KR100216143B1 - 개량된 포토리소그래피용 마스크 - Google Patents

개량된 포토리소그래피용 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR100216143B1
KR100216143B1 KR1019940702338A KR19940702338A KR100216143B1 KR 100216143 B1 KR100216143 B1 KR 100216143B1 KR 1019940702338 A KR1019940702338 A KR 1019940702338A KR 19940702338 A KR19940702338 A KR 19940702338A KR 100216143 B1 KR100216143 B1 KR 100216143B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
edge
edges
minimum dimension
width
Prior art date
Application number
KR1019940702338A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940704016A (ko
Inventor
장훙첸
제임스에이.매슈즈
Original Assignee
마우서리스 존
마이크로유니티 시스템즈 엔지니어링, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25234329&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100216143(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 마우서리스 존, 마이크로유니티 시스템즈 엔지니어링, 인코포레이티드 filed Critical 마우서리스 존
Publication of KR940704016A publication Critical patent/KR940704016A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100216143B1 publication Critical patent/KR100216143B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

강도 조절 바라 불리우는 추가라인을 마스크 패턴에 형성시킴으로써 근접호과가 감소되는 효과가 나타난다.
이 강도 조절 바는 마스크 패턴에서 유리된 에지의 에지 강도 기울기를 밀집된에지의 에지 강도 기울기와 매칭시키는 역할을 한다.
강도 조절 바는 유리된 에지와 평행 하게 위치함으로써 마스트 패턴의 유리된 모든 에지상에서 강도 기울기가 조절된다.
또한, 이 강도 조절 바는 노광기구의 분해능보다 훨씬 작은 폭을 갖도록 설계된다. 따라서 마스크 패턴에 존재하는 조절 바의 레지스트 패턴은 포토레지스트의 노광시통상의 노광 에너지가 이용될 경우 하게 완전히 현상되어 없어진다.

Description

[발명의 명칭]
개량된 포토리소그래피용 마스크
[도면의 간단한 설명]
제1도는 고립된 형상과 밀집된 형상을 도시하는 마스크 테스트 패턴
제2도는 원래 마스크에서 각기 모두 0.5 미크론의 라인을 갖는 고립된 형상과 밀집된 형상의 최종적인 레지스트 라인을 비교하는 그래프
제3도는 고립된 라인과 밀집된 라인의 상대적인 에지강도기울기를 도시하는 그래프
제4도는 0.4미크론과 0.5 미크론의 임계 치수에 있어 본 발명의 강도 조절 바의 최적폭과 간격의 도시
제5a도는 본 발명에서 설명되는 에지강도 조절 바를 사용하는 마스크 테스트 패턴
제5b도 내지 5d도는 제5a도에 도시된 테스트 패턴에 대해 본 발명에 따라 고립된 비조절 에지, 밀집된 에지, 그리고 고립된 강도 조절 에지의 에지 강도 기울기의 비교
제6a도는 제6b도 및 제6c도에 도시된 값을 결정하기 위해 이용되는 마스크 테스트 패턴, 제6b도는 노광 에너지 준위를 바꿈에 따라 고립된 라인, 밀집된 라인, 그리고 고립된 강도 조절 라인의 라인 폭과 벽의 각도 값의 도시
제6c도는 제6b도에서 라인 폭과 벽의 각도 값의 비교
제6d도는 제6b도 및 제6c도의 라인폭과 벽의 각도를 어디서 측정하는가를 보여주는 레지스트 라인의 단면도
제7a도는 노광 에너지를 변화시킬 때 에지 강도 조절 바가 레지스트에서 어떻게 현상되는가를 설명하기 위해 이용되는 마스크 테스트 패턴
제7b 및 7c도는 노광 에너지를 변화시킬 때 비조절 라인과, 조절 라인 및 그 연관된 조절 바의 레지스트 패턴의 단면
제8a 및 8b도는 클리어 및 다크 필드 마스크의 여러 회로 패턴에 있어 강도 조절 바의 위치를 도시
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은 반도체 장치의 처리공정에 관한 것이며, 특히 실리콘 기판 표면에 패턴을 전사하는 포토리소그래피 방법에 관한 것이다.
[배경기술]
집적회로(IC) 설계시 엔지니어들은 통상 컴퓨터 시뮬레이션 기구의 도움을 받아 서로 결합되어 어떤 기능을 수행하는 개별 소자들로 구성되는 회로를 설계하게 된다. 실제 이 회로를 반도체 기판에 형성하기 위해서는 이 회로는 물리적인 표현, 또는 레이아웃으로 변환되어야 하며 이것은 나중에 실리콘 표면상으로 옮겨질 수 있다. 또한, 컴퓨터 이용설계(CAD) 기구는 레이아웃 설계자가 개별적인 회로요소를 완성된 IC에서 소자 자체로써 사용할 수 있는 형태로 변환시킬 때 도움을 준다. 이러한 형태는 게이트 전극, 필드산화영역, 확산영역, 금속상호접속부 등과 같이 회로의 개별적 구성성분으로 이루어진다. 이러한 CAD 시스템이 채용하는 소프트웨어 프로그램은 기능적 회로를 만들어내도록 소정 설계 규칙하에서 기능하도록 구성된다. 종종 이러한 규칙은 공정 및 설계의 제한조건에 의해 결정된다. 예컨대 설계 규칙은 소자 혹은 라인이 서로 영향을 미치지 않도록 하기 위해 그 소자 혹은 라인 사이에 공간허용오차를 규정하게 된다.
설계 규칙의 제한조건은 종종 임계 치수라 불린다. 회로의 임계 치수는 가장 작은 라인 폭, 또는 가장 작은 두 라인 사이의 간격으로 보통 규정된다. 결과적으로 임계 치수가 IC의 전체 사이즈 및 밀도를 결정하게 된다. 현재의 IC 기술에서는 대부분의 회로에 있어 라인의 폭과 간격에 대한 최소 임계치수는 0.5 미크론이다.
일단 회로의 레이아웃이 만들어지고 나면 IC를 제작하기 위한 그 다음 단계는 그 레이아웃을 반도체 기판상에 옮기는(전사하는) 것이다. 포토리소그래피는 마스크상에 존재하는 기하학적 형상을 실리콘 웨이퍼의 표면에 전사하는 공지의 처리공정이다. IC 리소그래피 공정에서는 통상 포토레지스트라 불리우는 감광성 수지를 실리콘 기판에 도포한 후 그것을 건조하게 된다. 광원을 이용하여 마스크를 통해 적절한 기하학적 패턴으로 웨이퍼를 노광하기 위해 노광기구를 이용한다. 노광이 끝나면 웨이퍼는 감광성 재료에 전사된 마스크 패턴을 현상하기 위해 현상처리된다. 그리고 이러한 마스크 패턴은 회로의 소자특성을 만드는데 사용된다. 만들어내게 된다.
광기구를 특징짓는 중요한 제한요소는 분해능 값이다. 노광기구의 분해능은 그 노광기구가 웨이퍼상에 반복해서 노광시킬 수 있는 최소 형상으로 정의된다. 현재 최신 노광기구의 분해능은 대략 0.4 미크론이다. 따라서 현재 리소그래피 장비의 분해능 값은 대부분의 IC 회로 설계에 있어서의 임계치수에 접근해 있다. 결과적으로 노광기구의분해능은 IC 회로의 최종적인 크기와 밀도에 영향을 미칠 수 있다. 레이아웃의 임계 치수가 점점 더 작아져서 리소그래피 장비의 분해능 값'에 도달할 때, 마스크상의 패턴과 실제의 레이아웃 패턴간의 일치성은 크게 줄어들게 된다. 좀더 상세히 말해서 회로형상의 패턴현상 차이는 그 회로 형상이 서로 얼마나 근접해 있는가에 의존하고 있음을 알 수 있다.
광 투사 프린팅을 이용하는 리소그래피 처리공정에서의 근접효과가 상형성(imaging)과 레지스트 패턴 형성 (노광 및 현상) 시 그리고 계속되는 에칭과 같은 패턴 전사 단계에서 나타날 수 있다. 이 근접효과의 정도는 마스크상의 패턴상에 존재하는 두 형상의 근접정도에 의존한다. 이 근접효과는 투사 시스템에서의 광의 회절에 기인한다고 알려져 있다. 즉 광의 회절에 익해서 서로 인접한 형상이 상호 작용하게 되고 이것이 곧 패턴의 변형을 일으키게 된다.
예컨대 레이아웃에서 분리되어 있거나 밀집되어 있는 다른 형상에 대해서 그 인접정도가 다르면서 같은 치수를 갖도록 설계된 라인들은 현상이 끝난 후에는 그 치수가 같지 않다. 따라서 밀집된 한 무리의 라인은 분리된 하나의 라인과 비교할 때 다르게 전사될 경우가 많다. 분명히 말해서 IC 공정에 있어 라인 폭이 일정하게 재현되지 못할 경우는 큰 문제를 야기시킨다.
이러한 근접효과를 극복하기 위해서 지금까지 여러 방법이 개발되었다. CD 바이어싱 방법은 웨이퍼에 전사되는 최종적인 타겟의 치수가 보정되지 않는 형상과일치하도록 소정 마스크 형상을 미리 보정하기 위해 개발된 방법이다. 한 예로써 마스크 패턴에서 동일 폭을 갖는 라인들은 근접효과로 인해 최종 레지스트의 라인 폭이 다를 수 있다. 좀더 상세히 말해서, 포지티브 광 레지스트(포지티브 감광막)를 이용할 경우 고립된 형상의 최종 라인폭은 밀집된 형상의 최종 라인 폭보다 더 큰 것을 알 수 있다. 이러한 불일치성을 줄이기 위해 IC 제조 설계자들은 원래 마스크상의 고립된 형상의 라인 폭이 밀집된 형상의 폭보다 더 작게 되도록 마스크 패턴을 만들어냈다. 마스크 패턴을 미리 보정함으로써 고립된 형상 및 밀집된 형상에 있어 최종적인 레지스트상의 라인 폭이 대략 같아질 수 있다. 통상, 크기의 증가 정도나 바이어싱은 실험에 의해 결정되며, 이용되는 노광기구, 채용되는 레지스트 공정의 종류, 및 임계 치수의 크기에 크게 의존한다. 결론적으로 리소그래피 공정에서 이러한 명목상의 요소들이 변함으로써 바이어스된 형상에 대해서 좋지않은 영향을 줄 수 있으므로 이러한 접근방법은 본 산업분야에서는 널리 채택되지 않았다.
또한 이러한 바이어싱 접근방법에서는 포토레지스트의 두께를 증가시킴으로써 레지스트 공정에 따른 근접효과의 영향을 줄일 수 있음이 발견되었다. 그 결과 소정 레지스트 두께에서 이 근접효과가 소정 노광기구에 대해서 최소로 될 수 있다. 레지스트의 두께를 변화시킬 때의 가장 큰 난점은 최소 CD 바이어싱을 만들어내도록 선택된 레지스트 두께는 종중 최적의 분해능을 구현하는 바람직한 두께가 아니라는 사실이다. 따라서 CD 바이어싱은 근접효과문제를 해결하는 만족할만한 방법이 아니다.
다층 레지스트 공정이 라인 폭의 제어를 강화하고 근접효과를 줄이기 위해 제안된 또 하나의 방법이다. 이 방법은 색소를 함유한 평탄층을 이용하여 표면지형 및 반사문제를 제거하든지 아니면 대체적으로 불투명한 재료로 이루어진 막을 포토레지스트 층의 상부에 코팅하는 단계를 포함한다. 기판으로부터의 반사를 줄임으로써 근접효과를 어느정도 줄일 수 있지만 현재 이용되는 어떠한 다층 레지스트 공정도 근접효과를 완전히 제거할 수 없으며 더구나 이 다층 레지스트 처리공정은 종래방법에 비해 비용이 비싸다.
근접효과를 줄이기 위한 또하나의 종래기술은 광학적 노광기구에 있어 광조사의 통일성(coherency) 이 근접효과에 영향을 줄 수 있다는 사실에 의거한다. 광조사가 약간 일정치 않으면 형상의 제어에는 용이하지만 완전히 통일성이 있으면 분해능력을 잃게되어 패턴전사처리공정이 최적에 못미칠 수 있다. 또한, 상업적으로 이용가능한 대부분의 노광기구는 일정 통일성이 설정되어 나오기 때문에 노광기구의 통일성을 바꾸는 것은 기계적으로 조작이 필요하고 보통 장비판매자가 추전하지도 않는다.
마지막으로 전자 빔에 있어서의 근접효과의 성질은 광학적 패턴 전사의 경우와 반대이기 때문에 근접효과를 줄이기 위하여 자동 근접 보정을 이용할 수 있다. 자동 근접보정은 노광기구를 갖춘 전자-빔 발생 1X (크기 축소가 없음) 레티클을 이용하여 이루어지며, 근접효과를 효과적으로 제거한다. 그러나 비축소방법과 비교하여 축소노광방법을 이용하는 것이 더 많은 장점이 있다. 그중 가장 중요한 장점은 임계 치수가 감소할때 마스크 공급자들은 작은 마스크보다 에러가 날 확률이 작은 큰 마스크를 생산할 수있다는 것이다. 또한 축소노광방법에서 마스크의 치수여유도는 노광시 그 축소량만큼 줄어들게 된다. 줄어든 치수여유도로 인해 소자의 분량 가능성이 작기 때문에 축소노광방법은 웨이퍼의 생산성을 증가시킨다. 결과적으로 오늘날 많은 IC 제소자들은 1X 비축소방법은 대부분 응용에 있어서 바람직하지 않기 때문에 실용적이 못되며, 축소방법을 이용하여 웨이퍼를 생산히게 된다. 더구나 자동 근겁 보정은 제한된 경우에만 유익하다.
지금 필요한 것은 근접효과를 해결할 수 있는 더 간단하고 처리공정에는 덜 의존하는 방법을 제공하는 것이다. 앞으로 알 수 있겠지만 본 발명은 고립된 형상의 에지 강도 기울기(edge intensity gradients)를 밀집된 형상의 에지 강도 기울기와 매칭시키는 방식으로 마스크 패턴을 변화시킴으로써 근접효과를 최소화시킨다. 일단 모든 형상이 서로 유사한 에지 강도 기울기를 가질 경우, 패턴 전사는 더욱 일정해지며, 근접 효과란 문제는 사실상 없어진다.
[발명의 개요]
반도체 리소그래피 공정에서 패턴전사시 근접효과를 줄이기 위한 개량된 점이설명된다. 근접효과로 인해 마스크 패턴중 특정 형상의 패턴 전사는 그 마스크상의 다른 형상과의 근접정도에 의존한다. 예컨대, 마스크상에서 동일한 치수를 갖지만 다른 형상에 대해서는 그 근접정도가 다른 라인들은 전사 및 현상을 통해 반도체에 옮겨진 후에는 그 치수가 같지 않다. 이러한 근접효과의 원인은 패턴의 에지에서 강도의 기울기가 이웃한 형상의 에지의 강도의 기울기와 상호작용하기 때문니다. 이러한 상호작용은 결과적으로 패턴의 현상작용에 영향을 준다.
본 발명에 따르면, 강도 기울기 조절 바(intensity gradient leveling bars)라 불리는 얇은 라인을 마스크 패턴에 추가함으로 근접효과를 줄이고 있다. 이 조절 바는 마스크 패턴내의 고립된 에지의 에지 강도 기울기를 밀집된 에지의 에지 강도 기울기와 매칭시 키는 기능을 한다. 결과적으로 고립된 에지 기울기를 밀집된 에지 기울기에 매칭시킴으로써 패턴 전사의 일관성을 향상시킨다. 조절 바는 고립된 에지와 평행하게 위치 함으로써 강도 기울기의 조절이 마스크 패턴의 모든 고립된 에지상에서 발생한다.
또한 이 조절 바는 노광기구의 분해능보다 훨씬 작은 폭을 갖도록 설계되어 있다. 따라서 마스크 패턴내에 존재하는 조절 바에 따른 레지스트 패턴은 포토레지스트의 노광시 통상의 노광 에너지를 이용할 경우 완전히 현상되어 없어진다. 바람직한 실시예에서 현상후 이 조절 바의 패턴이 남지 않도록 하기 위한 통상의 노광 에너지(En)는 0.5 미크론의 분해능 형상을 형성하기 위해 Novalak에 생산한 포지티브 레지스트 처리 공정에서 ASM-L 5500/60 광학 스텝퍼 시스템을 이용할 경우 대략 150 mJ이다. 조절 바는 CAD 소프트웨어 알고리즘에 의해 레이아웃 설계시 자동적으로 이식되기 때문에, 본 발명에서 근접효과의 해결방법은 회로 또는 레이나웃 설계 엔지니어에는 의존하지 않는다.
본 발명의 바람직한 실시예에서 조절 바의 폭은 회로 설계의 임계 치수의 1/5이다. 임계 치수는 통상 리소그래피 공정시에 이용되는 노광기구의 분해능 값과 거의 같다. 최적의 에지 강도 기울기 조절을 위해서는 이 조절 바는 클리어 필드 마스크의 소정 에지에서 임계 치수값의 1.1배인 거리에 위치해 있다. 만약 다크 필드 마스크를 이용할 경우 조절 바는 임계 공간 치수와 같은 거리에 위치하는 것이 바람직하다. 따라서, 조절 바의 위치 및 폭이 임계 치수 값에 의해 결정되기 때문에 본 발명은 근접효과에 있어 공정에는 의존하지 않는 해결책을 제공한다.
본 발명은 광학 리소그래피, 레이저를 이용한 딥-UV 리소그래피, 레이저를 이용하지 않은 딥-UV 리소그래피, X-레이 리소그래피, 그리고 파티클 빔을 이용한 리소그래피와 같은 모든 형태의 포토리소그래피 처리공정에 응용알 수 있다.
[상세한 설명]
근접효과로 인한 패턴 전사의 불일치성을 대체로 감소시킨 개량된 마스크가 개시된다. 아래의 설명에서는 본 발명의 완벽한 이해를 돕기 위해 특정재료, 라인 폭 치수 등과 같은 여러 상황들이 자세히 언급된다. 그러나, 본 기술분야의 당업자에게 있어서는 이러한 상세한 설명 없이도 본 발명을 실시할 수 있는 것은 명백하다. 한편, 잘 알려진 공지의 처리공정은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 하기 위해 상세히 설명하지는 않았다.
제1도는 고립된 형상과 밀집된 형상을 갖는 마스크 테스트 패턴을 도시하고 있다. 모든 라인(24-29) 은 그 폭이 (1.5 미크론이다. 밀집된 라인(25-29) 은 14로 도시되는 간격, 0.5 미크론 만큼 떨어져 있다. 고립된 라인(24)과 밀집된 라인중 어느 한 라인간의 거리는 15로 도시되는데, 적어도 2 미크론 만큼 떨어져 있다. 라인(24)은 두개의 고립된 에지(24A) 를 가지며, 라인(25, 29)은 각각 고립된 에지(25A, 29A)를 갖는다. 근접효과가 없는 경우 고립된 라인(24)은 밀집된 라인(25-29) 과 동일하게 전사될것이다.
그러나 제2도는 라인(24-29) 이 최종적으로는 동일한 레지스트 라인 폭을 갖지 않음을 보여주고 있다.
제2도는 노광 에너지에 대해서 밀집된 라인(27)과 고립된 라인(24)에 대한 최종적인 레지스트 라인 폭을 도시하고 있다. 제2도에서 직선 20은 모든 노광 에너지에 대해서 두 라인(24, 27) 모두에 대해 0.5 미크론을 갖는 원래 마스크상의 치수를 표시한다. 따라서, 제2도는 고립된 라인(24)과 밀집된 라인(27)이 동일한 라인폭에서 시작하도록설계되었지만 그 최종 라인 폭은 매치되지 못함을 보여주고 있다. 선 21과 22로 표시되는 바와 같이 밀집된 라인(27)에 대한 최종 레지스트 라링폭은 고립된 라인(24)의 라인 폭보다 일률적으로 작음을 보여준다. 이것은 넓은 범위의 노광 에너지에 걸쳐 마찬가지다.
근겁효과가 에지 강도 기울기들의 상호작용에 내재되기 때문에 전사된 형상에서 근접 효과를 설명하기 위한 또다른 방법은 노광시 고립된 라인과 밀집된 라인의 에지강도 기울기를 비교하는 것이다. 제3도는 제1도의 테스트 패턴에 있어 고립된 에지(24A) 와 밀집된 에지(27B)의 상대적인 에지 강도 기울기를 도시하고 있다. 고립된 라인에 대한 에지 강도 곡선의 기울기는 3, 4이고, 밀집된 라인에 대한 기울기는 3.8이다. 따라서 밀집된 라인이 고럽된 라인 보다 더 가파른 에지 기울기를 나타내고 이것은 결과적으로 제2도에 도시되는 바와 같이 최종적인 라인 폭에 영향을 준다.
본 발명은 고립된 형상과 밀집된 형상의 에지 기울기를 매칭시킴으로써 근접효과에 따른 문제점을 다루고 있다. 이것은 에지 강도 조절 바라고 불리우는 얇은 라인을 고립된 라인의 에지에 근접해서 통상의 마스크 패턴에 추가함으로써 행해진다. 클리어 필드 마스크 패턴에 있어서 조절 바가 크기가 조절될 형상의 에지로부터 떨어져 있는 최적의 거리는 밀집된 형상들 사이에 얻어지는 최소 간격 (즉 임계치수)의 1.1배이다.
여기서 클리어 필드 마스크란 투명한 바탕위에 현저히 어두운 패턴을 갖는 마스크를 일컫는다 (제8A도 참조):
조절 바의 최적 거리 =1.1 x 임계 치수 (클리어 필드 마스크의 경우).
다크 필드 마스크에 있어서 조절 바는 최저의 개구 폭의 거리만큼 떨어져서 위치하는 것이 바람직하다. 한편 다크 필드 마스크란 불투명한 바탕 위에 현저히 투명한 개구 패턴을 갖는 마스크를 일컫는다 (제8b도 참조):
조절 바의 최적 거리 = 임계 치수 (다크 필드 마스크의 경우).
클리어 및 디크 필드 마스크에서 조절 바의 폭은 대략 임계 치수의 1/5이다:
조절 바의 폭 = (임계 치수)/5.
공정에 의존하는 종래의 근접효과의 해결책과는 달리 본 발명은 설계될 회로에 대한 임계 치수 값에 의존하는 근접효과 해결방법을 제공함으로써 공정과는 무관하다. 따라서 본 발명은 0.4 미크론의 설계 규칙을 손쉽게 맞출 수 있다. 제4도는 0.4 및 0.5미크론의 임계 치수 설계 규칙에 있어서 강도 조절 바의 계산된 치수 및 거리를 보여주고 있다.
본 발명의 주 개념은 패턴의 전사시 에지 강도 기울기를 조절함으로써 근접효과를 줄이는 것이다. 따라서 제4도에 주어진 조절 바의 폭과 긴격의 특정 값을 본 발명을 실시하기 위해서 채택할 필요는 없다. 단지 이러한 특정 값은 본 발명을 이루는데 있어서 최적의 조건을 제공하고 있다.
제5a도는 본 발명에서 개시되는 조절 바를 갖춘 마스크 테스트 패턴을 보여주고 있다. 라인(30-34) 은 모두 0.5 미크론의 간격과 0.5미크론의 폭을 갖도록 설계된다. 라인(32)에 대해서 3개의 에지 조건이 주어지도록 설계된다. 32a로 표시된 라인(32)의 구역은 고립된 비조절 에지(unleveled isolated edge)를, 구역 32b는 밀집된 에지(densely packed edge)를, 그리고 구역 32C는 두 개의 강도 조절 바(35, 36)를 갖는 고립된 에지(isolated edge)를 각각 표시한다.
제5b 내지 5b도에는 제5a도의 테스트 패턴에 도시된 각각의 에지 조건, 즉 32A, 32B, 및 32C에 대해서 에지 강도 기울기를 도시하고 있다. 고립된 비조절 에지 32A에 대한 에지 강도의 기울기는 3.4이다. 반면에, 밀집된 에지 32B와 조절된 에지 32C에 대한 에지 강도의 기울기는 각각 3.8 및 3.7로써 거의 같다. 따라서, 에지 강도 조절 바는 고립된 에지와 밀집된 에지에 대해서 에지 강도 기울기를 매칭시킬 수 있다. 일단 에지 강도 기울기가 매칭되고 나면 밀집된 형상과 고립된 형상에 대한 패턴 전사의 통일성이 크게 향상된다.
제6b도 및 제6c도에는 에지 강도의 매칭에 따른 효과가 도시되고 있다.
제6b도는 제6a테스트 패턴에서 고립된 라인(37), 밀집된 라인(39), 그리고 조절된 라인(41)에 대한 레지스트 라인 폭과 레지스트 벽의 각도의 측정값을 보여주고 있다. 레지스트 라인은 하나의 치수를 갖는 형상이 아니므로 제6a도의 3개 조건에 대해서 라인 폭간의 통일성을 결정함에 있어서 레지스트 벽의 각도를 고려하는 것이 중요하다.
따라서 라인 폭과 벽의 각도를 결정하기 위해서는 제d도를 참조하는 것이 필요하다. 제6d도는 레지스트 라인의 단면을 보여주고 있다. 라인 폭의 측정시 일관성을 유지하기 위해 제6b도에 도시된 모든 라인 폭의 측정은 바닥으로부터 레지스트 라인의 총높이(61)의 20%의 높이에서 행해진다. 레지스트 벽의 각도는 패턴 에지에서 레지스트 라인의 총 높이(61)의 20% 내지 80%에서 외삽해서 측정된다.
제6c도에서 밀집된 라인(39)의 라인 폭을 고립된 비조절 라인(37)과 강도 조절 라인(41)을 비교할 때 에지 강도 조절이 향상되었음을 더 잘 알 수 있다. 이러한 비교는 밀집된 라인(39)의 라인 폭 값과 각각의 고립된 라인(37)과 강도 조절라인(41)의 라인 폭 값간의 임계값 차이를 비교함으로써 얻을 수 있다:
델타 = [(라인(39)의 라인폭) - (라인(37 또는 41)의 라인폭]의 임계 값
상기와 같은 뺄셈으로 밀집된 라인과 고립된 라인간의 델타 값과 밀집된 라인과 강도 조절 라인간의 델타 값을 얻을 수 있다. 델타 값이 작으면 작을 수록 더 정확한 라인폭의 매칭을 이룰 수 있다. 따라서 델타값이 영이란 것은 라인 폭 값의 차이가 없다는, 즉 완벽한 매칭을 의미한다. 델타 값이 크면 클 수록 라인 폭의 값들 사이에는 더 큰 불일치가 있음을 의미한다. 제6c도는 밀집된 라인(39)과 조절된 라인(41)간의 델타 값이 라인(39)과 고립된 비조절 라인(37)간의 델타 값보다 일률적으로 작음을 보여준다. 또한 110mJ 내지 210mJ의 노광 에너지 범위에 걸처 평균 델타 값이 밀집된 라인과 조절된 라인의 경우에 더 작은 것을 볼 수 있다. 이 제6c도로부터 강도 조절 라인(41)은 비조절 라인 폭값과 비교할 때 밀집된 라인(39)의 라인 폭 값에 훨씬 더 접근한 라인폭값을 가짐을 알 수 있다. 다시 말해 에지 강도 조절 바를 이용함으로써 고립된 라인의 최종적인 레지스트 라인폭은 밀집된 라인의 최종 라인 폭과 아주 가깝게 매칭되게 된다. 반면에 에지 강도의 조절없는 고립된 라인의 최종 레지스트 라인 폭은 매칭될수없다
회로의 레이아웃 설계와 레지스트 패턴에 라인을 추가하는 것은 바람직하지 않기 때문에 본 발명은 조절 바가 패턴 전사 조건하에서 결코 패턴으로는 형성되지 않는다는것을 보장한다. 즉 이것은 통상의 노광 에너지(En)가 가해질 때 조절 바의 레지스트패턴은 완벽하게 현상되어 떨어져 나가게 된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서 그 통상의 노광 에너지는 150mJ이다.
제7b도는 제7a도의 테스트 패턴에 있어서 여러 노광 에너지에 따른 그 레지스트의 단면을 도시하고 있다. 테스트 패턴(7A)은 3개의 에지 조건, 즉 고립된, 밀집된, 그리고 조절된 조건을 나타내도록 설계된다. 제7a도에서, 라인(43)은 고립된 에지(43A) 와 밀집된 에지(43B) 를 가지며, 라인(44)은 밀집된 에지(44B) 와 조절된 에지(44C) 를 갖는다. 에지(44C) 는 조절 바(45)에 의해 조절된다. 제7b도의 단면에 대한 노광 에너지 준위는 70mJ이다. 점 A와 점 B간의 힐(hill)은 라인(43)의 레지스트 단면이며, 점 B와 점 C간의 힐은 라인(44)의 레지스트 단면이며, 점 C와 점 D간의 힐은 조절 바(45)의 레지스트 단면이다. 따라서, 단면(46)은 조절바가 70mJ의 노광 에너지에서 계속해서 레지스트 패턴으로 현상됨을 보여준다· 이것은 예상할 수 있는 것인데, 왜냐하면 70mJ의 노광 에너지는 조절 바를 제거하기 위해 제안되는 통상의 노광 에너지보다 훨씬 작기 때문이다.
단면(50)은 통상의 150mJ의 노광 에너지에서 제7a도에 도시되는 패턴의 레지스트 단면이다. 도시되는 바와 같이 점 A와 점 B 그리고 점 C와 점 D간에는 라인(43)과 라인(44)의 단면이 도시되고 있다. 그러나, 조절 바(45)의 흔적은 아무데도 없다. 따라서 이 조절 바는 에지 강도 조절에 있어 효과적이며 최종적인 레지스트 패턴과는 서로 간섭하지 않는다.
라인 폭의 임계 치수가 IC 설계에 있어서 중요한 점인 것을 고려할 때 근접효과를 해결하려는 지금까지의 대부분의 방법은 라인 폭의 통일성을 향상시키는 것에 관한 것이었다. 그러나, 또한 근접효과는 라인 길이를 변화시키고 코너를 둥글게 하는 원인이 된다. 따라서, 본 발명의 또다른 장점은 고립된 모든 패턴 에지를 조절 바로써 완전히 감쌀 수 있으므로 이 조절 바는 모든 패턴 형상의 에지를 강도 조절할 경우 유용하다는 점이다. 제8a 및 제8b도는 클리어 및 다크 필드 마스크에 있어 본 발명의 여러 실시예를 도시한다. 제8a도에서 형상 세트(51)는 조절 바가 고립된 모든 에지를 감싸는 밀집된 라인(52)의 무리를 표시한다. 조절 바(53)는 형상 세트(51)의 모든 고립된 에지를 감싸고 있다. 형상 세트(51)에서 모든 라인 에지가 고립되어 있지 않기 때문에 모든 라인 에지를 조절할 필요는 없다. 형상(54)의 에지는 모두 고립되어 있으며, 조절바(55)가 라인(55)을 완전히 감싸고 있다. 형상 세트(57)는 고립된 두 라인 사이에 위치하여 양 라인 모두를 동시에 조절하는 조절 바의 예를 보여주고 있다. 두 라인(58)은 조절 바에 대한 거리가 서로 일치되도록 배치되어 있다. 따라서 라인(59)은 두 라인(58)을 조절하는 역할을 한다. 조절 바(60)는 라인(50)의 고립된 에지를 감싸고 있다. 마지막으로 형상(60)은 조절 바가 세리프(serlf)와 같은 다른 형상 보정 패턴과 어떻게 연관되어 이용되는가를 보여구는 한 예이다. 세리프(61)는 패턴 전사시 코너가 둥글게 되는 것을 줄이기 위해 통상 이용된다. 조절 바(62)는 형상(60)과 세리프(61) 모두를 감싸고 있다.
제8b도는 다크 필드 마스크가 이용될 경우 조절 바의 위치를 도시하고 있다.
본 발명은 반도체 포토리소그래피에 이용되지만 다른 포토리소그래피 처리공성에도 응용될 수있다.
이와 같이, 본 발명은 회로 설계의 임계 치수에만 오직 의존하면서 근접효과를 간단히 줄이는 방법을 제공하고 있다.

Claims (18)

  1. 마스크로부터 반도체 기판으로 집적회로(IC)에 대응하며 하나 이상의 에지를 갖는 하나 이상의 형상을 포함하는 리소그래피 패턴을 광학적으로 전사하는 마스크에 있어서, 상기 하나 이상의 에지에 대응하며, 상기 하나 이상의 에지로부터 소정 거리만큼 떨어져서 상기 마스크상에 위치하고, 상기 하나이상의 에지의 에지 강도 기울기를 조절하는 하나이상의 추가 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나이상의 추가 라인은 상기 반도체 기판상에 전사되지 않도록 하는 폭을 갖는 것을 특징으로 히는 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 하나이상의 형상은 소정의 최소 치수를 가지며, 상기 추가 라인의 폭은 이 최소 치수의 1/2 보다 작은 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 추가 라인의 폭은 상기 최소 치수의 1/5 범위내인 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 추가라인이 상기 에지로부터 떨어진 소정 거리는 상기 최소 치수와 동일한 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 제4항에 있어서, 상기 추가라인이 상기 에지로부터 떨어진 소정 거리는 상기 최소치수의 1.1배인 것을 특징으로 하는 마스크.
  7. 마스크로부터 반도체기판으로 집적회로에 대응하는 리소그래피 패턴을 광학적으로 전사하는 마스크로서, 상기 패턴은 각기 관련 에지들을 구비하는 형상들을 포함하고, 상기 에지들의 제1 부분은 광학적 회절에 의해 패턴의존 변화가 일어나도록 다른 에지에 매우 가깝게 근접해 있고, 상기 에지들의 제2 부분은 상기 형상들의 다른 에지와 멀리 떨어져서 위치하는 마스크에 있어서, 상기 제2 부분의 에지들중 하나에 대응하며, 상기 제2부분의 에지들중 하나로부터 소정 거리만큼 떨어져서 상기 마스크 상에 위치하고, 상기 에지의 상기 제2 부분의 에지 강도 기울기를 조절하여 상기 에지의 상기 제1 부분의 에지 강도 기울기에 매칭시키는 다수의 추가라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 추가 라인들은 상기 반도체 기판상에 전사되지 않도록 하는 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 형상들은 소정의 최소 치수를 가지며, 상기 추가라인들의 폭은 이 최소치수의 1/2 보다 작은 것을 특징으로 하는 마스크.
  10. 제9항에 있어서, 상기 추가 라인들의 폭은 상기 최소 치수의 1/5 범위내인 것을 특징으로 하는 마스크.
  11. *제10항에 있어서, 상기 추가라인들이 상기 관련 에지로부터 떨어진 소정거리는 상기 최소 치수와 동일한 범위내인 것을 특징으로 하는 마스크.
  12. 제10항에 있어서, 상기 추가라인들이 상기 관련 에지로부터 떨어진 소정거리는 상기 최소 치수의 1.1배 범위내인 것을 특징으로 하는 마스크.
  13. 하나의 표면상에 마스크로부터 패턴을 리소그래피식으로 전사하는 마스크로서, 상기 패턴은 각기 관련 에지들을 구비하는 형상들을 포함하고, 상기 에지들의 제1부분은 광학적 회절에 의해 패턴의존변화가 일어나도록 다른 에지에 매우 가깝게 근접해 있고, 상기 에지들의 제2 부분은 상기 형상들의 다른 에지와 멀리 떨어져서 위치하는 마스크에 있어서, 상기 제2 부분의 에지들중 하나에 대응하며, 상기 제2부분의 에지들중 하나로부터 소정 거리만큼 떨어져서 상기 마스크상에 위치하고, 제2 부분의 에지 강도 기울기를 조절하여 상기 에지의 상기 제1 부분의 에지 강도 기울기에 매칭시키는 다수의 추가 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  14. 제13항에 있어서, 상기 추가라인들은 상기 표면상에 전사되지 않도록 하는 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  15. 제14항에 있어서, 상기 형상들은 소정의 최소 치수를 가지며, 추가라인들의 폭은 이 최소 치수의 1/2 보다 작은 것을 특징으로 하는 마스크.
  16. 제15항에 있어서, 상기 추가라인의 폭은 상기 최소 치수의 1/5 범위내인 것을 특징으로 하는 마스크.
  17. 제16항에 있어서, 상기 추가라인들이 상기 관련 에지로부터 떨어진 소정거리는 상기 최소 치수와 동일한 것을 특징으로 하는 마스크.
  18. 제16항에 있어서, 상기 추가라인들이 상기 관련 에지로부터 떨어진 소정거리는 상기 최소 치수의 1.1배인 것을 특징으로 하는 마스크.
KR1019940702338A 1992-01-16 1993-01-15 개량된 포토리소그래피용 마스크 KR100216143B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US821,793 1992-01-16
US821.793 1992-01-16
US07/821,793 US5242770A (en) 1992-01-16 1992-01-16 Mask for photolithography
PCT/US1993/000456 WO1993014445A1 (en) 1992-01-16 1993-01-15 Improved mask for photolithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940704016A KR940704016A (ko) 1994-12-12
KR100216143B1 true KR100216143B1 (ko) 1999-08-16

Family

ID=25234329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940702338A KR100216143B1 (ko) 1992-01-16 1993-01-15 개량된 포토리소그래피용 마스크

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5242770A (ko)
EP (1) EP0620931B1 (ko)
JP (1) JP3009923B2 (ko)
KR (1) KR100216143B1 (ko)
AT (1) ATE178998T1 (ko)
AU (1) AU3478793A (ko)
CA (1) CA2124077A1 (ko)
DE (1) DE69324473T2 (ko)
WO (1) WO1993014445A1 (ko)

Families Citing this family (199)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6109775A (en) * 1991-07-19 2000-08-29 Lsi Logic Corporation Method for adjusting the density of lines and contact openings across a substrate region for improving the chemical-mechanical polishing of a thin-film later disposed thereon
US5379233A (en) * 1991-07-19 1995-01-03 Lsi Logic Corporation Method and structure for improving patterning design for processing
DE69233134T2 (de) * 1991-08-22 2004-04-15 Nikon Corp. Reproduktionsverfahren mit hoher Auflösung unter Verwendung eines dem Verfahren angepassten Maskenmusters
JP3194155B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JP3210123B2 (ja) * 1992-03-27 2001-09-17 キヤノン株式会社 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
US7073187B1 (en) 1992-12-09 2006-07-04 Sedna Patent Services, Llc Menu-driven television program access system and method
US5667918A (en) * 1993-09-27 1997-09-16 Micron Technology, Inc. Method of lithography using reticle pattern blinders
US7865567B1 (en) 1993-12-02 2011-01-04 Discovery Patent Holdings, Llc Virtual on-demand electronic book
US5447810A (en) * 1994-02-09 1995-09-05 Microunity Systems Engineering, Inc. Masks for improved lithographic patterning for off-axis illumination lithography
KR0171919B1 (ko) * 1994-03-11 1999-03-30 김영환 노광마스크
IT1271298B (it) * 1994-12-20 1997-05-27 Alcatel Italia Processo fotolitografico per contatto per la realizzazione di linee metalliche su un substrato
CN1060185C (zh) * 1995-02-21 2001-01-03 Basf公司 低端羧基含量的热塑性聚酯的制备
US5682323A (en) 1995-03-06 1997-10-28 Lsi Logic Corporation System and method for performing optical proximity correction on macrocell libraries
KR0172558B1 (ko) * 1995-03-22 1999-03-20 김주용 노광 마스크의 제조방법
US5657235A (en) * 1995-05-03 1997-08-12 International Business Machines Corporation Continuous scale optical proximity correction by mask maker dose modulation
US5663893A (en) * 1995-05-03 1997-09-02 Microunity Systems Engineering, Inc. Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern
US5712613A (en) * 1995-05-05 1998-01-27 Mcdonnell Douglas Corporation Computer-aided method for producing resistive tapers and resistive taper produced thereby
KR0160924B1 (ko) * 1995-06-30 1998-12-15 김주용 노광 마스크
KR0161437B1 (ko) * 1995-09-19 1999-02-01 김광호 반도체장치의 미세패턴 형성방법
US5631112A (en) * 1995-11-16 1997-05-20 Vanguard International Semiconductor Corporation Multiple exposure method for photo-exposing photosensitive layers upon high step height topography substrate layers
US5866913A (en) * 1995-12-19 1999-02-02 International Business Machines Corporation Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography
US5707765A (en) * 1996-05-28 1998-01-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Photolithography mask using serifs and method thereof
US5740068A (en) * 1996-05-30 1998-04-14 International Business Machines Corporation Fidelity enhancement of lithographic and reactive-ion-etched images by optical proximity correction
KR100229611B1 (ko) 1996-06-12 1999-11-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법
KR0172801B1 (ko) * 1996-06-24 1999-03-20 김주용 공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법
US6228539B1 (en) 1996-09-18 2001-05-08 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5821014A (en) * 1997-02-28 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask
US5920487A (en) * 1997-03-03 1999-07-06 Motorola Inc. Two dimensional lithographic proximity correction using DRC shape functions
US5900340A (en) * 1997-03-03 1999-05-04 Motorola, Inc. One dimensional lithographic proximity correction using DRC shape functions
US5827625A (en) * 1997-08-18 1998-10-27 Motorola, Inc. Methods of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith
US6453452B1 (en) 1997-12-12 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description
US6578188B1 (en) 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US7617474B2 (en) * 1997-09-17 2009-11-10 Synopsys, Inc. System and method for providing defect printability analysis of photolithographic masks with job-based automation
US6370679B1 (en) 1997-09-17 2002-04-09 Numerical Technologies, Inc. Data hierarchy layout correction and verification method and apparatus
JP3085259B2 (ja) * 1997-09-17 2000-09-04 日本電気株式会社 露光パターン及びその発生方法
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US7093229B2 (en) * 1997-09-17 2006-08-15 Synopsys, Inc. System and method for providing defect printability analysis of photolithographic masks with job-based automation
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US5958635A (en) * 1997-10-20 1999-09-28 Motorola, Inc. Lithographic proximity correction through subset feature modification
US6114071A (en) * 1997-11-24 2000-09-05 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of fine feature edge tuning with optically-halftoned mask
US6081658A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Avant! Corporation Proximity correction system for wafer lithography
US6312854B1 (en) 1998-03-17 2001-11-06 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of patterning sub-0.25 lambda line features with high transmission, “attenuated” phase shift masks
US6218089B1 (en) 1998-05-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Photolithographic method
US6120952A (en) 1998-10-01 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Methods of reducing proximity effects in lithographic processes
US6214494B1 (en) 1998-10-07 2001-04-10 International Business Machines Corporation Serif mask design methodology based on enhancing high spatial frequency contribution for improved printability
US6171739B1 (en) * 1998-12-04 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method of determining focus and coma of a lens at various locations in an imaging field
US6249904B1 (en) 1999-04-30 2001-06-19 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for submicron IC design using edge fragment tagging to correct edge placement distortion
US6467076B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-15 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for submicron IC design
US6458493B2 (en) 1999-06-04 2002-10-01 International Business Machines Corporation Method to control nested to isolated line printing
JP3371852B2 (ja) 1999-07-09 2003-01-27 日本電気株式会社 レチクル
US6421820B1 (en) 1999-12-13 2002-07-16 Infineon Technologies Ag Semiconductor device fabrication using a photomask with assist features
US6338921B1 (en) 2000-01-07 2002-01-15 International Business Machines Corporation Mask with linewidth compensation and method of making same
US6596466B1 (en) 2000-01-25 2003-07-22 Cypress Semiconductor Corporation Contact structure and method of forming a contact structure
JP4590146B2 (ja) * 2000-02-14 2010-12-01 エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． フォトマスクの幾何形状を改良する方法
US6584609B1 (en) 2000-02-28 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction
US6544694B2 (en) 2000-03-03 2003-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device by means of a mask phase-shifting mask for use in said method
US6548224B1 (en) * 2000-03-07 2003-04-15 Kulicke & Soffa Holdings, Inc. Wiring substrate features having controlled sidewall profiles
US6376131B1 (en) 2000-04-04 2002-04-23 Xilinx, Inc. Methods and structures for protecting reticles from ESD failure
US6571383B1 (en) 2000-04-28 2003-05-27 Infineon Technologies, Ag Semiconductor device fabrication using a photomask designed using modeling and empirical testing
US6335130B1 (en) 2000-05-01 2002-01-01 Asml Masktools Netherlands B.V. System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features
TW512424B (en) * 2000-05-01 2002-12-01 Asml Masktools Bv Hybrid phase-shift mask
US6465139B1 (en) * 2000-06-05 2002-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask pattern for defining a floating gate region
KR100428884B1 (ko) 2000-06-13 2004-04-28 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 가변치수를 갖는 세리프를 이용하는 광근접 보정방법
US6383691B1 (en) * 2000-06-26 2002-05-07 Infineon Technologies Ag Photomask and method for increasing image aspect ratio while relaxing mask fabrication requirements
US6541165B1 (en) 2000-07-05 2003-04-01 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask sub-resolution assist features
US6777141B2 (en) 2000-07-05 2004-08-17 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces
US6523162B1 (en) 2000-08-02 2003-02-18 Numerical Technologies, Inc. General purpose shape-based layout processing scheme for IC layout modifications
DE10038928A1 (de) * 2000-08-09 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Photolithographische Maske
JP2002075815A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Sony Corp パターン検査装置及びこれを用いた露光装置制御システム
JP4646367B2 (ja) * 2000-08-25 2011-03-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
TW447082B (en) * 2000-09-07 2001-07-21 United Microelectronics Corp Method for increasing the line width window in a semiconductor process
US6815129B1 (en) 2000-09-26 2004-11-09 Euv Llc Compensation of flare-induced CD changes EUVL
US6792590B1 (en) * 2000-09-29 2004-09-14 Numerical Technologies, Inc. Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6625801B1 (en) 2000-09-29 2003-09-23 Numerical Technologies, Inc. Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects
US6539521B1 (en) 2000-09-29 2003-03-25 Numerical Technologies, Inc. Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6453457B1 (en) 2000-09-29 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout
US6451490B1 (en) 2000-11-08 2002-09-17 International Business Machines Corporation Method to overcome image shortening by use of sub-resolution reticle features
US6665856B1 (en) 2000-12-01 2003-12-16 Numerical Technologies, Inc. Displacing edge segments on a fabrication layout based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects
US6596444B2 (en) 2000-12-15 2003-07-22 Dupont Photomasks, Inc. Photomask and method for correcting feature size errors on the same
US6653026B2 (en) 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US6602728B1 (en) 2001-01-05 2003-08-05 International Business Machines Corporation Method for generating a proximity model based on proximity rules
US6553559B2 (en) 2001-01-05 2003-04-22 International Business Machines Corporation Method to determine optical proximity correction and assist feature rules which account for variations in mask dimensions
US6541166B2 (en) 2001-01-18 2003-04-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus for lithographically printing tightly nested and isolated device features using multiple mask exposures
JP3799286B2 (ja) * 2001-02-27 2006-07-19 エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法
US6792591B2 (en) 2001-02-28 2004-09-14 Asml Masktools B.V. Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs
US6881523B2 (en) 2001-03-14 2005-04-19 Asml Masktools B.V. Optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features
KR100618811B1 (ko) 2001-03-20 2006-08-31 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
KR100599054B1 (ko) 2001-04-11 2006-07-12 삼성전자주식회사 투과량 조절 마스크 및 그 제조방법
US7735052B2 (en) * 2001-04-24 2010-06-08 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs
US6789237B1 (en) * 2001-05-11 2004-09-07 Northwestern University Efficient model order reduction via multi-point moment matching
DE10127547C1 (de) * 2001-06-05 2003-03-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Durchführung einer regelbasierten OPC bei gleichzeitigem Einsatz von Scatterbars
US6803155B2 (en) * 2001-07-31 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Microlithographic device, microlithographic assist features, system for forming contacts and other structures, and method of determining mask patterns
DE10141485A1 (de) * 2001-08-23 2003-03-13 Infineon Technologies Ag Maske zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
EP1421445B1 (de) 2001-08-31 2013-10-09 Qimonda AG i.IN. Photolithographische maske
DE10203358A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Photolithographische Maske
DE10143723B4 (de) 2001-08-31 2006-09-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Optimierung eines Layouts für eine Maske zur Verwendung bei der Halbleiterherstellung
US6684382B2 (en) 2001-08-31 2004-01-27 Numerical Technologies, Inc. Microloading effect correction
US6670082B2 (en) * 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
DE10164306B4 (de) * 2001-12-28 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Doppelbelichtung mit abbildenden Hilfstrukturen und verschiedenen Belichtungstools
US7233887B2 (en) * 2002-01-18 2007-06-19 Smith Bruce W Method of photomask correction and its optimization using localized frequency analysis
US6670646B2 (en) 2002-02-11 2003-12-30 Infineon Technologies Ag Mask and method for patterning a semiconductor wafer
US6929887B1 (en) 2002-04-18 2005-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Printable assist lines and the removal of such
US7252909B2 (en) * 2002-04-18 2007-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method to reduce CD non-uniformity in IC manufacturing
DE10221648B4 (de) * 2002-05-15 2007-11-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung eines Maskensatzes für die Lithografie umfassend zumindest eine Maske sowie Verfahren zur Abbildung von Strukturen eines vorgegebenen Layouts in eine gemeinsame Belichtungsebene
US6800403B2 (en) * 2002-06-18 2004-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Techniques to characterize iso-dense effects for microdevice manufacture
DE10228546B4 (de) * 2002-06-26 2006-08-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Lithographiemaske
JP4225745B2 (ja) * 2002-07-23 2009-02-18 株式会社ルネサステクノロジ パターン転写用フォトマスクのパターンレイアウト方法および半導体装置の製造方法
DE10240403A1 (de) * 2002-09-02 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Maske zur Projektion eines Stukturmusters auf ein Halbleitersubstrat
US20040058550A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Infineon Technologies North America Corp. Dummy patterns for reducing proximity effects and method of using same
US7172838B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-06 Wilhelm Maurer Chromeless phase mask layout generation
US7141338B2 (en) * 2002-11-12 2006-11-28 Infineon Technologies Ag Sub-resolution sized assist features
SG139530A1 (en) * 2003-01-14 2008-02-29 Asml Masktools Bv Method of optical proximity correction design for contact hole mask
KR100519795B1 (ko) * 2003-02-07 2005-10-10 삼성전자주식회사 다층배선 형성을 위한 포토마스크 세트 및 이를 사용하여제조된 반도체장치
US7001693B2 (en) * 2003-02-28 2006-02-21 International Business Machines Corporation Binary OPC for assist feature layout optimization
US6964032B2 (en) * 2003-02-28 2005-11-08 International Business Machines Corporation Pitch-based subresolution assist feature design
US6989229B2 (en) * 2003-03-27 2006-01-24 Freescale Semiconductor, Inc. Non-resolving mask tiling method for flare reduction
US7698665B2 (en) * 2003-04-06 2010-04-13 Luminescent Technologies, Inc. Systems, masks, and methods for manufacturable masks using a functional representation of polygon pattern
US7480889B2 (en) * 2003-04-06 2009-01-20 Luminescent Technologies, Inc. Optimized photomasks for photolithography
US7124394B1 (en) * 2003-04-06 2006-10-17 Luminescent Technologies, Inc. Method for time-evolving rectilinear contours representing photo masks
CN1299164C (zh) * 2003-04-08 2007-02-07 旺宏电子股份有限公司 消除密集图案与单一图案的关键尺寸偏差的方法
JP2004348118A (ja) * 2003-04-30 2004-12-09 Toshiba Corp フォトマスク及びそれを用いた露光方法、データ発生方法
JP2004354605A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体設計レイアウトパタン生成方法および図形パタン生成装置
US20040248016A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Lucas Kevin D. Method of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith
US7355673B2 (en) 2003-06-30 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
US7376930B2 (en) * 2003-06-30 2008-05-20 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for generating assist features utilizing an image field map
SG151079A1 (en) * 2003-06-30 2009-04-30 Asml Masktools Bv Improved scattering bar opc application method for sub-half wavelength lithography patterning
TWI237746B (en) * 2003-07-23 2005-08-11 Nanya Technology Corp Optical proximity correction method
US6983444B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-03 Macronix International Co., Ltd. Mask for reducing proximity effect
CN100339765C (zh) * 2003-08-18 2007-09-26 旺宏电子股份有限公司 可降低光学接近效应的光罩
US6900124B1 (en) 2003-09-03 2005-05-31 Advanced Micro Devices, Inc. Patterning for elliptical Vss contact on flash memory
US6973636B2 (en) 2003-10-17 2005-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of defining forbidden pitches for a lithography exposure tool
DE10353798A1 (de) * 2003-11-13 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
JP4229857B2 (ja) * 2004-02-26 2009-02-25 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
KR101072514B1 (ko) * 2004-04-09 2011-10-11 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 코너에서의 라운딩 및 챔퍼들을 이용한 광근접성 보정 방법
US6977715B2 (en) * 2004-05-19 2005-12-20 Nanya Technology Corp. Method for optimizing NILS of exposed lines
JP4574250B2 (ja) * 2004-06-30 2010-11-04 キヤノン株式会社 フォトマスク
US7620930B2 (en) * 2004-08-24 2009-11-17 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography
DE102004047263B4 (de) * 2004-09-24 2010-04-22 Qimonda Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
US7263684B2 (en) * 2004-12-06 2007-08-28 Texas Instruments Incorporated Correcting a mask pattern by selectively updating the positions of specific segments
DE102005002529B4 (de) * 2005-01-14 2008-12-04 Qimonda Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
DE102005002533B4 (de) * 2005-01-14 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
JP4634849B2 (ja) * 2005-04-12 2011-02-16 株式会社東芝 集積回路のパターンレイアウト、フォトマスク、半導体装置の製造方法、及びデータ作成方法
US7480891B2 (en) * 2005-04-29 2009-01-20 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus of model-based photomask synthesis
US7506300B2 (en) * 2005-04-29 2009-03-17 Cadence Design Systems, Inc. Apparatus and method for breaking up and merging polygons
JP4389222B2 (ja) * 2005-05-02 2009-12-24 エルピーダメモリ株式会社 マスクデータ作成方法
US7381654B2 (en) * 2005-05-31 2008-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Method for fabricating right-angle holes in a substrate
DE112005003638B4 (de) * 2005-07-22 2018-10-25 Fujitsu Semiconductor Ltd. Verfahren zur Erstellung von Fotomaskenstrukturdaten und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP1925020A4 (en) * 2005-09-13 2014-01-01 Luminescent Technologies Inc SYSTEMS, MASKS AND METHODS FOR PHOTOLITHOGRAPHY
US7788627B2 (en) * 2005-10-03 2010-08-31 Luminescent Technologies, Inc. Lithography verification using guard bands
US7921385B2 (en) * 2005-10-03 2011-04-05 Luminescent Technologies Inc. Mask-pattern determination using topology types
US7793253B2 (en) * 2005-10-04 2010-09-07 Luminescent Technologies, Inc. Mask-patterns including intentional breaks
US7703049B2 (en) 2005-10-06 2010-04-20 Luminescent Technologies, Inc. System, masks, and methods for photomasks optimized with approximate and accurate merit functions
US7749662B2 (en) * 2005-10-07 2010-07-06 Globalfoundries Inc. Process margin using discrete assist features
US7934184B2 (en) * 2005-11-14 2011-04-26 Takumi Technology Corporation Integrated circuit design using modified cells
JP2007219436A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Tdk Corp 露光用マスク、レジストパターンの形成方法および薄膜パターンの形成方法
US8225239B2 (en) * 2006-03-09 2012-07-17 Tela Innovations, Inc. Methods for defining and utilizing sub-resolution features in linear topology
US8658542B2 (en) 2006-03-09 2014-02-25 Tela Innovations, Inc. Coarse grid design methods and structures
US7763534B2 (en) 2007-10-26 2010-07-27 Tela Innovations, Inc. Methods, structures and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits
US8448102B2 (en) 2006-03-09 2013-05-21 Tela Innovations, Inc. Optimizing layout of irregular structures in regular layout context
US9009641B2 (en) 2006-03-09 2015-04-14 Tela Innovations, Inc. Circuits with linear finfet structures
US9035359B2 (en) 2006-03-09 2015-05-19 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including region including linear-shaped conductive structures forming gate electrodes and having electrical connection areas arranged relative to inner region between transistors of different types and associated methods
US8653857B2 (en) 2006-03-09 2014-02-18 Tela Innovations, Inc. Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic
US8541879B2 (en) 2007-12-13 2013-09-24 Tela Innovations, Inc. Super-self-aligned contacts and method for making the same
US7908578B2 (en) 2007-08-02 2011-03-15 Tela Innovations, Inc. Methods for designing semiconductor device with dynamic array section
US8225261B2 (en) 2006-03-09 2012-07-17 Tela Innovations, Inc. Methods for defining contact grid in dynamic array architecture
US9230910B2 (en) 2006-03-09 2016-01-05 Tela Innovations, Inc. Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology
US7446352B2 (en) 2006-03-09 2008-11-04 Tela Innovations, Inc. Dynamic array architecture
US8839175B2 (en) 2006-03-09 2014-09-16 Tela Innovations, Inc. Scalable meta-data objects
US7956421B2 (en) 2008-03-13 2011-06-07 Tela Innovations, Inc. Cross-coupled transistor layouts in restricted gate level layout architecture
US8245180B2 (en) 2006-03-09 2012-08-14 Tela Innovations, Inc. Methods for defining and using co-optimized nanopatterns for integrated circuit design and apparatus implementing same
US8247846B2 (en) 2006-03-09 2012-08-21 Tela Innovations, Inc. Oversized contacts and vias in semiconductor chip defined by linearly constrained topology
US9563733B2 (en) 2009-05-06 2017-02-07 Tela Innovations, Inc. Cell circuit and layout with linear finfet structures
JP2007299993A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Canon Inc 露光装置
KR100788372B1 (ko) * 2006-08-07 2008-01-02 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｏｐｃ 마스크 패턴
US7648805B2 (en) * 2006-12-06 2010-01-19 International Business Machines Corporation Masks and methods of manufacture thereof
US8286107B2 (en) 2007-02-20 2012-10-09 Tela Innovations, Inc. Methods and systems for process compensation technique acceleration
US8667443B2 (en) 2007-03-05 2014-03-04 Tela Innovations, Inc. Integrated circuit cell library for multiple patterning
US7939224B2 (en) * 2007-09-14 2011-05-10 Qimonda Ag Mask with registration marks and method of fabricating integrated circuits
US8028252B2 (en) * 2007-09-14 2011-09-27 Luminescent Technologies Inc. Technique for determining mask patterns and write patterns
US8453094B2 (en) 2008-01-31 2013-05-28 Tela Innovations, Inc. Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect
JP5529391B2 (ja) * 2008-03-21 2014-06-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスク、そのハーフトーン型位相シフトマスクを有する半導体装置の製造装置、およびそのハーフトーン型位相シフトマスクを用いた半導体装置の製造方法
US7939443B2 (en) 2008-03-27 2011-05-10 Tela Innovations, Inc. Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same
US20090258302A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sub-resolution assist feature of a photomask
KR100890409B1 (ko) * 2008-04-25 2009-03-26 주식회사 에스앤에스텍 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, 하프톤형 위상반전포토마스크 및 그의 제조방법
MY152456A (en) 2008-07-16 2014-09-30 Tela Innovations Inc Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same
US9122832B2 (en) 2008-08-01 2015-09-01 Tela Innovations, Inc. Methods for controlling microloading variation in semiconductor wafer layout and fabrication
CN101650526B (zh) * 2008-08-13 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 掩模板及其制造方法
US7910267B1 (en) 2008-12-12 2011-03-22 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing optical proximity correction for structures such as a PMR nose
KR101113326B1 (ko) * 2009-07-01 2012-03-13 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 보조패턴 형성방법
JP2011028120A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Toshiba Corp パタン作成方法、パタン作成プログラムおよび半導体デバイスの製造方法
US8661392B2 (en) 2009-10-13 2014-02-25 Tela Innovations, Inc. Methods for cell boundary encroachment and layouts implementing the Same
US8797721B2 (en) 2010-02-02 2014-08-05 Apple Inc. Portable electronic device housing with outer glass surfaces
WO2012013638A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-02 Carl Zeiss Sms Ltd. Lithographic targets for uniformity control
US9159627B2 (en) 2010-11-12 2015-10-13 Tela Innovations, Inc. Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same
JP5673947B2 (ja) * 2011-03-01 2015-02-18 大日本印刷株式会社 マスクパターンの補正方法、プログラム及び該補正方法を用いたフォトマスク
US9140976B2 (en) * 2012-09-14 2015-09-22 Macronix International Co., Ltd. Mask design with optically isolated via and proximity correction features
US9778577B2 (en) * 2013-01-23 2017-10-03 Csmc Technologies Fab2 Co., Ltd. Structure and method for testing strip width of scribing slot
CN105334694A (zh) * 2014-06-18 2016-02-17 上海华力微电子有限公司 一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法
US11099478B2 (en) * 2018-08-14 2021-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask having recessed region

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4520269A (en) * 1982-11-03 1985-05-28 International Business Machines Corporation Electron beam lithography proximity correction method
US4895780A (en) * 1987-05-13 1990-01-23 General Electric Company Adjustable windage method and mask for correction of proximity effect in submicron photolithography
EP0500456B1 (en) * 1991-02-19 1998-05-06 Fujitsu Limited Projection exposure method and an optical mask for use in projection exposure

Also Published As

Publication number Publication date
DE69324473D1 (en) 1999-05-20
US5242770A (en) 1993-09-07
AU3478793A (en) 1993-08-03
ATE178998T1 (de) 1999-04-15
EP0620931A1 (en) 1994-10-26
WO1993014445A1 (en) 1993-07-22
DE69324473T2 (de) 1999-11-25
CA2124077A1 (en) 1993-07-22
EP0620931A4 (en) 1996-05-08
JP3009923B2 (ja) 2000-02-14
EP0620931B1 (en) 1999-04-14
JPH07503554A (ja) 1995-04-13
KR940704016A (ko) 1994-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100216143B1 (ko) 개량된 포토리소그래피용 마스크
US5994009A (en) Interlayer method utilizing CAD for process-induced proximity effect correction
US5994002A (en) Photo mask and pattern forming method
US5885735A (en) Mask having a phase shifter and method of manufacturing same
US7327436B2 (en) Method for evaluating a local flare, correction method for a mask pattern, manufacturing method for a semiconductor device and a computer program product
KR100955293B1 (ko) 디바이스 제조 방법과 초기 패턴의 패턴 피쳐 분배 방법 및 이러한 방법에 따라서 제조된 디바이스, 리소그래피 서브 마스크 그룹 및 이를 이용하여 제조된 디바이스
EP0943119B1 (en) Reticle that compensates for lens error in a photolithographic system
KR100357734B1 (ko) 축소투영노광장치의 조정방법
US7086031B2 (en) Methods of forming patterned reticles
EP1199601B1 (en) Method of fabricating a photomask and exposing method utilizing the photomask
US6838216B2 (en) Photolithographic mask and methods for producing a structure and of exposing a wafer in a projection apparatus
US20040248016A1 (en) Method of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith
US6956641B2 (en) Method of forming resist pattern, and exposure device
US6301008B1 (en) Arrangement and method for calibrating optical line shortening measurements
US6571383B1 (en) Semiconductor device fabrication using a photomask designed using modeling and empirical testing
KR20040103897A (ko) 레티클 측정치를 이용한 포토리소그래피 임계 치수 제어
US20020182549A1 (en) Alternate exposure method for improving photolithography resolution
JPH10254122A (ja) 露光用フォトマスク
US20080044739A1 (en) Correction Of Resist Critical Dimension Variations In Lithography Processes
JP2004157160A (ja) プロセスモデル作成方法、マスクパターン設計方法、マスクおよび半導体装置の製造方法
JP2797362B2 (ja) 半導体装置のパターン形成方法
JP3734450B2 (ja) エッジ粗さ解析用レチクル、およびそれを用いたエッジ粗さ解析方法
JP2001223155A (ja) フォトリソグラフィ方法
KR100513068B1 (ko) 스테이지 기울어짐에 의한 선폭변화 보정방법
KR100780761B1 (ko) 마스크 프로세스를 통한 위치 보정 제어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120517

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term