JPWO2021010285A5 - - Google Patents

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なお、上述の変形例２、３のように未接合領域Ａｅの形成を改質装置６０における処理ウェハＷのアライメント後に行う場合、前述のマイクロアライメント（未接合領域Ａｅの境界を撮像することによるチャック１００の中心と接合領域Ａｃの第２の偏心量の算出）は省略されてもよい。かかる場合、ステップＡ２の周縁改質層Ｍ１の形成は、マクロアライメントの結果に基づいて行われてもよい。
このように第１の偏心補正方法によれば、接合領域Ａｃの偏心に追従して形成された周縁改質層Ｍ１と同心円状に内部面改質層Ｍ２を形成することにより、内部面改質層Ｍ２が周縁改質層Ｍ１の径方向外側に形成されることを抑制できる。
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