KR0156743B1 - 순수 또는 초순수를 정제하기 위한 방법 및 스시템 - Google Patents
순수 또는 초순수를 정제하기 위한 방법 및 스시템Info
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Abstract
극도로 고순도의 초순수 즉 극초순수는 순수 또는 초순수를 정제하는 본 시스템에 의하여 형성되고, (1)배관 드에 함유되고 처리된 순수 또는 초순수에 연속적으로 용해된 TOC 성분은 분해되고 순수 또는 초순수는 산화제와 자외선 조사의 결합사용에 의하여 동시에 살균되며, (2) 처리된 물에 함유된 DO와 산화제의 첨가에서 유도된 DO는 H2O로 분해되고 동시에 살균은 H2가스와 자외선 조사의 결합사용으로 행해지며, (3) 남아 있는 H2가스는 박막탈가스장치에 의하여 제거되며, (4) 완성된 물은 이 순서로 이온교환처리와 초여과처리를 받고, 이로써 예를 들어 배관내에 함유된 불순물의 용해에 의하여 그순도가 감소된 순수 또는 초순수는 극도의 고순도의 초순수로 정체 및 변환된다. 완성된 초순수는 4메가비트 활성메모리에 의하여 대표된 초밀도집적회로(ULSI 회로)가 생산되는 전자산업에서 헹구는 물로서 특히 이용된다.
Description
제1도는 본 발명의 일실시예를 나타낸 플로챠트.
제2도는 제1도에 나타낸 본 발명의 정제시스템을 더 상세히 설명하는 플로챠트.
제3도 및 제4도는 본 발명에 사용된 오존 또는 H2가스용해장치의 각각 개략단면도.
제5도 및 제6도는 오존 또는 H2가스 용해장치의 다른 실시예의 각각 개략단면도.
제7도는 본 발명의 각 스텝에서 제거된 항목 및 행해진 조치를 설명하는 플로챠트.
제8도는 초순수의 생산용 종래시스템의 플로챠트.
제9도는 상기 실시예에 사용된 정제시스템의 플로챠트.
제10도는 상기 비교실시예에 사용된 시스템의 플로챠트이다.
본 발명은 전자산업, 의약산업등에 사용하기위한 초순수의 생산에 관한 것으로, 특히 극도로 고순도의 초순수를 생산하기 위하여 순수 또는 초순수를 재처리하여 순수나 초순수를 정제하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
4메가비트의 강력한 메모리로 대표되는 초고밀도 집적회로(ULSI 회로)가 생산되는 전자산업에 있어서, 초고순도의 순수 즉 초순수가 각 생산스탭후 반도체품을 만드는데 대량으로 필요하다. 예를 들어 초순수용 품질조건이 표1에 도시된 바와 같이 LSI 회로의 집적이 더 높아짐에 따라 더 중요하게 된다. 그리고 특히 TOC(전체유기탄소), 미생물 및 DO(용해산소)의 감소가 큰일거리이다.
종래의 초순수의 생산에 있어서, 초기의 물은 응고 및 침전부, 모래여과탑 또는 활성탑 등의 조합이며, 완성되어 나온 사전처리 된 물은 이온교환수지탑, 탈탄화탑, 역오스모시스 박막부, 진공탈가스탑, 혼합베트형 카트리지 탈염기 등의 조합인 주요한 순수생산장치에 의하여 처리되고, 이렇게 나온 기초순수는 초순수를 얻기 위하여 자외선살균부, 혼합 배트형 카트리지 탈염기 및 초여과 박막부의 조합이다. 초순수는 여러가지 반도체 생산장치로 이송된다.
제8도는 사전처리장치, 기초순수생산장치, 서브시스템 및 반도체 생산장치의 종래의장치를 타나낸다.
제8도에 있어서, 초기의 물(1)은 사전처리장치(2)와 기초 순수생산장치(3)를 통하여 기초순수를 얻는다. 사전처리장치(2)와 기초 순수생산장치(3)는 반도체 생산장치가 설치된 공장 건물에서 떨어진 빌딩에 통상 설치된다. 기초순수는 기초순수배관(7)을 거쳐 공장건물에 설치된 고순수탱크(4)내로 유입된다.
고순수탱크(4)에 저장된 기초순수는 서브시스템(5)에 의하여 처리되어 초순수로 변환된다. 이 초순수는 초순수배관(8)을 거쳐 반도체 생산장치(6)내로 유입된다. 초순수의 어떤 초과량은 반도체 생산장치(6) 바로앞에서 분리되고 복귀배관(9)을 거쳐 고순도탱크(4)로 복귀된다. 그래서 고순수탱크(4), 서브시스템(5), 초순수배관(8) 및 복귀배관(9)은 루프를 형성하여 초순수가 일정하게 순환된다.
반도체 생산장치에서 헹구기 위하여 사용된 초순수는 폐수배관(10)을 거쳐 배출된 폐수(11)의 부분은 페수회수부 등(제8도에 도시되지 않음)에 의하여 회수된다.
제8도에 있어서, 서브시스템(5)에서 얻어진 초순수는 유동을 멈추고 정지상태에 있을 경우 그 순도가 현저히 감소된다고 알려졌다. 그 이유는 배관등에 함유된 TOC, 무기염분 등이 배관등의 부분에서 초순수중에서 용해되고 초순수와 접촉한다. 그러므로 초순수는 서브시스템(5), 초순수배관(8), 복귀배관(9) 및 고순수탱크(4)에 의하여 형성된 루프에서 일정하게 순환되므로 초순수의 순도가 저하되는 것을 방지하기 때문이다.
그러나 서브시스템(5)과 반도체 생산장치(6)는 여러경우 서로 비교적 떨어져 설치되고, 초순수배관(8)의 길이는 어떤경우 100-500m에 달한다. 초순수가 이러한 긴배관을 통과할 경우 초순수의 순도는 물이 정체되지 않고 일정하게 순환될 경우에 조차 저하되는 경향이 있다. 제1도에 도시된 바와 같이 초순수에 대한 품질조건 및 LSI 회로의 고밀도 집적이 대응하여 더높이 증가하게 되는 추세에 비추어보아 서브세스템(5)에서 얻어진 초순수가 어떤 실질적인 품질의 감소없이 반도체 생산장치(6)내로 유입되는 것이 중요하다.
상기 설명한 바와 같이 종래의 초순수생산시스템의 그로부터 얻어진 초순수가 초순수의 품질저하 없이 반도체 생산장치내로 유입되는 것은 매우 어렵다. 그리고 더 복잡한 샌산스텝과 더 다양한 반도체 생산장치의 채택으로 초순수배관(8)의 길이는 반드시 더크게 되고, 이것은 초순수품질의 감소가 된다.
그러므로 본 발명의 목적은 고순도의 초순수를 효과적으로 생산하는 것은 수누 또는 초순수를 처리하여 순수 또는 초순수를 정제하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른하나의 목적은 고순도의 초순수를 효과적으로 생산하는 것은 순수또는 초순수를 처리하여 순수 또는 초순수를 정제하는 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의기타 목적 및 장점은 다음 설명 및 도면에서 그 기술분야 전문가에 명백하게 될 것이다.
상기 목적을 달성하기위하여 본 발명은 다음을 포함하는 고순도의 초순수를 생산하기 위하여 순수 또는 초순수를 처리하여 순수 또는 초순수를 정제하는 방법을 제공하는 것이다.
(a) 총량 약 0.1mW sec/㎠ 이상의 자외선 조사로 완성되어 나온 물을 조사하고 순수 또는 초순수에서 TOC의 1g당 오존 또는 과산화수소의 약 10 -10 물을 용해하는 스탭.
이로서 TOC 성분은 분해됨과 동시에 순수 또는 초순수가 살균된다.
(b) 스텝(a)에서 얻어진 처리된 물의 약 1-10의 산화제에 H가스의 분자비의 수소가스를 용해하고 약 10mW sec/㎠ 이상의 총 자외선 조사량으로 완성되어 나온 물을 조사하는 스탭.
이로서 처리된 물에 함유된 DO와 산화제의 첨가에서 나온 DO는 HO 로 분해됨과 동시에 살균이 행해진다.
(c) 스탭(b)에서 얻어진 처리 물을 박막의 다른축을 진공으로 유지하는 동안 가스투과성 박막의 일축을 통하여 상기 물에 대하여 박막이 탈가스하게 하는 스탭, 이로서 나머지 H가스는 실제로 제거된다.
(d) H 계 강산성 양이온교환수지와 OH 계 강염기 음이온교환수지의 혼합인 이온교환수지층을 통하여 선형속도의 약 10-200m/hr에서 스탭(c)에서 얻어진 처리된 물을 통과하는 스탭. 이로서 이온과 실리카는 제거된다.
(e) 스탭 (d)에서 얻어진 처리된 물을 약 3,000-30,000의 분자량을 가진 용제를 제거할 수 있는 박막을 사용하여 초여과하는 단계. 이로서 미세입자가 제거된다.
본 발명은 또한 상기 정제방법에 사용하기 위한 시스템으로서 다음을 포함하는 순수 또는 초순수를 정제하는 시스템을 제공하는 것이다.
(a) 오존 또는 과산화수소 용해장치 및 자외선 조사장치.
(b) 수소가스 용해장치 및 자외선 조사장치.
(c) 가스투과성 박막을 가진 박막 탈가스장치.
(d) H 계 강산성 양이온 교환수지와 OH 계 강염기 음이온교환수지의 혼합물인 이온 교환수지층을 가진 이온교환장치.
(e) 초여과장치.
(f) 장치(a) 내지 (e)의 순서와 펌프를 연결하는 배관.
상기 정화시스템에 있어서, 산소, 질소, 스팀 등의 가스는 투과하나 물은 투과하지 못하며 실리콘 고무계, 폴리 에틸렌 테트라플로라이드 계, 폴리올레핀계 및 폴리우레탄계에서 선택된 다공성 소수성(疏水性) 박막은 가스투과성 박막으로서 사용된다.
본 발명을 아래에 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 일실시예를 나타낸 플로챠트이다.
제2도는 제1도에 나타낸 본 발명의 정제시스템을 더 상세히 설명한 플로챠트이다.
먼저 본 시스템에 사용된 장치의 배열은 제1도를 참조하여 설명된다. 초기의 물(1)은 사전처리장치(2)와 기초 순수생산장치(3)에서 처리되어 기초순수를 얻는다. 기초순수는 기초순수배관(7)을 거쳐 고순수탱크(4)내로 유입된다. 고순수탱크(4)에서의 기초순수는 서브시스템(5)에 의하여 처리되어 초순수를 얻는다.
이 단계까지의 구성은 종래의 초순수 생산 시스템의 것과같다.
상기 설명된 바와 같이 서브시스템(5) 및 반도체 생산장치(6)는 비교적 서로 떨어져 설치된다. 이 장치는 서브시스템(5)에서 반도체 생산장치(6)로 초순수를 공급하는 매우 긴 배관을 사용할 필요가 있으며 초순수의 순도는 예를 들어 배관내에 함유된 불순물의 용해때문에 그곳을 통과하여 유동할 경우 초순수의 순도가 감소된다.
이 문제는 용해된 불순물이 없는 재질로 구성된 배관을 사용하거나 초순수를 순도를 감소시키도록 재처리하여 개선된 순도의초순수를 얻는다. 유동배관으로사용될 경우 비교적 저용해의 불순물로 된 2재료로서 예를 들어 폴리에스터 에테르 케톤(PEEK)을 언급할 수 있다. 그러나 이러한 재료는 매우비싸고 고정시키는 작업성이 낮고, 존재하는 배관은 매우복잡하며 대체작업이 매우어려우므로 새로운 재료로 변환시키는 것은 상당히 어렵다. 물론 비용면에서 극도로 초순수의 생산에 대하여 현재의 시스템을 이용하여 수질을 개선하는 것은 중요하다. 본 발명에 있어서, 정재시스템(12)은 반도체 생산장치(6)의 근처 및 상류부에 설치되어 배관등에서유도된 불순물을 제거하고 개선된 순도의 초순수를 얻는다. 본 발명의 정제시스템은 제2도를 참조하여 더 상세히 설명된다.
제2도에 있어서, 감소된 순도의 초순수(13)는 펌프(14), 벨브(15), 압력게이지(16) 및 유러미터(17)를 거쳐 오존 또는 과산화수소 용해장치(27)내로 유입된다. 오존(23) 또는 과산화수소(35)가 용해된 물은 자외선 조사장치(19A)내로 유입된다. 자외선 조사가 된 물은 수소가스 용해장치(28)내로 유입되어 그안에서 수소가스(24)를 용해한다. 수소가스가 용해된 물은 자외선 조사장치(19B)내로 유입된다.
자외선 조사장치(19B)에서 처리된 물은 박막 탈가스장치(18)의 일측내로 유입되고 이의 다른측은 진공펌프(25)에 의하여 진공으로 유지되고 제거된 가스가 폐기가스(26)로 배출된다. 탈가스된 물은 H 계 강산양이온 교환수지와 OH 계 강염기 이온교환수지의 혼합물인 혼합베드형 이온교환 카트리지(20)를 통과한다.
이온교환카트리지(20)에서 처리된 물은 초여과장치(22)내에서 처리되고 압력게이지(16) 및 벨브(15)를 통과하여 초순수(13')를 얻는다. 이것은 본 발명의정제시스템의 구성이다.
초순수(13)의 오존(23) 또는 H가스(24)의 용해는 예를 들어 제3 또는 4도에 도시된 바와 같이 가스분산배관(29) 또는 가슨분산토즐(29')을 수용하는 오존(23) 또는 H가스용해장치(27 또는 28)에 의하여 실시된다. 또한 제25도에 도시된 바와같이 자외선 조사장치(19)가 가스분산노즐(29')등과 보호 퀴쯔튜브(32)와 노즐(29') 상부의 자외선램프(31)를 수용하게 하여 실시될 수 있다. 또한 제6도에 도시된 바와 같이 가스투과박막(33)을 거쳐 오존(23) 또는 가스(24)가 용해되고 이 경우 오존 또는 H가스에 남아 있는 불순물(예, 미세입자등)은 제거될 수 있으므로 초순수에 적용될 경우 이 접근은 유효하다.
가스투과성 박막은 산소, 질소, 스팀 등의 가스를 투과하지만 물은 투과하지 못하는 박막이다. 물은 박막의 일측에서 통과되고 박막의 다른측은 가스에 의하여 가입된다. 박막재로서 실리콘 고무, 폴리에틸렌 테트라플로라이드, 포리올레핀, 폴리우레탄 등으로 구성된 다공성 소수성 박막이 언급될 수 있다. 박막은 직경이 20㎛ 이하의 구멍을 가지고 일반적으로 0.01-1㎛의 구멍직경을 가진 맴브레인이 널리 사용된다.
물(35)을 함유한 과산화수소가 오존(23)대신에 사용될 경우 제6도르ㅣ 가스투과성 박막(33)은 사용되지 않고 대신에 소수성이 되도록 처리된 폴리에틸렌 테트라플로라이드로 구성된 박막필터는 가스투과성이 없고 액체만을 투과하므로 필터는 액체에 대한 통상의 필터박막이다.
다음에 자외선 조사장치(19)상에 대한 설명을 한다. 사용된 광원은 400nm 이하의 파장을 가진 자외선을 발생하는 어떤 것이다. 특히 200nm 이하의 파장을 가잔 극자외선의 사용은 매우 놀라운 효과를 준다. 수은 램프외에도 광원, 엑사이머 레이져 전자 싱크로트론 등이 사용될 수 있다.
박막 탈가스장치(18)에 있어서, 물은 가스투과성 박막의 입측으로 통과되고 박막의 다른 일측은 진공펌프(25)에 의하여 진공으로 유지되고 제거된 가스 폐기가스(26)로 배출된다. 상기 언급된 바와 같이 동일 가스투과성 박막이 사용될 수 있다.
혼합베드형 이온교환 카트리지(20)은 소수성산, 황산 등의 미네랄산에 의하여 재생된 H 계 강산양이온 교환수지와 염화수산화물 등에 의하여 재생된 OH 계 강염기 음이온 교환수지의 혼합물이다. 각 이온교환수지는 재생후 혼합전 물로 철저히 세척된다 이 물세척은 불순물 특히 각 수지에 남아 있는 TOC 성분을 감소시킬 필요가 있다. 물세척은 약 40℃로 가열된 순수를 사용하여 행할 경우 더 효과적이다.
다음 저항률 미터(21)가 본 발명의 정제시스템에 포함된 초순수의순도를 측정하는데 사용되고 혼합베드형 이온교환 카트리지의 교환시기를 결정하는데 특히 필요하다.
초여과장치(22)는 중공초여과 박막을 사용한다. 중공박막은 내압형으로 구성되고 처리된 물은 중공박막 내측에서 가압되고 처리된 물은 박막외측에 모아지는 내압형과 처리된 물이 중공박막 외측에서 가압되고 처리된 물이 박막의 내측에 모아지는 외압형으로 구성된다. 물이 거의 박막오염(예를 들어 초순수를 일으키지 않고 처리될 경우 박막 그 자체에서 미세입자의 발생을 억제할 수 있는 외압형이 바람직하다. 또한 나선형의 초여과 박막이 존재하지만 본 시스템의 사용은 그 사용에서 나온 먼지 문제에 비추어 바람직하지 못하다.
압력게이지(16)와 벨브(15)는 초여과 박막의 하류에 설치된다. 반도체 생산장치의 입구에서의 압력은 통상 2kg/㎠로 유지되고 15 및 16에 의하여 최적 압력으로 조정된다.
이렇게 정제된 초순수(13')는 반도체 생산장치내로 유입된다. 제1도에 관하여 설명된 바와 같이 본 발명의 시스템과 반도체 생산장치 사이의 거리가 가능한한 작은 것이 바람직하다.
본 발명의 작용은 제7도에 도시된 본 시스템의 각처리 스탭으로 설명한다. 초순수(13)(처리된 물)는 미세입자, 이온, 실리카, DO, TOC, 미생물 등을 함유하고 이 모두가 제거된다.
초순수(13)가 오존(23) 또는 과산화수소(23')로 혼합되고 자외선조사장치(19A)로 처리될 경우 물(13)의 TOC 성분은 유기산 및 CO로 분해된다. 그리고 미생물이 산화제 및 자외선의 상승작용으로 강한 살균을 받고 이로서 미세입자가 된다(미생물 사체).
그러므로 이 처리에 있어서, TOC는 이온이 되고 미생물은 미세입자가 되지만 과도하게 첨가된 오존 및 과산화수소는 그대로 남아 있다.
다음에 완성되어 나온 물은 H가스(24)로 혼합되어 자외선조사장치(19B)로 처리된다. 잔여산화제 및 DO는 다음반응으로 물을 형성한다. 그러므로 이 처리시스템에서 불순물의증가가 없다.
그러나 이 처리스텝에서 소량의 H2가스가 남고 따라서 미세입자, 이온, 실리카 및 H2가 처리되지않은채 남는다.
이렇게 나온 물은 박막 탈가스장치(18)에 의하여 탈가스를 하고, 이로서 H2가스는 제거된다. 그후 이온교환카트리지(20)로 처리를 행하고 이에 의하여 이온 및 실리카를 제거하며 단지 미세 입자만이 나온물에 남아 있다. 다음 물은 초여과장치(22)를 통과하여 미세입자를 제거하여 극도의 고순도의 초순수를 얻는다.
본 발명에 있어서, 종래의 기술로 처리하기 어려운 DO, TOC 및 미생물은 합리적으로 쉽게 제거될 수 있다
[실시예]
본 발명은 실시예 및 비교예에 의하여 아래에 설명한다.
그러나 본 발명은 다음 실시예에 어떤식으로 제한되지 않는다.
[실시예 1]
초기의물로서 탭워터(Tap Water)는 역오스모시스 여과장치, 진공탈가스장치, 이온교환장치, 박막여과기 등에 의하여 구성된 기초순수 생산장치에서 처리되어 기초순수를 얻는다. 기초순수는 자외선 살균장치, 이온교환카트리지 및 초여과장치로 구성된 제2순수생산장치(서브시스템)에서 처리되어 소위 초순수를 얻는다. 초순수는 400ℓ/hr의 율로 제9도에 도시된 정제시스템을 통과한다.
제9도에 있어서, 가스투과성 박막(33)은 폴리에틸렌 테트라플로라이드로 구성된 중공형이며, 0.85㎡ 및 6,500 박막의 박막면적을 가진 모듈이 사용된다. 처리 된 물(상기 언급된 초순수)은 가스투과성 박막(33)의 일측에 통과되어 02kg/㎠ 및 50N-ml/min에서 오존 500ppm을 함유한 오존화된 공기가 다른 입측에 유입된다.
자외선 조사장치(19)는 약 1ℓ의 유효용적을 가진다.
인공보호퀴쯔 튜브를 장치(19)의 중심에 설치된 저압수은등(동력소비량 : 100W)이 발광된다. 수소가스용해장치(28)는 폴리올레핀-폴리우레탄제의 중공복합박막이고 1.20㎡ 및 9,000 박막의 박막면적을 가진 모듈이 사용된다. 처리된 물이 가스 투과성 박막의 일측으로통과되고 다른 일측은 0.2kg/㎠ 및 30N-ml/min 으로 수소가스가 유입된다.
박막 탈가스장치(18)가 상기 언급된 중공복합박막의 폴리우레탄계이고, 상기와 같은 모듈이 사용된다. 처린된 물은 가스투과성박막의 일측에서 통과되고 다른 일측은 진공펌프(25)에 의하여 약 60토르의 진공압으로 유지된다.
이온교환카트리지(20)로서 10ℓ의 철저하게 세척된 H계 강산양이온 교환수지(도웩스 모노스피어 650℃)와 20ℓ의 OH계 강염기음이온교환수지(도웩스 모노스피어 550A)의 혼합물로 포장된 유리섬유강화플라스틱(FRP)용기가 사용된다.
초여과장치(22)로서 폴리설폰(NTU-3050+C3R, 니또 덴꼬 제작)으로 구성된 내압형 중공박막이 사용되었다. 초여과장치의 출구 압력은 압력게이지(16) 및 벨브(15)에 의하여 2.5kg/cm로 조정된다.
본 발명의 상기 정제시스템에 의하여 얻어진 처이된 물(13')이 분석되었다 표2에서 명백하듯이 극히 고순도의물이 얻어졌다.
[비교예 1]
동일 기초순수 생산장치와 동일의 2번째 순수생산장치에서 유사하게 얻어진 초순수는 400ℓ/hr의 율로 제10도에 도시된 종래의 서브시스템을 통과하였다.
제10도에 있어서, 자외선 조사장치(19), 이온교환 카트리지(20) 및 초여과장치(22)는 실시예 1에 사용된 것들과 같은 구성 및 크기를 가진다.
서브시스템에 의하여 얻어진 처리된 물이 분석되었다.
결과는 표2에서 도시되었다 실시예 1의 것들과 결과를 비교할 경우 DO 및 미생물이 제거되지 않았고 수질의 개선목적이 달성되지 않았다.
위에서 상세히 설명된 바와 같이 순수 또는 초순수를 정제하기 위한 본 시스템에 있어서, (1) 배관에 함유되고 처리된 순수 또는 초순수에서 용해된 TOC 성분은 분해됨과 동시에 순수 또는 초순수는 산화제와 자외선 조사의 결합사용으로살균된다.
(2) 산화제의 첨가에서 유도된 DO와 처리된 물에 함유된 DO는 HO로 분해됨과동시에 상균이 H가스와 자외선 조사의 결합사용으로 행해진다.
(3) 남아 있는 H가스는 박막 탈가스장치에 의하여 제거된다.
(4) 완성되어 나온 물은 이온교환처리와 초여과처리를 받고 미세입자를 제거한다.
상기 순서로서 예를 들어 배관에 함유된 불순물의 용해에 의하여 그순도가 감소된 순수 또는 초순수는 극도의 고순도 즉 소위 극초순수의 초순수도 정제 및 변환될 수 있다.
그리고 본 발명의시스템은 반도체 생산장치의 근처에 설치되고, 이것은 예를 들면 배관에 함유된 불순물의 용해에 의하여 일어난 수질의 감소를 최소화 할수 있다.
본 발명의 예를 들어 전자산업, 의약산업 등에 사용된 물을 정화하고 가공물의 정제에 적용될 수 있고, 고순도의 물을 필요로 한다.
Claims (3)
- 고순도의 초순수를 생산하기 위하여 순수 또는 초순수를 처리하여 순수 또는 초순수를 정제하는 방법에 있어서, (a) 순수 또는 초순수의 오존 또는 과산화수소를 용해하고 결과로서 생긴 물을 자외선으로 조사하며, 이로써 전체 유기 탄소(Total Organic Carbon : TOC) 성분이 분해됨과 동시에 상기 순수 또는 초순수가 살균되는 스탭과, (b) 상기 스탭 (a)에서 얻어진 처리된 물의 수소가스를 용해하고 결과로서 생긴 물을 자외선으로 조사하며, 이로써 처리된 물에 함유된 용존산소와 산화제의 첨가로 유도된 용존산소가 H2O 로 분해됨과 동시에 살균이 행해지는 스탭과, (c) 상기 물에 박막을 이용한 탈가스를 행하기 위하여, 가스 투과성 박막의 일측을 통하여 상기 스탭 (b)에서 얻어진 처리된 물을 통과시키는 한편 상기 박막의 다른측을 진공상태로 유지하여, 이로써 남아있는 H2가스가 제거되는 스탭과, (d)O H+계 강산 양이온 교환수지와 H-계 음이온 교환수지의 혼합물인 이온교환수지층을 통하여 상기 스탭 (c)에서 얻어진 처리된 물을 통과시키고, 이로써 이온 및 실리카가 제거되는 스탭과, (e) 초여과를 위하여 상기 스탭 (d)에서 얻어진 처리된 물을 받고, 이러써 미세입자가 제거되는 스탭을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법을 사용하여 순수 또는 초순수를 정제하는 시스템에 있어서, (a) 순수 또는 초순수에서 전체유기탄소 성분을 제거하고, 상기 물을 살균시키는 오존 또는 과산화수소 용해장치 및 자외선 조사장치와, (b) 산화제의 첨가에서 유도되고, 상기 스탭(a)에서 얻어진 처리된 물에 함유된 용존산소를 분해하고 물을 살균시키는 수소가스 용해장치 및 자외선 조사장치와, (c) 상기 스탭(b)에서 얻어진 처리된 물에서 남아 있는 H2가스를 제거하는 가스투과성 박막을 가진 박막 탈 가스장치와, (d) 상기 스탭(c)에서 얻어진 처리된 물에서 이온과 실리카를 제거하기 위하여 OH+계 강염기 음이온 교환수지와 H-계 강산양이온 교환수지의 혼합물인 이온교환수지층을 가진 이온교환장치와, (e) 상기 스탭(d)에서 얻어진 처리된 물을 제거하는 초여과장치와, (f) 상기 (a) 내지 장치 (e)를 이 순서로 펌프와 연결하는 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 가스투과성 박막은 산소, 질소, 수소, 스팀 등의 가스는 투과하지만 물은 투과하지 않고 실리카 고무계, 폴리에틸렌테트라플로라이드계, 폴리올레핀계 및 폴리우레탄계에서 선택된 다공성 소수성 박막인 것을 특징으로 하는 시스템.
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