JP4576352B2 - ナノホール構造体の製造方法 - Google Patents
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複数のナノホールが形成されたナノホール構造体の製造方法であって、
被加工物上に設けられたレジストに、規則的な配列パターンで該被加工物の表面まで貫通した複数の開口を形成し、
該レジストをマスクとして用いて該開口内に前記被加工物と同じ材料を堆積させて、前記開口の深さより小さな厚みの凸部を形成し、
前記被加工物上の前記レジストを除去し、それにより前記レジスト上の堆積物を除去し、
前記被加工物の前記表面に前記凸部が残った状態で、前記被加工物を陽極酸化して前記複数のナノホールを形成する
ことを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記1記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記被加工物はアルミニウムを主成分とする材料よりなることを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記1記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記配列パターンは三角形の繰り返しよりなる三角格子パターンであることを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記3記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記配列パターンを正三角形の繰り返しよりなる三角格子パターンとし、形成される前記ナノホールの配列パターン周期を該三角格子パターン周期の1/√3とすることを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記1記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記被加工物上の前記レジストに、前記複数の開口に対応した突起部を有する押し型を押し付けて前記レジストに前記開口を形成することを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記5記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記開口を形成した後に、前記開口内に残った前記レジストをプラズマエッチングにより除去することを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記5記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記押し型の前記突起部は、電子線露光によって200nm以下の間隔の配列パターンで形成されることを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記1記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記レジストを露光し現像することにより、前記開口を前記配列パターンで形成することを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記1記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記薄膜を、スパッタリング法、蒸着法、CVD法、及びめっき法のいずれかにより形成することを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
付記1乃至10のうちいずれか一項記載のナノホール構造体の製造方法を用いて製造したナノホール構造体。
付記10記載のナノホール構造体のナノホール中に、強磁性材料を埋め込んで構成したことを特徴とする磁気記録媒体。
付記10記載のナノホール構造体のナノホール中に、前記被加工物の材料と異なる誘電率を有する材料を埋め込んで構成したことを特徴とするフォトニックデバイス。
付記10記載のナノホール構造体のナノホール中に、発光材料を埋め込んで構成したことを特徴とする発光デバイス。
付記10記載のナノホール構造体のナノホール中に、抵抗変化材料を埋め込んで構成し、電導特性を制御可能としたことを特徴とする抵抗変化メモリ。
付記10記載のナノホール構造体のナノホール中に、相変化材料を埋め込んで構成し、相制御可能としたことを特徴とする相変化メモリ。
付記10記載のナノホール構造体のナノホール中に、電子放出部を形成したことを特徴とする電子放出デバイス。
4 Al膜
4a Al陽極酸化皮膜
6 レジスト
6a 開口
6b 凸部
8 モールド
8a 突起部
8b 押し付け面
10A,10B Al堆積部(Al薄膜)
12 ナノホール
14 モールド
14a 凹部
14b 押し付け面
16 凹部
Claims (5)
- 複数のナノホールが形成されたナノホール構造体の製造方法であって、
被加工物上に設けられたレジストに、規則的な配列パターンで該被加工物の表面まで貫通した複数の開口を形成し、
該レジストをマスクとして用いて該開口内に前記被加工物と同じ材料を堆積させて、前記開口の深さより小さな厚みの凸部を形成し、
前記被加工物上の前記レジストを除去し、それにより前記レジスト上の堆積物を除去し、
前記被加工物の前記表面に前記凸部が残った状態で、前記被加工物を陽極酸化して前記複数のナノホールを形成する
ことを特徴とするナノホール構造体の製造方法。 - 請求項1記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記被加工物はアルミニウムを主成分とする材料よりなることを特徴とするナノホール構造体の製造方法。 - 請求項1又は2記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記配列パターンを正三角形の繰り返しよりなる三角格子パターンとし、形成される前記ナノホールの配列パターン周期を該三角格子パターン周期の1/√3とすることを特徴とするナノホール構造体の製造方法。 - 請求項1乃至3のうちいずれか一項記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記被加工物上の前記レジストに、前記複数の開口に対応した突起部を有する押し型を押し付けて前記レジストに前記開口を形成することを特徴とするナノホール構造体の製造方法。 - 請求項1乃至4のうちいずれか一項記載のナノホール構造体の製造方法であって、
前記開口を形成した後に、前記開口内に残った前記レジストをプラズマエッチングにより除去することを特徴とするナノホール構造体の製造方法。
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