JPH03133189A - 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ - Google Patents
高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザInfo
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- JPH03133189A JPH03133189A JP27200289A JP27200289A JPH03133189A JP H03133189 A JPH03133189 A JP H03133189A JP 27200289 A JP27200289 A JP 27200289A JP 27200289 A JP27200289 A JP 27200289A JP H03133189 A JPH03133189 A JP H03133189A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高速変調可能な高抵抗半導体層埋め込み型半
導体レーザに関する。
導体レーザに関する。
（従来の技術）
高度情報社会の構築に伴い、光通信システムの大容量化
、通信ネットワークの高度化が進められている。光通信
システムの大容量化に有力な１つの手段として変調速度
の高速化が挙げられる。光源を超高速変調して高速化を
図った光通信システムにおいては、高速応答に優れた半
導体レーザが要求される。
、通信ネットワークの高度化が進められている。光通信
システムの大容量化に有力な１つの手段として変調速度
の高速化が挙げられる。光源を超高速変調して高速化を
図った光通信システムにおいては、高速応答に優れた半
導体レーザが要求される。
半導体レーザの活性領域にのみ電流を有効に閉じ込め、
屈折率差により光も活性領域に有効に閉じ込めるための
埋め込み層として、近年、半導体中の深い準位を利用し
た高抵抗半導体層を用いることが注目され盛んに研究・
開発されている。高抵抗半導体層を埋め込み層に用いた
半導体レーザでは、ｐ−ｎ接合を使った電流ブロック層
を電流狭窄に用いていないため、寄生容量が小さく高速
変調が可能であることが知られている。例えば、アプラ
イド・フィジックス・レターズ誌（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）第５１巻、第１４号、１
０５４頁から１０５６頁（１９８７年）に記載されてい
る。
屈折率差により光も活性領域に有効に閉じ込めるための
埋め込み層として、近年、半導体中の深い準位を利用し
た高抵抗半導体層を用いることが注目され盛んに研究・
開発されている。高抵抗半導体層を埋め込み層に用いた
半導体レーザでは、ｐ−ｎ接合を使った電流ブロック層
を電流狭窄に用いていないため、寄生容量が小さく高速
変調が可能であることが知られている。例えば、アプラ
イド・フィジックス・レターズ誌（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）第５１巻、第１４号、１
０５４頁から１０５６頁（１９８７年）に記載されてい
る。
高抵抗半導体層を埋め込み層に用いた半導体レーザの従
来例を第２図に示す。ストライプ状インジウム・ガリウ
ム・ひ素・燐（ＩｎＧａＡｓＰ）の活性層１３の両側を
鉄（Ｆｅ）ドープ高抵抗燐化インジウム（ＩｎＰ）層１
５で埋め込んだ構造となっている。
来例を第２図に示す。ストライプ状インジウム・ガリウ
ム・ひ素・燐（ＩｎＧａＡｓＰ）の活性層１３の両側を
鉄（Ｆｅ）ドープ高抵抗燐化インジウム（ＩｎＰ）層１
５で埋め込んだ構造となっている。
（発明が解決しようとする課題）
第３図は、ｐ型半導体層、深い電子捕獲準位を有する半
絶縁性半導体層、ｎ型半導体層から構成される半導体層
に順方向バイアス電圧をかけたときにエネルギーバンド
の概念図である。第２図に示した従来の高抵抗半導体層
埋め込み型半導体レーザでは、高抵抗半導体層として深
い電子捕獲準位をもつＦｅドープＩｎＰ層を用いている
。メサ脇において、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４と高抵抗
ＩｎＰ層１５とｎ型ＩｎＰクラッド層１２が直接つなが
っており、半導体レーザ駆動時には、順方向にバイアス
電圧がかけられるため、第３図に示すエネルギーバンド
の概念図と等価になる。Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１５
は、電子を捕獲するがホールは捕獲しないので、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層１４と高抵抗ＩｎＰ層１５の界面付近に
おいて高抵抗ＩｎＰ層１層中５中い準位に捕獲された電
子と注入された正孔が再結合し、再結合電流が流れ、い
わゆるもれ電流となる。従って、しきい値電流の上昇、
外部微分量子効率の低下、最大出力の低下という半導体
レーザの特性の劣化を招いていた。このため、従来の技
術では、高抵抗半導体層を電流ブロック層に用いた高性
能な半導体レーザを得ることが困難であった。本発明の
目的は、ｐｎｐｎブロック層をもつ埋め込み型半導体レ
ーザと同等のしきい値、効率をもち、しかも、高抵抗層
埋め込みによる高速変調可能な高抵抗半導体層埋め込み
型半導体レーザを提供することにある。
絶縁性半導体層、ｎ型半導体層から構成される半導体層
に順方向バイアス電圧をかけたときにエネルギーバンド
の概念図である。第２図に示した従来の高抵抗半導体層
埋め込み型半導体レーザでは、高抵抗半導体層として深
い電子捕獲準位をもつＦｅドープＩｎＰ層を用いている
。メサ脇において、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４と高抵抗
ＩｎＰ層１５とｎ型ＩｎＰクラッド層１２が直接つなが
っており、半導体レーザ駆動時には、順方向にバイアス
電圧がかけられるため、第３図に示すエネルギーバンド
の概念図と等価になる。Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１５
は、電子を捕獲するがホールは捕獲しないので、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層１４と高抵抗ＩｎＰ層１５の界面付近に
おいて高抵抗ＩｎＰ層１層中５中い準位に捕獲された電
子と注入された正孔が再結合し、再結合電流が流れ、い
わゆるもれ電流となる。従って、しきい値電流の上昇、
外部微分量子効率の低下、最大出力の低下という半導体
レーザの特性の劣化を招いていた。このため、従来の技
術では、高抵抗半導体層を電流ブロック層に用いた高性
能な半導体レーザを得ることが困難であった。本発明の
目的は、ｐｎｐｎブロック層をもつ埋め込み型半導体レ
ーザと同等のしきい値、効率をもち、しかも、高抵抗層
埋め込みによる高速変調可能な高抵抗半導体層埋め込み
型半導体レーザを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の高抵抗半導体埋め込み型半導体レーザは、半導
体基板上に活性層と活性層を挟むｎ型及びｐ型のクラッ
ド層を備える二重ヘテロ構造のストライプ状のメサとこ
のメサ両側面に電子を捕獲する深い不純物準位を有する
高抵抗半導体層と前記高抵抗半導体層上に形成されたｎ
里及びｐ型半導体層を備える埋め込み型二重ヘテロ構造
半導体レーザにおいて、前記メサと前記高抵抗半導体層
との間にｐ型半導体層を備えることを特徴とする。
体基板上に活性層と活性層を挟むｎ型及びｐ型のクラッ
ド層を備える二重ヘテロ構造のストライプ状のメサとこ
のメサ両側面に電子を捕獲する深い不純物準位を有する
高抵抗半導体層と前記高抵抗半導体層上に形成されたｎ
里及びｐ型半導体層を備える埋め込み型二重ヘテロ構造
半導体レーザにおいて、前記メサと前記高抵抗半導体層
との間にｐ型半導体層を備えることを特徴とする。
（作用）
第１図に本発明の高抵抗半導体層埋め込み型半導体レー
ザの共振器方向に垂直な断面図を示す。ＰＷＩｎＰ層１
４、Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１５、ｎ型ＩｎＰ層１２
を通して流れるメサ脇の漏れを電流を抑えるためメサ脇
にｐ型不純物拡散を利用して、低濃度のｐ型ＩｎＰ層を
１９を形成する。ここで、ｐ型ＩｎＰ層１９はストライ
プメサのｐ型ＩｎＰ層１４、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３
、ｎ型ＩｎＰ層１２の各層の両側面に形成される。ｐ壓
ＩｎＰ層１９の下端はｎ型ＩｎＰ層１２のメサ側面に達
していればよく、側面の途中で止まっていてもよいし、
メサの底部まで達していてもよい。ｐ型ＩｎＰ層１９の
キャリア濃度をＩ Ｘ １０１１０ｌ７程度にすれば抵
抗が高いため、ここを通るメサ脇でのリーク電流が抑え
られる。更に、メサ脇以外は、深い電子捕獲準位を有す
る高抵抗半導体層、ｎ型及びｐ型半導体層で埋め込むこ
とにより良好な電流ブロック構造が形成できる。さらに
高抵抗半導体層を使うことにより、従来のｐ−ｎ−ｐ−
ｎ電流ブロック構造に比べｐ−ｎ接合面積が大幅に少な
くなるので寄生容量を低減でき高速応答可能になる。
ザの共振器方向に垂直な断面図を示す。ＰＷＩｎＰ層１
４、Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１５、ｎ型ＩｎＰ層１２
を通して流れるメサ脇の漏れを電流を抑えるためメサ脇
にｐ型不純物拡散を利用して、低濃度のｐ型ＩｎＰ層を
１９を形成する。ここで、ｐ型ＩｎＰ層１９はストライ
プメサのｐ型ＩｎＰ層１４、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３
、ｎ型ＩｎＰ層１２の各層の両側面に形成される。ｐ壓
ＩｎＰ層１９の下端はｎ型ＩｎＰ層１２のメサ側面に達
していればよく、側面の途中で止まっていてもよいし、
メサの底部まで達していてもよい。ｐ型ＩｎＰ層１９の
キャリア濃度をＩ Ｘ １０１１０ｌ７程度にすれば抵
抗が高いため、ここを通るメサ脇でのリーク電流が抑え
られる。更に、メサ脇以外は、深い電子捕獲準位を有す
る高抵抗半導体層、ｎ型及びｐ型半導体層で埋め込むこ
とにより良好な電流ブロック構造が形成できる。さらに
高抵抗半導体層を使うことにより、従来のｐ−ｎ−ｐ−
ｎ電流ブロック構造に比べｐ−ｎ接合面積が大幅に少な
くなるので寄生容量を低減でき高速応答可能になる。
以上述べたように、本発明による高抵抗層埋め込み型半
導体レーザにおいては、漏れ電流が抑制され、活性層に
おいて注入電流が有効に光に変換されるため、低いしき
い値電流、高い外部微分量子効率、高い光出力を得るこ
とができると同時に高速変調可能となる。
導体レーザにおいては、漏れ電流が抑制され、活性層に
おいて注入電流が有効に光に変換されるため、低いしき
い値電流、高い外部微分量子効率、高い光出力を得るこ
とができると同時に高速変調可能となる。
（実施例）
次に本発明について、第１図の図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の実施例の断面図である。実施例に
おいては、長波長系材料であるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ
を用いて説明する。
。第１図は、本発明の実施例の断面図である。実施例に
おいては、長波長系材料であるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ
を用いて説明する。
まず製作工程について述べる。（１００）面の硫黄（Ｓ
）ドープｎ１ＭＩｎＰ基板１１上に有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ）を用いて、シリコン（Ｓｉ）ドープｎ型
ＩｎＰ層１２［電子のキャリア濃度（ｎ）＝１×１０１
８ｃｍ−３］を厚さ２ｐｍ、発光波長１．５５１１ｍの
バンドギャップを有するＩｎＧａＡｓＰ活性層１３を厚
さ０．１５ｐｍ、亜鉛（Ｚｎ）ドープｐ型ＩｎＰ層１４
［正孔のキャリア濃度（ｐ） ＝ Ｉ Ｘ １０１９ｃ
ｍ−３］を厚さ０．５ｐｍ、それぞれ連続的にエピタキ
シャル成長する。次にフォトリソグラフィーの手法によ
り、＜０１１＞方向に厚み約２０００人、幅２ｐｍの５
ｉ０２ストライプ状マスクを３００ｐｍ間隔で形成する
。次に、化学エツチングによりｐ型ＩｎＰ層１４、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層１３、ｎ型ＩｎＰ層１２をエツチング
し、高さ２．０１１ｍのストライプ状のメサを形成する
。さらに、５ｉ０２ストライプ状マスクを残したまま、
メサストライプの凹部分にＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１
５を厚さ２、ＯＮｌｍ、 Ｓｉドープｎ型ＩｎＰ層１６
［ｎ＝ １ ｘ １０１８ｃｍ−３１を厚さ０．５ｐｍ
、ＭＯＶＰＥにより選択エピタキシャル成長する。次に
、５ｉ０２ストライプ状マスクを弗酸により除去した後
、ｚｎドープｐ型ＩｎＰ層１７［ｐ＝１刈い８ｃｍ−３
１を厚さ１１１ｍ、 Ｚｎｎドープ型ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層１８［ｐ ＝ Ｉ Ｘ １０１９ｃｍ−３］
を厚さ０．５ｐｍをＭＯＶＰＥにより全体が平坦になる
ようにエピタキシャル成長する。この成長時に、高濃度
にＺｎドープしたｐ型ニー層１４からＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層１５へのＺｎ拡散によりメサ脇がｐ壓ＩｎＰ層
１９となる。このｐ型ＩｎＰ層１９のキャリア密度は１
〜２×１０１７ｃｍ−３でありその拡散領域はメサ脇１
〜２１１ｍであった。拡散領域の下端はｎ型ＩｎＰ層１
２のメサ側面に達していればよく側面の途中で止まって
いてもよいしメサの底部まで達していてもよい。ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１３へもＺｎ拡散が起こるが、その量は
、Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１５への拡散に比べ無視で
き特性には影響しない。その後、全体の厚さが１２０ｐ
ｍ程度になるまで研磨し、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層１８とｎ型ＩｎＰ基板１１の表面に電極１０を真空
蒸着法により形成し、アニーリングした後、素子長３０
０μｍの個々の半導体レーザにへき聞分離し、全加工を
終了し、第１図に示す半導体レーザが出未上がる。スト
ライブ状のメサの両側面にｐ型ＩｎＰ層１７、ｎ型Ｉｎ
Ｐ層１６、ｐ型ＩｎＰ層１９からなる電流ブロック層が
ありその外側には高抵抗ＩｎＰ層１５がある。またメサ
側面に接するｐ型ＩｎＰ層１９はキャリア濃度が低く高
抵抗であるため、ｐ型■♂層１９から高抵抗ＩｎＰ層１
５、ｎ型ＩｎＰ層１２へのメサ脇でのもれ電流はほとん
どなくなった。このようにこの半導体レーザは、活性層
以外を流れる無効電流が殆ど無く、ｐ−ｎ接合をブロッ
ク層に用いたＶＳＢ型（Ｖ−ｇｒｏｏｖｅｄＳｕｂｓｔ
ｒａｔｅ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ） やＤＣ−ＰＢＨＷ（Ｄｏｕｂ
ｌｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ ＢｕｒｉｅｄＨ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ）と同程
度の１０ｍＡ前後のしきい値電流、及び３０％前後の片
面外部微分量子効率が得られる。更に、高抵抗半導体層
を電流ブロック層に用いてるゆえ、寄生容量は、４〜５
ｐＦと小さく、十数ギガビット毎秒（Ｇｂ／５ｅｃ）ク
ラスの光通信システム用光源として実用的に十分使用で
きる。
）ドープｎ１ＭＩｎＰ基板１１上に有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ）を用いて、シリコン（Ｓｉ）ドープｎ型
ＩｎＰ層１２［電子のキャリア濃度（ｎ）＝１×１０１
８ｃｍ−３］を厚さ２ｐｍ、発光波長１．５５１１ｍの
バンドギャップを有するＩｎＧａＡｓＰ活性層１３を厚
さ０．１５ｐｍ、亜鉛（Ｚｎ）ドープｐ型ＩｎＰ層１４
［正孔のキャリア濃度（ｐ） ＝ Ｉ Ｘ １０１９ｃ
ｍ−３］を厚さ０．５ｐｍ、それぞれ連続的にエピタキ
シャル成長する。次にフォトリソグラフィーの手法によ
り、＜０１１＞方向に厚み約２０００人、幅２ｐｍの５
ｉ０２ストライプ状マスクを３００ｐｍ間隔で形成する
。次に、化学エツチングによりｐ型ＩｎＰ層１４、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層１３、ｎ型ＩｎＰ層１２をエツチング
し、高さ２．０１１ｍのストライプ状のメサを形成する
。さらに、５ｉ０２ストライプ状マスクを残したまま、
メサストライプの凹部分にＦｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１
５を厚さ２、ＯＮｌｍ、 Ｓｉドープｎ型ＩｎＰ層１６
［ｎ＝ １ ｘ １０１８ｃｍ−３１を厚さ０．５ｐｍ
、ＭＯＶＰＥにより選択エピタキシャル成長する。次に
、５ｉ０２ストライプ状マスクを弗酸により除去した後
、ｚｎドープｐ型ＩｎＰ層１７［ｐ＝１刈い８ｃｍ−３
１を厚さ１１１ｍ、 Ｚｎｎドープ型ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層１８［ｐ ＝ Ｉ Ｘ １０１９ｃｍ−３］
を厚さ０．５ｐｍをＭＯＶＰＥにより全体が平坦になる
ようにエピタキシャル成長する。この成長時に、高濃度
にＺｎドープしたｐ型ニー層１４からＦｅドープ高抵抗
ＩｎＰ層１５へのＺｎ拡散によりメサ脇がｐ壓ＩｎＰ層
１９となる。このｐ型ＩｎＰ層１９のキャリア密度は１
〜２×１０１７ｃｍ−３でありその拡散領域はメサ脇１
〜２１１ｍであった。拡散領域の下端はｎ型ＩｎＰ層１
２のメサ側面に達していればよく側面の途中で止まって
いてもよいしメサの底部まで達していてもよい。ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１３へもＺｎ拡散が起こるが、その量は
、Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層１５への拡散に比べ無視で
き特性には影響しない。その後、全体の厚さが１２０ｐ
ｍ程度になるまで研磨し、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層１８とｎ型ＩｎＰ基板１１の表面に電極１０を真空
蒸着法により形成し、アニーリングした後、素子長３０
０μｍの個々の半導体レーザにへき聞分離し、全加工を
終了し、第１図に示す半導体レーザが出未上がる。スト
ライブ状のメサの両側面にｐ型ＩｎＰ層１７、ｎ型Ｉｎ
Ｐ層１６、ｐ型ＩｎＰ層１９からなる電流ブロック層が
ありその外側には高抵抗ＩｎＰ層１５がある。またメサ
側面に接するｐ型ＩｎＰ層１９はキャリア濃度が低く高
抵抗であるため、ｐ型■♂層１９から高抵抗ＩｎＰ層１
５、ｎ型ＩｎＰ層１２へのメサ脇でのもれ電流はほとん
どなくなった。このようにこの半導体レーザは、活性層
以外を流れる無効電流が殆ど無く、ｐ−ｎ接合をブロッ
ク層に用いたＶＳＢ型（Ｖ−ｇｒｏｏｖｅｄＳｕｂｓｔ
ｒａｔｅ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ） やＤＣ−ＰＢＨＷ（Ｄｏｕｂ
ｌｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ ＢｕｒｉｅｄＨ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ）と同程
度の１０ｍＡ前後のしきい値電流、及び３０％前後の片
面外部微分量子効率が得られる。更に、高抵抗半導体層
を電流ブロック層に用いてるゆえ、寄生容量は、４〜５
ｐＦと小さく、十数ギガビット毎秒（Ｇｂ／５ｅｃ）ク
ラスの光通信システム用光源として実用的に十分使用で
きる。
本発明は、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 、 ＡＩＧａＩｎ
Ｐ、等の他の材料系にも適用できる。
Ｐ、等の他の材料系にも適用できる。
（発明の効果）
以上に説明したように本発明によれば、低しきい値電流
、高い外部微分量子効率、超高速変調特性を有する高抵
抗半導体層埋め込み半導体レーザが得られる。
、高い外部微分量子効率、超高速変調特性を有する高抵
抗半導体層埋め込み半導体レーザが得られる。
第１図は、本発明による高抵抗半導体埋め込み型半導体
レーザの一実施例の構造を示す断面図である。第２図は
、従来の高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザの構造
を示す断面図である。第３図は、ｎ型半導体層、深い電
子トラップ準位を有する半絶縁性半導体層、４半導体層
から構成される半導体層に順バイアスがかけられたとき
のバンド構造を示す概念図である。 各図において １０・・・電極、１１・ｎ型ＩｎＰ基板、１２．ｎ型Ｉ
ｎＰ層、１３・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１４・ｐ型Ｉｎ
Ｐ層、１５・Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層、１６・ｎ型Ｉ
ｎＰ層、１７−ｐ型ＩｎＰ層、１８・ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層、１９・ｐ型ＩｎＰ層、２０・・−８ｉ
０２である。
レーザの一実施例の構造を示す断面図である。第２図は
、従来の高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザの構造
を示す断面図である。第３図は、ｎ型半導体層、深い電
子トラップ準位を有する半絶縁性半導体層、４半導体層
から構成される半導体層に順バイアスがかけられたとき
のバンド構造を示す概念図である。 各図において １０・・・電極、１１・ｎ型ＩｎＰ基板、１２．ｎ型Ｉ
ｎＰ層、１３・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１４・ｐ型Ｉｎ
Ｐ層、１５・Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ層、１６・ｎ型Ｉ
ｎＰ層、１７−ｐ型ＩｎＰ層、１８・ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層、１９・ｐ型ＩｎＰ層、２０・・−８ｉ
０２である。
Claims (1)
- 半導体基板上に活性層と活性層を挟むｎ型及びｐ型のク
ラッド層を備える二重ヘテロ構造のストライプ状のメサ
とこのメサ両側面に電子を捕獲する深い不純物準位を有
する高抵抗半導体層と前記高抵抗半導体層上に形成され
たｎ型及び、ｐ型半導体層を備える埋め込み型二重ヘテ
ロ構造半導体レーザにおいて、前記メサと前記高抵抗半
導体層との間にｐ型半導体層を備えることを特徴とする
高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27200289A JPH03133189A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27200289A JPH03133189A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03133189A true JPH03133189A (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=17507779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27200289A Pending JPH03133189A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03133189A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323405A (en) * | 1991-10-02 | 1994-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Anti-guided phase-locked array and manufacturing method therefor |
| EP1286439A2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Semiconductor optical device and method of manufacturing the same |
| JP2006073644A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2016031970A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP27200289A patent/JPH03133189A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323405A (en) * | 1991-10-02 | 1994-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Anti-guided phase-locked array and manufacturing method therefor |
| EP1286439A2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Semiconductor optical device and method of manufacturing the same |
| JP2003060310A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP2006073644A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2016031970A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
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