JP2004285422A - 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法 - Google Patents

金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004285422A
JP2004285422A JP2003079753A JP2003079753A JP2004285422A JP 2004285422 A JP2004285422 A JP 2004285422A JP 2003079753 A JP2003079753 A JP 2003079753A JP 2003079753 A JP2003079753 A JP 2003079753A JP 2004285422 A JP2004285422 A JP 2004285422A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
metal mold
manufacturing
resist material
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003079753A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4315717B2 (ja
Inventor
Hideki Masuda
秀樹 益田
Kazuyuki Nishio
和之 西尾
Kenji Yasui
賢志 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanagawa Academy of Science and Technology
Original Assignee
Kanagawa Academy of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanagawa Academy of Science and Technology filed Critical Kanagawa Academy of Science and Technology
Priority to JP2003079753A priority Critical patent/JP4315717B2/ja
Publication of JP2004285422A publication Critical patent/JP2004285422A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4315717B2 publication Critical patent/JP4315717B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】60nm以下の微細周期で細孔が高度に配列した陽極酸化ポーラスアルミナを得るためのモールドの製造方法,及びこのモールドを用いた陽極酸化アルミナ膜の作製方法を提供する。
【解決手段】60nm以下の微細な凹凸が形成されたレジストパターン2に電気めっきの導通層あるいは無電解めっきの触媒層3を付与し、その上にモールド形成用金属4を析出させた後、レジスト材を剥離して金属モールド5を得る。これをアルミニウム6にプレスし、凹凸パターンをアルミニウムの上に転写する。この微細凹凸パターンの周期構造をもつアルミニウムを陽極酸化することにより、規則的な直行細孔7を有する陽極酸化ポーラスアルミナ8を得る。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細な凹凸パターンが高規則性をもって形成された金属モールド及びその製造方法と、その金属モールドを用いて高規則性細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを製造する方法及びその方法により製造された陽極酸化ポーラスアルミナに関する。
【0002】
【従来の技術】
均一な細孔径を有する多孔性材料の代表例として多孔性陽極酸化アルミナ膜が広く知られている。多孔性陽極酸化アルミナ膜は、アルミニウムを酸性電解液中で陽極酸化することによりアルミニウムの表面に形成される多孔性のアルミナ膜であり、膜面に垂直な細孔が自己規則化的に形成され、細孔径の均一性が比較的良好であるという特徴を有していることから、フィルターをはじめとする機能材料の他、種々のナノデバイス作製の出発構造としての利用が期待されている。
【0003】
このような多孔性材料の工業的な有用性は、細孔構造(孔形状および配列)の規則性に著しく影響を受ける。この点において、従来技術により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜の規則性は充分とは言えない。すなわち、従来技術によって作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜においては、各細孔が膜面に垂直な独立した孔とはなっておらず、隣接する細孔の間隔も一定ではなく、また孔の形状も真円とはならず、この結果、孔径の分布にも広がりを有していた。垂直でまっすぐな独立した細孔が得られない理由は、次のような陽極酸化アルミナ膜における多孔質構造の形成機構によるものと考えられる。すなわち、陽極酸化開始時には孔はランダムに発生し、これらのうちの一部が優先的に成長することにより多孔質構造が形成される。このため、陽極酸化の開始初期においては細孔構造が規則的とはならず、細孔は屈曲した構造となる。
【0004】
この問題を改善する方法として、二段階に分けて陽極酸化を行う方法が提案されている(非特許文献1)。すなわち、一定時間陽極酸化を行って形成した酸化皮膜を一旦選択的に溶解除去した後、再度、同一の条件で陽極酸化を行うことにより膜面に垂直でまっすぐな独立した細孔を有する酸化皮膜を得る方法である。これは、一段階目の陽極酸化により形成された陽極酸化皮膜を除去することによりアルミニウム表面に窪みが形成され、この窪みが二段階目の陽極酸化の開始点となることを利用したものである。しかし、この方法により各細孔の垂直性、直進性および独立性は改善されるものの、細孔の配列に一定の乱れが生じることから、細孔の間隔は一定とはならず、細孔の真円度も充分ではないという問題があった.
【0005】
このような問題を解決する方法として,陽極酸化を行うアルミニウム板の表面に、陽極酸化時に形成されるアルミナ膜の細孔の間隔および配列と同一の間隔および配列の複数の窪み(凹部)を形成した後、前記アルミニウム板を陽極酸化することにより、所定形状の細孔が前記複数の窪みの間隔および配列と同一の間隔および配列で規則的に配列した多孔性の陽極酸化アルミナ膜を作製する手法が特許文献1に開示されている.アルミニウムの表面に窪みの配列を形成する方法として、所望の窪みの配列に対応した突起配列を表面に有するモールドをアルミニウム表面にプレスする。突起の配列は,電子ビームリソグラフィ等によるレジスト材への描画及びこれに続くリフトオフプロセスで最終的に基板をエッチングすることにより作製されるが,突起配列の微細化に従い,リフトオフプロセスの工程ごとに構造が劣化し,形状の均一な欠陥の無いモールドを得るのが困難となっていた.その結果,とくに60nm以下の周期の高規則性細孔配列を有するポーラスアルミナの作製も困難を極めていた.
【0006】
【特許文献1】
特開平10−121292号公報
【非特許文献1】
Jpn. Journal of Applied Phisics, Vol.35, Part 2, No.1B,pp.L126−L129, 15 January 1996
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的は、とくに60nm以下の微細周期で細孔が高度に配列した陽極酸化ポーラスアルミナを得るためのモールドの製造方法,及びこのモールドを用いた陽極酸化アルミナ膜の作製方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る金属モールドは、レジスト材に形成された規則的な凹凸パターンを転写することにより作製された周期60nm以下の凹凸パターンを有する金属モールドからなる。つまり、レジスト材に形成された凹凸パターンを金属に直接転写することにより所望の微細周期の凹凸パターンを有するモールドを作製するのである。
【0009】
この金属モールドは、たとえばリソグラフィによりレジスト材に形成された凹凸パターンを転写することにより作製されたものからなる。
【0010】
本発明に係る金属モールドの製造方法は、レジスト材に形成された周期60nm以下の凹凸パターンを金属に転写した後、レジスト材を除去することを特徴とする方法からなる。レジストの微細パターンをモールド材料となる金属に直接転写することにより,金属マスクパターンの形成,基板のエッチング時などのリフトオフプロセスで生じるパターンの劣化を防ぎ,60nm以下の微細周期でも欠陥の無いモールドを得ることができる。レジスト材のパターンを金属に転写する方法としては、めっきを使用することができる。
【0011】
この金属モールドの製造方法においては、リソグラフィによりレジスト材に凹凸パターンを形成することができる。
【0012】
また、電気めっきを行うための導通層、あるいは無電解めっきを行うための触媒核の付与にはドライプロセスを用いることができ、このドライプロセスにより付与された導通層あるいは核を利用して、モールド形成用金属をめっきすることができる。中でも、イオンビームスパッタにより形成された層は非常に微細かつ緻密であり,60nm以下の微細な凹凸パターンの表面を均一に被覆することができる。
【0013】
本発明に係る陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法は、レジスト材に形成された凹凸パターンを転写することにより作製された周期60nm以下の凹凸パターンを有する金属モールドを用いて、該金属モールドの凹凸パターンをプレス等によりアルミニウム表面に転写し,これを陽極酸化することを特徴とする方法であり、細孔が規則的に配列した高規則性細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを製造することができる。
【0014】
本発明に係る陽極酸化ポーラスアルミナは、このような方法により製造されたものであり、周期60nm以下の高規則性細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナからなる。
【0015】
このように、本発明においては、周期60nm以下の規則的な凹凸パターンを有する金属モールドを得ることができ、その金属モールドを用いて、周期60nm以下の高規則性細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の望ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施態様に係る金属モールド及びその製造方法、並びにその金属モールドを用いて陽極酸化ポーラスアルミナを製造する方法を示している。図1の工程aは、出発構造となるレジスト材に凹凸パターンの形成を示しており、そのレジスト材の断面を示している。レジスト材1には、60nm以下の微細周期構造を有する凹凸パターン2が形成されている。この凹凸パターン2は、電子ビームリソグラフィやX線リソグラフィなどを用いた高解像度の微細加工技術によりレジスト層に所定のパターンを記録後,必要に応じて適切な現像処理を行うことにより形成される.レジスト材1に形成される周期構造は窪みの配列であることが好ましいが,突起配列,格子状の窪み及び突起配列でも構わない。
【0017】
工程bでは、レジストパターンに電気めっきの導通層あるいは無電解めっきの触媒層3が付与される。この層3は、60nm以下の微細な凹凸に対して忠実に被覆させる必要がある.導通層3を付与する手法としては、真空蒸着,グロー放電を利用したスパッタ,イオンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタなどが用いられるが,スパッタ粒子の微細さ,熱及びプラズマによるレジスト材料の変質の問題からイオンビームスパッタが優れている。導通層3の厚さは、1nm〜30nm程度が良く,これより薄いと導通の確保が困難であり,これより厚いと導通層の表面が粗くなり,めっきの際に緻密な析出が困難となる。
【0018】
工程cでは、導通層あるいは触媒層3上にモールド形成用金属4を析出させ、目標とする金属モールドの原型を作製する。このとき、後述のアルミニウムへの機械的なプレスに耐え得る強度をもつもの,たとえばニッケルのめっきを行うことができる。また、レジストを塗布する基板に導電性あるいは触媒性のあるものを選択し,凹凸パターン形成後に基板に析出開始部位としてめっきを行うことにより,レジストパターンの凹部から金属を析出させることも可能である。
【0019】
工程dでは、レジスト材表面に析出した金属からレジスト材を剥離(除去する)ことにより、金属モールド5を得る。めっき後のレジスト材と金属との分離は、金属とレジスト材間の接着性の低さを利用した機械的な剥離,あるいはレジストの除去液への浸漬を単独あるいは組み合わせて行うことができる。
【0020】
工程eでは、金属モールド5をアルミニウム6にプレスし、モールド5の凹凸パターンをアルミニウム6の表面に転写する。凹凸パターンは周期が60nm以下と微細なため,プレスされるアルミニウム6の表面が粗い場合は,機械研磨及び電解研磨を単独あるいは組み合わせて平滑にしておく必要がある。
【0021】
工程fでは、上記プレス後に金属モールド5を除去することにより、表面に金属モールド5の凹凸パターンと同じ60nm以下の周期構造をもつアルミニウム6が得られる。
【0022】
この表面に微細凹凸パターンの周期構造をもつアルミニウム6を陽極酸化することにより、工程gに示すような、レジストパターン及び金属モールドのパターンの周期に対応した規則的な直行細孔7を有する陽極酸化ポーラスアルミナ8を得ることができる。陽極酸化は硫酸水溶液を電解液とし、たとえば、目的とする細孔周期(ナノメートル)を2.5で除した電圧(ボルト)での定電圧直流電解を基本条件とすることができる。
【0023】
【実施例】
以下に、実施例により更に本発明を詳細に説明するが,本発明はかかる実施例によって限定されるものではない。
実施例1
日本ゼオン(株)製電子ビーム描画用のレジスト(ZEP−520)を,シリコン基板上に50nmの膜厚で塗布した。(株)エリオニクス製電子ビーム描画装置(ELS−7500)を用いて50kV,20pAの電子線で50nm周期の三角格子状のスポット描画を行った後、現像液(日本ゼオン(株)製ZED−N50)に浸漬し、直径30nmの円形の窪みが50nm周期で三角格子状に配列した凹凸パターンを得た。この表面にSouth Bay Technology社製のイオンビームスパッタリング装置(IBS/e)を用いてPtを10nmコートした。これを導通層としてスルファミン酸ニッケルを主成分とする電解液でめっきを行い、厚さ約200μmのNi膜をレジスト材の表面に形成した。シリコン基板と金属膜を機械的に剥離した後にレジスト除去液(日本ゼオン(株)製ZDMAC)に浸漬し、レジスト材の凹凸パターンを転写した金属モールドを得た。これを電解研磨処理により平滑化したアルミニウムに800kg/cmの圧力でプレスし、金属モールドの凹凸パターンをアルミニウムに転写した。17℃,0.3Mの硫酸水溶液中で20Vの直流定電圧、5分間の陽極酸化を行い、得られたポーラスアルミナの表面及び断面形状を高分解能走査型電子顕微鏡により観察したところ、50nm周期で高規則性をもって表面に対し垂直に直行した細孔の配列が欠落無く確認された。
【0024】
比較例1
電子ビーム描画及びリフトオフプロセスにより得られた60nm周期の突起配列を有するシリコンカーバイド製のモールドを電解研磨処理により平滑化したアルミニウムに800kg/cmの圧力でプレスし、モールドの凹凸パターンをアルミニウムに転写した。17℃,0.3Mの硫酸水溶液中で20Vの直流定電圧、5分間の陽極酸化を行い、得られたポーラスアルミナの表面を高分解能走査型電子顕微鏡により観察したところ、1μm四方の範囲(細孔数約300)で2%の領域に配列の欠陥が観察された。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、60nm以下の微細周期で高規則性をもった凹凸パターンを有する金属モールドを得ることができ、この金属モールドを用いて、60nm以下の微細周期で細孔の配列が高度に規則化された陽極酸化ポーラスアルミナを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施態様に係る方法により、金属モールド及びそのモールドを使用し細孔配列が制御された陽極酸化ポーラスアルミナの製造を示す工程フロー図である。
【符号の説明】
1 レジスト材
2 微細周期構造を有する凹凸パターン
3 電気めっきの導通層あるいは無電解めっきの触媒層
4 析出させるモールド形成用金属
5 金属モールド
6 アルミニウム
7 規則的な直行細孔
8 陽極酸化ポーラスアルミナ

Claims (9)

  1. レジスト材に形成された凹凸パターンを転写することにより作製された周期60nm以下の凹凸パターンを有する金属モールド。
  2. リソグラフィによりレジスト材に形成された凹凸パターンを転写することにより作製された、請求項1の金属モールド。
  3. レジスト材に形成された周期60nm以下の凹凸パターンを金属に転写した後、レジスト材を除去することを特徴とする、金属モールドの製造方法。
  4. レジスト材の凹凸パターンを,めっきプロセスにより金属に転写する、請求項3の金属モールドの製造方法。
  5. リソグラフィによりレジスト材に凹凸パターンを形成する、請求項3または4の金属モールドの製造方法。
  6. レジスト材に形成された凹凸パターンにドライプロセスによりめっきの導通層あるいは核を付与し,これにモールド形成用金属をめっきする、請求項4または5の金属モールドの製造方法。
  7. イオンビームスパッタによりめっきの導通層あるいは核を付与する、請求項6の金属モールドの製造方法。
  8. レジスト材に形成された凹凸パターンを転写することにより作製された周期60nm以下の凹凸パターンを有する金属モールドを用いて、該金属モールドの凹凸パターンをアルミニウム表面に転写し,これを陽極酸化することを特徴とする、高規則性細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法。
  9. 請求項8の方法により製造された、周期60nm以下の高規則性細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナ。
JP2003079753A 2003-03-24 2003-03-24 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法 Expired - Fee Related JP4315717B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003079753A JP4315717B2 (ja) 2003-03-24 2003-03-24 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003079753A JP4315717B2 (ja) 2003-03-24 2003-03-24 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004285422A true JP2004285422A (ja) 2004-10-14
JP4315717B2 JP4315717B2 (ja) 2009-08-19

Family

ID=33293788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003079753A Expired - Fee Related JP4315717B2 (ja) 2003-03-24 2003-03-24 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4315717B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007130747A (ja) * 2005-08-03 2007-05-31 General Electric Co <Ge> 衝突する液体に対して耐性がある表面及び物品
JP2007262510A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Yamagata Fujitsu Ltd ナノホール構造体の製造方法
JP2007301732A (ja) * 2006-05-08 2007-11-22 Canon Inc モールドの製造方法
JP2008238048A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Fujifilm Corp 精密フィルターユニット
US7591641B2 (en) 2005-03-22 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Mold and process of production thereof
WO2012057073A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 シャープ株式会社 太陽熱集熱部材およびその作製方法
KR101418976B1 (ko) * 2012-07-27 2014-07-11 이엘케이 주식회사 패드 인쇄법을 위한 미세 요철 패턴 구조을 구비하는 원판 및 이의 제조 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7591641B2 (en) 2005-03-22 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Mold and process of production thereof
JP2007130747A (ja) * 2005-08-03 2007-05-31 General Electric Co <Ge> 衝突する液体に対して耐性がある表面及び物品
JP2007262510A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Yamagata Fujitsu Ltd ナノホール構造体の製造方法
JP4576352B2 (ja) * 2006-03-29 2010-11-04 富士通株式会社 ナノホール構造体の製造方法
JP2007301732A (ja) * 2006-05-08 2007-11-22 Canon Inc モールドの製造方法
JP2008238048A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Fujifilm Corp 精密フィルターユニット
WO2012057073A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 シャープ株式会社 太陽熱集熱部材およびその作製方法
KR101418976B1 (ko) * 2012-07-27 2014-07-11 이엘케이 주식회사 패드 인쇄법을 위한 미세 요철 패턴 구조을 구비하는 원판 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4315717B2 (ja) 2009-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6139713A (en) Method of manufacturing porous anodized alumina film
JP3714507B2 (ja) 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法
Lee et al. Wafer‐scale Ni imprint stamps for porous alumina membranes based on interference lithography
Stępniowski et al. Synthesis of anodic aluminum oxide (AAO) at relatively high temperatures. Study of the influence of anodization conditions on the alumina structural features
JP5642850B2 (ja) 多孔性高分子膜の製造方法
JP4647812B2 (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
JP5276830B2 (ja) インプリント用モールドの製造方法
JP2006326723A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
JP4315717B2 (ja) 金属モールド及びその製造方法並びに陽極酸化ポーラスアルミナとその製造方法
JP2006326724A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
JP2013057102A (ja) 微細構造の形成方法および微細構造を有するナノインプリント用モールド、ならびにポーラスアルミナ複合体の製造方法
JP3899413B2 (ja) ナノ材料作製方法
JP2010017865A (ja) ナノインプリント用モールドの製造方法
JP4641442B2 (ja) 多孔質体の製造方法
JP2010047454A (ja) 表面に規則的な凹凸パターンを有する炭素材およびその製造方法
JP2006303454A (ja) ナノインプリント用モールドとその製造方法、凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法
JP2004285404A (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
JP4745289B2 (ja) 複製スタンパおよびその製造方法
JP2004237526A (ja) 微細パターン及びその母型を形成する方法
JP2004001191A (ja) 凹凸を有する構造体、該構造体の製造方法及び機能デバイス
JP2004319762A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
JP4178087B2 (ja) 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜
JP4808234B2 (ja) 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜
JP5780543B2 (ja) 電子線描画法を用いた陽極酸化アルミナ及びその製造方法
JP4576352B2 (ja) ナノホール構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060314

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060418

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081114

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090424

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090519

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529

Year of fee payment: 4

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees