KR20040103897A - 레티클 측정치를 이용한 포토리소그래피 임계 치수 제어 - Google Patents

레티클 측정치를 이용한 포토리소그래피 임계 치수 제어 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자를 웨이퍼 상에 제조하기 위한 새로운 레티클을 사용하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 상기 레티클의 측정을 수행하는 단계(420)와, 소정의 알고리즘(450)을 이용하여 초기 노광량(470)을 할당하는 단계를 수반한다. 노광 제어 시스템(490)은 레티클 CD 데이터(430, 440)을 이용하여 레티클 노광 오프셋값, 즉 레티클 계수(510)를 자동으로 계산한다. 레티클 계수 계산치(510)에 대한 레티클 사이즈 편차(500)의 상관 관계를 이용하여 상기 새로운 레티클에 대한 레티클 계수(510)를 유도한다. 웨이퍼 설계 치수를 달성하기 위해, 유도된 레티클 계수(510)를 이용하여 리소그래피 툴(410)에 적용(470)되는 새로운 레티클에 대한 초기 노광 조건을 예측(450)한다.

Description

레티클 측정치를 이용한 포토리소그래피 임계 치수 제어{PHOTOLITHOGRAPHIC CRITICAL DIMENSION CONTROL USING RETICLE MEASUREMENTS}
집적 회로(IC) 분야에 있어서, 포토리소그래피는 회로 설계 정보를 담고 있는 마스크로부터 예컨대 실리콘(Si) 웨이퍼와 같은 기판의 표면 상에 있는 박막으로 패턴, 즉 이미지를 전사하는 데 이용된다. 패턴 전사는 포토레지스트(예컨대 자외선 감광성 유기 중합체)를 이용하여 이루어진다. 통상적인 이미지 전사 공정에 있어서, 포토레지스트로 코팅된 기판은 마스크, 즉 레티클을 통해 조사(照射)되고, 마스크 패턴은 화학 현상제(chemical developer)에 의해 포토레지스트로 전사된다. 이후, "레티클"이라는 용어 및 "마스크"라는 용어는 서로 바꿔 쓸 수 있는 것으로 한다. 또한 패턴 전사는 화학 부식액(etchant)을 이용하여 이루어진다.
오늘날의 기술에 있어서, 이러한 마스킹 공정은 IC 제조시에 통상 복수 회 반복된다.
도 1은 예컨대 오류 측정치(measured error), 즉 설계 치수(120)로부터의 편차(100)를 갖는 레티클(80), 렌즈(140)를 구비한 스테퍼(stepper) 장치(90)를 포함하는 포토리소그래피 처리(fab) 환경을 나타내며, 여기서 노광 에너지(130)(이에 의해 노광 조건이 표현됨)는 상기 렌즈(140)를 통해 포토레지스트(150)로 코팅된 웨이퍼(95) 상에 포커스(focus)됨으로써, 설계 치수(160)로 프린트된 웨이퍼를 만들어 낸다.
많은 제품이 동시에 처리되는 로직 팹(logic fab)에서 임계 치수(CD) 제어는 가장 어렵고 도전적인 일이라는 점이 포토리소그래피 분야에서 잘 알려져 있다. 복수의 마스킹 레이어(masking layer) 및 고유의 CD 개별 특성(customization)을 각각 갖는 제품이 더 많이 팹에 도입될수록, 노광량의 계산이 더욱 더 복잡해져 왔다. 증가된 제조량 및 복잡도를 따라가기 위해서는 각각 자신만의 교정(calibration) 및 공정 가변성을 갖는 추가적인 리소그래피 툴(tool) 및 툴 유형을 도입해야 한다는 점을 고려해 볼 때, 팹에서의 CD 제어에 대한 필요성은 대처해야 할 결정적인 도전 과제가 되어 왔다. 모든 툴/레티클 셋업 중 상당수가 특정한 레티클을 처음으로 이용한다는 점과, 제품을 목표 임계 치수(CD)에 맞추기 위해서 상당한 수의 패스(pass)가 필요하다는 점을 감안하면, 새로운 레티클/툴 조합을이용하여 제품의 초기 생산시의 오류를 감소시켜야 할 중대한 필요성이 대두된다.
팹에서의 CD 제어에 관한 기술은 Adams의 미국 특허 제5,989,764호에 기술되어 있으며, 이는 분산 에너지 측정(scattered energy measurement)을 통한 리소그래피 툴 조정 방법에 관한 것이다. 그러나 이 공정은 CD 분포를 맞추기 위해 피드백 루프에서 레티클 사이즈 데이터를 이용하는 것을 포함하고 있지 않다.
또 다른 관련 기술의 방법은 Hitachi의 미국 특허 제6,225,011호에 기술되어 있으며, 여기서는 복수의 노광 시스템을 이용한다. 마찬가지로 이 기술에서도 CD 제어에 있어 레티클 사이즈 데이터를 이용하지 않는다.
또 다른 관련 방법은 Kerszykowski의 미국 특허 제5,969,972호에 개시되어 있는 바, 이는 반도체 구성 요소의 제조에 이용하기 위한 자동 머신 프로그램 생성기(automatic machine program generator)에 관한 것이다. 비록 상기 관련 기술의 방법이 옵티마이저(optimizer)에 관해 기술하고 있지만, 이러한 옵티마이저는 레티클 치수가 설계 목표와 상이한 경우 및 새로운 레티클이 그 레티클을 이용할 툴에 대한 내력을 갖고 있지 않은 경우에 CD 제어를 해야 할 필요성에 대처하지 못한다.
Marchman의 미국 특허 제5,656,182호에 기술된 또 다른 관련 기술에서는 피드백 제어를 이용하지만, 최적의 CD에 도달하지는 못한다. 오히려 이 기술에서는 기판에 생성된 잠재 이미지(latent image)의 함수로서 스테이지(stage) 위치 제어를 수행할 뿐이다.
웨이퍼 측정치 편차를 보정하는 데에 노광량 바이어스(expose dose bias)를 이용할 수 있다는 점과, 이전에 이용된 레티클의 레티클 계수(reticle factor)를웨이퍼 측정치 내력으로부터 유도할 수 있다는 점이 본 기술 분야에 있어 잘 알려져 있지만, 새로운 레티클 및 제품에 대한 사전 전달(send-ahead) 또는 테스트 웨이퍼 없이 정확한 노광량 바이어스를 결정해야 하는 문제가 남는다.
도 2는 각 레티클 및 스테퍼 툴에 대한 치수 데이터 내력(historical measurement data)을 이용하는 피드백 시스템을 나타낸다. 완제품의 경우, 임계 치수 계측(metrology) 단계(210)는 완제품에 관한 데이터 내력(historical data; 220)을 산출하고, 이 데이터가 피드백되어, 노광량 세팅(exposure dose setting; 240)을 산출하는 피드백 계산(230)이 이루어진다. 완제품은 재처리(rework) 단계를 요하지 않으므로, 이 노광량 세팅(240)은 최적량(optimum dose)으로 간주되는 바, 이는 피드백 노광 제어 루프를 이용하여 계산된다.
도 3은 스테퍼 툴(300)에 대하여 새로운 제품 또는 새로운 레티클이 이용되는 경우의 종래 기술의 방법을 나타내고 있다. 도시한 바와 같이, 임계 치수(CD) 계측 단계(310)는 새로운 툴(305)로부터의 데이터 내력이 존재하지 않는 상황에서 수행된다. 이 단계에 있어서 최초 작업(run)에서는, 노광량 세팅(370)을 산출하기 위한 피드백 계산(360)에 이용되는 다른 툴/레티클 조합(340)으로부터의 데이터 내력을 이용할 필요가 있다. 통상적으로 이러한 피드백 구성은 새로운 마스크 오프셋(offset)을 감안한 것이 아니며, 생산 작업의 결과는 도 1의 설계 치수 사양(160)을 충족시키지 못한다. 설계 치수 사양을 충족하지 못하는 제품은 재처리(320)되고, 이에 의해 추후의 생산 작업(330)에서는 새로운 레티클에 대한 생산 데이터(350)의 혜택을 받게 된다.
앞서 언급한 관련 기술의 결점을 살펴 볼 때, 새로운 레티클/툴 조합에 대해 초기 노광량(initial exposure dose)을 성공적으로 예측함으로써 대량의 고복잡도 팹 환경에서 사이클 타임(cycle time)의 감소를 촉진할 수 있는 CD 제어를 제공할 필요가 있다. 즉, 최적 노광량 세팅을 산출하기 위해, 적합한 피드백 파라미터와 함께 레티클의 측정 치수 및 설계 치수를 입력으로서 이용할 수 있는 방법이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 포토리소그래피(photolithography) 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 단순한 제어 알고리즘 및 피드백을 이용하는 공정 제어 시스템을 통해 웨이퍼 설계 치수를 얻는 방법에 관한 것이다. 상기 피드백은 마스크 설계 데이터, 마스크 치수 데이터 및 웨이퍼 피처(feature) 측정치 내력(history)을 이용하여 임계 치수(critical dimensions; CD)가 웨이퍼 피처 설계 치수에 맞추어지도록 한다. 본 발명은 별개의 레티클(reticle) 측정치를 이용하여, 처리되는 웨이퍼 각각에 대해 정확한 노광 조건이 이용되도록 보장함으로써 피처 사이즈(feature size), 즉 선 또는 공간의 임계 치수를 제어하는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 환경을 나타내는 포토리소그래피 공정 시스템의 주요 구성요소를 나타낸 도면.
도 2는 노광량 세팅을 설정하기 위한 CD 계측 및 데이터 내력 피드백 루프를 나타낸 도면.
도 3은 초기 노광량 세팅을 결정하는 종래 기술의 방법을 나타낸 도면.
도 4는 최적 노광량 세팅을 위한 피드백 계산의 일부로서 레티클 CD 데이터를 이용하는 본 발명의 제어 방법을 나타낸 도면.
도 5는 레티클 측정치/레티클 설계치 대 레티클 계수를 나타낸 그래프.
본 발명의 목적은 새로운 레티클/툴 조합을 이용하여 IC 제품을 생산할 때에 CD 오류를 감소시킬 수 있는 포토리소그래피 시스템 및 공정을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 레티클의 설계 사양에 대해서 그 레티클의 실제 CD 측정치에 편차가 존재하는 경우 제조된 CD와 설정된 목표 CD 사이의 차이를 최소화하는 포토리소그래피 시스템 및 공정을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 설계 사양, 즉 "설계 치수±소정의 반도체 제품에 대해 요구되는 허용치(tolerance)"를 충족하는 웨이퍼 피처 사이즈를 달성하도록 하는 포토리소그래피 노광량을 설정하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 요구되는 CD 계측 단계(도 3의 310) 다음에 표준 사전 전달 공정(standard send-ahead process) 및 부수적인 재처리(rework) 단계(도 3의 320)가 필요 없도록 하여 공정 사이클 타임을 감소시키는 것이다.
본 발명의 이러한 목적 및 그 밖의 목적과 장점은, 초기 노광량을 계산하는 단계를 포함하는 노광 제어용 피드백 메커니즘의 일부로서 레티클 측정치를 이용함으로써 CD 피처 사이즈를 제어하고 사전 전달 웨이퍼가 필요 없도록 해 주는 제어 알고리즘, 즉 계측 피드백 방법(metrological-feedback method)을 이용함으로써 얻을 수 있다. 실제 레티클 CD를 설계 레티클 CD로 나눈 값과 상기 피드백 시스템의 레티클 계수 사이의 상관 관계(correlation)를 관찰함으로써, 즉 유사한 레티클의 요구되는 노광 조건에 대한 특정 레티클의 요구되는 노광 조건을 이용하여 1회의 패스시에 최적 노광량 또는 노광 조건, 즉 최적량에 수렴되도록 한다.
구체적으로, 생산에 쓰이는 레티클 각각에 대해 레티클 계수를 계산하여 데이터베이스에 저장한다. 소정의 포토리소그래피 툴에 대한 적합한 최근의 웨이퍼 데이터 내력이 부족한 레티클의 경우, 레티클 계수 계산치를 이용하여 최적 노광 조건을 구한다. 그러나 새로운 레티클의 경우, 유사한 레티클의 사이즈 편차와 이들의 레티클 계수 사이의 상관 관계를 계산한다. 새로운 레티클의 치수 측정치 및 설계 치수가 알려져 있으므로, 유도 레티클 계수(derived reticle factor)는 상관 관계 데이터 내력으로부터 "뽑아 내어(pick off)"진다. 유도된 레티클 계수는 피드백 노광 제어 루프에 입력되어 새로운 레티클에 대한 초기 노광 조건을 계산하는 데 이용된다.
임계 치수의 제어, 즉 CD 제어의 포토리소그래피 방법을 제공하는 본 발명을 이하 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명하기로 한다. 첨부된 도면에 있어, 동일하거나 대응되는 요소를 나타내기 위해 동일한 참조 번호를 이용하도록 한다.
본 발명에 따라 도 4에 나타낸 바와 같은 시스템(490)을 설명할 것인 바, 여기에서는 임계 치수 계측 단계(critical dimension metrology step; 420)에서 취한 계측 데이터를 제품 데이터 내력(430)으로 기록한다. 이 데이터는 노광량 설정을 조정하기 위해, 유사한 레티클, 즉 동일한 기술 및 수준을 갖는 레티클의 레티클 CD 데이터(440)와 피드백 계산(450)의 일부로서 알고리듬적으로 융화된다. 이용된다. 본 발명에 의해 계산된 초기 노광량으로 인해, 생산 작업을 위해 최초의 작업 재처리를 수행해야 할 필요가 없어진다. 각 레티클에 대해 레티클 치수 데이터, 레티클 계수, 웨이퍼 노광 조건의 내력 및 웨이퍼 치수 데이터 내력을 데이터베이스에 저장한다. 이들 데이터는 특정한 레티클이 소정의 작업에 필요한 경우에 이용된다.
본 발명은 투사 프린팅(projection printing)은 물론 근접 프린팅(proximity printing)을 포함한 포토리소그래피 기술에 이용될 수 있음에 주목하자. 그러나임의의 통상적인 사진 광학(photo-optical) 노광 시스템도 본 발명에 채택될 수 있다. 어느 프린팅 기술을 채택하는지에 관계없이, 도 4에 나타낸 시스템은 이미지를 갖는 레티클을 포함한다. 레티클은 적어도 하나의 피처(feature)를 포함하는 석영상 크롬(chrome on quartz) 또는 감쇠 위상 편이 마스크(attenuating phase shift mask)를 포함하는 임의의 통상적인 마스크(도 1의 80)를 포함할 수 있다. 스테퍼 노광 툴(도 4의 410) 등의 툴을 추가적으로 제공함으로써, 레티클을 통해 지향되는 에너지를 포토레지스트 처리된 반도체 기판 상에 포커스시킨다.
또한 비휘발성의, 즉 하드 드라이브와 같은 저장 수단(455)을 제공하여(도 4의 460) 노광량 세팅을 산출하는 데 필요한 레티클 계수 및 최적량의 계산을 수행한다. 저장 장치는 레티클 치수 데이터, 레티클 계수, 웨이퍼 노광 조건 내력 및 웨이퍼 치수 데이터 내력을 포함하는(이에 한정되는 것은 아님) 관련 웨이퍼 생산 데이터 내력을 보유하는 데이터베이스(도 4의 430, 440)를 유지하기 위해 이용된다. 컴퓨터(460)는 필요한 데이터베이스 액세스나 노광량 및 레티클 계수의 계산을 지원하는 데 필요한 모든 처리를 실행한다. 컴퓨터(도 4의 460)에는 또한 노광 제어를 위해 스테퍼 노광 툴(도 4의 410)로 노광량 세팅(도 4의 470)을 전달해 주는 인터페이스가 제공될 수 있다.
웨이퍼 생산 데이터 내력을 취득하게 되면, 이용되는 레티클 각각에 대한 레티클 계수를 계산하여 저장한다. 바람직한 실시예에서, 이러한 레티클 계수는 필요한 노광 조건, 즉 목표한 웨이퍼 치수를 충족시키기 위한 특정 레티클의 노광 에너지(도 1의 130)("최적량 현재 레티클 ")를, 동일한 목표 웨이퍼 치수, 즉 웨이퍼 설계 치수를 달성하기 위해 필요한 유사 레티클의 노광 조건을 평균한 값으로 나눈 비율로서 표현되는 관계이다. 구체적으로 레티클 계수를 계산하는 공식은 다음과 같다.
여기서 n은 유사한 레티클의 수이며,라는 식은 n개의 유사한 레티클에 대한 평균 노광 조건을 나타낸다.
레티클 계수는 소정의 레티클/툴 조합에 대해 적합한 최근의 웨이퍼 공정 데이터 내력이 존재하지 않는 경우에 새로운 웨이퍼 노광 조건을 계산하는 데 이용된다. 적합한 최근의 웨이퍼 공정 데이터 내력이 없는 레티클에 대한 노광 조건, 즉최적량 최근 내력이 없는 레티클 을 계산하는 공식은 다음과 같다.
이러한 레티클 계수는 레티클 치수 측정치 및 레티클 설계 치수와 함께, 새로운 레티클을 이용할 경우의 툴 셋업시에 수행되는 본 발명의 CD 제어 모델 알고리즘에 대한 입력으로서 이용된다. 바람직한 실시예에서, CD 제어 모델은 다음 기능을 수행하는 두 구성 요소를 포함한다.
1. 레티클 피처 치수 측정치와 레티클 설계 치수의 비율과 레티클 계수 계산치의 상관 관계를 포함하는 상관 관계 데이터로부터 유도 레티클 계수를 결정
2. 유도 레티클 계수를 새로운 레티클을 이용하는 웨이퍼 생산에 적용
이후에 레티클을 이용하는 경우, 웨이퍼 노광 조건 내력 및 웨이퍼 치수 데이터를 레티클 계수와 함께 이용하여 현재의 노광 조건을 특성화한다. 즉 상기 제어 알고리즘으로부터 더욱 정확한 노광량 추정치를 확보하기 위하여 가장 최근의 데이터 내력이 이용 가능하도록 된다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 설계 데이터(440)에 대한 레티클 CD 측정치에 의해 피드백 계산(450)을 수정함으로써, 제조된 레티클의 레티클 설계 치수에 대한 편차를 보정해 주는 노광 세팅을 결정한다. 레티클 계수와의 상관 관계(correlation)을 위해 레티클 치수 측정치 및 레티클 설계 치수 사이의 관계를 취득한다. 바람직한 실시예에서, 제조된 레티클의 편차 측정치, 즉 사이즈 편차에는 레티클 설계 치수에 대한 레티클 치수 측정치의 비율이 포함된다. 최적량, 레티클 계수 계산치, 상관 관계 데이터 및 유도 레티클 계수를 결정하기 위해 필요한 계산은 컴퓨터(460)에 의해 수행된다.
앞서 언급한 바와 같이, 레티클 계수는 적합한 최근의 웨이퍼 치수 내력 및 노광 조건 데이터가 결여된 경우에 노광 조건을 계산하는 데 이용된다. 새로운 노광 조건은 피드백 제어 루프로 최적화된 노광량 및 레티클 계수의 함수로서 계산된다.
새로운 레티클을 도입하는 경우, 유도되는 레티클 계수("유도 레티클 계수")는 실제의, 즉 측정된 레티클 치수/사이즈 편차 및 생산시 이용되는 다른 레티클의 설계 치수의 비율과, 이들의 레티클 계수 계산치 사이의 상관 관계로부터 결정된다. 사이즈 편차, 즉 피처 치수 측정치를 설계 치수로 나눈 값과 레티클 계수의 모집단(population)은 소정의 웨이퍼 설계 치수에 대한 레티클들의 대응 모집단으로 한정된다. 유도 계수는 새로운 레티클의 적절한 노광 조건을 결정하는 데 있어 초기 레티클 계수로서 이용되며, 생산 웨이퍼 데이터를 취득함에 따라 갱신된다.최적량 현재 레티클 은 피드백 노광 제어 루프를 이용하여 수정된, 현재 웨이퍼 설계 치수에 대한 노광량/노광 조건이다. 일단 레티클 계수 계산치가 유사 레티클의 원하는 모집단에 대해 이용 가능하게 되면, 사이즈 편차와 레티클 계수 계산치 사이의 상관 관계를 구한다. 앞서 언급한 바처럼, 유도 레티클 계수는 사이즈 편차 대 레티클 계수 계산치의 상관 관계로부터 결정할 수 있다. 다음으로, 새로운 레티클에 대한 최적량을 다음 식에 따라 계산한다.
도 5는 레티클 측정치 대 레티클 계수의 플롯(plot)을 나타낸다. 세로축의 레티클 사이즈 편차, 즉레티클 피처 치수 측정치 /레티클 설계 치수 (도 5의 500) 대 가로축의레티클 계수(도 5의 510) 사이의 상관 관계를, 최소 자승 다항 곡선 피팅(least square polynomial curve fitting) 방식 등의 잘 알려진 회귀 기법을 이용하여 플로팅(plotting)하였다.
레티클 계수, 즉 유도 레티클 계수는 새로운 레티클의 이용에 앞서 피드백 제어 루프에 입력된다. 따라서 제어 시스템은 새로운 레티클에 대한 내력이 시스템에 없는 경우에도 새로운 레티클에 대한 유도 레티클 계수를 이용하게 된다.
따라서 본 기술에 의해, 시스템 내에 종전의 이용 내력이 있는 레티클은 물론 데이터 내력이 없는 새로운 레티클에 대해서도 첫 패스시에 목표 CD를 달성할 수 있다.
본 발명을 특히 바람직한 실시예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 본 기술 분야의 당업자라면 본 발명의 취지 및 범주로부터 벗어남이 없이 본 발명의 형태 및 세부 사항에 대해 상술한 변경 및 그 밖의 변경을 가할 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명은 설명 및 도시한 형태대로 한정되는 것은 아니나, 첨부된 청구항의 범주 내에 속하게 된다.
본 발명은 집적 회로의 포토리소그래피 처리에 유용하며, 특히 처리되는 웨이퍼 각각에 대해 정확한 노광 조건을 이용하도록 보장함으로써 웨이퍼 설계 치수의 획득 및 CD 제어에 유용하다.

Claims (10)

  1. 웨이퍼 설계 치수를 달성하기 위해, 리소그래피 툴(410)에 사용되는 새로운 레티클에 대한 초기 노광 조건을 결정하는 방법에 있어서,
    상기 새로운 레티클의 레티클 설계 치수 및 레티클 피처 치수 측정치(reticle measured feature dimension; 420)는 알려져 있고, 상기 방법은
    a) 다른 레티클(440)로부터의 레티클 치수 데이터와, 상기 다른 레티클을 사용하는 경우의 종전 웨이퍼의 노광 조건과, 상기 다른 레티클을 이용하여 노광한 결과로서 얻어지는 상기 종전 웨이퍼의 웨이퍼 피처 치수(430)를 저장하는 메모리 저장 장치(455)에, 상기 새로운 레티클의 상기 레티클 설계 치수 및 상기 레티클 피처 치수 측정치(420)를 기록하는 단계와,
    b) 상기 새로운 레티클의 상기 레티클 피처 치수 측정치와 상기 새로운 레티클의 상기 레티클 설계 치수 사이의 제1 관계(500)를, 상기 다른 레티클 각각에 대한 상기 제1 관계를 포함하는 복수의 사이즈 편차 중 하나로서 상기 메모리 저장 장치에 기록하는 단계와,
    c) 복수의 상기 다른 레티클 각각에 대해, 복수의 상기 다른 레티클 각각을 이용하여 상기 웨이퍼 설계 치수를 충족시키는 데 필요한 상기 노광 조건과, 상기 웨이퍼 설계 치수를 충족시키는 데 필요한 유사 레티클의 평균 노광 조건 사이의 제2 관계를 포함하는 레티클 계수(reticle factor; 510)를 계산하여 복수의 레티클 계수 계산치를 생성하는 단계와,
    d) 상기 복수의 사이즈 편차의 제1 모집단을 상기 복수의 레티클 계수 계산치의 제2 모집단과 상관시킴으로써 상기 새로운 레티클에 대한 유도 레티클 계수(유도 레티클 계수)를 결정하는 단계와,
    e) 상기 유도 레티클 계수를 이용하여 상기 새로운 레티클에 대한 초기 노광 조건(최적량 새로운 레티클 )을 계산하는 단계(450)와,
    f) 반도체 소자의 제조 중에 상기 초기 노광 조건을 상기 새로운 레티클에 적용함으로써 상기 웨이퍼 설계 치수를 달성하는 단계(470)
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 새로운 레티클에 대한 상기 초기 노광 조건을 상기 메모리 저장 장치(455)에 기록하는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어, 상기 새로운 레티클로 노광된 웨이퍼의 상기 웨이퍼 피처 치수를 상기 메모리 저장 장치(455)에 기록하는 단계를 더 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 관계는
    에 따라 결정되고, 여기서최적량 현재 레티클 은 상기 새로운 레티클 외에 현재이용되는 레티클의 현재 웨이퍼 설계 치수에 대한 수정된 노광 조건이며,는 n개의 유사 레티클에 대하여 평균한, 현재 웨이퍼 설계 치수에 대한 수정된 노광 조건인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 관계(500)는 상기 레티클 설계 치수에 대한 상기 레티클 피처 치수 측정치의 비율을 나타내는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유도 레티클 계수(510)를 결정하는 단계는
    상기 유사 레티클의 상기 제1 관계와, 생산에 이용되는 상기 유사 레티클의 상기 레티클 계수 계산치를 관련시키는(relating) 함수를 생성하는 단계와,
    상기 함수를 이용하여, 알려진 상기 레티클 피처 치수 측정치 및 상기 새로운 레티클의 레티클 설계 치수로부터 상기 유도 레티클 계수를 결정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 함수는 상기 유사 레티클의 상기 제1 관계와 상기 레티클 계수 계산치를 관련시키는 최소 자승 다항 곡선 피팅(least squared polynomial curve fit)를 포함하는 단계.
  8. 제1항에 있어서, 초기 노광 조건을 계산하는 단계(450)는
    에 따라 이루어지는 방법.
  9. 웨이퍼 설계 치수를 달성하기 위해, 리소그래피 툴(410)에 사용되는 새로운 레티클에 대한 초기 노광 조건을 결정하도록 공정을 제어하기 위한 컴퓨터 판독 가능 프로그램 코드(430, 440, 450, 470)가 수록된 컴퓨터 판독 가능 기록 매체(455)에 있어서, 상기 새로운 레티클의 레티클 설계 치수 및 레티클 피처 치수 측정치는 알려져 있고, 상기 컴퓨터 판독 가능 프로그램 코드는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법을 컴퓨터(460)가 수행하도록 하는 컴퓨터 판독 가능 프로그램 코드를 포함하는 컴퓨터 판독 가능 기록 매체.
  10. 웨이퍼 설계 치수를 달성하기 위해, 리소그래피 툴(410)에 사용되는 새로운 레티클에 대한 초기 노광 조건을 결정하기 위한 시스템(490)에 있어서, 상기 새로운 레티클의 레티클 설계 치수 및 레티클 피처 치수 측정치는 알려져 있고, 상기 시스템은 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법을 수행하는 수단을 포함하는 시스템.
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