JPH0342669Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0342669Y2 JPH0342669Y2 JP4398185U JP4398185U JPH0342669Y2 JP H0342669 Y2 JPH0342669 Y2 JP H0342669Y2 JP 4398185 U JP4398185 U JP 4398185U JP 4398185 U JP4398185 U JP 4398185U JP H0342669 Y2 JPH0342669 Y2 JP H0342669Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- internal electrodes
- internal electrode
- end surface
- dielectric material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- -1 Pd and Ni Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、積層形セラミツクコンデンサに関す
る。
る。
（従来の技術）
従来の積層形セラミツクコンデンサは、第６図
及び第７図に示すように、セラミツク誘電体ａと
内部電極ｂとこれに連なる外部電極ｃとから成つ
ている。
及び第７図に示すように、セラミツク誘電体ａと
内部電極ｂとこれに連なる外部電極ｃとから成つ
ている。
内部電極ｂはPd，Ni等の金属を主成分とする
数μmの導電層から成り、誘電体ａの内部に例え
ば十数μmの厚さの誘電体層を介して数十層積層
されており、その一端ｄは交互に誘電体ａの一方
の端面ｅ及び他方の端面ｆに交互に導出されてい
る。そしてその側縁ｇと誘電体ａの側面ｈとの間
隔ｉ（一般にこの間隔ｉをサイドマージンといつ
ている。）をすべての内部電極ｂについてほぼ一
定にしている。
数μmの導電層から成り、誘電体ａの内部に例え
ば十数μmの厚さの誘電体層を介して数十層積層
されており、その一端ｄは交互に誘電体ａの一方
の端面ｅ及び他方の端面ｆに交互に導出されてい
る。そしてその側縁ｇと誘電体ａの側面ｈとの間
隔ｉ（一般にこの間隔ｉをサイドマージンといつ
ている。）をすべての内部電極ｂについてほぼ一
定にしている。
外部電極ｃはAg−Pd，Ag，Ni等の金属を主
成分とする数十μmの導電層から成り、誘電体ａ
の両端面ｅ，ｆ及びこれに連なる近傍の周面に形
成されて内部電極ｂと接続されている。
成分とする数十μmの導電層から成り、誘電体ａ
の両端面ｅ，ｆ及びこれに連なる近傍の周面に形
成されて内部電極ｂと接続されている。
（考案の解決しようとする問題点）
上記の構成を有する従来の積層形セラミツクコ
ンデンサは、未焼結誘電体の薄層と内部電極とし
ての導電層とを交互に数十枚積層して焼結し一体
化したものであり、焼結後、デラミネーシヨンと
呼ばれる空白部が誘電体薄層と内部電極の導電層
の縁端部との間にしばしば生じた。このデラミネ
ーシヨンのある積層形セラミツクコンデンサは漸
次絶縁抵抗が低下して耐圧不良による故障を生ず
る等の問題があつた。
ンデンサは、未焼結誘電体の薄層と内部電極とし
ての導電層とを交互に数十枚積層して焼結し一体
化したものであり、焼結後、デラミネーシヨンと
呼ばれる空白部が誘電体薄層と内部電極の導電層
の縁端部との間にしばしば生じた。このデラミネ
ーシヨンのある積層形セラミツクコンデンサは漸
次絶縁抵抗が低下して耐圧不良による故障を生ず
る等の問題があつた。
本考案は、デラミネーシヨンが入つていず、そ
のため絶縁抵抗が漸次低下して耐圧不良による故
障等を生ずることなく信頼性の高い積層形セラミ
ツクコンデンサを提供することをその目的とす
る。
のため絶縁抵抗が漸次低下して耐圧不良による故
障等を生ずることなく信頼性の高い積層形セラミ
ツクコンデンサを提供することをその目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
本考案は、誘電体層を介して積層形成された内
部電極が誘電体の一方の端面と他方の端面に交互
に導出され両端面で外部電極と接続しているもの
において、内部電極の側縁と誘電体の側面とのそ
れぞれの間隔が交互に異ることを特徴とする。
部電極が誘電体の一方の端面と他方の端面に交互
に導出され両端面で外部電極と接続しているもの
において、内部電極の側縁と誘電体の側面とのそ
れぞれの間隔が交互に異ることを特徴とする。
（実施例）
本考案の実施例を図面につき説明する。
第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示す。
図面において、１は例えば長さ3.2mm、幅2.5
mm、厚さ1.2mmの大きさのセラミツク誘電体、２
Ａ，２Ｂは内部電極である。内部電極２Ａはその
一端を誘電体１の左側の縁端に合わせ、その一側
縁側のサイドマージンgAを0.35mmとしたもの、
内部電極２Ｂはその一端を誘電体１の右側の縁端
に合わせ、内部電極２Ａと同じ側のサイドマージ
ンgBを0.25mmとしたもので、この内部電極２Ａ
と２Ｂは交互に16μmの厚さの誘電体層を介して
43枚積層した。
mm、厚さ1.2mmの大きさのセラミツク誘電体、２
Ａ，２Ｂは内部電極である。内部電極２Ａはその
一端を誘電体１の左側の縁端に合わせ、その一側
縁側のサイドマージンgAを0.35mmとしたもの、
内部電極２Ｂはその一端を誘電体１の右側の縁端
に合わせ、内部電極２Ａと同じ側のサイドマージ
ンgBを0.25mmとしたもので、この内部電極２Ａ
と２Ｂは交互に16μmの厚さの誘電体層を介して
43枚積層した。
３は内部電極２Ａ，２Ｂに接続される外部電極
である。
である。
第４図及び第５図は本考案の他の実施例であ
る。内部電極２Ｃは幅2.1mm、長さ2.8mmの大きさ
で、サイドマージンgCを0.2mmとしたもの、内部
電極２Ｄは幅1.6mm、長さ2.8mmの大きさで、サイ
ドマージンgDを0.45mmとしたもので、内部電極
２Ｃと２Ｄを交互に積層した。
る。内部電極２Ｃは幅2.1mm、長さ2.8mmの大きさ
で、サイドマージンgCを0.2mmとしたもの、内部
電極２Ｄは幅1.6mm、長さ2.8mmの大きさで、サイ
ドマージンgDを0.45mmとしたもので、内部電極
２Ｃと２Ｄを交互に積層した。
それ以外の条件及び方法は前記実施例と同じで
ある。２つの実施例についてそれぞれ1000個作製
し、研摩観察したが、すべてのものにデラミネー
シヨンがなかつた。
ある。２つの実施例についてそれぞれ1000個作製
し、研摩観察したが、すべてのものにデラミネー
シヨンがなかつた。
（作用）
積層形セラミツクコンデンサは未焼結誘電体の
薄層と内部電極である導電層とを積層して焼結し
たものであり、その焼結時に誘電体層と導電層と
の熱膨脹率及び収縮率の差により歪が生じ、この
歪は導電層の縁端で最も大きく表われる。互いに
隣接する導電層の縁端が近接しているとこの各層
の歪が互いに影響し合い、誘電体薄層と導電層の
縁端部との間にデラミネーシヨンが生ずる。
薄層と内部電極である導電層とを積層して焼結し
たものであり、その焼結時に誘電体層と導電層と
の熱膨脹率及び収縮率の差により歪が生じ、この
歪は導電層の縁端で最も大きく表われる。互いに
隣接する導電層の縁端が近接しているとこの各層
の歪が互いに影響し合い、誘電体薄層と導電層の
縁端部との間にデラミネーシヨンが生ずる。
本考案によれば、隣接する内部電極である導電
層の縁端が相互にずれているので、それぞれの導
電層における最も歪の大きい部分は互い離れて相
互に影響を及ぼさなくなり、その結果デラミネー
シヨンが生じない。
層の縁端が相互にずれているので、それぞれの導
電層における最も歪の大きい部分は互い離れて相
互に影響を及ぼさなくなり、その結果デラミネー
シヨンが生じない。
（考案の効果）
本考案によれば、デラミネーシヨンの発生がな
く、その結果絶縁抵抗値が漸次低下することがな
い信頼性の高いものが得られる効果を有する。
く、その結果絶縁抵抗値が漸次低下することがな
い信頼性の高いものが得られる効果を有する。
第１図は本考案の一実施例の一部截除した拡大
斜面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線截断面図、第
３図は内部電極２Ａ，２Ｂの配置関係を示す平面
図、第４図は本考案の他の実施例の截断面図、第
５図はその内部電極２Ｃ，２Ｄの配置関係を示す
平面図、第６図は従来例の一部截除した拡大斜面
図、第７図は第６図のＢ−Ｂ線截断面図である。 １……誘電体、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ……内
部電極、３……外部電極。
斜面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線截断面図、第
３図は内部電極２Ａ，２Ｂの配置関係を示す平面
図、第４図は本考案の他の実施例の截断面図、第
５図はその内部電極２Ｃ，２Ｄの配置関係を示す
平面図、第６図は従来例の一部截除した拡大斜面
図、第７図は第６図のＢ−Ｂ線截断面図である。 １……誘電体、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ……内
部電極、３……外部電極。
Claims (1)
- 誘電体層を介して積層形成された内部電極が誘
電体の一方の端面と他方の端面に交互に導出され
両端面で外部電極と接続しているものにおいて、
内部電極の側縁と誘電体の側面とのそれぞれの間
隔が交互に異ることを特徴とする積層形セラミツ
クコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4398185U JPH0342669Y2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4398185U JPH0342669Y2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162037U JPS61162037U (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0342669Y2 true JPH0342669Y2 (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=30556148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4398185U Expired JPH0342669Y2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342669Y2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09266130A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コンデンサ |
| KR101548771B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2015-09-01 | 삼성전기주식회사 | 칩 타입 적층 커패시터 |
| JP6522549B2 (ja) | 2016-06-07 | 2019-05-29 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018006627A (ja) | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018056292A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 京セラ株式会社 | 積層型電子部品 |
| KR20190116135A (ko) * | 2019-07-17 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터. |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP4398185U patent/JPH0342669Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61162037U (ja) | 1986-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI486983B (zh) | 低背型積層陶瓷電容器 | |
| JP3502988B2 (ja) | 多端子型の積層セラミック電子部品 | |
| JP5929279B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH0342669Y2 (ja) | ||
| JP2000124064A (ja) | 積層チップ部品 | |
| KR102325695B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| JP5251834B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH02156619A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH0396205A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JP2000243647A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH11214244A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0831393B2 (ja) | ヒューズ付積層セラミックコンデンサ | |
| JP2006324576A (ja) | 積層電子部品 | |
| JPH0487623U (ja) | ||
| JPH06314630A (ja) | セラミック積層電子部品 | |
| JP2000049035A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6144422Y2 (ja) | ||
| JP4574283B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
| JP3528675B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
| WO2021065487A1 (ja) | フィルムコンデンサ素子 | |
| JP2001044059A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH08115844A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0684690A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH0338812A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH0314209A (ja) | 積層型電子部品 |