JPWO2021049380A5 - - Google Patents
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Description
しかしながら、上記特許文献１に記載の積層型フィルムコンデンサは、フィルム積層体における切断面近傍の静電容量のロスが大きく、したがって静電容量のロスが少ない、積層型のフィルムコンデンサ素子が求められている。
図２Ｂは、これら各溝部１１のｘ方向の形成位置を、フィルムコンデンサ素子２０の上方から見た平面図で説明したものである。この図における下半分に示すように、前述の各溝部１１は、フィルム積層体４のｘ方向内側に位置する、誘電体フィルム１上の帯状金属層３の端部３１との間に距離Ｑを空けた外側（メタリコン５Ｂ側）に、形成されている。これにより、内部電極（帯状金属層３）との確実な電気的絶縁がなされる。帯状金属層３の端部３１，３２との間の距離Ｑは、２００μｍ以上とすればよい。
なお、図１Ａ～２Ｂおよび図８～１０では、溝部１１を、ｙ方向およびｘ方向の端部にそれぞれ２個ずつ、合計４個配設したものを例示したが、溝部１１は、図３Ａ～３Ｃに示すよう、フィルム積層体４とメタリコン５Ａまたは５Ｂとの間のｙ方向の端部に、それぞれ１個、合計２個設けられてもよい。この場合、２つの溝部１１は、フィルムコンデンサ素子３０のｘｙ面上で対角となる、ｘ方向の異なる端部（角部）に設けられてもよいし、ｘ方向どちらか一方側のｙ方向端部（角部）に設けられてもよい。さらに、図示はしないが、溝部１１は、フィルム積層体４とメタリコン５Ａとの間のｙ方向の端部に２個、フィルム積層体４とメタリコン５Ｂとの間のｙ方向の端部に１個、合計３個設けられてもよい。
また、図１２に示すフィルムコンデンサ素子１１０のように、メタリコン５Ａまたは５Ｂとフィルム積層体４との界面（境界）を含む領域に、溝部１１が形成される構成であっても、前述の図１１に示す実施形態と同様に、参照符１Ｃ，１Ｄ，～，１Ｋ，１Ｌ；２Ｃ，２Ｄ，～，２Ｋ，２Ｌに位置する帯状金属層３は、絶縁マージンＳがメタリコン５Ａ，５Ｂに対して間隔ΔＬ２をあけて離間している領域で互いに繋がっている。したがって、ｙ方向の各溝部１１間の中間部に位置する各帯状金属層３は、少なくとも一部でメタリコン５Ａ，５Ｂに電気的に接続される帯状金属層３を有するので、中間部に位置する複数の帯状金属層３と各メタリコン５Ａまたは５Ｂとの間で接続不良が発生したとしても、全体としての静電容量が低下することが防がれる。
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