JPH05138167A - 超純水供給装置 - Google Patents
超純水供給装置Info
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- JPH05138167A JPH05138167A JP3329796A JP32979691A JPH05138167A JP H05138167 A JPH05138167 A JP H05138167A JP 3329796 A JP3329796 A JP 3329796A JP 32979691 A JP32979691 A JP 32979691A JP H05138167 A JPH05138167 A JP H05138167A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一次純水製造設備から二次純水製造設備に到
る配管や二次純水製造設備内の一次純水貯槽等による一
次純水の再汚染の影響を少なくしてユースポイントに超
純水を供給する。 【構成】 二次純水製造設備内の一次純水貯槽９と限外
濾過装置１３の間に二次処理系の逆浸透装置８’を設
け、それに伴い、その前に紫外線照射装置６’を設け
る。 【効果】 二次処理系の逆浸透装置がユースポイント１
４に近いので、再汚染の影響が少ない超純水を供給でき
る。
る配管や二次純水製造設備内の一次純水貯槽等による一
次純水の再汚染の影響を少なくしてユースポイントに超
純水を供給する。 【構成】 二次純水製造設備内の一次純水貯槽９と限外
濾過装置１３の間に二次処理系の逆浸透装置８’を設
け、それに伴い、その前に紫外線照射装置６’を設け
る。 【効果】 二次処理系の逆浸透装置がユースポイント１
４に近いので、再汚染の影響が少ない超純水を供給でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超純水供給装置に関
し、特に超純水供給装置の二次純水（超純水）製造設備
の改良に関する。
し、特に超純水供給装置の二次純水（超純水）製造設備
の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工場等では、洗浄工程におい
て超純水の使用が不可欠である。半導体工業分野では、
半導体装置（半導体チップ）の高集積化に伴い、超純水
に要求される純度も益々高レベルとなってきている。
て超純水の使用が不可欠である。半導体工業分野では、
半導体装置（半導体チップ）の高集積化に伴い、超純水
に要求される純度も益々高レベルとなってきている。
【０００３】例えば、半導体製造工場において超純水を
供給する超純水供給装置は、その機械棟に収容される一
次純水製造設備とその製造棟内に収容される一次純水製
造設備から分枝した二次純水（超純水）製造設備とから
成り、該製造棟内の半導体チップの製造を現に行う各製
造現場のいわゆるユースポイントへと超純水の供給を行
うのが通常である。
供給する超純水供給装置は、その機械棟に収容される一
次純水製造設備とその製造棟内に収容される一次純水製
造設備から分枝した二次純水（超純水）製造設備とから
成り、該製造棟内の半導体チップの製造を現に行う各製
造現場のいわゆるユースポイントへと超純水の供給を行
うのが通常である。
【０００４】かかる超純水供給装置の従来の一般的なシ
ステムラインを図２を参照しつつ説明する。
ステムラインを図２を参照しつつ説明する。
【０００５】図２は、従来の超純水供給装置システムの
フローチャートの二例を表したものであり、同図左側の
上方のラインと下方のラインがそれぞれの例を表し、途
中から単位装置の配列は該二例とも同じとなり、従っ
て、同図右側のラインは該二例に共通である。なお、図
２中、Ｐはポンプを表す。
フローチャートの二例を表したものであり、同図左側の
上方のラインと下方のラインがそれぞれの例を表し、途
中から単位装置の配列は該二例とも同じとなり、従っ
て、同図右側のラインは該二例に共通である。なお、図
２中、Ｐはポンプを表す。
【０００６】図２の上方のラインは、前処理装置１、前
段逆浸透装置２、透過水貯槽３、混床式純水装置４を有
し、これから粗純水を貯留する粗純水貯槽５へと続く。
段逆浸透装置２、透過水貯槽３、混床式純水装置４を有
し、これから粗純水を貯留する粗純水貯槽５へと続く。
【０００７】図２の下方のラインは、前処理装置１’、
例えば２床３塔型純水装置２’、混床式純水装置４’を
有し、これから粗純水を貯留する粗純水貯槽５へと続
く。なお、このシステムラインの方が前述のものより一
般的である。
例えば２床３塔型純水装置２’、混床式純水装置４’を
有し、これから粗純水を貯留する粗純水貯槽５へと続
く。なお、このシステムラインの方が前述のものより一
般的である。
【０００８】粗純水貯槽５から以降の上記の二例の従来
型超純水供給装置のラインは、上述の通り同一である。
粗純水貯槽５の下流側に、順次、紫外線照射装置６、後
段逆浸透装置８が並び、ここまでが一次純水製造設備で
ある。なお、粗純水貯槽５と紫外線照射装置６との間の
ポンプＰとしては純水ポンプ５’、後段逆浸透装置８の
前のポンプＰとしては高圧ポンプ７を用いる。
型超純水供給装置のラインは、上述の通り同一である。
粗純水貯槽５の下流側に、順次、紫外線照射装置６、後
段逆浸透装置８が並び、ここまでが一次純水製造設備で
ある。なお、粗純水貯槽５と紫外線照射装置６との間の
ポンプＰとしては純水ポンプ５’、後段逆浸透装置８の
前のポンプＰとしては高圧ポンプ７を用いる。
【０００９】上記のような一次純水製造設備から流出し
た一次純水は、二次純水製造設備（一般に「サブシステ
ム」と言われる）の一次純水貯槽９に貯留される。二次
純水製造設備システムのラインは、この一次純水貯槽９
から紫外線照射装置１１、非再生型純水装置（カートリ
ッジ式ポリッシャー）１２、限外濾過装置１３を経てユ
ースポイント（use point ）１４に到る。なお、二次純
水製造設備システムのポンプＰとして、一次純水貯槽９
と紫外線照射装置１１の間にサブシステム純水供給ポン
プ１０が設けられている。
た一次純水は、二次純水製造設備（一般に「サブシステ
ム」と言われる）の一次純水貯槽９に貯留される。二次
純水製造設備システムのラインは、この一次純水貯槽９
から紫外線照射装置１１、非再生型純水装置（カートリ
ッジ式ポリッシャー）１２、限外濾過装置１３を経てユ
ースポイント（use point ）１４に到る。なお、二次純
水製造設備システムのポンプＰとして、一次純水貯槽９
と紫外線照射装置１１の間にサブシステム純水供給ポン
プ１０が設けられている。
【００１０】以上が従来の超純水供給設備の一般的なラ
インであるが、次に各単位装置の役割を簡単に説明して
おく。
インであるが、次に各単位装置の役割を簡単に説明して
おく。
【００１１】原水としては、井水、市水（水道水）、工
業用水等が使用される。かかる原水は、まず、前処理装
置１又は１’で処理される。ここでの処理は、濾過、ｐ
Ｈコントロール、脱炭酸ガスが主目的で、雑多な不純物
の凝集・沈澱操作と濾過操作を組合せた装置（分離型と
一体型がある）や活性炭濾過装置（有機物と水道水中の
残留塩素分を除去する）等を前処理装置１又は１’とし
て使用する。
業用水等が使用される。かかる原水は、まず、前処理装
置１又は１’で処理される。ここでの処理は、濾過、ｐ
Ｈコントロール、脱炭酸ガスが主目的で、雑多な不純物
の凝集・沈澱操作と濾過操作を組合せた装置（分離型と
一体型がある）や活性炭濾過装置（有機物と水道水中の
残留塩素分を除去する）等を前処理装置１又は１’とし
て使用する。
【００１２】前段逆浸透装置２では、イオン類、ＴＯＣ
（全有機性炭素）、微粒子、細菌、コロイド物質を除去
するのが主目的である。
（全有機性炭素）、微粒子、細菌、コロイド物質を除去
するのが主目的である。
【００１３】透過水貯槽３は、前段逆浸透装置２の逆浸
透膜を透過した処理水の貯槽である。
透膜を透過した処理水の貯槽である。
【００１４】混床式純水装置４又は４’は、カチオン交
換樹脂とアニオン交換樹脂の混床から成る装置で、残留
イオン類、ＴＯＣ、微粒子、シリカ等を吸着・除去する
役割を有する。
換樹脂とアニオン交換樹脂の混床から成る装置で、残留
イオン類、ＴＯＣ、微粒子、シリカ等を吸着・除去する
役割を有する。
【００１５】２床３塔型純水装置２’は、カチオン交換
樹脂塔、脱炭酸塔及びアニオン交換樹脂塔から成り、残
留イオン類、ＴＯＣ、微粒子、シリカ等を吸着・除去す
るのを主目的とする。脱炭酸塔は、曝気塔であり、アニ
オン樹脂に吸着性を有する炭酸ガスをここで処理水から
除去し、下流のアニオン交換樹脂塔での炭酸ガスによる
アニオン交換樹脂の交換容量の低下を未然に防止する役
割を有する。なお、この２床３塔型純水装置２’は、一
例であり、代わりに同様の作用を有する純水装置を使用
することもできる。
樹脂塔、脱炭酸塔及びアニオン交換樹脂塔から成り、残
留イオン類、ＴＯＣ、微粒子、シリカ等を吸着・除去す
るのを主目的とする。脱炭酸塔は、曝気塔であり、アニ
オン樹脂に吸着性を有する炭酸ガスをここで処理水から
除去し、下流のアニオン交換樹脂塔での炭酸ガスによる
アニオン交換樹脂の交換容量の低下を未然に防止する役
割を有する。なお、この２床３塔型純水装置２’は、一
例であり、代わりに同様の作用を有する純水装置を使用
することもできる。
【００１６】紫外線照射装置６及び１１は、紫外線によ
る殺菌作用と有機物の酸化分解作用を有し、この装置の
下流に在る単位装置での細菌の増殖を防ぐ役割を有す
る。例えば、下流の単位装置として逆浸透装置が在る場
合、紫外線照射装置で殺菌しておけば、逆浸透膜上での
細菌の増殖を抑えることができる。なお、殺菌を主目的
とする場合、主波長が２５４ｎｍ付近の紫外線ランプを
用いるのが通常で、有機物の酸化分解作用を主目的とす
る場合は、１８５ｎｍ付近の波長の紫外線を出す紫外線
ランプを用いるのが通常である。
る殺菌作用と有機物の酸化分解作用を有し、この装置の
下流に在る単位装置での細菌の増殖を防ぐ役割を有す
る。例えば、下流の単位装置として逆浸透装置が在る場
合、紫外線照射装置で殺菌しておけば、逆浸透膜上での
細菌の増殖を抑えることができる。なお、殺菌を主目的
とする場合、主波長が２５４ｎｍ付近の紫外線ランプを
用いるのが通常で、有機物の酸化分解作用を主目的とす
る場合は、１８５ｎｍ付近の波長の紫外線を出す紫外線
ランプを用いるのが通常である。
【００１７】使い捨て型の非再生型純水装置（カートリ
ッジ式ポリッシャー）１２は、再生済のカチオン交換樹
脂とアニオン交換樹脂の混床から構成され、被処理水か
ら残留イオン類、極微量のシリカを除去するのを主目的
とする。
ッジ式ポリッシャー）１２は、再生済のカチオン交換樹
脂とアニオン交換樹脂の混床から構成され、被処理水か
ら残留イオン類、極微量のシリカを除去するのを主目的
とする。
【００１８】限外濾過装置１３は、被処理水から微粒
子、細菌、細菌の死骸を除去するのが主目的で、最終的
な処理を行う。なお、限外濾過膜は、イオン類の除去能
力は無い。
子、細菌、細菌の死骸を除去するのが主目的で、最終的
な処理を行う。なお、限外濾過膜は、イオン類の除去能
力は無い。
【００１９】ユースポイント１４は、限外濾過装置１３
の出口側に設けられ、半導体洗浄機械を含めた超純水使
用系である。このユースポイント１４からユースポイン
ト戻り配管を通して残余の未使用超純水を一次純水貯槽
９に戻し、再び二次処理を受け、細菌等による汚染を防
ぎつつ再使用に供される。
の出口側に設けられ、半導体洗浄機械を含めた超純水使
用系である。このユースポイント１４からユースポイン
ト戻り配管を通して残余の未使用超純水を一次純水貯槽
９に戻し、再び二次処理を受け、細菌等による汚染を防
ぎつつ再使用に供される。
【００２０】
【発明が解決しようとする問題点】上記のような従来型
超純水供給装置においては、一次処理系である一次純水
製造設備（前述のごとく、通常、機械棟に収容される）
と二次処理系である二次純水製造設備（前述のごとく、
通常、製造棟に収容される）の間を結ぶ配管が長く、ま
た、二次処理系の入口となる一次純水貯槽９がガラス繊
維強化プラスチック（ＦＲＰ）製のタンクであるのが通
常であり、また、この一次純水貯槽９の下流の各処理単
位装置へ一次純水を送り出すサブシステム純水供給ポン
プ１０を使用するため、以下の様な問題点が有った。
超純水供給装置においては、一次処理系である一次純水
製造設備（前述のごとく、通常、機械棟に収容される）
と二次処理系である二次純水製造設備（前述のごとく、
通常、製造棟に収容される）の間を結ぶ配管が長く、ま
た、二次処理系の入口となる一次純水貯槽９がガラス繊
維強化プラスチック（ＦＲＰ）製のタンクであるのが通
常であり、また、この一次純水貯槽９の下流の各処理単
位装置へ一次純水を送り出すサブシステム純水供給ポン
プ１０を使用するため、以下の様な問題点が有った。
【００２１】後段逆浸透装置８で、ＴＯＣ、微粒子、生
菌が除去されるが、一次処理系出口からの配管や一次純
水貯槽９の存在のために再びこれらが増加する。特に、
一次純水貯槽９のＦＲＰから有機物が溶出し、ＴＯＣの
増大を招くと共に、生菌数、更には微粒子数の増大をも
招く。更に、サブシステム純水供給ポンプ１０からの微
粒子数の増加も有る。
菌が除去されるが、一次処理系出口からの配管や一次純
水貯槽９の存在のために再びこれらが増加する。特に、
一次純水貯槽９のＦＲＰから有機物が溶出し、ＴＯＣの
増大を招くと共に、生菌数、更には微粒子数の増大をも
招く。更に、サブシステム純水供給ポンプ１０からの微
粒子数の増加も有る。
【００２２】本発明は、上記のような従来型超純水供給
装置における上記のような問題点を排除せんとして成さ
れたもので、一次処理系を流出した一次純水の再汚染に
よるユースポイントでの超純水の水質低下を少なく維持
することができる超純水供給装置を提供するものであ
る。
装置における上記のような問題点を排除せんとして成さ
れたもので、一次処理系を流出した一次純水の再汚染に
よるユースポイントでの超純水の水質低下を少なく維持
することができる超純水供給装置を提供するものであ
る。
【００２３】
【問題点を解決するための手段】本発明によれば、一次
純水製造設備から流出した一次純水を貯留する二次純水
（超純水）製造設備内の一次純水貯槽と最終段の限外濾
過装置との間に逆浸透装置を設けたことを特徴とする超
純水供給装置が提供される。
純水製造設備から流出した一次純水を貯留する二次純水
（超純水）製造設備内の一次純水貯槽と最終段の限外濾
過装置との間に逆浸透装置を設けたことを特徴とする超
純水供給装置が提供される。
【００２４】本発明の超純水供給装置では、上述のよう
に、一次純水貯槽と最終段の限外濾過装置との間に二次
処理系の逆浸透装置が設けられているので、前述した従
来型超純水供給装置に設けられている一次純水製造設備
内の後段逆浸透装置８を設けなくても良い場合が多く、
その場合、後段逆浸透装置の省略に伴って粗純水貯槽５
も省略でき、設備コスト的に有利であり、また、粗純水
貯槽５による再汚染も無い。
に、一次純水貯槽と最終段の限外濾過装置との間に二次
処理系の逆浸透装置が設けられているので、前述した従
来型超純水供給装置に設けられている一次純水製造設備
内の後段逆浸透装置８を設けなくても良い場合が多く、
その場合、後段逆浸透装置の省略に伴って粗純水貯槽５
も省略でき、設備コスト的に有利であり、また、粗純水
貯槽５による再汚染も無い。
【００２５】本発明の超純水供給装置において、上記二
次純水製造設備内に脱酸素装置を設けることが好まし
い。この場合は、シリコンウェーハ等の表面における自
然酸化膜の形成を防ぐことができ、半導体チップの製造
に好都合である。
次純水製造設備内に脱酸素装置を設けることが好まし
い。この場合は、シリコンウェーハ等の表面における自
然酸化膜の形成を防ぐことができ、半導体チップの製造
に好都合である。
【００２６】
【作用】本発明の超純水供給装置は、二次純水製造設備
システムのラインの一次純水貯槽の下流側に逆浸透装置
が設けらているので、該一次純水貯槽を流出し、サブシ
ステム純水供給ポンプを通過した純水中の残存及び再増
加ＴＯＣ、微粒子、生菌がこの逆浸透装置で除去され、
該逆浸透装置がユースポイントに近いので、ユースポイ
ントでの超純水の使用に到るまでのＴＯＣ、微粒子、生
菌の再増加を極めて少なくすることができる。
システムのラインの一次純水貯槽の下流側に逆浸透装置
が設けらているので、該一次純水貯槽を流出し、サブシ
ステム純水供給ポンプを通過した純水中の残存及び再増
加ＴＯＣ、微粒子、生菌がこの逆浸透装置で除去され、
該逆浸透装置がユースポイントに近いので、ユースポイ
ントでの超純水の使用に到るまでのＴＯＣ、微粒子、生
菌の再増加を極めて少なくすることができる。
【００２７】
【実施例】以下、添付図面を参照しつつ、本発明を具体
的且つ詳細に説明するが、本発明は実施例に限定される
ものでは無い。
的且つ詳細に説明するが、本発明は実施例に限定される
ものでは無い。
【００２８】実施例 図１は、本発明の超純水供給装置の一例のフローチャー
トである。混床式純水装置４又は４’までのラインは、
従来型の超純水供給装置と同じである。本実施例では、
図１より明らかなように、一次純水製造設備に含まれる
該混床式純水装置４又は４’以降の各単位装置（図２に
おける粗純水貯槽５、紫外線照射装置６、後段逆浸透装
置８）は省略され、その代わりに二次純水製造設備内に
紫外線照射装置６’と逆浸透装置８’が設けられている
のが特徴である。なお、図１中、Ｐはポンプを表す。
トである。混床式純水装置４又は４’までのラインは、
従来型の超純水供給装置と同じである。本実施例では、
図１より明らかなように、一次純水製造設備に含まれる
該混床式純水装置４又は４’以降の各単位装置（図２に
おける粗純水貯槽５、紫外線照射装置６、後段逆浸透装
置８）は省略され、その代わりに二次純水製造設備内に
紫外線照射装置６’と逆浸透装置８’が設けられている
のが特徴である。なお、図１中、Ｐはポンプを表す。
【００２９】一次純水貯槽９からサブシステム純水供給
ポンプ１０により紫外線照射装置６’に送られた一次純
水はここで殺菌と有機物の酸化分解を受け、次に高圧ポ
ンプ７’により二次処理系の逆浸透装置８’に送水され
る。
ポンプ１０により紫外線照射装置６’に送られた一次純
水はここで殺菌と有機物の酸化分解を受け、次に高圧ポ
ンプ７’により二次処理系の逆浸透装置８’に送水され
る。
【００３０】この逆浸透装置８’において、残存及び再
増加したイオン類、ＴＯＣ（全有機性炭素）、微粒子、
細菌、コロイド物質を除去された処理水は、次にもう一
度紫外線照射装置１１を通過し、この下流側の単位装置
での菌増殖防止のための殺菌と有機物の酸化分解を受け
る。
増加したイオン類、ＴＯＣ（全有機性炭素）、微粒子、
細菌、コロイド物質を除去された処理水は、次にもう一
度紫外線照射装置１１を通過し、この下流側の単位装置
での菌増殖防止のための殺菌と有機物の酸化分解を受け
る。
【００３１】次いで、紫外線照射装置１１を流出した処
理水は非再生型純水装置１２のカチオン交換樹脂とアニ
オン交換樹脂の混床を通り、残留イオン類や極微量のシ
リカが除去され、最終処理を行う限外濾過装置１３に流
入し、微粒子、細菌及びその死骸等が更に除去された
後、二次処理水（超純水）として流出し、ユースポイン
ト１４に到る。
理水は非再生型純水装置１２のカチオン交換樹脂とアニ
オン交換樹脂の混床を通り、残留イオン類や極微量のシ
リカが除去され、最終処理を行う限外濾過装置１３に流
入し、微粒子、細菌及びその死骸等が更に除去された
後、二次処理水（超純水）として流出し、ユースポイン
ト１４に到る。
【００３２】ユースポイント１４で使用されなかった超
純水は、ユースポイント戻り配管を通じて一次純水貯槽
９に戻され、再二次処理・再使用される。
純水は、ユースポイント戻り配管を通じて一次純水貯槽
９に戻され、再二次処理・再使用される。
【００３３】図１の実施例では、一次純水製造設備に含
まれる混床式純水装置４又は４’以降の各単位装置（図
２における粗純水貯槽５、紫外線照射装置６、後段逆浸
透装置８）を省略したが、設備コストの上昇を問題にし
なければ、勿論これらの単位装置を設けても構わない。
まれる混床式純水装置４又は４’以降の各単位装置（図
２における粗純水貯槽５、紫外線照射装置６、後段逆浸
透装置８）を省略したが、設備コストの上昇を問題にし
なければ、勿論これらの単位装置を設けても構わない。
【００３４】本実施例の二次純水製造設備の上記のライ
ンの代わりに、例えば、下記の様なラインとすることも
できる。
ンの代わりに、例えば、下記の様なラインとすることも
できる。
【００３５】一次純水貯槽９→逆浸透装置８’→紫外線
照射装置１１→非再生型純水装置１２→限外濾過装置１
３→ユースポイント１４。
照射装置１１→非再生型純水装置１２→限外濾過装置１
３→ユースポイント１４。
【００３６】または、一次純水貯槽９→紫外線照射装置
６’→逆浸透装置８’→非再生型純水装置１２→限外濾
過装置１３→ユースポイント１４。
６’→逆浸透装置８’→非再生型純水装置１２→限外濾
過装置１３→ユースポイント１４。
【００３７】二次純水製造設備の本実施例の場合を含め
た上記の三種のラインの何れの場合においても、一次純
水貯槽９の次段又は下流側のその他の場所に脱酸素装置
を入れてもよい。脱酸素装置は、最終的な超純水が酸素
を含んでいた場合にシリコンウェーハが自然酸化を受
け、該ウェーハ上に自然酸化膜が生じるのを防止するの
に有効である。
た上記の三種のラインの何れの場合においても、一次純
水貯槽９の次段又は下流側のその他の場所に脱酸素装置
を入れてもよい。脱酸素装置は、最終的な超純水が酸素
を含んでいた場合にシリコンウェーハが自然酸化を受
け、該ウェーハ上に自然酸化膜が生じるのを防止するの
に有効である。
【００３８】かかる脱酸素装置の代表例である脱気膜装
置は、気体は通すが水は通さない性質を有する膜の一方
の側に被処理水を流すとともに、該膜の他方の側を減圧
することによって被処理水中の溶存ガスを除去するもの
である。
置は、気体は通すが水は通さない性質を有する膜の一方
の側に被処理水を流すとともに、該膜の他方の側を減圧
することによって被処理水中の溶存ガスを除去するもの
である。
【００３９】上記の脱気膜装置に加えて、または、これ
に代えてイオン交換樹脂を用いた脱酸素装置を使用して
もよい。このイオン交換樹脂は強塩基性アニオン交換樹
脂に金属パラジウムを担持させたもので、被処理水に水
素ガスを溶解させた後に上記脱酸素装置に導入して処理
すると溶存酸素が還元され、水に転化する反応を利用す
るものである。
に代えてイオン交換樹脂を用いた脱酸素装置を使用して
もよい。このイオン交換樹脂は強塩基性アニオン交換樹
脂に金属パラジウムを担持させたもので、被処理水に水
素ガスを溶解させた後に上記脱酸素装置に導入して処理
すると溶存酸素が還元され、水に転化する反応を利用す
るものである。
【００４０】また、真空脱気塔を脱酸素装置として用い
てもよい。この真空脱気塔は、上記の脱気膜装置又は上
記のイオン交換樹脂を用いた脱酸素装置と併用すること
もできる。
てもよい。この真空脱気塔は、上記の脱気膜装置又は上
記のイオン交換樹脂を用いた脱酸素装置と併用すること
もできる。
【００４１】更に、窒素ガスを用いた曝気塔を脱酸素装
置として使用してもよい。この曝気塔は、上記の脱気膜
装置又は上記のイオン交換樹脂を用いた脱酸素装置と併
用することもできる。
置として使用してもよい。この曝気塔は、上記の脱気膜
装置又は上記のイオン交換樹脂を用いた脱酸素装置と併
用することもできる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の超純水供給装置は、二次純水製
造設備ラインの一次純水貯槽の下流側に逆浸透装置が設
けられているので、該一次純水貯槽を流出し、サブシス
テム純水供給ポンプを通過した純水中の残存又は再増加
ＴＯＣ、微粒子、生菌等がこの逆浸透装置で除去され、
しかも、従来の超純水供給装置の場合と比べ該逆浸透装
置がユースポイントの近くに設けられているので、ユー
スポイントに到るまでのＴＯＣ、微粒子、生菌の再増加
が極めて少ない状態で超純水を供給することができる。
造設備ラインの一次純水貯槽の下流側に逆浸透装置が設
けられているので、該一次純水貯槽を流出し、サブシス
テム純水供給ポンプを通過した純水中の残存又は再増加
ＴＯＣ、微粒子、生菌等がこの逆浸透装置で除去され、
しかも、従来の超純水供給装置の場合と比べ該逆浸透装
置がユースポイントの近くに設けられているので、ユー
スポイントに到るまでのＴＯＣ、微粒子、生菌の再増加
が極めて少ない状態で超純水を供給することができる。
【図１】本発明の一実施態様に従った超純水供給装置シ
ステムのラインを示すフローチャートである。
ステムのラインを示すフローチャートである。
【図２】従来の超純水供給装置システムのラインを示す
フローチャートである。
フローチャートである。
１ 前処理装置 １’ 前処理装置 ２ 前段逆浸透装置 ２’ ２床３塔型純水装置 ３ 透過水貯槽 ４ 混床式純水装置 ４’ 混床式純水装置 ５ 粗純水貯槽 ６ 紫外線照射装置 ６’ 紫外線照射装置 ８ 後段逆浸透装置 ８’ 二次処理系逆浸透装置 ９ 一次純水貯槽 １１ 紫外線照射装置 １２ 非再生型純水装置 １３ 限外濾過装置 １４ ユースポイント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０２Ｆ 1/58 Ｔ 7158−4Ｄ 9/00 Ａ 6647−4Ｄ (72)発明者 吉田 晃 東京都文京区本郷５丁目５番16号 オルガ ノ株式会社内 (72)発明者 筒井 正一 東京都文京区本郷５丁目５番16号 オルガ ノ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一次純水製造設備から流出した一次純水
を貯留する二次純水（超純水）製造設備内の一次純水貯
槽と最終段の限外濾過装置との間に逆浸透装置を設けた
ことを特徴とする超純水供給装置。 - 【請求項２】 前記二次純水製造設備内に脱酸素装置を
設けたことを特徴とする請求項１に記載の超純水供給装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3329796A JPH05138167A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 超純水供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3329796A JPH05138167A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 超純水供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05138167A true JPH05138167A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18225353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3329796A Pending JPH05138167A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 超純水供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05138167A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758380B1 (ko) * | 2006-09-14 | 2007-09-18 | 주식회사 디엠퓨어텍 | 역삼투압을 이용한 농축수 재활용 처리장치 |
| JP2008093606A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Kurita Water Ind Ltd | 水中の溶存酸素除去方法及び装置並びに水中の溶存酸素除去触媒 |
| WO2015050125A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造装置 |
| KR20180123663A (ko) | 2016-03-25 | 2018-11-19 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 초순수 제조 시스템 |
| CN112645484A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-04-13 | 西安康际石油科技有限公司 | 一种多种注剂集中加药装置 |
-
1991
- 1991-11-19 JP JP3329796A patent/JPH05138167A/ja active Pending
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| CN105517960A (zh) * | 2013-10-04 | 2016-04-20 | 栗田工业株式会社 | 超纯水制造装置 |
| KR20160065813A (ko) * | 2013-10-04 | 2016-06-09 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 초순수 제조 장치 |
| JPWO2015050125A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-03-09 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造装置 |
| KR20180123663A (ko) | 2016-03-25 | 2018-11-19 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 초순수 제조 시스템 |
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