JPWO2021010285A5 - - Google Patents
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Description
なお、上述の変形例2、3のように未接合領域Aeの形成を改質装置60における処理ウェハWのアライメント後に行う場合、前述のマイクロアライメント(未接合領域Aeの境界を撮像することによるチャック100の中心と接合領域Acの第2の偏心量の算出)は省略されてもよい。かかる場合、ステップA2の周縁改質層M1の形成は、マクロアライメントの結果に基づいて行われてもよい。
このように第1の偏心補正方法によれば、接合領域Acの偏心に追従して形成された周縁改質層M1と同心円状に内部面改質層M2を形成することにより、内部面改質層M2が周縁改質層M1の径方向外側に形成されることを抑制できる。
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