WO2021065487A1 - フィルムコンデンサ素子 - Google Patents

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Definitions

  • This disclosure relates to a film capacitor element.
  • Patent Document 1 An example of the prior art is described in Patent Document 1.
  • a plurality of strip-shaped metal layers extending in the first direction are arranged on one surface, and a groove-shaped insulating margin extending in the first direction is provided between the strip-shaped metal layers.
  • a dielectric film provided with an edge insulating region continuous in a second direction orthogonal to the first direction on one edge of the one surface in the first direction is a plan view of the edge insulating region.
  • Each of the pair of end faces of the film laminate in the second direction is provided with a conductive portion continuously formed in the laminate direction.
  • the film capacitor which is the basic configuration of the film capacitor element of the present disclosure, is formed by winding or unidirectionally forming a plurality of metallized films in which a metal layer serving as an electrode is formed on the surface of a dielectric film made of polypropylene resin, for example. It is formed by stacking and stacking.
  • the laminated film capacitor element is obtained by cutting a laminated body in which metallized films are laminated into a rectangular parallelepiped shape having a required size (capacity), and then providing external electrodes on a pair of side surfaces.
  • the external electrode (metallic electrode) is formed not on the entire side surface but on the end side, that is, in a range where it does not come into contact with the exposed metal layer on the cut surface. Insulation on the cut surface is ensured.
  • a slight laminating deviation may occur.
  • the metal layer that is not in contact with the external electrode is in a so-called float (floating) state.
  • a voltage is also applied to.
  • a part of the floating metal layer is exposed on the cut surface, and discharge occurs on the cut surface when a voltage is applied.
  • the film capacitor element 10 of the first embodiment is a dielectric having a plurality of strip-shaped metal layers (films) 3 continuous along a first direction (x direction in the drawing) on the surface of the film as shown in FIG. 1A.
  • a plurality of films 1 or a dielectric film 2 are alternately laminated.
  • Each band-shaped metal layer 3 becomes an internal electrode of a capacitor after being laminated.
  • the dielectric films 1 and 2 have the same configuration except that the lamination direction is different, but as shown in FIGS. 1A and 1D, the strip-shaped metals can be seen so that the orientation after lamination can be seen.
  • the layers 3 are designated by 1A to 1N or 2A to 2N in order from the end.
  • the continuous direction of each of the strip-shaped metal layers 3 formed in parallel is referred to as a first direction (x direction), and the arrangement direction of each of the parallel strip-shaped metal layers 3 (y orthogonal to the x direction).
  • Direction is called the second direction.
  • the laminating direction of the film is a third direction (z direction in the drawing) orthogonal to the first direction and the second direction.
  • Each band-shaped metal layer 3 on the surface of the dielectric films 1 and 2 is formed by metal vapor deposition on the base film (base).
  • a groove-shaped film surface (hereinafter referred to as an insulating margin S), which is also called a small margin, is exposed between the strip-shaped metal layers 3 adjacent to each other in the y-direction, whereby each strip-shaped metal layer 3 is electrically charged. It is in an independently insulated state.
  • each insulation margin S (small margin) is connected to an edge insulation region T called a large margin continuous in the second direction (y direction) on one end side in the first direction (x direction). ing.
  • Examples of the constituent materials of the dielectric films 1 and 2 constituting the film capacitor element include organic resin materials such as polypropylene, polyethylene terephthalate, polyarylate, and cycloolefin polymer.
  • the dielectric films 1 and 2 are laminated by alternately reversing the x-direction directions of the dielectric film 1 and the dielectric films 2 adjacent to the dielectric film 1 in the vertical direction (z direction) by 180 °. That is, the dielectric films 1 and 2 are stacked so that the positions of the edge insulating regions T of the ends (edges) of the dielectric films 1 and 2 are alternately reversed in the x direction, and the film laminates are formed. It is set to 4.
  • Metal electrodes (hereinafter referred to as metallicon) are formed on both end faces 4a of the film laminate 4 in the x direction by metal spraying.
  • metallicon one of the metallikons formed on both end faces 4a in the x direction is called 5A and the other is called 5B, but these are only the difference in the arrangement position, and there is no difference in the configuration.
  • the metallikons 5A and 5B are described without distinction, they may be simply referred to as the metallikon 5.
  • the metallikons 5A and 5B are not provided on both end faces 4a in the x direction on the entire end face, and are laminated in a constant width W at both ends in the y direction of each end face 4a.
  • a non-formed region 50 in which the metallikon 5 is not formed is provided in succession to the above.
  • the non-formed region 50 is an insulating portion that electrically insulates the strip-shaped metal layers 3 located at both ends in the y direction and the metallikon 5 among the plurality of strip-shaped metal layers 3.
  • the width W of the non-formed region 50 may be such that one strip-shaped metal layer 3 located at both ends in the y direction and the metallikon 5 are insulated. Therefore, the width W may be 1.0 times or more the pitch P of the insulation margin S. This makes it possible to insulate one strip-shaped metal layer 3 located at both ends in the y direction from the metallikon 5. Further, the width W may be 3.0 times or less the pitch P. As a result, it is possible to suppress a decrease in capacitance due to insulation.
  • the strip-shaped metal layers 3 located at both ends in the y direction serve as float electrodes, and the insulating property on both end faces 4b in the y direction is ensured.
  • both end surfaces 4b in the y direction are cut surfaces, and due to the stacking deviation, a portion of the float electrode that overlaps with the strip-shaped metal layer 3 connected to the metallikon 5 in a plan view in the stacking direction is formed, resulting in capacitive coupling.
  • a voltage is also applied to the strip-shaped metal layer 3 in the float state.
  • conductive portions 6 are continuously provided in the stacking direction on at least one of both end surfaces 4b in the y direction, which is a cut surface.
  • the conductive portion 6 acts as an equipotential bonding portion that makes these the same potential by electrically connecting the floating band-shaped metal layer 3 exposed on the cut surface in the cut surface, and discharges on the cut surface. The occurrence can be suppressed.
  • the conductive portion 6 may electrically connect the exposed strip-shaped metal layers 3 arranged side by side in the stacking direction on the end surface 4b in the y direction. There is no need to provide it.
  • the conductive portion 6 is provided over the entire surface of the end face 4b, and even if any of the strip-shaped metal layers 3 is exposed, they can be reliably connected to have the same potential.
  • the conductive portion 6 does not need to be provided on each of both end faces 4b in the y direction, and may be provided on either end face 4b. In this embodiment, the conductive portions 6 are provided on both end surfaces 4b in the y direction.
  • the material and forming method of the conductive portion 6 are not particularly limited as long as the strip-shaped metal layers 3 can be electrically connected to each other.
  • Examples of the material of the conductive portion 6 include aluminum (Al), zinc (Zn), tin (Sn), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), iron (Fe), and the like.
  • Metallic materials such as cobalt (Co), titanium (Ti), chromium (Cr) and lead (Pb) can be used.
  • a metal powder such as copper, nickel or silver, or a conductive adhesive using a carbon-based material such as graphite can be used.
  • aluminum, zinc or tin is used as the material, it can be formed by a metal spraying method (metallikon) or a sputtering method.
  • FIG. 2 is a plan view of the film capacitor element corresponding to FIG. 1B.
  • the insulating portion that electrically insulates the strip-shaped metal layer 3 located at both ends in the y direction and the metallicon 5 is different from the first embodiment.
  • the metallicon 5 is used as the insulating portion.
  • a groove 11 is provided between the film laminate 4 and the film laminate 4.
  • the groove portions 11 are formed at both ends of the film capacitor element 10 in the y direction so as to separate the strip-shaped metal layer 3 and the metallikons 5A and 5B.
  • two groove portions 11 are provided at each end of the film laminate 4 in the x direction, for a total of four grooves.
  • groove portions 11 are continuous in the film stacking direction (z direction) in a region including an interface (boundary) between the metallikon 5A or 5B and the film laminate 4 or between the metallikon 5A or 5B and the film laminate 4. It is formed as a concave shape. Further, each groove portion 11 is provided so as to open toward the end surface 4b in the y direction of the film laminate 4, and the groove depth D (y direction) of each groove portion 11 from the end surface 4b in the y direction is determined. Since it is sufficient to insulate one strip-shaped metal layer 3 located at both ends in the y direction and the metallikon 5, it is the same as the width W of the non-formed region in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view of the film capacitor element corresponding to FIG. 1B.
  • the conductive portions 6 provided on both end faces 4b in the y direction are different from those in the first embodiment.
  • the conductive portions 6 are not on the entire surface of the end faces 4b but in the central portion in the x direction. , It is provided continuously and linearly in the stacking direction. That is, there are regions where the conductive portion 6 is not provided at both ends of the end surface 4b in the x direction.
  • the conductive portion 6 may be provided at the central portion in the x direction of the end face 4b in the y direction as in the present embodiment, as long as the plurality of strip-shaped metal layers 3 exposed on the end faces can be electrically connected to each other. Also in the film capacitor element 10 of the third embodiment, the generation of electric discharge can be suppressed by the conductive portion 6.
  • FIG. 4 is a perspective view of the film capacitor element.
  • the conductive portion 6 provided on the end surface 4b in the y direction is different from that in the third embodiment.
  • the conductive portion 6 is continuous in the stacking direction in the central portion in the x direction. It is provided so as to extend diagonally.
  • the conductive portion 6 is provided in the central portion in the x direction in order to suppress a short circuit between the conductive portion 6 and the metallikon 5.
  • the exposed portion of the strip-shaped metal layer 3 is indefinite on the end surface 4b in the y direction, which is the cut surface.
  • the insulating layer 12 may be omitted. Further, the insulating layer 12 may be laminated on the upper surface of the film laminate 4 in the above-mentioned first to third embodiments as in the fourth embodiment.
  • a plurality of dielectric films 1 or dielectric films 2 having a plurality of strip-shaped metal layers 3 continuous along the x direction are alternately reversed in the x direction, that is, the plane of the edge insulating region T.
  • the dielectric film 1 and the dielectric film 2 only have their orientations changed in the x direction, and have the same configuration.
  • a conventionally known method can be used, such as laminating long dielectric films 1 and 2 on each other and winding them around a cylinder or a cylinder having a polygonal cross section.
  • the vertically adjacent dielectric films 1 and 2 are laminated in a state where the positions of the strip-shaped metal layer 3 are offset in the continuous direction (x direction), so that the film laminate is formed.
  • the edges of each strip-shaped metal layer 3 are exposed on both end faces 4a in the x direction of 4.
  • metallikons 5A and 5B are formed by thermal spraying on both end surfaces 4a of the film laminate 4 in the x direction, where the edges of the strip-shaped metal layers 3 are exposed.
  • each band-shaped metal layer 3 on the dielectric films 1 and 2 is electrically connected to the metallikons 5A and 5B, and functions as an internal electrode of the film capacitor element.
  • the non-formed region 50 can be provided by arranging a mask in advance on both end faces 4a in the x direction and spraying metal.
  • the conductive portions 6 are formed on both end surfaces 4b of the film laminate 4, which is the cut surface, in the y direction.
  • the conductive portion 6 can be formed, for example, by applying a conductive adhesive, for example, as described above.
  • the order of the formation of the metallikon 5 and the formation of the conductive portion 6 is not particularly limited, and either of them may be formed first.
  • the film capacitor element 10 can be obtained by the above manufacturing method. Further, a case where the groove portion 11 of the second embodiment is provided will be described.
  • the groove portions 11 are formed so as to open toward both end faces 4b in the y direction at positions where the strip-shaped metal layer 3 and the metallikons 5A and 5B are separated from each other.
  • the groove portion 11 can be formed into a shape continuous in the stacking direction by cutting or cutting. It may be formed into a so-called notch, slit, notch or the like.
  • the groove depth D of the groove portion 11 in the y direction may be 1.0 times or more of the pitch P, which is the interval between the band-shaped metal layers 3 and the interval between the insulation margins S.
  • the groove portion 11 may be formed between the metallicon 5 and the film laminate 4, and only the film laminate 4 may be cut, including the interface (boundary) between the metallicon 5 and the film laminate 4. As described above, both the metallikon 5 and the film laminate 4 may be cut.
  • the conductive portion 6 is provided on the end surface 4b in the y direction (second direction), which is the cut surface.
  • the conductive portion 6 electrically connects the strip-shaped metal layer 3 in a float state exposed on the cut surface to have the same potential.
  • a plurality of strip-shaped metal layers extending in the first direction are arranged on one surface, and a groove-shaped insulating margin extending in the first direction is provided between the strip-shaped metal layers.
  • a dielectric film provided with an edge insulating region continuous in a second direction orthogonal to the first direction on one edge of the one surface in the first direction is a plan view of the edge insulating region.
  • An external electrode formed on each of the pair of end faces of the film laminate in the first direction Among the plurality of strip-shaped metal layers, an insulating portion that electrically insulates the strip-shaped metal layers located at both ends in the second direction and the external electrode.
  • Each of the pair of end faces of the film laminate in the second direction is provided with a conductive portion continuously formed in the laminate direction.

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Abstract

フィルムコンデンサ素子は、連続方向が１８０°異なる帯状金属層を１枚ごとに反転させながら積層されたフィルム積層体と、フィルム積層体の一対の端面のそれぞれに形成されたメタリコンと、メタリコンが形成された端面とは異なる一対の端面（切断面）に、積層方向に連続して形成された導電部と、を備える。

Description

フィルムコンデンサ素子
　本開示は、フィルムコンデンサ素子に関する。
　従来技術の一例は、特許文献１に記載されている。
特開２０１６－９７７５号公報
　本開示のフィルムコンデンサ素子は、一面に、第１の方向に延びる複数の帯状金属層が配設され、前記各帯状金属層の間に第１の方向に延びる溝状の絶縁マージンが設けられ、該一面の第１の方向の一方の縁部に、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた誘電体フィルムが、前記縁部絶縁領域の平面視位置が１枚おきに重なるよう、前記一面における第１の方向の向きを１枚ごとに１８０°反転させて複数枚積層された直方体状のフィルム積層体と、
　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成された外部電極と、
　前記複数の帯状金属層のうち、前記第２の方向両端に位置する帯状金属層と前記外部電極とを電気的に絶縁する絶縁部と、
　前記フィルム積層体の前記第２の方向の一対の端面のそれぞれに、積層方向に連続して形成された導電部と、を備える構成である。
　本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
第１実施形態のフィルムコンデンサ素子の構成を示す図であり、金属化誘電体フィルムの平面図である。 フィルムコンデンサ素子の構成を示す図であり、フィルムコンデンサ素子を上方から見た平面図である。 フィルムコンデンサ素子の構成を示す図であり、図１Ｂの切断面線Ａ－Ａにおける断面図である。 フィルムコンデンサ素子の構成を示す図であり、図１Ｂの切断面線Ｂ－Ｂにおける断面図である。 第２実施形態のフィルムコンデンサ素子の平面図である。 第３実施形態のフィルムコンデンサ素子の平面図である。 第４実施形態のフィルムコンデンサ素子の斜視図である。
　本開示のフィルムコンデンサ素子の基礎となる構成である、フィルムコンデンサは、たとえばポリプロピレン樹脂からなる誘電体フィルムの表面に電極となる金属層を形成した金属化フィルムを、巻回あるいは一方向に複数枚積み重ねて積層して形成されている。
積層型のフィルムコンデンサ素子は、金属化フィルムを積層した積層体を、所要の大きさ（容量）の直方体形状に切断したのち、一対の側面に外部電極を設けて得られる。
本開示のフィルムコンデンサ素子の基礎となる構成の積層フィルムコンデンサは、外部電極（メタリコン電極）を側面全面ではなく、端部側すなわち切断面に露出した金属層と接触しない範囲に形成することで、切断面における絶縁性を確保している。
誘電体フィルムを積層する際に、わずかな積層ずれが生じる場合がある。外部電極と接触していない金属層は、いわゆるフロート（浮遊）状態となるが、積層ずれによって、外部電極に接続された金属層と平面視で重なり部分が生じ、容量結合によってフロート状態の金属層にも電圧が印加される。フロート状態の金属層の一部は、切断面において露出しており、電圧印加によって切断面での放電が発生してしまう。
　以下、実施形態のフィルムコンデンサ素子について、図面を参照しつつ説明する。
　第１実施形態のフィルムコンデンサ素子１０は、図１Ａに示すような、フィルムの表面に、第１の方向（図示ではｘ方向）に沿って連続する帯状金属層（膜）３を複数有する誘電体フィルム１または誘電体フィルム２を、複数枚交互に積層して構成される。
　なお、各帯状金属層３は、積層後、コンデンサの内部電極となるものである。誘電体フィルム１，２は、図１Ｂ以降の各図面においては、積層方向が異なるだけで、同じ構成であるが、積層後の向きが分かるよう、図１Ａ，１Ｄに示すように、各帯状金属層３に、端から順に１Ａ～１Ｎまたは２Ａ～２Ｎの符号を付している。
　また、各図において、平行に形成された各帯状金属層３の連続方向を、第１の方向（ｘ方向）と呼ぶとともに、平行な各帯状金属層３の並び方向（ｘ方向に直交するｙ方向）を第２の方向と呼ぶ。フィルムの積層方向は、第１の方向および第２の方向に直交する、第３の方向（図示ｚ方向）である。
　誘電体フィルム１，２の表面の各帯状金属層３は、ベースフィルム（基体）に対する金属蒸着により形成される。ｙ方向に隣接する帯状金属層３同士の間には、小マージンとも呼ばれる、溝状のフィルム面（以下、絶縁マージンＳ）が露出しており、これにより、各帯状金属層３は、それぞれ電気的に独立して絶縁された状態となっている。
　そして、各絶縁マージンＳ（小マージン）は、第１の方向（ｘ方向）の一方の端部側で、第２の方向（ｙ方向）に連続する大マージンと呼ばれる縁部絶縁領域Ｔに繋がっている。各絶縁マージンＳの間隔（ピッチＰ）は、各帯状金属層３のｙ方向の幅Ｐ１と各絶縁マージンＳのｙ方向の幅Ｐ２とを合わせた値（Ｐ＝Ｐ１＋Ｐ２）となっている。
　なお、フィルムコンデンサ素子を構成する誘電体フィルム１，２の構成材料としては、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアリレート、シクロオレフィンポリマー等の有機樹脂材料があげられる。
　誘電体フィルム１，２の積層は、図１Ｂに示すように、誘電体フィルム１とそれに図示上下（ｚ方向）に隣接する誘電体フィルム２の、ｘ方向の向きを交互に１８０°反転させながら、すなわち、誘電体フィルム１，２は、各誘電体フィルム１，２の端部（縁部）の縁部絶縁領域Ｔの位置が、ｘ方向交互に逆になるように積み重ねられ、フィルム積層体４とされる。
　フィルム積層体４のｘ方向の両端面４ａには、金属溶射により金属電極（以下、メタリコン）が形成されている。なお、図示上、ｘ方向の両端面４ａに形成されるメタリコンの一方を５Ａ、他方を５Ｂと呼んでいるが、これらは配設位置の違いだけであり、構成に差異はない。メタリコン５Ａ，５Ｂを区別なく説明する場合には、単にメタリコン５と称する場合がある。
　実施形態のフィルムコンデンサ素子１０は、メタリコン５Ａ，５Ｂが、ｘ方向の両端面４ａにおいて、端面全面には、設けられておらず、各端面４ａのｙ方向両端において、一定の幅Ｗで積層方向に連続して、メタリコン５が形成されていない非形成領域５０が設けられている。この非形成領域５０は、複数の帯状金属層３のうち、ｙ方向両端に位置する帯状金属層３とメタリコン５とを電気的に絶縁する絶縁部となっている。
　なお、非形成領域５０の幅Ｗは、ｙ方向両端に位置する１個の帯状金属層３とメタリコン５とを絶縁すればよい。したがって、幅Ｗは、絶縁マージンＳのピッチＰの１．０倍以上とすればよい。これにより、ｙ方向両端に位置する１個の帯状金属層３を、メタリコン５から絶縁することが可能になる。また、幅Ｗは、ピッチＰの３．０倍以下としてもよい。これにより、絶縁による静電容量の低下を抑制することができる。
　絶縁部を設けることにより、帯状金属層３のうち、ｙ方向両端に位置する帯状金属層３が、フロート電極となって、ｙ方向の両端面４ｂにおける絶縁性が確保される。しかしながら、ｙ方向の両端面４ｂは切断面であって、積層ずれによって、フロート電極の中には、メタリコン５に接続された帯状金属層３と積層方向の平面視で重なる部分が生じ、容量結合によってフロート状態の帯状金属層３にも電圧が印加されてしまう。このようなフロート状態の帯状金属層３が、端面において、積層方向に複数並んで露出していた場合に、これら帯状金属層３間の電位差により放電が生じてしまう。
　本開示のフィルムコンデンサ素子１０では、切断面であるｙ方向の両端面４ｂの少なくとも一方に、積層方向に連続して導電部６を設けている。この導電部６は、切断面において露出した、フロート状態の帯状金属層３を切断面内において電気的に接続することで、これらを同電位とする同電位化部として働き、切断面における放電の発生を抑制することができる。
　導電部６は、上記のように、ｙ方向の端面４ｂにおいて、積層方向に並んで露出した帯状金属層３同士を電気的に接続すればよいので、積層方向に連続していれば、全体にわたって設ける必要はない。なお、本実施形態では、導電部６を端面４ｂの全面にわたって設けており、いずれの帯状金属層３が露出していても、これらを確実に接続して同電位とすることができる。また、導電部６は、ｙ方向の両端面４ｂのそれぞれに設ける必要はなく、いずれか一方の端面４ｂに設けてもよい。なお、本実施形態では、導電部６をｙ方向の両端面４ｂのそれぞれに設けている。
　導電部６は、帯状金属層３同士を電気的に接続できるものであれば、材質および形成方法などは特に限定されない。導電部６の材質としては、例えば、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、鉛(Pb)などの金属材料を用いることができる。また、銅、ニッケル、銀などの金属粉や、グラファイトなどの炭素系材料を使用した導電性接着剤などを用いることができる。材質として、アルミニウム、亜鉛や錫を用いる場合は、金属溶射法(メタリコン)やスパッタ法によって形成することができる。
　次に、第２実施形態のフィルムコンデンサ素子１０について説明する。図２は、図１Ｂに対応する、フィルムコンデンサ素子の平面図である。第２実施形態は、ｙ方向両端に位置する帯状金属層３とメタリコン５とを電気的に絶縁する絶縁部が、第１実施形態と異なっており、本実施形態では、絶縁部として、メタリコン５とフィルム積層体４との間に溝部１１を設けている。
　溝部１１は、フィルムコンデンサ素子１０におけるｙ方向の両端部に、帯状金属層３とメタリコン５Ａ，５Ｂとを離間させるように形成されている。なお、この例において、溝部１１は、フィルム積層体４のｘ方向の端部にそれぞれ２個、合計４個設けられている。
　これら溝部１１は、メタリコン５Ａまたは５Ｂとフィルム積層体４との間、もしくは、メタリコン５Ａまたは５Ｂとフィルム積層体４との界面（境界）を含む領域に、フィルムの積層方向（ｚ方向）に連続する凹形状として形成されている。また、各溝部１１は、フィルム積層体４のｙ方向の端面４ｂに向けて開口するよう設けられており、各溝部１１の、ｙ方向の端面４ｂからの溝深さＤ（ｙ方向）は、ｙ方向両端に位置する１個の帯状金属層３とメタリコン５とを絶縁すればよいので、第１実施形態における非形成領域の幅Ｗと同じである。
　第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、ｙ方向の両端面４ｂにおいて、フロート状態の帯状金属層３が、積層方向に複数並んで露出していた場合に、帯状金属層３間の電位差により放電が生じてしまう。第２実施形態のフィルムコンデンサ素子１０においても、切断面であるｙ方向の両端面４ｂのそれぞれに、積層方向に連続した導電部６を設けている。この導電部６によって、放電の発生を抑制することができる。
　次に、第３実施形態のフィルムコンデンサ素子１０について説明する。図３は、図１Ｂに対応する、フィルムコンデンサ素子の平面図である。第３実施形態は、ｙ方向両端面４ｂに設けられる導電部６が、第１実施形態と異なっており、本実施形態では、導電部６が端面４ｂの全面ではなく、ｘ方向の中央部分において、積層方向に連続して直線状に設けられている。すなわち、端面４ｂのｘ方向両端には、導電部６が設けられていない領域がある。
　例えば、ｘ方向の両端面４ａにおけるメタリコン５の非形成領域の幅Ｗが比較的小さい場合、導電部６を端面４ｂの全面に設けると、フィルム積層体４の角部において、メタリコン５と導電部６との距離が近くなり、短絡などのおそれがある。導電部６は、端面に露出する複数の帯状金属層３同士を電気的に接続できればよく、本実施形態のように、ｙ方向の端面４ｂにおいて、ｘ方向の中央部分に設ければよい。第３実施形態のフィルムコンデンサ素子１０においても、導電部６によって、放電の発生を抑制することができる。
　次に、第４実施形態のフィルムコンデンサ素子１０について説明する。図４は、フィルムコンデンサ素子の斜視図である。第４実施形態は、ｙ方向の端面４ｂに設けられる導電部６が、第３実施形態と異なっており、本実施形態では、導電部６が、ｘ方向の中央部分において、積層方向に連続して斜めに延びて設けられている。
　本実施形態でも第３実施形態と同様に、導電部６とメタリコン５との短絡を抑制するために、導電部６を、ｘ方向の中央部分に設けている。切断面であるｙ方向の端面４ｂにおいて、帯状金属層３の露出箇所は不定である。導電部６を、積層方向に連続して斜めに延びるように設けることで、直線状よりも帯状金属層３と接続し易いものとしている。第４実施形態のフィルムコンデンサ素子１０においても、導電部６によって、放電の発生を抑制することができる。
　なお、第４実施形態のフィルム積層体４の上面には、帯状金属層３が形成されていない誘電体フィルム等、積層体の保護層を兼用する絶縁層１２が積層されている。絶縁層１２は省略してもよい。また、絶縁層１２は、前述の第１実施形態～第３実施形態において、第４実施形態と同様に、フィルム積層体４の上面に積層してもよい。
　積層型のフィルムコンデンサ素子１０の製造方法について説明する。まず、ｘ方向に沿って連続する帯状金属層３を複数有する誘電体フィルム１または誘電体フィルム２を、複数枚、ｘ方向の向きを交互に逆にしながら、すなわち、縁部絶縁領域Ｔの平面視位置が１枚おきに重なるよう、ｘ方向（第１の方向）の向きを１枚ごとに１８０°反転させながら積み重ねる。
　なお、先にも述べたように、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、ｘ方向の向きを変えただけであり、構成は同じものである。また、積層する方法としては、互いに長尺の誘電体フィルム１，２を重ねて、円筒または断面多角状の筒に巻き付ける等、従来公知の方法により行うことができる。
　積層した後、所定長さに切断してフィルム積層体４を得る。図４の斜視図に示すように、上下に隣接する誘電体フィルム１と２とは、帯状金属層３の連続方向（ｘ方向）に位置をオフセットした状態で積層されているため、フィルム積層体４のｘ方向の両端面４ａには、各帯状金属層３の縁部が露出している。
　つぎに、各帯状金属層３の縁部が露出する、フィルム積層体４のｘ方向の両端面４ａそれぞれに、金属溶射によってメタリコン５Ａ，５Ｂを形成する。これにより、誘電体フィルム１，２上の各帯状金属層３が、メタリコン５Ａ，５Ｂに電気的に接続され、フィルムコンデンサ素子の内部電極として機能するようになる。このとき、ｘ方向の両端面４ａには、予めマスクを配置して金属溶射することで、非形成領域５０を設けることができる。
　ついで、切断面であるフィルム積層体４のｙ方向の両端面４ｂに、導電部６を形成する。導電部６は、例えば、前述の通り、例えば、導電性接着剤を塗布することによって形成することができる。なお、メタリコン５の形成と、導電部６の形成とは、その順序は特に限定されず、どちらを先に形成してもよい。
　上記のような製造方法によって、フィルムコンデンサ素子１０が得られる。また、第２実施形態の溝部１１を設ける場合について説明する。
　溝部１１は、それぞれが帯状金属層３とメタリコン５Ａ，５Ｂとを離間させる位置に、ｙ方向の両端面４ｂに向けて開口するように形成する。溝部１１は、切削加工や切断加工等により、積層方向に連続する形状とすることができる。いわゆる切り欠きやスリット、ノッチなどと呼ばれる形状に形成してもよい。
　また、溝部１１のｙ方向の溝深さＤは、帯状金属層３の間隔および絶縁マージンＳの間隔であるピッチＰの１．０倍以上であればよい。さらに、溝部１１の形成位置としては、メタリコン５とフィルム積層体４との間でよく、フィルム積層体４のみを切削してもよく、メタリコン５とフィルム積層体４との界面（境界）を含むように、メタリコン５とフィルム積層体４の両方を切削してもよい。
　以上の構成のフィルムコンデンサ素子によれば、切断面であるｙ方向（第２の方向）の端面４ｂに導電部６を設けている。導電部６は、切断面に露出するフロート状態の帯状金属層３を電気的に接続してこれらを同電位とする。導電部６を設けることで、切断面に露出する帯状金属層３による放電の発生を抑制することが可能なフィルムコンデンサ素子とすることができる。
　本開示は次の実施の形態が可能である。
本開示のフィルムコンデンサ素子は、一面に、第１の方向に延びる複数の帯状金属層が配設され、前記各帯状金属層の間に第１の方向に延びる溝状の絶縁マージンが設けられ、該一面の第１の方向の一方の縁部に、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた誘電体フィルムが、前記縁部絶縁領域の平面視位置が１枚おきに重なるよう、前記一面における第１の方向の向きを１枚ごとに１８０°反転させて複数枚積層された直方体状のフィルム積層体と、
　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成された外部電極と、
　前記複数の帯状金属層のうち、前記第２の方向両端に位置する帯状金属層と前記外部電極とを電気的に絶縁する絶縁部と、
　前記フィルム積層体の前記第２の方向の一対の端面のそれぞれに、積層方向に連続して形成された導電部と、を備える構成である。
　本開示によれば、端面における放電の発生を抑制することが可能なフィルムコンデンサ素子とすることができる。
　本開示は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本開示の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本開示の範囲内のものである。
　１，２　誘電体フィルム
　３　帯状金属層
　４　フィルム積層体
　４ａ　ｘ方向の端面
　４ｂ　ｙ方向の端面
　５Ａ，５Ｂ　メタリコン（金属電極）
　６　導電部
　１０　フィルムコンデンサ素子
　１１　溝部
　５０　非形成領域
　Ｓ　絶縁マージン
　Ｔ　縁部絶縁領域

Claims (5)

  1. 　一面に、第１の方向に延びる複数の帯状金属層が配設され、前記各帯状金属層の間に第１の方向に延びる溝状の絶縁マージンが設けられ、該一面の第１の方向の一方の縁部に、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた誘電体フィルムが、前記縁部絶縁領域の平面視位置が１枚おきに重なるよう、前記一面における第１の方向の向きを１枚ごとに１８０°反転させて複数枚積層された直方体状のフィルム積層体と、
    　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成された外部電極と、
    　前記複数の帯状金属層のうち、前記第２の方向両端に位置する帯状金属層と前記外部電極とを電気的に絶縁する絶縁部と、
    　前記フィルム積層体の前記第２の方向の一対の端面の少なくとも一方に、積層方向に連続して設けられた導電部と、を備えるフィルムコンデンサ素子。
  2. 　前記導電部は、前記第２の方向の前記一対の端面のそれぞれに、全面にわたって設けられている、請求項１記載のフィルムコンデンサ素子。
  3. 　前記絶縁部は、前記フィルム積層体の前記第１の方向の前記一対の端面における、前記外部電極が形成されていない非形成領域である、請求項１または２記載のフィルムコンデンサ素子。
  4. 　前記絶縁部は、前記フィルム積層体の前記第２の方向の前記一対の端面のそれぞれにおいて、前記フィルム積層体と前記外部電極とを離間させる、フィルム積層方向に連続する溝部である、請求項１または２記載のフィルムコンデンサ素子。
  5. 　一面に、第１の方向に延びる複数の帯状金属層が配設され、前記各帯状金属層の間に第１の方向に延びる溝状の絶縁マージンが設けられ、該一面の第１の方向の一方の縁部に、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた誘電体フィルムが、前記縁部絶縁領域の平面視位置が１枚おきに重なるよう、前記一面における第１の方向の向きを１枚ごとに１８０°反転させて複数枚積層された直方体状のフィルム積層体と、
    　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成された外部電極と、
    　前記複数の帯状金属層のうち、前記第２の方向両端に位置する帯状金属層と前記外部電極とを電気的に絶縁する絶縁部と、
    　前記第２の方向両端に位置する帯状金属層のうち、前記フィルム積層体の前記第２の方向の一対の端面に露出している帯状金属層を、前記端面内において互いに電気的に接続することで同電位とする同電位化部と、を備えるフィルムコンデンサ素子。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04165611A (ja) * 1990-10-29 1992-06-11 Marcon Electron Co Ltd 積層フィルムコンデンサ及びその製造方法
JPH04302122A (ja) * 1991-03-28 1992-10-26 Marcon Electron Co Ltd 複合積層フィルムコンデンサ及びその製造方法及びその使用回路
JP2003257783A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層形薄膜コンデンサの製造方法、および積層形薄膜コンデンサ
JP2015162648A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 Tdk株式会社 積層セラミックコンデンサ及び実装構造
JP2016009775A (ja) 2014-06-25 2016-01-18 小島プレス工業株式会社 積層フィルムコンデンサ、及び積層フィルムコンデンサの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2732748A1 (de) 1977-07-20 1979-02-01 Draloric Electronic Verfahren zur herstellung eines elektrischen kondensators
KR100403120B1 (ko) * 1997-11-18 2003-10-30 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 적층체 및 콘덴서
JP2005217238A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Shizuki Electric Co Inc 積層形フィルムコンデンサ
US20120018206A1 (en) * 2009-03-31 2012-01-26 Nippon Chem-Con Corporation Solid electrolytic capacitor
KR101106982B1 (ko) * 2010-01-27 2012-01-25 주식회사 뉴인텍 증착 필름 및 이를 사용한 필름 커패시터
JP5605342B2 (ja) * 2010-11-09 2014-10-15 株式会社村田製作所 電子部品及び基板モジュール
JP2013004916A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Daikin Ind Ltd フィルムコンデンサ
JP2014103174A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Okaya Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサ
JP6179480B2 (ja) * 2013-09-20 2017-08-16 株式会社村田製作所 コンデンサ素子の製造方法および製造装置
JP2015156445A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 株式会社村田製作所 積層型フィルムコンデンサ及び積層型フィルムコンデンサの製造方法
WO2016021529A1 (ja) * 2014-08-06 2016-02-11 株式会社村田製作所 複合電子部品
KR101548879B1 (ko) * 2014-09-18 2015-08-31 삼성전기주식회사 칩 부품 및 이의 실장 기판
WO2017204338A1 (ja) 2016-05-27 2017-11-30 京セラ株式会社 積層型コンデンサ
JP6744486B2 (ja) * 2017-04-14 2020-08-19 京セラ株式会社 フィルムコンデンサ、連結型コンデンサと、これを用いたインバータおよび電動車輌

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04165611A (ja) * 1990-10-29 1992-06-11 Marcon Electron Co Ltd 積層フィルムコンデンサ及びその製造方法
JPH04302122A (ja) * 1991-03-28 1992-10-26 Marcon Electron Co Ltd 複合積層フィルムコンデンサ及びその製造方法及びその使用回路
JP2003257783A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層形薄膜コンデンサの製造方法、および積層形薄膜コンデンサ
JP2015162648A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 Tdk株式会社 積層セラミックコンデンサ及び実装構造
JP2016009775A (ja) 2014-06-25 2016-01-18 小島プレス工業株式会社 積層フィルムコンデンサ、及び積層フィルムコンデンサの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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