JPWO2021149235A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2021149235A5 JPWO2021149235A5 JP2021572228A JP2021572228A JPWO2021149235A5 JP WO2021149235 A5 JPWO2021149235 A5 JP WO2021149235A5 JP 2021572228 A JP2021572228 A JP 2021572228A JP 2021572228 A JP2021572228 A JP 2021572228A JP WO2021149235 A5 JPWO2021149235 A5 JP WO2021149235A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- concentration
- sic substrate
- substrate according
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2020/002447 WO2021149235A1 (ja) | 2020-01-24 | 2020-01-24 | 希土類含有SiC基板及びSiCエピタキシャル層の製法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021149235A1 JPWO2021149235A1 (https=) | 2021-07-29 |
| JPWO2021149235A5 true JPWO2021149235A5 (https=) | 2022-09-13 |
| JP7282214B2 JP7282214B2 (ja) | 2023-05-26 |
Family
ID=76993173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021572228A Active JP7282214B2 (ja) | 2020-01-24 | 2020-01-24 | 希土類含有SiC基板及びSiCエピタキシャル層の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12424440B2 (https=) |
| JP (1) | JP7282214B2 (https=) |
| CN (1) | CN114901875B (https=) |
| WO (1) | WO2021149235A1 (https=) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022168372A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 日本碍子株式会社 | 希土類含有SiC基板及びそれを用いたSiC複合基板 |
| JP7104266B1 (ja) * | 2021-10-12 | 2022-07-20 | 日本碍子株式会社 | 希土類含有SiC基板及びSiC複合基板 |
| WO2023062850A1 (ja) * | 2021-10-12 | 2023-04-20 | 日本碍子株式会社 | 希土類含有SiC基板及びSiC複合基板 |
| CN120858208A (zh) * | 2023-03-28 | 2025-10-28 | 日本碍子株式会社 | SiC基板及SiC复合基板 |
| WO2025083939A1 (ja) * | 2023-10-17 | 2025-04-24 | 日本碍子株式会社 | SiC基板及びSiC複合基板 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1266253A1 (ru) * | 1984-04-25 | 1996-10-10 | Дагестанский Государственный Университет Им.В.И.Ленина | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC |
| KR100377716B1 (ko) * | 1998-02-25 | 2003-03-26 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 광학적 방사를 위해 희토류 원소로 도핑된 실리콘 구조체 및 방사방법 |
| JPH11268995A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| WO2007088718A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Hitachi Metals, Ltd. | R-Fe-B系希土類焼結磁石およびその製造方法 |
| JP4179331B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2008-11-12 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
| JP6419414B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2018-11-07 | 株式会社東芝 | SiCエピタキシャルウェハおよび半導体装置 |
| US9657409B2 (en) * | 2013-05-02 | 2017-05-23 | Melior Innovations, Inc. | High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications |
| JP6238249B2 (ja) | 2013-05-20 | 2017-11-29 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 |
| JP6122704B2 (ja) | 2013-06-13 | 2017-04-26 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
| JPWO2015072136A1 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-03-16 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
| CN107075723A (zh) * | 2014-09-11 | 2017-08-18 | 新日铁住金株式会社 | p型SiC单晶的制造方法 |
| JP6374354B2 (ja) | 2015-06-22 | 2018-08-15 | トヨタ自動車株式会社 | SiC結晶の製造方法 |
| JP6755524B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-09-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | p型4H−SiC単結晶及びp型4H−SiC単結晶の製造方法 |
| JP6748572B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2020-09-02 | 昭和電工株式会社 | p型SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
| JP6762484B2 (ja) | 2017-01-10 | 2020-09-30 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
| JP6935738B2 (ja) * | 2017-12-14 | 2021-09-15 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
| JP6945858B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2021-10-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素エピタキシャルウェハ及び炭化珪素半導体装置 |
| JP7024622B2 (ja) | 2018-06-19 | 2022-02-24 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
-
2020
- 2020-01-24 CN CN202080089055.8A patent/CN114901875B/zh active Active
- 2020-01-24 WO PCT/JP2020/002447 patent/WO2021149235A1/ja not_active Ceased
- 2020-01-24 JP JP2021572228A patent/JP7282214B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-03 US US17/805,234 patent/US12424440B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2021149235A5 (https=) | ||
| JP7282214B2 (ja) | 希土類含有SiC基板及びSiCエピタキシャル層の製法 | |
| JP7159449B2 (ja) | 下地基板及びその製造方法 | |
| JP7628968B2 (ja) | 二軸配向SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板 | |
| JP7538900B2 (ja) | 希土類含有SiC基板及びそれを用いたSiC複合基板 | |
| JP2615437B2 (ja) | 高強度・高靱性窒化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
| JP5189712B2 (ja) | AlN基板およびその製造方法 | |
| WO2014157430A1 (ja) | 半導体用複合基板のハンドル基板 | |
| US9356101B2 (en) | Polycrystalline aluminum nitride base material for crystal growth of GaN-base semiconductor and method for manufacturing GaN-base semiconductor using the same | |
| JP7177248B2 (ja) | SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板 | |
| JP7212139B2 (ja) | SiC複合基板及び半導体デバイス | |
| JP5585570B2 (ja) | ムライトを主成分とする焼結体 | |
| JP7636908B2 (ja) | SiC複合基板 | |
| WO2023062850A1 (ja) | 希土類含有SiC基板及びSiC複合基板 | |
| JP7265624B2 (ja) | 半導体膜 | |
| CN113614292A (zh) | 半导体膜 | |
| JPWO2020195196A1 (ja) | SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板 | |
| JP2013258373A (ja) | 複合基板およびその製造方法 | |
| WO2023068309A1 (ja) | SiC基板及びSiC複合基板 | |
| TWI709672B (zh) | 多晶陶瓷基板、附加有接合層的多晶陶瓷基板及積層基板 | |
| US20260043171A1 (en) | SiC SUBSTRATE AND SiC COMPOSITE SUBSTRATE | |
| JP7686016B2 (ja) | SiC基板及びSiC複合基板 | |
| WO2024202200A1 (ja) | SiC基板及びSiC複合基板 | |
| CN117940620A (zh) | 包含稀土的SiC基板和SiC复合基板 | |
| TW202540020A (zh) | 氮化鎵燒結體及其製造方法 |