JP4865240B2 - 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 - Google Patents
構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4865240B2 JP4865240B2 JP2005053447A JP2005053447A JP4865240B2 JP 4865240 B2 JP4865240 B2 JP 4865240B2 JP 2005053447 A JP2005053447 A JP 2005053447A JP 2005053447 A JP2005053447 A JP 2005053447A JP 4865240 B2 JP4865240 B2 JP 4865240B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- film
- porous layer
- porous
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/045—Anodisation of aluminium or alloys based thereon for forming AAO templates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
R.C.Furneaux,W.R.Rigby&A.P.Davidson,"NATURE",Vol.337,p147(1989) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.35,part2,No.1B,pp126−129(1996) Journal of Applied Physics,p6023(1998)
基板上に第1の非多孔質層と、該第1の非多孔質層の構成材料とは成分が異なる第2の非多孔質層を有する積層体を用意する工程、
該積層体を陽極酸化し、該第1及び第2の非多孔質層に孔を形成する工程、及び
該積層体から孔が形成されている該第2の非多孔質層を除去する工程とを有し、
前記第1及び第2の非多孔質層の構成材料の少なくとも一方が、アルミニウム合金であることを特徴とする。
なお、第1のポーラス皮膜は必要に応じて露出させればよく、必ずしも第2のポーラス皮膜の全てを除去する必要はない。
本発明の第1の実施例について一例を示す。
本発明の第2の実施例について一例を示す。
本発明の第3の実施例について一例を示す。
2 第2の膜(第2の層)
3 支持基板
4 被加工物
5 細孔
6 第2のポーラス皮膜
7 第1のポーラス皮膜
8 ドメイン境界
9 電極層
10 充填物
Claims (9)
- 構造体の製造方法であって、
基板上に第1の非多孔質層と、該第1の非多孔質層の構成材料とは成分が異なる第2の非多孔質層を有する積層体を用意する工程、
該積層体を陽極酸化し、該第1及び第2の非多孔質層に孔を形成する工程、
該積層体から孔が形成されている該第2の非多孔質層を除去する工程とを有し、
前記第1及び第2の非多孔質層の構成材料は、アルミニウム、または、アルミニウム合金であることを特徴とする構造体の製造方法。 - 前記アルミニウム合金が、Cr、Mg、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wのうち少なくとも1種類以上を含む請求項1記載の構造体の製造方法。
- 前記第2の非多孔質層を除去する工程は、前記第1の非多孔質層よりも前記第2の非多孔質層のエッチングレートが高いエッチャントを用いて行われる請求項1記載の構造体の製造方法。
- 前記第1の非多孔質層よりも前記第2の非多孔質層の厚さが厚いことを特徴とする請求項1記載の構造体の製造方法。
- 前記基板は、曲面形状を有し、且つ前記第1の非多孔質層は前記曲面形状を反映した形状を有していることを特徴とする請求項1記載の構造体の製造方法。
- 請求項1に記載の構造体の製造方法により得られる構造体をモールドとして用いる成型体の製造方法。
- 前記第2の非多孔質層を除去する工程の後、孔が形成されている前記第1の非多孔質層の孔内に磁性材料を充填する工程を含む請求項1に記載の構造体の製造方法。
- 前記アルミニウム合金は、アルミニウムを50atomic%以上含むことを特徴とする請求項1に記載の構造体の製造方法。
- 前記アルミニウム合金が、Cr、Mg、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wのうち少なくとも1種類以上をアルミニウムに対して5atomic%以上含む請求項1記載の構造体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005053447A JP4865240B2 (ja) | 2004-03-23 | 2005-02-28 | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 |
US11/086,423 US7288203B2 (en) | 2004-03-23 | 2005-03-23 | Process for producing structure, process for producing magnetic recording medium, and process for producing molded product |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004085014 | 2004-03-23 | ||
JP2004085014 | 2004-03-23 | ||
JP2005053447A JP4865240B2 (ja) | 2004-03-23 | 2005-02-28 | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005307340A JP2005307340A (ja) | 2005-11-04 |
JP2005307340A5 JP2005307340A5 (ja) | 2008-04-10 |
JP4865240B2 true JP4865240B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=34988532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005053447A Expired - Fee Related JP4865240B2 (ja) | 2004-03-23 | 2005-02-28 | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7288203B2 (ja) |
JP (1) | JP4865240B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4566667B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | めっき液、めっき液を用いた構造体の製造方法、めっき液を用いた装置 |
JP5094208B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-12-12 | キヤノン株式会社 | 構造体の製造方法 |
DE102010019914A1 (de) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Grohe Ag | Sanitärgegenstände |
US9403293B2 (en) | 2009-09-04 | 2016-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming anodized layer, method for producing mold, method for producing antireflective film, and mold and antireflective film |
JP5686429B2 (ja) * | 2010-08-24 | 2015-03-18 | 株式会社船井電機新応用技術研究所 | 陽極酸化アルミナ−酵素複合体の製造方法 |
CN106702329B (zh) * | 2015-11-12 | 2020-04-17 | 中国科学院金属研究所 | 一种钛合金表面基于多弧离子镀铝的微弧氧化陶瓷涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6082694A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-10 | Nippon Light Metal Co Ltd | 磁気記録用アルミニウム材の製造法 |
JPH04319412A (ja) * | 1991-04-18 | 1992-11-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電力ケーブル接続部絶縁体成形用金型 |
US6107213A (en) * | 1996-02-01 | 2000-08-22 | Sony Corporation | Method for making thin film semiconductor |
JPH11195775A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Sony Corp | 半導体基板および薄膜半導体素子およびそれらの製造方法ならびに陽極化成装置 |
JP4536866B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
JP3729449B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 細孔を有する構造体及びデバイス |
JP3878439B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2007-02-07 | シャープ株式会社 | 多孔質層及びデバイス、並びにその製造方法 |
JP3598373B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2004-12-08 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 基体上に接合して規則化配列したナノ構造体およびその製造方法 |
JP4136730B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 細孔を有する構造体及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005053447A patent/JP4865240B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-23 US US11/086,423 patent/US7288203B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7288203B2 (en) | 2007-10-30 |
US20050211663A1 (en) | 2005-09-29 |
JP2005307340A (ja) | 2005-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4398873B2 (ja) | 白熱光源用ナノ構造エミッターを作製するためのプロセス | |
JP4681938B2 (ja) | ナノ構造体の製造方法 | |
JP4865240B2 (ja) | 構造体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、成型体の製造方法 | |
JP3848303B2 (ja) | 構造体、機能性構造体及び磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2002285382A (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法 | |
JP2003129288A (ja) | 細孔構造体及びその製造方法 | |
JP4681939B2 (ja) | ナノ構造体の製造方法 | |
JP5365903B2 (ja) | アルミニウム合金形成基板及びその製造方法 | |
JP3729449B2 (ja) | 細孔を有する構造体及びデバイス | |
JP4708596B2 (ja) | ナノ構造体の製造方法 | |
JP5094208B2 (ja) | 構造体の製造方法 | |
JP4641442B2 (ja) | 多孔質体の製造方法 | |
US6986838B2 (en) | Nanomachined and micromachined electrodes for electrochemical devices | |
JP4423077B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
JP2005256071A (ja) | 陽極酸化膜の製造方法 | |
US20160319445A1 (en) | Formation of capped nano-pillars | |
JP5642362B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
US9447513B2 (en) | Nano-scale structures | |
JP4136723B2 (ja) | 構造体及び構造体の製造方法 | |
JP4603834B2 (ja) | 構造体、その製造方法及び多孔質体 | |
US8961799B2 (en) | Nano-structured surface | |
JP4125151B2 (ja) | 構造体の製造方法 | |
JP4230861B2 (ja) | ホールアレーの製造方法 | |
WO2013032440A1 (en) | Depositing nano-dots on a substrate | |
JP2005272990A (ja) | 突起を有する構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100630 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111108 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111110 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |