JPWO2025225054A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPWO2025225054A5
JPWO2025225054A5 JP2025568898A JP2025568898A JPWO2025225054A5 JP WO2025225054 A5 JPWO2025225054 A5 JP WO2025225054A5 JP 2025568898 A JP2025568898 A JP 2025568898A JP 2025568898 A JP2025568898 A JP 2025568898A JP WO2025225054 A5 JPWO2025225054 A5 JP WO2025225054A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trench
semiconductor device
insulating film
electrode
interlayer insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2025568898A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2025225054A1 (https=
JP7843949B2 (ja
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2024/015801 external-priority patent/WO2025224813A1/ja
Application filed filed Critical
Publication of JPWO2025225054A1 publication Critical patent/JPWO2025225054A1/ja
Publication of JPWO2025225054A5 publication Critical patent/JPWO2025225054A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7843949B2 publication Critical patent/JP7843949B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2025568898A 2024-04-23 2024-10-23 半導体装置、電力変換装置、及び、半導体装置の製造方法 Active JP7843949B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2024/015801 2024-04-23
PCT/JP2024/015801 WO2025224813A1 (ja) 2024-04-23 2024-04-23 半導体装置及び半導体装置の製造方法
PCT/JP2024/037769 WO2025225054A1 (ja) 2024-04-23 2024-10-23 半導体装置、電力変換装置、及び、半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2025225054A1 JPWO2025225054A1 (https=) 2025-10-30
JPWO2025225054A5 true JPWO2025225054A5 (https=) 2026-04-01
JP7843949B2 JP7843949B2 (ja) 2026-04-10

Family

ID=97489632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025568898A Active JP7843949B2 (ja) 2024-04-23 2024-10-23 半導体装置、電力変換装置、及び、半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7843949B2 (https=)
WO (2) WO2025224813A1 (https=)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4791015B2 (ja) * 2004-09-29 2011-10-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 縦型ｍｏｓｆｅｔ
JP2008085278A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Ricoh Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5812029B2 (ja) * 2012-06-13 2015-11-11 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US9825166B2 (en) * 2013-01-23 2017-11-21 Hitachi, Ltd. Silicon carbide semiconductor device and method for producing same
US9178015B2 (en) * 2014-01-10 2015-11-03 Vishay General Semiconductor Llc Trench MOS device having a termination structure with multiple field-relaxation trenches for high voltage applications
JP6185504B2 (ja) * 2015-03-24 2017-08-23 京セラ株式会社 半導体装置
JP6409681B2 (ja) * 2015-05-29 2018-10-24 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
CN107683530B (zh) * 2015-06-09 2020-08-18 三菱电机株式会社 电力用半导体装置
JP7280666B2 (ja) 2017-05-17 2023-05-24 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7382558B2 (ja) * 2019-12-25 2023-11-17 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー トレンチ型ｍｏｓｆｅｔ
WO2021261102A1 (ja) * 2020-06-26 2021-12-30 ローム株式会社 電子部品
US12610597B2 (en) * 2020-07-31 2026-04-21 Rohm Co., Ltd. SiC semiconductor device with mesa trench structure and sidewall wiring
JP7471199B2 (ja) * 2020-11-12 2024-04-19 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、電力変換装置、および炭化珪素半導体装置の製造方法
CN116848643A (zh) * 2021-02-01 2023-10-03 罗姆股份有限公司 SiC半导体装置
JP7647239B2 (ja) * 2021-03-30 2025-03-18 富士電機株式会社 半導体装置
JP7586034B2 (ja) * 2021-09-03 2024-11-19 株式会社デンソー 半導体装置
WO2023080091A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP7757235B2 (ja) * 2022-05-13 2025-10-21 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022043062A5 (https=)
JP2024105364A5 (ja) 半導体装置
JP2024075636A5 (https=)
JP2021168394A5 (ja) 表示装置
JP2024020477A5 (https=)
JP2025107248A5 (https=)
JP2024156809A5 (ja) 半導体装置
JP2025175013A5 (ja) 半導体装置
JP2025090792A5 (https=)
JP2019179924A5 (ja) トランジスタ
JP7325301B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2010034579A5 (https=)
JP2021174924A5 (https=)
US20160172301A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
JPWO2021210600A5 (https=)
JPWO2023166657A5 (https=)
JP7172846B2 (ja) 半導体装置
JPWO2022097221A5 (ja) 半導体装置及び電力変換装置
JPWO2023166378A5 (https=)
JPWO2025225054A5 (https=)
JPWO2023286235A5 (https=)
JP7826152B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPWO2023189754A5 (https=)
CN221304699U (zh) 一种高密度倾斜沟道功率半导体器件
JP2022139078A5 (https=)