SU1266253A1 - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC - Google Patents
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiCInfo
- Publication number
- SU1266253A1 SU1266253A1 SU3751643/26A SU3751643A SU1266253A1 SU 1266253 A1 SU1266253 A1 SU 1266253A1 SU 3751643/26 A SU3751643/26 A SU 3751643/26A SU 3751643 A SU3751643 A SU 3751643A SU 1266253 A1 SU1266253 A1 SU 1266253A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- epitaxial layers
- sic epitaxial
- precipitation
- producing sic
- sic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100-1400 К и воздействии на него постоянного электрического тока.2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3751643/26A SU1266253A1 (ru) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3751643/26A SU1266253A1 (ru) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1266253A1 true SU1266253A1 (ru) | 1996-10-10 |
Family
ID=60539796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU3751643/26A SU1266253A1 (ru) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1266253A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114901875A (zh) * | 2020-01-24 | 2022-08-12 | 日本碍子株式会社 | 含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法 |
-
1984
- 1984-04-25 SU SU3751643/26A patent/SU1266253A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114901875A (zh) * | 2020-01-24 | 2022-08-12 | 日本碍子株式会社 | 含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法 |
| CN114901875B (zh) * | 2020-01-24 | 2024-05-10 | 日本碍子株式会社 | 含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS52140267A (en) | Vapor epitaxial crystal growing device | |
| SU1266253A1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ SiC | |
| JPS5299223A (en) | Medicines for alopecia areata | |
| JPS5754593A (en) | Preparation of valienamine | |
| ES8603260A1 (es) | Un procedimiento para formar pequenas particular de un compuesto organico debilmente acido o basico, tal como sulfadiazina, lidocaina y otros compuestos farmaceuticamente activos. | |
| JPS5326664A (en) | Formation of ohmic contact | |
| JPS5423379A (en) | Formation of insulating film on semiconductor surface | |
| JPS51123076A (en) | The manufacturing process of field effect transistor | |
| JPS5326663A (en) | Manu facture of semiconductor device | |
| JPS5382263A (en) | Epitaxial growth method | |
| JPS53126259A (en) | Silicon selective growth method | |
| JPS56166923A (en) | Decomposition of nitrogen oxide | |
| JPS51126037A (en) | Semiconductor crystal growth method | |
| JPS5243019A (en) | Thermal controlling apparatus exhaust purging system | |
| JPS5384457A (en) | Liquid-phase epitaxial growth method | |
| JPS53106498A (en) | Cylindrical magnetic field material | |
| JPS52102489A (en) | Elimination of acrylamide | |
| DE3765802D1 (de) | Trioxanbrennstoff mit erhoehtem waermeinhalt. | |
| JPS52111473A (en) | Ribbon crystal growth method | |
| JPS53105966A (en) | Growth method for epitaxial layer | |
| JPS5267259A (en) | Preparation of iii-v group compounds semiconductor epitaxial laminatio n crystal | |
| JPS52141564A (en) | Manufacture of semiconductor unit | |
| JPS5299762A (en) | Electric field radiation type cathode | |
| JPS51126036A (en) | Semi-conductor crystal growth method | |
| JPS5286258A (en) | Waste-water treating equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REG | Reference to a code of a succession state |
Ref country code: RU Ref legal event code: MM4A Effective date: 20020426 |