れは、細
孔径状の歪み、細孔径の不均一性をもたらすことから、
細孔配列の規則性はポーラスアルミナを分離用フィルタ
ーへ応用するに際しても重要となる。
【０００５】陽極酸化ポーラスアルミナの細孔配列の規
則性は、作製条件に依存して変化することが知られてい
る。益田秀樹、“陽極酸化による規則性チャネル構造の
形成とその応用”、触媒、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．７、５
０８頁〜５１４頁（１９９８）においては，適切な陽極
酸化条件で陽極酸化をおこなうことにより、細孔が規則
的に配列したポーラスアルミナな得られることが示され
ている。しかしながら、この方法により得られる規則配
列は、陽極酸化条件、とりわけ陽極酸化電圧に依存し、
２５Ｖ以下の陽極酸化電圧で規則細孔配列が得られる条
件は明らかになっていない。陽極酸化アルミナの細孔間
隔は、陽極酸化電圧に比例することが知られており、比
例定数として、２．５ｎｍ/Ｖの値が知られている。従
って、規則配列の最小値は、６３ｎｍ以下とすることは
困難である。このほか、この方法において規則配列を示
す領域は、数μｍ程度のドメイン構造を有し、規則的な
細孔配列は，この領域内に限定される。
則性は、作製条件に依存して変化することが知られてい
る。益田秀樹、“陽極酸化による規則性チャネル構造の
形成とその応用”、触媒、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．７、５
０８頁〜５１４頁（１９９８）においては，適切な陽極
酸化条件で陽極酸化をおこなうことにより、細孔が規則
的に配列したポーラスアルミナな得られることが示され
ている。しかしながら、この方法により得られる規則配
列は、陽極酸化条件、とりわけ陽極酸化電圧に依存し、
２５Ｖ以下の陽極酸化電圧で規則細孔配列が得られる条
件は明らかになっていない。陽極酸化アルミナの細孔間
隔は、陽極酸化電圧に比例することが知られており、比
例定数として、２．５ｎｍ/Ｖの値が知られている。従
って、規則配列の最小値は、６３ｎｍ以下とすることは
困難である。このほか、この方法において規則配列を示
す領域は、数μｍ程度のドメイン構造を有し、規則的な
細孔配列は，この領域内に限定される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、陽極酸化条件の制御により自己組織化的に規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナ作製する手法のよう
に微細化の下限が問題とならなず、長大な製造時間を必
要としない、微細化細孔周期を有する陽極酸化ポーラス
アルミナ及びその新規な製造方法を提供することであ
る。
は、陽極酸化条件の制御により自己組織化的に規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナ作製する手法のよう
に微細化の下限が問題とならなず、長大な製造時間を必
要としない、微細化細孔周期を有する陽極酸化ポーラス
アルミナ及びその新規な製造方法を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題は、一旦陽極酸
化を行った後、地金Ａｌ層を除去した酸化物層あるいは
それと同一の幾何学構造を有する鋳型により、他のＡｌ
基板に前記鋳型の規則構造を転写し、該転写部分を孔発
生点として陽極酸化することにより元の細孔周期の１／
２に対応する細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミ
ナとするか、又は、一旦陽極酸化を行った後、酸化物被
膜層を除去したＡｌ地金あるいはそれと同一の幾何学構
造を有する鋳型により、他のＡｌ基板に前記鋳型の規則
構造を転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化す
ることにより元の細孔周期の１／√３に対応する細孔周
期を有する陽極酸化ポーラスアルミナとすることにより
解決される。
化を行った後、地金Ａｌ層を除去した酸化物層あるいは
それと同一の幾何学構造を有する鋳型により、他のＡｌ
基板に前記鋳型の規則構造を転写し、該転写部分を孔発
生点として陽極酸化することにより元の細孔周期の１／
２に対応する細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミ
ナとするか、又は、一旦陽極酸化を行った後、酸化物被
膜層を除去したＡｌ地金あるいはそれと同一の幾何学構
造を有する鋳型により、他のＡｌ基板に前記鋳型の規則
構造を転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化す
ることにより元の細孔周期の１／√３に対応する細孔周
期を有する陽極酸化ポーラスアルミナとすることにより
解決される。
【０００８】本発明によれば、３５ｎｍ以下の細孔周期
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができ
る。
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の陽極酸化ポーラス
アルミナの製造方法の一例の模式図である。まず、ステ
ップ（Ａ）において、アルミニウム地金１を準備する。
アルミニウム地金１の表面は予め電解研磨しておくこと
が好ましい。このアルミニウム地金を電解液中で陽極酸
化すると、アルミニウム基板表面に酸化被膜２が生成す
る。このとき形成される酸化被膜の厚みは印加電圧に比
例し、１Ｖあたり１２〜１３オングストローム（以下
「Ａ」で示す）の膜厚を与える。中性の電解液を用いた
場合には、緻密で一定の厚さの酸化被膜が形成されるの
に対し、硫酸、シュウ酸などの酸性電解液中で陽極酸化
を行うと、陽極酸化時間に比例した膜厚を有する酸化被
膜が生成される。一定の厚みの酸化被膜が表面に生成し
た後、酸性電解液中では、酸の作用による溶解が生じ
る。一旦溶解が起こり、微小孔が発生すると、膜厚方向
の電場強度が増大し、被膜の溶解が加速される。並行し
て、溶解により厚みが減少した分、酸化被膜のＡｌ地金
側への成長が進行する。
アルミナの製造方法の一例の模式図である。まず、ステ
ップ（Ａ）において、アルミニウム地金１を準備する。
アルミニウム地金１の表面は予め電解研磨しておくこと
が好ましい。このアルミニウム地金を電解液中で陽極酸
化すると、アルミニウム基板表面に酸化被膜２が生成す
る。このとき形成される酸化被膜の厚みは印加電圧に比
例し、１Ｖあたり１２〜１３オングストローム（以下
「Ａ」で示す）の膜厚を与える。中性の電解液を用いた
場合には、緻密で一定の厚さの酸化被膜が形成されるの
に対し、硫酸、シュウ酸などの酸性電解液中で陽極酸化
を行うと、陽極酸化時間に比例した膜厚を有する酸化被
膜が生成される。一定の厚みの酸化被膜が表面に生成し
た後、酸性電解液中では、酸の作用による溶解が生じ
る。一旦溶解が起こり、微小孔が発生すると、膜厚方向
の電場強度が増大し、被膜の溶解が加速される。並行し
て、溶解により厚みが減少した分、酸化被膜のＡｌ地金
側への成長が進行する。
【００１０】このように、一旦、孔が形成された部分で
は優先的に酸化被膜の溶解、酸化層の成長が進行するこ
ととなる。このように局所的な酸化被膜の溶解・生成が
進行することにより、陽極酸化アルミナには“セル”３
と呼ばれる独特の構造が形成される。図示されているよ
うに、セルは局所的な被膜の溶解・成長の結果形成され
る円柱状の構造であり、細孔底部部分４（バリア層とよ
ばれる）で被膜の溶解・成長が同時進行する。バリヤ層
４の厚みは前記の定数（１２〜１３Ａ／Ｖ）に従う。セ
ルサイズは、バリヤ層厚みのほぼ２倍に相当し、印加電
圧に比例して直線的に増加する。同時に各セルの中心に
位置する細孔５の間隔も電圧と比例関係を示す。酸化被
膜２が成長する過程でこのようなセル構造が生じ、これ
らがバランスして成長することで細孔５がほぼ等間隔に
配列した独特な構造が形成される。細孔５の規則性が生
じるのは、酸化被膜２の成長が定常状態になり、セル間
にバランスが生じた後である。この陽極酸化を適切な条
件で行うと、数μｍ以上の長距離にわたって、自己組織
化的に細孔が六方最密配列した高規則性ポーラス構造が
得られる。
は優先的に酸化被膜の溶解、酸化層の成長が進行するこ
ととなる。このように局所的な酸化被膜の溶解・生成が
進行することにより、陽極酸化アルミナには“セル”３
と呼ばれる独特の構造が形成される。図示されているよ
うに、セルは局所的な被膜の溶解・成長の結果形成され
る円柱状の構造であり、細孔底部部分４（バリア層とよ
ばれる）で被膜の溶解・成長が同時進行する。バリヤ層
４の厚みは前記の定数（１２〜１３Ａ／Ｖ）に従う。セ
ルサイズは、バリヤ層厚みのほぼ２倍に相当し、印加電
圧に比例して直線的に増加する。同時に各セルの中心に
位置する細孔５の間隔も電圧と比例関係を示す。酸化被
膜２が成長する過程でこのようなセル構造が生じ、これ
らがバランスして成長することで細孔５がほぼ等間隔に
配列した独特な構造が形成される。細孔５の規則性が生
じるのは、酸化被膜２の成長が定常状態になり、セル間
にバランスが生じた後である。この陽極酸化を適切な条
件で行うと、数μｍ以上の長距離にわたって、自己組織
化的に細孔が六方最密配列した高規則性ポーラス構造が
得られる。
【００１１】自己組織化的に細孔が六方最密配列した高
規則性ポーラス構造が得られたら、その後、ステップ
（Ｂ）において、残った地金部分６を除去してアルミナ
モールド７を形成する。この地金部分は例えば、飽和昇
汞（塩化第１水銀）溶液などを使用することにより選択
的に溶解・除去することができる。その後、必要に応じ
て、アルミナモールド７の細孔５の孔径拡大処理（Ｐ．
Ｗ．）を行うこともできる。このような孔径拡大処理は
例えば、５wt％のリン酸水溶液に、例えば、３０℃で所
定時間浸漬させることにより行われる。一例として、
「Ｐ．Ｗ．２０」とは、５wt％のリン酸水溶液に３０℃
で２０分間浸漬させて孔径拡大処理したことを意味す
る。別法として、クロム・リン酸混合液などにより酸化
被膜層を選択的に溶解・除去して地金部分６を残し、こ
の地金部分６からネガタイプを作製し、次いで、このネ
ガタイプをベースにして、金属（例えば、Ｎｉ）材料に
よりポジタイプを作製し、これを押圧用モールド鋳型と
して使用することもできる。
規則性ポーラス構造が得られたら、その後、ステップ
（Ｂ）において、残った地金部分６を除去してアルミナ
モールド７を形成する。この地金部分は例えば、飽和昇
汞（塩化第１水銀）溶液などを使用することにより選択
的に溶解・除去することができる。その後、必要に応じ
て、アルミナモールド７の細孔５の孔径拡大処理（Ｐ．
Ｗ．）を行うこともできる。このような孔径拡大処理は
例えば、５wt％のリン酸水溶液に、例えば、３０℃で所
定時間浸漬させることにより行われる。一例として、
「Ｐ．Ｗ．２０」とは、５wt％のリン酸水溶液に３０℃
で２０分間浸漬させて孔径拡大処理したことを意味す
る。別法として、クロム・リン酸混合液などにより酸化
被膜層を選択的に溶解・除去して地金部分６を残し、こ
の地金部分６からネガタイプを作製し、次いで、このネ
ガタイプをベースにして、金属（例えば、Ｎｉ）材料に
よりポジタイプを作製し、これを押圧用モールド鋳型と
して使用することもできる。
【００１２】その後、ステップ（Ｃ）において、このよ
うにして得られたアルミナモールド７を別のＡｌ地金８
の表面に加圧しながら押し付け、モールド７の底部形状
をＡｌ地金８の表面に転写する。押圧力は例えば、５０
０〜３０００ｋｇ／ｃｍ２、好ましくは１０００〜２０
００ｋｇ／ｃｍ２の範囲内である。押圧力が５００ｋｇ
／ｃｍ２未満では、転写が不十分となり、陽極酸化の開
始点が得られない。一方、押圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ
２超では、モールドが破壊されてしまう危険性がある。
このＡｌ地金８の表面も予め電解研磨しておくことが好
ましい。
うにして得られたアルミナモールド７を別のＡｌ地金８
の表面に加圧しながら押し付け、モールド７の底部形状
をＡｌ地金８の表面に転写する。押圧力は例えば、５０
０〜３０００ｋｇ／ｃｍ２、好ましくは１０００〜２０
００ｋｇ／ｃｍ２の範囲内である。押圧力が５００ｋｇ
／ｃｍ２未満では、転写が不十分となり、陽極酸化の開
始点が得られない。一方、押圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ
２超では、モールドが破壊されてしまう危険性がある。
このＡｌ地金８の表面も予め電解研磨しておくことが好
ましい。
【００１３】転写後、Ａｌ地金８を前記と同様に陽極酸
化すると、押圧により形成された凹部からセル形成が開
始され、元のモールド７の細孔周期（ｒ）の１／２に相
当する微細化された細孔周期を有する陽極酸化ポーラス
アルミナ９が得られる。
化すると、押圧により形成された凹部からセル形成が開
始され、元のモールド７の細孔周期（ｒ）の１／２に相
当する微細化された細孔周期を有する陽極酸化ポーラス
アルミナ９が得られる。
【００１４】図２は本発明の陽極酸化ポーラスアルミナ
の製造方法の別の例の模式図である。ステップ（Ａ）〜
ステップ（Ｂ）は前記図１について説明した方法と同一
である。図２の方法では、ステップ（Ｃ’）において、
アルミナモールド７の底部外面にＮｉめっき膜１０を形
成する。Ｎｉは硬質なめっき膜を形成するので、後の引
き続く押圧プレス処理に好適である。その他の硬質めっ
き膜形成金属も同様に使用できる。めっき処理には、電
解めっき法、無電解めっき法など公知慣用のめっき方法
を適宜使用することができる。めっき膜１０の膜厚は一
般的に、５０ミクロン〜５００ミクロンの範囲内であ
る。めっき膜１０の膜厚が５０ミクロン未満の場合、十
分な機械強度を有する押圧用モールドが得れない可能性
がある。一方、めっき膜１０の膜厚が５００ミクロン超
の場合、押圧用モールドとして必要な作用効果が飽和
し、不経済となるだけである。めっき膜１０の膜厚は１
５０ミクロン〜２５０ミクロンの範囲内であることが好
ましい。
の製造方法の別の例の模式図である。ステップ（Ａ）〜
ステップ（Ｂ）は前記図１について説明した方法と同一
である。図２の方法では、ステップ（Ｃ’）において、
アルミナモールド７の底部外面にＮｉめっき膜１０を形
成する。Ｎｉは硬質なめっき膜を形成するので、後の引
き続く押圧プレス処理に好適である。その他の硬質めっ
き膜形成金属も同様に使用できる。めっき処理には、電
解めっき法、無電解めっき法など公知慣用のめっき方法
を適宜使用することができる。めっき膜１０の膜厚は一
般的に、５０ミクロン〜５００ミクロンの範囲内であ
る。めっき膜１０の膜厚が５０ミクロン未満の場合、十
分な機械強度を有する押圧用モールドが得れない可能性
がある。一方、めっき膜１０の膜厚が５００ミクロン超
の場合、押圧用モールドとして必要な作用効果が飽和
し、不経済となるだけである。めっき膜１０の膜厚は１
５０ミクロン〜２５０ミクロンの範囲内であることが好
ましい。
【００１５】めっき膜１０が形成されたら、アルミナモ
ールド７を剥離する。この剥離は例えば、機械的な剥離
又はＮａＯＨによりアルミナモールド７を選択的に溶解
除去することにより行われる。斯くして、押圧用のＮｉ
モールド１１が得られる。別法として、クロム・リン酸
混合液などにより酸化被膜層を選択的に溶解・除去して
地金部分６を残し、これを押圧用モールド１１として直
接使用することもできる。
ールド７を剥離する。この剥離は例えば、機械的な剥離
又はＮａＯＨによりアルミナモールド７を選択的に溶解
除去することにより行われる。斯くして、押圧用のＮｉ
モールド１１が得られる。別法として、クロム・リン酸
混合液などにより酸化被膜層を選択的に溶解・除去して
地金部分６を残し、これを押圧用モールド１１として直
接使用することもできる。
【００１６】その後、ステップ（Ｃ”）において、押圧
用のＮｉモールド１１の凹凸面を別のＡｌ地金８の表面
に加圧しながら押し付け、モールド１１の凹凸形状をＡ
ｌ地金８の表面に転写する。押圧力は例えば、５００〜
３０００ｋｇ／ｃｍ２、好ましくは１０００〜２０００
ｋｇ／ｃｍ２の範囲内である。押圧力が５００ｋｇ／ｃ
ｍ２未満では、転写が不十分となり、陽極酸化の開始点
が得られない。一方、押圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ２超
では、モールドが破壊されてしまう危険性がある。この
Ａｌ地金８の表面も予め電解研磨しておくことが好まし
い。
用のＮｉモールド１１の凹凸面を別のＡｌ地金８の表面
に加圧しながら押し付け、モールド１１の凹凸形状をＡ
ｌ地金８の表面に転写する。押圧力は例えば、５００〜
３０００ｋｇ／ｃｍ２、好ましくは１０００〜２０００
ｋｇ／ｃｍ２の範囲内である。押圧力が５００ｋｇ／ｃ
ｍ２未満では、転写が不十分となり、陽極酸化の開始点
が得られない。一方、押圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ２超
では、モールドが破壊されてしまう危険性がある。この
Ａｌ地金８の表面も予め電解研磨しておくことが好まし
い。
【００１７】転写後、Ａｌ地金８を前記と同様に陽極酸
化すると、押圧により形成された凹部からセル形成が開
始され、元の細孔周期（ｒ）の１／√３に相当する微細
化された細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナ１
２が得られる。
化すると、押圧により形成された凹部からセル形成が開
始され、元の細孔周期（ｒ）の１／√３に相当する微細
化された細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナ１
２が得られる。
【００１８】図３は、図１の方法により製造される陽極
酸化ポーラスアルミナ９の細孔周期が元のモールド７の
細孔周期（ｒ）の１／２になることを示す模式図であ
る。図１に示された方法では、モールド７の底部の凸部
は六角形のセル３の辺の中間部に存在する。従って、Ａ
ｌ地金にこの形状が転写されると、この凸部は地金表面
に凹部を形成するので、この凹部がピットとなって細孔
形成が開始される。その結果、微細化（転写・陽極酸
化）により新たなセルが形成され、誘導された孔間の周
期はｒ／２となる。元に細孔位置に対応する位置には自
己修復された孔が形成される。
酸化ポーラスアルミナ９の細孔周期が元のモールド７の
細孔周期（ｒ）の１／２になることを示す模式図であ
る。図１に示された方法では、モールド７の底部の凸部
は六角形のセル３の辺の中間部に存在する。従って、Ａ
ｌ地金にこの形状が転写されると、この凸部は地金表面
に凹部を形成するので、この凹部がピットとなって細孔
形成が開始される。その結果、微細化（転写・陽極酸
化）により新たなセルが形成され、誘導された孔間の周
期はｒ／２となる。元に細孔位置に対応する位置には自
己修復された孔が形成される。
【００１９】図４は、図２の方法により製造される陽極
酸化ポーラスアルミナ１２の細孔周期が元のモールド７
の細孔周期（ｒ）の１／√３になることを示す模式図で
ある。図２に示された方法では、押圧用Ｎｉモールドの
突起部が六角形のセル３の角部に対応する。従って、Ａ
ｌ地金にこの形状が転写されると、この凸部は地金表面
に凹部を形成するので、この凹部がピットとなって細孔
形成が開始される。その結果、微細化（転写・陽極酸
化）により新たなセルが形成され、誘導された孔間の周
期はｒ／√３となる。元に細孔位置に対応する位置には
自己修復された孔が形成される。
酸化ポーラスアルミナ１２の細孔周期が元のモールド７
の細孔周期（ｒ）の１／√３になることを示す模式図で
ある。図２に示された方法では、押圧用Ｎｉモールドの
突起部が六角形のセル３の角部に対応する。従って、Ａ
ｌ地金にこの形状が転写されると、この凸部は地金表面
に凹部を形成するので、この凹部がピットとなって細孔
形成が開始される。その結果、微細化（転写・陽極酸
化）により新たなセルが形成され、誘導された孔間の周
期はｒ／√３となる。元に細孔位置に対応する位置には
自己修復された孔が形成される。
【００２０】特に、図２の方法は反復的に繰り返し実施
することが可能である。従って、規則配列を維持したま
ま、順次微細化（１／（√３）ｎ倍）を行うことが可能
であり、新規な微細構造を構築することができる。例え
ば、従来の陽極酸化法により得られた細孔周期６６ｎｍ
のポーラスアルミナに対し、図２の方法を２回繰り返せ
ば、細孔周期２２ｎｍの陽極酸化ポーラスアルミナを得
ることができる。図２の方法を繰り返すことにより達成
できる細孔周期の下限値は１５ｎｍ程度である。言うま
でもなく、図１の方法も反復的に繰り返し実施すること
が可能である。従って、規則配列を維持したまま、順次
微細化（１／（２）ｎ倍）を行うことが可能であり、新
規な微細構造を構築することができる。更に、所望によ
り、図１の方法と図２の方法を組み合わせて併用するこ
ともできる。例えば、最初に図１の方法を実施し、その
後、図２の方法を実施するか、又はこの逆の順序で実施
することにより、新規な微細構造を構築することができ
る。
することが可能である。従って、規則配列を維持したま
ま、順次微細化（１／（√３）ｎ倍）を行うことが可能
であり、新規な微細構造を構築することができる。例え
ば、従来の陽極酸化法により得られた細孔周期６６ｎｍ
のポーラスアルミナに対し、図２の方法を２回繰り返せ
ば、細孔周期２２ｎｍの陽極酸化ポーラスアルミナを得
ることができる。図２の方法を繰り返すことにより達成
できる細孔周期の下限値は１５ｎｍ程度である。言うま
でもなく、図１の方法も反復的に繰り返し実施すること
が可能である。従って、規則配列を維持したまま、順次
微細化（１／（２）ｎ倍）を行うことが可能であり、新
規な微細構造を構築することができる。更に、所望によ
り、図１の方法と図２の方法を組み合わせて併用するこ
ともできる。例えば、最初に図１の方法を実施し、その
後、図２の方法を実施するか、又はこの逆の順序で実施
することにより、新規な微細構造を構築することができ
る。
【００２１】本発明の陽極酸化ポーラスアルミナは様々
な分野に応用することができる。一例として、分離用フ
ィルタ（例えば、精密濾過膜、気体分離膜など）、光学
デバイス（例えば、大陽光選択吸収膜、偏光素子な
ど）、磁気デバイス（例えば、垂直磁気媒体、磁気エン
コーダなど）、その他（例えば、ガスセンサー、電極材
料など）に応用することができる。
な分野に応用することができる。一例として、分離用フ
ィルタ（例えば、精密濾過膜、気体分離膜など）、光学
デバイス（例えば、大陽光選択吸収膜、偏光素子な
ど）、磁気デバイス（例えば、垂直磁気媒体、磁気エン
コーダなど）、その他（例えば、ガスセンサー、電極材
料など）に応用することができる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に例証す
る。実施例１ Ａｌ板を電解研磨法により電解研磨した後、０．３Ｍ硫
酸を用い、２５Ｖで１時間陽極酸化を行い、周期６０ｎ
ｍのポーラスアルミナを作製した。この後、クロム・リ
ン酸混合液（クロム酸１．８wt％：リン酸６wt％）を用
い、酸化皮膜層を選択的に溶解・除去した。得られた規
則的な突起配列を有するＡｌを別の電解研磨を施したＡ
ｌ板に圧力２０００ｋｇ/ｃｍ２で押しつけた。窪み配
列が形成されたＡｌ板を、１４．４Ｖの化成電圧で、再
度陽極酸化することにより、孔周期３０ｎｍの規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得た。このとき、
形成されるドメインの大きさは、２５Ｖで形成されたド
メインの大きさが保存されていた。
る。実施例１ Ａｌ板を電解研磨法により電解研磨した後、０．３Ｍ硫
酸を用い、２５Ｖで１時間陽極酸化を行い、周期６０ｎ
ｍのポーラスアルミナを作製した。この後、クロム・リ
ン酸混合液（クロム酸１．８wt％：リン酸６wt％）を用
い、酸化皮膜層を選択的に溶解・除去した。得られた規
則的な突起配列を有するＡｌを別の電解研磨を施したＡ
ｌ板に圧力２０００ｋｇ/ｃｍ２で押しつけた。窪み配
列が形成されたＡｌ板を、１４．４Ｖの化成電圧で、再
度陽極酸化することにより、孔周期３０ｎｍの規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得た。このとき、
形成されるドメインの大きさは、２５Ｖで形成されたド
メインの大きさが保存されていた。
【００２３】実施例２ 実施例１と同様な方法でＡｌ板を準備し、０．３Ｍシュ
ウ酸を用い、４０Ｖにおいて１時間陽極酸化を行なっ
た。この後、実施例１と同様の方法で、酸化皮膜層を除
去し、得られたＡｌ地金を別の研磨したＡｌ板に圧力１
０００ｋｇ/ｃｍ２で押しつけた。その後、０．３Ｍ硫
酸を用い２３Ｖで陽極酸化を行ない、周期２８ｎｍの規
則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナ得た。
ウ酸を用い、４０Ｖにおいて１時間陽極酸化を行なっ
た。この後、実施例１と同様の方法で、酸化皮膜層を除
去し、得られたＡｌ地金を別の研磨したＡｌ板に圧力１
０００ｋｇ/ｃｍ２で押しつけた。その後、０．３Ｍ硫
酸を用い２３Ｖで陽極酸化を行ない、周期２８ｎｍの規
則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナ得た。
【００２４】実施例３ 実施例１と同様の方法で、０．３Ｍ硫酸中、２５Ｖで陽
極酸化を実施し、周期６３ｎｍのポーラスアルミナを作
製した後，地金Ａｌを飽和昇汞溶液を用い選択的に溶解
除去した。得られた酸化皮膜の底部（バリア層）側を、
別のＡｌ地金に載せ、圧力１０００ｋｇ/ｃｍ２で押し
つけた。その後、陽極酸化電圧を１２．５Ｖとし、０．
３Ｍ硫酸中で陽極酸化を行なうことで細孔周期３１ｎｍ
の規則細孔配列皮膜を得た。
極酸化を実施し、周期６３ｎｍのポーラスアルミナを作
製した後，地金Ａｌを飽和昇汞溶液を用い選択的に溶解
除去した。得られた酸化皮膜の底部（バリア層）側を、
別のＡｌ地金に載せ、圧力１０００ｋｇ/ｃｍ２で押し
つけた。その後、陽極酸化電圧を１２．５Ｖとし、０．
３Ｍ硫酸中で陽極酸化を行なうことで細孔周期３１ｎｍ
の規則細孔配列皮膜を得た。
【００２５】実施例４ 実施例３と同様の方法で、２５Ｖで陽極酸化を行ない、
６８ｎｍ周期で規則配列を有する陽極酸化ポーラスアル
ミナを得た後、金属（Ｎｉ）により鋳型を作製した。Ｎ
ｉ鋳型の形成は、白金・パラジウムを約１０ｎｍスパッ
タ蒸着した後、導通をとり、ワット浴を用いることでＮ
ｉを２００ミクロンの厚さまでめっきすることにより得
た。得られた金属鋳型を、別の１０００ｋｇ/ｃｍ２の
圧力でＡｌ板に押しつけ、１４．４Ｖの陽極酸化電圧で
陽極酸化することにより、細孔周期３９ｎｍの規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得た．
６８ｎｍ周期で規則配列を有する陽極酸化ポーラスアル
ミナを得た後、金属（Ｎｉ）により鋳型を作製した。Ｎ
ｉ鋳型の形成は、白金・パラジウムを約１０ｎｍスパッ
タ蒸着した後、導通をとり、ワット浴を用いることでＮ
ｉを２００ミクロンの厚さまでめっきすることにより得
た。得られた金属鋳型を、別の１０００ｋｇ/ｃｍ２の
圧力でＡｌ板に押しつけ、１４．４Ｖの陽極酸化電圧で
陽極酸化することにより、細孔周期３９ｎｍの規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得た．
【００２６】前記処理を再度繰り返すことにより、細孔
周期２２ｎｍの規則配列を有する陽極酸化ポーラスアル
ミナが得られた。
周期２２ｎｍの規則配列を有する陽極酸化ポーラスアル
ミナが得られた。
【００２７】実施例５ 実施例１と同様の方法により、０．３Ｍ硫酸中、２５Ｖ
で陽極酸化を行ない、６３ｎｍ周期のポーラスアルミナ
を作製した後、酸化皮膜を除去し、規則的な凹凸を有す
るＡｌ地金を得た。これをもとに一旦、ポリマー（ポリ
メチルメタクリレート）を用いてネガタイプを作製し、
更に実施例４と同様の方法を用い、金属（Ｎｉ）による
ポジタイプを作製した。得られた金属鋳型を用い、別の
Ａｌ板に１０００ｋｇ/ｃｍ２の圧力でプレスを行なっ
た。その後、０．３Ｍ硫酸中、１４．５Ｖの陽極酸化電
圧で陽極酸化を行なうことにより、細孔周期３５ｎｍの
規則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得
た．
で陽極酸化を行ない、６３ｎｍ周期のポーラスアルミナ
を作製した後、酸化皮膜を除去し、規則的な凹凸を有す
るＡｌ地金を得た。これをもとに一旦、ポリマー（ポリ
メチルメタクリレート）を用いてネガタイプを作製し、
更に実施例４と同様の方法を用い、金属（Ｎｉ）による
ポジタイプを作製した。得られた金属鋳型を用い、別の
Ａｌ板に１０００ｋｇ/ｃｍ２の圧力でプレスを行なっ
た。その後、０．３Ｍ硫酸中、１４．５Ｖの陽極酸化電
圧で陽極酸化を行なうことにより、細孔周期３５ｎｍの
規則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得
た．
【００２８】実施例６ 実施例２と同様の方法により、周期５８ｎｍの規則細孔
配列を得た。その後、酸化皮膜を選択除去したのち、得
られたＡｌ地金を再び第３のＡｌ板に１０００ｋｇ/ｃ
ｍ２の圧力で押しつけた。その後、０．３Ｍ硫酸を用
い、１３．３Ｖの化成電圧で陽極酸化を行ない、３３ｎ
ｍ周期の規則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミ
ナを得た。
配列を得た。その後、酸化皮膜を選択除去したのち、得
られたＡｌ地金を再び第３のＡｌ板に１０００ｋｇ/ｃ
ｍ２の圧力で押しつけた。その後、０．３Ｍ硫酸を用
い、１３．３Ｖの化成電圧で陽極酸化を行ない、３３ｎ
ｍ周期の規則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミ
ナを得た。
【００２９】実施例７ 実施例１と同様の方法により、周期３０ｎｍの規則配列
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得た。その後、地
金Ａｌを飽和昇汞溶液により溶解除去し、更に５wt％リ
ン酸を用いることにより、皮膜底部のバリア層を除去し
た。これをＳｉ基板上に置き、マスクとして用い、硫化
カドミウムを真空蒸着法により蒸着し、その後、マスク
を除去することにより、マスクの細孔と同一のサイズの
硫化カドミウムからなる量子ドットを得た。
を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得た。その後、地
金Ａｌを飽和昇汞溶液により溶解除去し、更に５wt％リ
ン酸を用いることにより、皮膜底部のバリア層を除去し
た。これをＳｉ基板上に置き、マスクとして用い、硫化
カドミウムを真空蒸着法により蒸着し、その後、マスク
を除去することにより、マスクの細孔と同一のサイズの
硫化カドミウムからなる量子ドットを得た。
【００３０】実施例８ 実施例１で得られた陽極酸化ポーラスアルミナの微細孔
（孔径２１ｎｍ）にＣｏを電解めっきした。Ｃｏめっき
浴は０．２モル／リットルの硫酸コバルトと０．２モル
／リットルの硼酸からなり、めっき用の電源には５０Ｈ
ｚ、２０Ｖｐ− ｐを使用した。めっき後、表面を研磨
し、カーボン保護膜を１０ｎｍスパッタ法で成膜した。
その後、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるFomb
lin-Z-DOL4000を１．５ｎｍ塗布した。得られたＣｏめ
っき陽極酸化磁性膜の記録再生特性をＭＲヘッドで評価
した。その結果、低域の出力の半分の出力となる線記録
密度Ｄ５０は７００ｋＦＣＩであった。
（孔径２１ｎｍ）にＣｏを電解めっきした。Ｃｏめっき
浴は０．２モル／リットルの硫酸コバルトと０．２モル
／リットルの硼酸からなり、めっき用の電源には５０Ｈ
ｚ、２０Ｖｐ− ｐを使用した。めっき後、表面を研磨
し、カーボン保護膜を１０ｎｍスパッタ法で成膜した。
その後、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤であるFomb
lin-Z-DOL4000を１．５ｎｍ塗布した。得られたＣｏめ
っき陽極酸化磁性膜の記録再生特性をＭＲヘッドで評価
した。その結果、低域の出力の半分の出力となる線記録
密度Ｄ５０は７００ｋＦＣＩであった。
【００３１】比較例１ 従来の方法で得られた陽極酸化ポーラスアルミナの微細
孔（孔径６３ｎｍ）にＣｏを実施例８と同様な方法で電
解めっきし、実施例８と同様に、得られたＣｏめっき陽
極酸化磁性膜の記録再生特性をＭＲヘッドで評価した。
その結果、低域の出力の半分の出力となる線記録密度Ｄ
５０は７００ｋＦＣＩ未満であった。
孔（孔径６３ｎｍ）にＣｏを実施例８と同様な方法で電
解めっきし、実施例８と同様に、得られたＣｏめっき陽
極酸化磁性膜の記録再生特性をＭＲヘッドで評価した。
その結果、低域の出力の半分の出力となる線記録密度Ｄ
５０は７００ｋＦＣＩ未満であった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の方法に比較し、簡便、且つ微細で規則的な細孔配
列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができ
る。
従来の方法に比較し、簡便、且つ微細で規則的な細孔配
列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができ
る。
【図１】本発明の陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
の一例の模式図である。
の一例の模式図である。
【図２】本発明の陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
の別の例の模式図である。
の別の例の模式図である。
【図３】図１の方法により製造される陽極酸化ポーラス
アルミナ９の細孔周期が元のモールド７の細孔周期
（ｒ）の１／２になることを示す模式図である。
アルミナ９の細孔周期が元のモールド７の細孔周期
（ｒ）の１／２になることを示す模式図である。
【図４】図２の方法により製造される陽極酸化ポーラス
アルミナ１２の細孔周期が元のモールド７の細孔周期
（ｒ）の１／√３になることを示す模式図である。
アルミナ１２の細孔周期が元のモールド７の細孔周期
（ｒ）の１／√３になることを示す模式図である。
１，８ アルミニウム地金 ２ 酸化被膜 ３ セル ４ バリヤ層 ５ 細孔 ７ モールド ９，１２ 陽極酸化ポーラスアルミナ
Claims (3)
- 【請求項１】 ３５ｎｍ以下の細孔周期を有することを
特徴とする陽極酸化ポーラスアルミナ。 - 【請求項２】 一旦陽極酸化を行った後、地金Ａｌ層を
除去した酸化物層あるいはそれと同一の幾何学構造を有
する鋳型により、他のＡｌ基板に前記鋳型の規則構造を
転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化すること
により元の細孔周期の１／２に対応する細孔周期を有す
る陽極酸化ポーラスアルミナを形成することを特徴とす
る陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法。 - 【請求項３】 一旦陽極酸化を行った後、酸化物被膜層
を除去したＡｌ地金あるいはそれと同一の幾何学構造を
有する鋳型により、他のＡｌ基板に前記鋳型の規則構造
を転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化するこ
とにより元の細孔周期の１／√３に対応する細孔周期を
有する陽極酸化ポーラスアルミナを形成することを特徴
とする陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001084709A JP4647812B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001084709A JP4647812B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002285382A true JP2002285382A (ja) | 2002-10-03 |
| JP4647812B2 JP4647812B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=18940339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001084709A Expired - Fee Related JP4647812B2 (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4647812B2 (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004099470A1 (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-18 | Fujitsu Limited | 多孔性アルミナ膜及びその形成方法、磁気記録媒体、並びに磁気記憶装置 |
| JP2004323975A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 自己整列化ナノチャンネルアレイの製造方法及び自己整列化ナノチャンネルアレイを利用したナノドットの製造方法 |
| JP2005076117A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜 |
| JP2005220436A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Hiroshima Univ | 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 |
| JP2005232487A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP2006213992A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP2006283058A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 微細構造体 |
| JP2007030146A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | ナノ構造体の製造方法 |
| WO2007046162A1 (ja) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Japan Science And Technology Agency | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
| JP2007262510A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Yamagata Fujitsu Ltd | ナノホール構造体の製造方法 |
| JP2008511985A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | ナノ構造体及びそれを製造する方法 |
| JP2008231580A (ja) * | 2008-07-01 | 2008-10-02 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜 |
| EP2075836A1 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | FUJIFILM Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
| JP2009258743A (ja) * | 2009-07-13 | 2009-11-05 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | スタンパの製造方法 |
| JP2009299190A (ja) * | 2009-09-11 | 2009-12-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 |
| WO2010004981A1 (ja) | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP2010037659A (ja) * | 2009-09-11 | 2010-02-18 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 |
| US7713768B2 (en) | 2006-06-14 | 2010-05-11 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Anti-reflective film and production method thereof, and stamper for producing anti-reflective film and production method thereof |
| JP2010163696A (ja) * | 2010-04-27 | 2010-07-29 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP2011069727A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 酸化還元タンパク質固定化ナノ構造電極 |
| WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
| WO2012147964A1 (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜 |
| WO2013005717A1 (ja) | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁反射基板およびその製造方法 |
| JP2014005547A (ja) * | 2013-09-30 | 2014-01-16 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| CN113373491A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-09-10 | 北京航空航天大学 | 一种类牙釉质结构复合材料的制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2645237C1 (ru) * | 2017-01-09 | 2018-02-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ) | Способ получения наноразмерного пористого анодного оксида алюминия |
| CN110512254B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-09-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备的壳体及其制作方法、电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08132750A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-28 | Mitsubishi Chem Corp | 感光性平版印刷版 |
| JPH08132749A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-28 | Mitsubishi Chem Corp | 感光性平版印刷版 |
| JPH10121292A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-05-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法 |
| WO2001083198A1 (de) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Alcove Surfaces Gmbh | Prägewerkzeug, verfahren zur strukturierung einer oberfläche eines werkstücks und verwendung einer anodisch oxidierten oberflächenschicht |
-
2001
- 2001-03-23 JP JP2001084709A patent/JP4647812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08132750A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-28 | Mitsubishi Chem Corp | 感光性平版印刷版 |
| JPH08132749A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-28 | Mitsubishi Chem Corp | 感光性平版印刷版 |
| JPH10121292A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-05-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法 |
| WO2001083198A1 (de) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Alcove Surfaces Gmbh | Prägewerkzeug, verfahren zur strukturierung einer oberfläche eines werkstücks und verwendung einer anodisch oxidierten oberflächenschicht |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004323975A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 自己整列化ナノチャンネルアレイの製造方法及び自己整列化ナノチャンネルアレイを利用したナノドットの製造方法 |
| JP4508711B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2010-07-21 | 三星電子株式会社 | 自己整列化ナノチャンネルアレイの製造方法及び自己整列化ナノチャンネルアレイを利用したナノドットの製造方法 |
| US7901586B2 (en) | 2003-04-21 | 2011-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing self-ordered nanochannel-array and method of manufacturing nanodot using the nanochannel-array |
| WO2004099470A1 (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-18 | Fujitsu Limited | 多孔性アルミナ膜及びその形成方法、磁気記録媒体、並びに磁気記憶装置 |
| JP2005076117A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜 |
| JP2005220436A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-08-18 | Hiroshima Univ | 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 |
| JP4631047B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2011-02-16 | 国立大学法人広島大学 | 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 |
| JP2005232487A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP4623977B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-02-02 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP2008511985A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | ナノ構造体及びそれを製造する方法 |
| JP2006213992A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP4608331B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2011-01-12 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| JP2006283058A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 微細構造体 |
| JP4603402B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-12-22 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP2007030146A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | ナノ構造体の製造方法 |
| WO2007046162A1 (ja) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Japan Science And Technology Agency | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
| US8237114B2 (en) | 2005-10-20 | 2012-08-07 | Japan Science & Technology Agency | Sample target used in mass spectrometry, method for producing the same, and mass spectrometer using the sample target |
| JP4885142B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-02-29 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
| JP2007262510A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Yamagata Fujitsu Ltd | ナノホール構造体の製造方法 |
| JP4576352B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-04 | 富士通株式会社 | ナノホール構造体の製造方法 |
| US7713768B2 (en) | 2006-06-14 | 2010-05-11 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Anti-reflective film and production method thereof, and stamper for producing anti-reflective film and production method thereof |
| US8097479B2 (en) | 2006-06-14 | 2012-01-17 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Anti-reflective film and production method thereof, and stamper for producing anti-reflective film and production method thereof |
| US8071402B2 (en) | 2006-06-14 | 2011-12-06 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Anti-reflective film and production method thereof, and stamper for producing anti-reflective film and production method thereof |
| US8062915B2 (en) | 2006-06-14 | 2011-11-22 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Anti-reflective film and production method thereof, and stamper for producing anti-reflective film and production method thereof |
| JP2009283431A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 微細構造体およびその製造方法 |
| EP2075836A1 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | FUJIFILM Corporation | Microstructure and method of manufacturing the same |
| JP2008231580A (ja) * | 2008-07-01 | 2008-10-02 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜 |
| WO2010004981A1 (ja) | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP2009258743A (ja) * | 2009-07-13 | 2009-11-05 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | スタンパの製造方法 |
| JP2010037659A (ja) * | 2009-09-11 | 2010-02-18 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 |
| JP2009299190A (ja) * | 2009-09-11 | 2009-12-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 |
| JP4588106B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2010-11-24 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 |
| JP4588105B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2010-11-24 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 |
| JP2011069727A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 酸化還元タンパク質固定化ナノ構造電極 |
| WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
| JP2010163696A (ja) * | 2010-04-27 | 2010-07-29 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| WO2012147964A1 (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 金属ナノワイヤを含有する分散液および導電膜 |
| WO2013005717A1 (ja) | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁反射基板およびその製造方法 |
| JP2014005547A (ja) * | 2013-09-30 | 2014-01-16 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 |
| CN113373491A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-09-10 | 北京航空航天大学 | 一种类牙釉质结构复合材料的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4647812B2 (ja) | 2011-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4647812B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法 | |
| JP3714507B2 (ja) | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法 | |
| US7393391B2 (en) | Fabrication of an anisotropic super hydrophobic/hydrophilic nanoporous membranes | |
| JP4608331B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
| KR20120028674A (ko) | 양극 산화 알루미늄의 제조 방법 | |
| JP5365903B2 (ja) | アルミニウム合金形成基板及びその製造方法 | |
| JP3899413B2 (ja) | ナノ材料作製方法 | |
| JP4865240B2 (ja) | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 | |
| JP4222861B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
| US6986838B2 (en) | Nanomachined and micromachined electrodes for electrochemical devices | |
| JP2012162769A (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法並びにその方法により製造された陽極酸化ポーラスアルミナ | |
| JP4445766B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法 | |
| JP4423077B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
| JP2002004087A (ja) | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 | |
| JP2003342791A (ja) | 細孔を有する構造体及びその製造方法 | |
| JP4623977B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
| KR100999255B1 (ko) | 수직 이방성을 가지는 나노기둥 자성박막 제조방법 | |
| JP4788880B2 (ja) | バルブ金属酸化物ナノ構造体の製造方法 | |
| JP4136723B2 (ja) | 構造体及び構造体の製造方法 | |
| JP2005200677A (ja) | 金属微粒子の作製方法 | |
| JP4230861B2 (ja) | ホールアレーの製造方法 | |
| JP2009030079A (ja) | 微細構造体の製造方法および微細構造体 | |
| JPH1174162A (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の作製方法 | |
| JP5336417B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
| KR890004229B1 (ko) | 자성기록 매체의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20080324 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080326 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080326 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080527 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080515 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080527 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100903 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101027 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101209 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |