JPWO2023100214A5 - - Google Patents

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Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS622584A (ja) * 1985-06-27 1987-01-08 Nec Corp 埋込み構造半導体レ−ザ及び製造方法
JPH01309393A (ja) * 1988-06-08 1989-12-13 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH03133189A (ja) * 1989-10-18 1991-06-06 Nec Corp 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ
JPH07111361A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Hitachi Ltd 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2000174390A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Fujitsu Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JP3428501B2 (ja) * 1999-06-03 2003-07-22 日本電気株式会社 半導体光増幅器およびその製造方法
CA2328641A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-15 Nortel Networks Limited Confinement layer of buried heterostructure semiconductor laser
JP3825652B2 (ja) * 2001-04-18 2006-09-27 日本電信電話株式会社 半導体光素子
DE60212755T2 (de) * 2001-04-18 2006-11-16 Nippon Telegraph And Telephone Corp. Optische Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
US20040125000A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Lee Yu Long Low noise keyboard pushbutton structure
US20090267195A1 (en) * 2005-12-20 2009-10-29 Nec Corporation Semiconductor element and method for manufacturing semiconductor element
JP2008294076A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP2009266891A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザおよびその製造方法
JP2009283822A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
JP5660940B2 (ja) * 2010-04-27 2015-01-28 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2014045083A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光素子及び半導体光素子の作製方法
JP2016031970A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 三菱電機株式会社 光半導体装置
JP2016184611A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 半導体レーザ
JP6897928B2 (ja) * 2016-01-14 2021-07-07 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体素子の製造方法および光半導体素子
JP2018101752A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 住友電気工業株式会社 半導体光素子およびその製造方法
WO2020240644A1 (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 三菱電機株式会社 光半導体装置および光半導体装置の製造方法
US11462886B2 (en) * 2019-08-09 2022-10-04 Lumentum Japan, Inc. Buried-type semiconductor optical device
JP7457485B2 (ja) * 2019-08-09 2024-03-28 日本ルメンタム株式会社 埋め込み型半導体光素子
CN111048993B (zh) * 2019-12-27 2025-12-09 苏州矩阵光电有限公司 一种微碟激光器及其制备方法

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