JPWO2019013299A1 - 熱伝導材料、熱伝導層付きデバイス、熱伝導材料形成用組成物、液晶性円盤状化合物 - Google Patents

Abstract

本発明は、熱伝導性に優れる熱伝導材料を提供する。また、上記熱伝導材料を含む熱伝導層を有する熱伝導層付きデバイス、および、上記熱伝導材料を形成するために用いられる熱伝導材料形成用組成物を提供する。本発明の熱伝導材料は、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物と、上記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物との硬化物を含む。

Description

本発明は、熱伝導材料、熱伝導層付きデバイス、熱伝導材料形成用組成物、および液晶性円盤状化合物に関する。

パーソナルコンピュータ、一般家電、および、自動車等の様々な電気機器に用いられているパワー半導体デバイスは、近年、小型化が急速に進んでいる。小型化に伴い高密度化されたパワー半導体デバイスから発生する熱の制御が困難になっている。
このような問題に対応するため、パワー半導体デバイスからの放熱を促進する熱伝導材料が用いられている（特許文献１および２）。

特開平１１−３２３１６２号公報 特許第４１１８６９１号

本発明者らが特許文献１および２で開示された技術を検討したところ、開示された熱伝導材料の熱伝導性は、必ずしも求められる水準に達していないことを知見した。

そこで、本発明は、熱伝導性に優れる熱伝導材料を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記熱伝導材料を含む熱伝導層を有する熱伝導層付きデバイス、および、上記熱伝導材料を形成するために用いられる熱伝導材料形成用組成物を提供することも課題とする。
また、本発明は、新規な液晶性円盤状化合物を提供することも課題とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、所定の基を有する円盤状化合物を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

〔１〕 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物と、上記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物との硬化物を含む、熱伝導材料。
〔２〕 上記円盤状化合物が、後述する式（１）で表される、〔１〕に記載の熱伝導材料。
〔３〕 上記円盤状化合物が、後述する式（Ｄ４）で表される化合物である、〔２〕に記載の熱伝導材料。
〔４〕 上記円盤状化合物が、上記反応性官能基を３〜６個有する、〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の熱伝導材料。
〔５〕 上記円盤状化合物が、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基からなる群から選択される基を３〜６個有する、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の熱伝導材料。
〔６〕 上記架橋性化合物が、エポキシ化合物である、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の熱伝導材料。
〔７〕 上記エポキシ化合物が、後述する式（Ｅ１）で表される化合物であるか、または、エポキシ基を有する円盤状化合物である、〔６〕に記載の熱伝導材料。
〔８〕 さらに、無機物を含む、〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の熱伝導材料。
〔９〕 上記無機物が、無機窒化物または無機酸化物である、〔８〕に記載の熱伝導材料。
〔１０〕 上記無機物が、窒化ホウ素である、〔８〕または〔９〕に記載の熱伝導材料。
〔１１〕 シート状である、〔１〕〜〔１０〕のいずれかに記載の熱伝導材料。
〔１２〕 デバイスと、上記デバイス上に配置された〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の熱伝導材料を含む熱伝導層とを有する、熱伝導層付きデバイス。
〔１３〕 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物と、上記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物とを含む、熱伝導材料形成用組成物。
〔１４〕 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する液晶性円盤状化合物と、上記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物とを含み、
液晶性を示す、〔１３〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔１５〕 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する、液晶性円盤状化合物。
〔１６〕 後述する式（１Ａ）で表される、〔１５〕に記載の液晶性円盤状化合物。
〔１７〕 後述する式式（Ｄ４Ａ）で表される化合物、または後述する式式（Ｄ１６）で表される化合物である、〔１５〕または〔１６〕に記載の液晶性円盤状化合物。
〔１８〕 上記反応性官能基が、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基からなる群から選択される基である、〔１５〕〜〔１７〕のいずれかに記載の液晶性円盤状化合物。
〔１９〕 結晶相から液晶相への相転移温度が１８０℃以下である、〔１５〕〜〔１８〕のいずれかに記載の液晶性円盤状化合物。

本発明によれば、熱伝導性に優れる熱伝導材料を提供できる。
また、本発明によれば、上記熱伝導材料を含む熱伝導層を有する熱伝導層付きデバイス、および、上記熱伝導材料を形成するために用いられる熱伝導材料形成用組成物を提供できる。
また、本発明によれば、新規な液晶性円盤状化合物を提供することができる。

以下、本発明の熱伝導材料、熱伝導層付きデバイス、熱伝導材料形成用組成物（以下、単に「本組成物」ともいう）、および液晶性円盤状化合物について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、「（メタ）アクリロイル基」との記載は、「アクリロイル基およびメタクリロイル基のいずれか一方または双方」の意味を表す。
本明細書において、「（メタ）アクリルアミド基」との記載は、「アクリルアミド基およびメタクリルアミド基のいずれか一方または双方」の意味を表す。

なお、本明細書において、「置換基を有していてもよい」という場合の置換基の種類、置換基の位置、および、置換基の数は特に限定されない。置換基の数は例えば、１個、または、２個以上が挙げられる。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団が挙げられ、例えば、以下の置換基群Ｙから選択できる。

置換基群Ｙ：
ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、水酸基、アミノ基、カルボン酸基およびその共役塩基基、無水カルボン酸基、シアネートエステル基、不飽和重合性基、オキシラニル基、オキセタニル基、アジリジニル基、チオール基、イソシアネート基、チオイソシアネート基、アルデヒド基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）およびその共役塩基基、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基およびその共役塩基基、Ｎ−アルキルスルホニルスルファモイル基（−ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２（ａｌｋｙｌ））およびその共役塩基基、Ｎ−アリールスルホニルスルファモイル基（−ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２（ａｒｙｌ））およびその共役塩基基、Ｎ−アルキルスルホニルカルバモイル基（−ＣＯＮＨＳＯ_２（ａｌｋｙｌ））およびその共役塩基基、Ｎ−アリールスルホニルカルバモイル基（−ＣＯＮＨＳＯ_２（ａｒｙｌ））およびその共役塩基基、アルコキシシリル基（−Ｓｉ（Ｏａｌｋｙｌ）_３）、アリーロキシシリル基（−Ｓｉ（Ｏａｒｙｌ）_３）、ヒドロキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＨ）_３）およびその共役塩基基、ホスホノ基（−ＰＯ_３Ｈ_２）およびその共役塩基基、ジアルキルホスホノ基（−ＰＯ_３（ａｌｋｙｌ）_２）、ジアリールホスホノ基（−ＰＯ_３（ａｒｙｌ）_２）、アルキルアリールホスホノ基（−ＰＯ_３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノ基（−ＰＯ_３Ｈ（ａｌｋｙｌ））およびその共役塩基基、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ_３Ｈ（ａｒｙｌ））およびその共役塩基基、ホスホノオキシ基（−ＯＰＯ_３Ｈ_２）およびその共役塩基基、ジアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ_３（ａｌｋｙｌ）_２）、ジアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ_３（ａｒｙｌ）_２）、アルキルアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ_３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ_３Ｈ（ａｌｋｙｌ））およびその共役塩基基、モノアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ_３Ｈ（ａｒｙｌ））およびその共役塩基基、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、および、アルキル基。
また、これらの置換基は、可能であるならば置換基同士、または置換している基と結合して環を形成してもよい。

なお、不飽和重合性基としては、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、および、以下Ｑ１〜Ｑ７で示される置換基が挙げられる。

〔熱伝導材料〕
本発明の熱伝導材料は、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物（以下、「特定円盤状化合物」ともいう）と、反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物（以下、単に「架橋性化合物」ともいう）との硬化物を含む。つまり、本発明の熱伝導材料は、特定円盤状化合物と架橋性化合物とを反応させて得られる硬化物を含む。

本発明者らは、特定円盤状化合物と、架橋性化合物とを用いることで、熱伝導材料の熱伝導性を向上できることを見出している。
そのメカニズムは必ずしも明らかではないが、特許文献１および２に記載されているような棒状化合物が直線的（一次元的）にしか熱伝導できないのに対して、特定円盤状化合物の硬化物はその円盤状構造に対して法線方向にも熱伝導できるため、熱伝導パスが増えて熱伝導性が向上すると考えられている。

以下では、まず、熱伝導材料に含まれる硬化物を得るために用いられる特定円盤状化合物および架橋性化合物について詳述する。

［特定円盤状化合物］
熱伝導材料に含まれる硬化物の原料として、特定円盤状化合物が挙げられる。
なお、本明細書において、円盤状化合物は、少なくとも部分的に円盤状構造を有する化合物を意味する。円盤状構造により、円盤状化合物はスタッキング構造を形成して柱状構造をとり得る。円盤状化合物は、少なくとも芳香族環を有し、分子間のπ−π相互作用に基づくスタッキング構造を形成して柱状構造をとり得る化合物が好ましい。
このような柱状構造が、上述のような、円盤状構造に対する法線方向への熱伝導を促し、熱伝導性の向上に寄与していると考えられている。

特定円盤状化合物は、水酸基（−ＯＨ）、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、無水カルボン酸基、アミノ基（−ＮＨ_２）、シアネートエステル基（−Ｏ−Ｃ≡Ｎ）、および、チオール基（−ＳＨ）からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する。
中でも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、特定円盤状化合物は、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、および、シアネートエステル基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有するのが好ましく、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有するのがより好ましい。
また、特定円盤状化合物は、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、反応性官能基を３〜８個有するのが好ましく、３〜６個有するのがより好ましい。
中でも、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基からなる群から選択される反応性官能基を３〜８個有するのが好ましく、３〜６個有するのがより好ましい。
なお、反応性官能基を３個以上有する特定円盤状化合物の硬化物は、ガラス転移温度が高く、優れた耐熱性を示す。

なお、水酸基としては、フェニル基等の芳香族環に直接結合している水酸基であることが好ましい。
また、無水カルボン酸基とは、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、および、無水トリメリット酸等の酸無水物から任意の水素原子を除いて得られる１価の置換基を意図する。

円盤状化合物は、液晶性を示す液晶化合物であっても、液晶性を示さない非液晶化合物であってもよいが、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から（特に、熱伝導材料をより厚膜（例えば、４００μｍ以上）とした場合において、熱伝導性がより優れる観点から）、液晶化合物が好ましい。つまり、円盤状化合物としては、液晶性円盤状化合物が好ましい。
特定円盤状化合物と架橋性化合物との硬化物中には、配向秩序度に応じた複数のドメインが形成されており、各ドメイン間の境界（粒界）が複数存在すると推測される。特定円盤状化合物が、液晶性円盤状化合物である場合、上記ドメインサイズをより大きくでき（言い換えると、粒界の数をより低減でき）、この結果として、特に、硬化物を厚膜とした場合において、硬化物の熱伝導性がより向上すると考えられる。
なお、特定円盤状化合物の液晶性は、偏光顕微鏡観察、または示差走査熱量測定により確認できる。

円盤状化合物の具体例としては、Ｃ． Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．， Ｍｏｌ． Ｃｒｙｓｒ． Ｌｉｑ． Ｃｒｙｓｔ．， ｖｏｌ． ７１， ｐａｇｅ １１１ （１９８１） ；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ． Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍ．， ｐａｇｅ １７９４ （１９８５）；Ｊ． Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， ｖｏｌ． １１６， ｐａｇｅ ２６５５ （１９９４）、および、特許第４５９２２２５号に記載されている化合物が挙げられる。円盤状化合物としては、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ． Ｅｄ． ２０１２， ５１， ７９９０−７９９３および特開平７−３０６３１７号公報に記載のトリフェニレン構造、ならびに、特開２００７−２２２０号公報および特開２０１０−２４４０３８号公報に記載の３置換ベンゼン構造等が挙げられる。

特定円盤状化合物としては、下記式（１）で表される化合物が挙げられる。

上記式中、Ｍは、ｎ^ｃ１価の円盤状コア部を表す。
Ｌ^ｃ１は、２価の連結基を表す。
Ｑは、水素原子または置換基を表す。
ｎ^ｃ１は、３以上の整数を表す。
ただし、１個以上のＱは、上記反応性官能基を表す。

上記Ｍで表される円盤状コア部としては、特に制限されないが、例えば、式（ＣＲ１）〜（ＣＲ１６）で表される構造が挙げられる。＊は、−Ｌ^ｃ１−Ｑで表される基との結合位置を示す。なお、（ＣＲ１６）中、Ａ^２Ｘ、Ａ^３Ｘ、およびＡ^４Ｘは、各々独立に、−ＣＨ＝またはＮ＝を表し、Ａ^２Ｘ、Ａ^３Ｘ、およびＡ^４Ｘが全て−ＣＨ＝を表すことが好ましい。

Ｌ^ｃ１は、２価の連結基を表す。
熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、Ｌ^ｃ１は、それぞれ独立に、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^ｃ１−、−Ｏ−、−Ｓ−、および、これらの組み合わせからなる群より選ばれる基であることが好ましく、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^ｃ１−、−Ｏ−、および、−Ｓ−からなる群より選ばれる基を２個以上組み合わせた基であることがより好ましい。
上記Ｒ^ｃ１は、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ^ｃ１で表されるアルキル基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜３がより好ましい。
上記アルキレン基の炭素数は、１〜１２が好ましい。
上記アルケニレン基の炭素数は、２〜１２が好ましい。
上記アリーレン基の炭素数は、１０以下が好ましく、６が好ましい。
上記ヘテロアリーレン基の炭素数は６以下が好ましい。上記ヘテロアリーレン基は、５員環または６員環が好ましい。また、上記ヘテロアリーレン基中に含まれるヘテロ原子としては特に制限されないが、例えば、窒素原子、酸素原子、および硫黄原子等が挙げられる。なお、ヘテロアリーレン基中のヘテロ原子の数は特に制限されないが、例えば、１〜３個である。
アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、およびヘテロアリーレン基は、置換基（好ましくは、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、および、アシルオキシ基等）を有していてもよい。

なお、上記Ｍが式（ＣＲ４）で表されるトリフェニレン骨格である場合、円盤状化合物が液晶性を発現して、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、Ｌ^ｃ１は、＊^ｃ１−アルキレン基−Ｘ^ｃ１−＊^ｃ２、＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アルキレン基−＊^ｃ２、または＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アリーレン基−Ｏ−＊^ｃ２で表される部分構造を含む２価の連結基を表すことが好ましい。
Ｘ^ｃ１は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を表す。
＊^ｃ１は、円盤状コア部との結合位置を示す。＊^ｃ２は、他方の結合位置を表す。

Ｑは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
置換基としては、上述した置換基群Ｙで例示される基が挙げられる。より具体的には、置換基としては、上記反応性官能基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、不飽和重合性基、オキシラニル基、オキセタニル基、アジリジニル基、チオイソシアネート基、アルデヒド基、および、スルホ基が挙げられる。
なお、式（１）中、１個以上のＱは、反応性官能基を表す。なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、すべてのＱが反応性官能基を表すことが好ましい。

ｎ^ｃ１は、３以上の整数を表す。熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、３〜８が好ましく、３〜６がより好ましい。

特定円盤状化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、以下に示す式（Ｄ１）〜（Ｄ１６）のいずれかで表される化合物が好ましい。
なお、以下の式中、「−ＬＱ」は「−Ｌ−Ｑ」を表し、「ＱＬ−」は「Ｑ−Ｌ−」を表す。
まず、式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）について詳述する。

式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中、Ｌは２価の連結基を表す。
Ｌで表される２価の連結基としては、上記式（１）中のＬ^ｃ１で表される２価の連結基と同義であり、好適態様も同じである。
なかでも、Ｌとしては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、それぞれ独立に、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、および、これらの組み合わせからなる群より選ばれる基であることが好ましく、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−Ｏ−、および、−Ｓ−からなる群より選ばれる基を２個以上組み合わせた基であることがより好ましい。
上記アルキレン基の炭素数は、１〜１２が好ましい。上記アルケニレン基の炭素数は、２〜１２が好ましい。上記アリーレン基の炭素数は、１０以下が好ましい。
アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基は、置換基（好ましくは、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、および、アシルオキシ基等）を有していてもよい。

Ｌの例を以下に示す。以下の例では、左側の結合手が式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）のいずれかで表される化合物の中心構造（以下、単に「中心環」ともいう）に結合し、右側の結合手がＱに結合する。
ＡＬはアルキレン基またはアルケニレン基を意味し、ＡＲはアリーレン基を意味する。
なお、式（Ｄ４）で表される化合物においては、円盤状化合物が液晶性を発現して、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、Ｌは、＊^１−アルキレン基−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−＊^２、＊^１−アルキレン基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−＊^２、＊^１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アルキレン基−＊^２、＊^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−アルキレン基−＊^２、＊^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−アリーレン基−Ｏ−＊^２、または＊^１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アリーレン基−Ｏ−＊^２で表される部分構造を含む２価の連結基を表すことが好ましい。＊^１は、中心環との結合位置を示す。＊^２は、他方の結合位置を表す。なお、＊^２で表される他方の結合位置とは、Ｌ中の他の原子との結合位置を表すか、または、Ｑとの結合位置を表す。
例えば、下記Ｌ１０１は、＊^１−アルキレン基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−＊^２で表される部分構造を含む２価の連結基に該当する。

Ｌ１０１：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０２：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１０３：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０４：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１０５：−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１０６：−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１０７：−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１０８：−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＡＬ−
Ｌ１０９：−ＮＨ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１１０：−ＮＨ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１１１：−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１１２：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１１３：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−

Ｌ１１４：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−ＡＬ−
Ｌ１１５：−Ｏ−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１１６：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１１７：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１１８：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１１９：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１２０：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１２１：−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１２２：−Ｓ−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１２３：−Ｓ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１２４：−Ｓ−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１２５：−Ｓ−ＡＲ−ＡＬ−
Ｌ１２６：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−
Ｌ１２７：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｏ−
Ｌ１２８：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−
Ｌ１２９：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−
Ｌ１３０：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３１：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３２：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１３３：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３４：−Ｏ−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３５：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＲ−
Ｌ１３６：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｓ−ＡＬ−
Ｌ１３７：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１３８：−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−
Ｌ１３９：−Ｏ−ＡＬ−ＮＨ−ＡＲ−
Ｌ１４０：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１４１：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＡＲ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１４２：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＲ−
Ｌ１４３：−ＡＬ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＡＲ−

式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中、Ｑは水素原子または置換基を表す。なお、Ｑについては、上述した通りである。但し、１個以上のＱは、上述した反応性官能基を表す。なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、すべてのＱが反応性官能基を表すことが好ましい。

式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）で表される化合物の中でも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、式（Ｄ４）で表される化合物が好ましい。言い換えると、特定円盤状化合物の中心環はトリフェニレン環であることが好ましい。
式（Ｄ４）で表される化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、式（ＸＩ）で表される化合物が好ましい。

式（ＸＩ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、および、Ｒ^１６は、それぞれ独立に、＊−Ｘ^１１−Ｌ^１１−Ｐ^１１、または、＊−Ｘ^１２−Ｌ^１２−Ｙ^１２を表す。
なお、＊はトリフェニレン環との結合位置を表す。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、および、Ｒ^１６のうち、２個以上は、＊−Ｘ^１１−Ｌ^１１−Ｐ^１１であり、３個以上が＊−Ｘ^１１−Ｌ^１１−Ｐ^１１であることが好ましい。
中でも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、Ｒ^１１およびＲ^１２のいずれか１個以上、Ｒ^１３およびＲ^１４のいずれか１個以上、並びに、Ｒ^１５およびＲ^１６のいずれか１個以上が、＊−Ｘ^１１−Ｌ^１１−Ｐ^１１であることが好ましい。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、および、Ｒ^１６が、全て、＊−Ｘ^１１−Ｌ^１１−Ｐ^１１であることがより好ましい。加えて、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、および、Ｒ^１６が、全て同一であることがさらに好ましい。

Ｘ^１１は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、または、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
中でも、Ｘ^１１は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、または、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−が好ましく、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−がより好ましく、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−がさらに好ましい。

Ｌ^１１は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
２価の連結基の例としては、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、アルキレン基（炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜７がさらに好ましい。）、アリーレン基（炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。
上記アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、および、ヘプチレン基が挙げられる。
上記アリーレン基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、および、アントラセニレン基が挙げられ、１，４−フェニレン基が好ましい。

上記アルキレン基および上記アリーレン基はそれぞれ置換基を有していてもよい。置換基の数は、１〜３が好ましく、１がより好ましい。置換基の置換位置は特に制限されない。置換基としては、ハロゲン原子または炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記アルキレン基および上記アリーレン基は無置換であることも好ましい。中でも、アルキレン基は無置換であることが好ましい。

−Ｘ^１１−Ｌ^１１−の例として、上述のＬの例であるＬ１０１〜Ｌ１４３が挙げられる。
なお、円盤状化合物が液晶性を発現して、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、−Ｘ^１１−Ｌ^１１−は、＊^１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アルキレン基−＊^２、＊^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−アルキレン基−＊^２、＊^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−アリーレン基−Ｏ−＊^２、または＊^１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アリーレン基−Ｏ−＊^２で表される部分構造を含む２価の連結基を表すことが好ましい。＊^１は、トリフェニレン環との結合位置を示す。＊^２は、他方の結合位置を表す。なお、＊^２で表される他方の結合位置とは、Ｌ^１１中の他の原子との結合位置を表すか、または、Ｐ^１１との結合位置を表す。

Ｐ^１１は、それぞれ独立に、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、または、シアネートエステル基を表す。中でも、熱伝導性がより優れる観点から、Ｐ^１１としては、それぞれ独立に、水酸基、カルボン酸基、または、無水カルボン酸基が好ましい。
なお、Ｐ^１１が水酸基である場合、Ｌ^１１はアリーレン基を含み、このアリーレン基はＰ^１１と結合していることが好ましい。

Ｘ^１２は、Ｘ^１１と同様であり、好適な条件も同様である。
Ｌ^１２は、Ｌ^１１と同様であり、好適な条件も同様である。
−Ｘ^１２−Ｌ^１２−の例として、上述のＬの例であるＬ１０１〜Ｌ１４３が挙げられる。
なお、円盤状化合物が液晶性を発現して、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、−Ｘ^１２−Ｌ^１２−は、＊^１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アルキレン基−＊^２、＊^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−アルキレン基−＊^２、＊^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−アリーレン基−Ｏ−＊^２、または＊^１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アリーレン基−Ｏ−＊^２で表される部分構造を含む２価の連結基を表すことが好ましい。＊^１は、トリフェニレン環との結合位置を示す。＊^２は、他方の結合位置を表す。なお、＊^２で表される他方の結合位置とは、Ｌ^１２中の他の原子との結合位置を表すか、または、Ｙ^１２との結合位置を表す。

Ｙ^１２は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基、または、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基において１個または２個以上のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基を表す。
Ｙ^１２が、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基、または、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基において１個または２個以上のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基の場合、Ｙ^１２に含まれる水素原子の１個以上がハロゲン原子で置換されていてもよい。
Ｙ^１２は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基、または、炭素数１〜２０のアルキレンオキシド基が好ましく、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または、炭素数１〜２０のエチレンオキシド基もしくはプロピレンオキシド基がより好ましい。

式（ＸＩ）で表される化合物の具体例については、特開平７−２８１０２８号公報の段落番号００２８〜００３６、特開平７−３０６３１７号公報、特開２００５−１５６８２２号公報の段落番号００１６〜００１８、特開２００６−３０１６１４号公報の段落番号００６７〜００７２、および、液晶便覧（平成１２年丸善株式会社発刊）３３０頁〜３３３頁に記載の化合物を参照することができる。

式（ＸＩ）で表される化合物は、特開平７−３０６３１７号公報、特開平７−２８１０２８号公報、特開２００５−１５６８２２号公報、および、特開２００６−３０１６１４号公報に記載の方法に準じて合成できる。

次に、式（Ｄ１６）で表される化合物について詳述する。

式（Ｄ１６）中、Ａ^２Ｘ、Ａ^３Ｘ、および、Ａ^４Ｘは、それぞれ独立に、−ＣＨ＝または−Ｎ＝を表す。中でも、Ａ^２Ｘ、Ａ^３Ｘ、および、Ａ^４Ｘは、それぞれ独立に、−ＣＨ＝が好ましい。
Ｒ^１７Ｘ、Ｒ^１８Ｘ、および、Ｒ^１９Ｘは、それぞれ独立に、＊−Ｘ^２１１Ｘ−（Ｚ^２１Ｘ−Ｘ^２１２Ｘ）_ｎ２１Ｘ−Ｌ^２１Ｘ−Ｑを表す。＊は、中心環との結合位置を表す。
Ｘ^２１１ＸおよびＸ^２１２Ｘは、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、または、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
Ｚ^２１Ｘは、それぞれ独立に、５員環もしくは６員環の芳香族環基、または、５員環もしくは６員環の非芳香族環基を表す。
Ｌ^２１Ｘは、単結合または２価の連結基を表す。
Ｑは、式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）におけるＱと同義であり、好ましい条件も同様である。つまり、複数存在するＱのうち、少なくとも１個のＱは、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、または、シアネートエステル基を表す。
ｎ２１Ｘは、０〜３の整数を表す。ｎ２１Ｘが２以上の場合、複数存在する（Ｚ^２１Ｘ−Ｘ^２１２Ｘ）は、同一でも異なっていてもよい。

式（Ｄ１６）で表される化合物としては、式（ＸＩＩ）で表される化合物が好ましい。

式（ＸＩＩ）中、Ａ^２、Ａ^３、および、Ａ^４は、それぞれ独立に、−ＣＨ＝または−Ｎ＝を表す。中でも、Ａ^２、Ａ^３、および、Ａ^４は、−ＣＨ＝が好ましい。言い換えると、特定円盤状化合物の中心環はベンゼン環であることも好ましい。

Ｒ^１７、Ｒ^１８、および、Ｒ^１９は、それぞれ独立に、＊−Ｘ^２１１−（Ｚ^２１−Ｘ^２１２）_ｎ２１−Ｌ^２１−Ｐ^２１、または、＊−Ｘ^２２１−（Ｚ^２２−Ｘ^２２２）_ｎ２２−Ｙ^２２を表す。＊は中心環との結合位置を表す。
Ｒ^１７、Ｒ^１８、および、Ｒ^１９のうち２個以上は、＊−Ｘ^２１１−（Ｚ^２１−Ｘ^２１２）_ｎ２１−Ｌ^２１−Ｐ^２１である。熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、Ｒ^１７、Ｒ^１８、および、Ｒ^１９は全てが、＊−Ｘ^２１１−（Ｚ^２１−Ｘ^２１２）_ｎ２１−Ｌ^２１−Ｐ^２１であることが好ましい。
加えて、Ｒ^１７、Ｒ^１８、および、Ｒ^１９が、全て同一であることが好ましい。

Ｘ^２１１、Ｘ^２１２、Ｘ^２２１、および、Ｘ^２２２は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、または、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
中でも、Ｘ^２１１、Ｘ^２１２、Ｘ^２２１、および、Ｘ^２２２としては、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または、−ＯＣ（＝Ｏ）−が好ましい。

Ｚ^２１およびＺ^２２は、それぞれ独立に、５員環もしくは６員環の芳香族環基、または、５員環もしくは６員環の非芳香族環基を表し、例えば、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、および、芳香族複素環基が挙げられる。

上記芳香族環基および上記非芳香族環基は、置換基を有していてもよい。置換基の数は１または２が好ましく、１がより好ましい。置換基の置換位置は、特に制限されない。置換基としては、ハロゲン原子またはメチル基が好ましい。上記芳香族環基および上記非芳香族環基は無置換であることも好ましい。

芳香族複素環基としては、例えば、以下の芳香族複素環基が挙げられる。

式中、＊はＸ^２１１またはＸ^２２１に結合する部位を表す。＊＊はＸ^２１２またはＸ^２２２に結合する部位を表す。Ａ^４１およびＡ^４２は、それぞれ独立に、メチン基または窒素原子を表す。Ｘ^４は、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、または、イミノ基を表す。
Ａ^４１およびＡ^４２は、少なくとも一方が窒素原子であることが好ましく、両方が窒素原子であることがより好ましい。また、Ｘ^４は、酸素原子であることが好ましい。

後述するｎ２１およびｎ２２が２以上の場合、複数存在する（Ｚ^２１−Ｘ^２１２）および（Ｚ^２２−Ｘ^２２２）は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

Ｌ^２１は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、上述した式（ＸＩ）におけるＬ^１１と同義である。Ｌ^２１としては、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、アルキレン基（炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜７がさらに好ましい。）、アリーレン基（炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。）、または、これらの組み合わせからなる基が好ましい。

後述するｎ２２が１以上の場合において、−Ｘ^２１２−Ｌ^２１−の例としては、上述の式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）におけるＬの例であるＬ１０１〜Ｌ１４３が同様に挙げられる。

Ｐ^２１は、それぞれ独立に、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、または、シアネートエステル基を表す。中でも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、Ｐ^２１は、それぞれ独立に、水酸基、カルボン酸基、または、無水カルボン酸基であるのが好ましい。

Ｙ^２２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基、または、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、もしくは、環状のアルキル基において１個または２個以上のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基を表し、式（ＸＩ）におけるＹ^１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。

ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に、０〜３の整数を表し、熱伝導性がより優れる観点から、１〜３の整数が好ましく、２〜３がより好ましい。

式（ＸＩＩ）で表される化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。
なお、下記構造式中、Ｒは、−Ｘ^２１２−Ｌ^２１−Ｐ^２１を表す。

式（ＸＩＩ）で表される化合物の詳細、および具体例については、特開２０１０−２４４０３８号公報の段落００１３〜００７７記載を参照でき、その内容は本明細書に組み込まれる。

式（ＸＩＩ）で表される化合物は、特開２０１０−２４４０３８号公報、特開２００６−７６９９２号公報、および特開２００７−２２２０号公報に記載の方法に準じて合成できる。

電子密度を減らすことでスタッキングを強くし、カラム状集合体を形成しやすくなるという観点から、特定円盤状化合物は水素結合性官能基を有する化合物であることが好ましい。水素結合性官能基としては、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、または−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−等が挙げられる。

特定円盤状化合物は１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。

［架橋性化合物］
架橋性化合物は、上述した特定円盤状化合物と反応する化合物である。
架橋性化合物は、反応性官能基と反応する基（以下、「架橋性基」ともいう）を有する。
架橋性基としては、例えば、オキシラニル基、オキセタニル基、水酸基、カルボン酸基、ハロゲン化ベンジル基、無水カルボン酸基、シアネートエステル基、イソシアネート基、アミノ基、アルデヒド基、アジリジン基、および、アルコキシシリル基が挙げられる。
架橋性基は反応性官能基の種類に応じて適宜選択される。
反応性官能基が水酸基である場合に使用可能な架橋性基の例としては、オキシラニル基、オキセタニル基、ハロゲン化ベンジル基、無水カルボン酸基、イソシアネート基、および、アルコキシシリル基が挙げられる。
反応性官能基がカルボン酸基である場合に使用可能な架橋性基の例としては、オキシラニル基、オキセタニル基、ハロゲン化ベンジル基、シアネートエステル基、アミノ基、イソシアネート基、および、アジリジン基が挙げられる。
反応性官能基が無水カルボン酸基である場合に使用可能な架橋性基の例としては、オキシラニル基、オキセタニル基、および、水酸基が挙げられる。
反応性官能基がアミノ基である場合に使用可能な架橋性基の例としては、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボン酸基、ハロゲン化ベンジル基、イソシアネート基、アルデヒド基、および、カルボニル基が挙げられる。
反応性官能基がシアネートエステル基である場合に使用可能な架橋性基の例としては、オキシラニル基、カルボン酸基、および、不飽和重合性基が挙げられる。
反応性官能基がチオール基である場合に使用可能な架橋性基の例としては、オキシラニル基、オキセタニル基、ハロゲン化ベンジル基、無水カルボン酸基、イソシアネート基、および、アルコキシシリル基が挙げられる。

中でも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点および熱伝導材料のデバイス等に対する接着性が優れる観点から、架橋性基は、オキシラニル基またはオキセタニル基が好ましく、オキシラニル基がより好ましい。
なお、本明細書において、オキシラニル基はエポキシ基とも呼ばれる官能基であり、オキサシクロプロパン（オキシラン）を含む基であればよく、例えば飽和炭化水素環基の隣接する炭素原子２個がオキソ基（−Ｏ−）を介して結合してオキシラン環を形成している基等も含む。
以下、架橋性基としてオキシラニル基（エポキシ基）を有する架橋性化合物を、エポキシ化合物ともいう。

架橋性化合物が有する架橋性基の数は特に制限されないが、２〜８が好ましく、２〜６がより好ましい。

架橋性化合物は、なかでも、エポキシ化合物であることが好ましい。
エポキシ化合物としては、例えば、後述する式（Ｅ１）で表されるエポキシ化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂、および、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂等に代表されるようなエポキシ基を有する棒状化合物（棒状エポキシ化合物）、並びに、エポキシ基を有する円盤状化合物（円盤状エポキシ化合物）が挙げられる。
なお、円盤状化合物の定義については、上述した通りである。
架橋性化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、後述する後述する式（Ｅ１）で表されるエポキシ化合物、または、円盤状エポキシ化合物が好ましい。
また、架橋性化合物は、液晶性を有しても有さなくてもよく、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、液晶性を有することが好ましい。

以下に、棒状エポキシ化合物、および円盤状エポキシ化合物について各々詳述する。

（棒状エポキシ化合物）
架橋性化合物が棒状エポキシ化合物である場合、上記棒状エポキシ化合物が有するエポキシ基の数は特に制限されないが、２〜８が好ましく、２〜６がより好ましく、２がさらに好ましい。

棒状エポキシ化合物としては、中でも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、式（Ｅ１）で表されるエポキシ化合物であるのがより好ましい。

式（Ｅ１）中、Ｌ^Ｅ１は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
中でも、Ｌ^Ｅ１は、２価の連結基が好ましい。
２価の連結基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、置換意を有していてもよいアルキレン基、または、これらの２以上の組み合わせからなる基が好ましく、−Ｏ−アルキレン基−または−アルキレン基−Ｏ−がより好ましい。
なお上記アルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれでもよいが、炭素数１〜２の直鎖状アルキレン基が好ましい。

Ｌ^Ｅ２は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（−ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（−ＣＨ_３）−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ^＋（−Ｏ⁻）−、−Ｎ^＋（−Ｏ⁻）＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ^＋（−Ｏ⁻）−、−Ｎ^＋（−Ｏ⁻）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（−ＣＮ）−、または、−Ｃ（−ＣＮ）＝ＣＨ−を表す。
中でも、Ｌ^Ｅ２は、それぞれ独立に、単結合、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

Ｌ^Ｅ３は、それぞれ独立に、単結合、または、置換基を有していてもよい、５員環もしくは６員環の芳香族環基または５員環もしくは６員環の非芳香族環基、または、これらの環からなる多環基を表す。
Ｌ^Ｅ３で表される芳香族環基および非芳香族環基の例としては、置換基を有していてもよい、１，４−シクロヘキサンジイル基、１，４−シクロヘキセンジイル基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジイル基、１，３，４−オキサジアゾール−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、および、ピリダジン−３，６−ジイル基が挙げられる。１，４−シクロヘキサンジイル基の場合、トランス体およびシス体の構造異性体のどちらの異性体であってもよく、任意の割合の混合物でもよい。中でも、トランス体であることが好ましい。
中でも、Ｌ^Ｅ３は、単結合、１，４−フェニレン基、または、１，４−シクロヘキセンジイル基が好ましい。
Ｌ^Ｅ３で表される基が有する置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、または、アセチル基が好ましく、アルキル基（好ましくは炭素数１）がより好ましい。
なお、置換基が複数存在する場合、置換基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

ｐｅは、０以上の整数を表す。
ｐｅが２以上の整数である場合、複数存在する（−Ｌ^Ｅ３−Ｌ^Ｅ２−）は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
中でも、ｐｅは、０〜２が好ましく、０または１が好ましい。

Ｌ^Ｅ４は、それぞれ独立に、置換基を表す。
置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、または、アセチル基が好ましく、アルキル基（好ましくは炭素数１）がより好ましい。
なお、次に説明するｌｅが２以上の整数である場合、（Ｌ^Ｅ４）_ｌｅ中の複数存在するＬ^Ｅ４は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

ｌｅは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
中でも、ｌｅは、それぞれ独立に、０〜２が好ましい。

式（Ｅ１）で表されるエポキシ化合物の分子量は、熱伝導性がより優れる観点から、１００〜３０００が好ましく、２００〜２５００がより好ましく、２５０〜２０００がさらに好ましい。
式（Ｅ１）で表されるエポキシ化合物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。

（円盤状エポキシ化合物）
円盤状エポキシ化合物としては、エポキシ基を有する円盤状化合物であれば特に制限されない。
円盤状エポキシ化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、エポキシ基を３〜８個有するのが好ましく、３〜６個有するのがより好ましい。
なお、エポキシ基を３個以上有する円盤状化合物の硬化物は、ガラス転移温度が高く、優れた耐熱性を示す。

上記円盤状化合物の具体例としては特に制限されないが、例えば、上述した円盤状コア部を部分構造として有する化合物が挙げられる。

架橋性化合物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。

本発明の熱伝導材料中の、特定円盤状化合物と架橋性化合物との硬化物の含有量は、本発明の熱伝導材料の全質量に対して、５〜９５質量％が好ましく、１０〜９０質量％がより好ましく、１５〜８０質量％がさらに好ましい。
特定円盤状化合物と架橋性化合物との硬化物は、カラムナー構造を形成するのが好ましい。カラムナー構造は秩序度が高く、硬化物がカラムナー構造を形成することで、硬化物の熱伝導性がより向上する。硬化物をＸＲＤ（Ｘ線回折法）で測定して、２θ＝１０度の以下の範囲にカラムナー構造由来のピークが確認できる場合、硬化物がカラムナー構造を形成していると判断できる。

上記硬化物の製造方法は特に制限されず、後述する＜組成物の硬化方法＞で述べる加熱条件にて、特定円盤状化合物と架橋性化合物とを反応させる方法が挙げられる。

［その他の成分］
本発明の熱伝導材料は、上述した特定円盤状化合物と架橋性化合物との硬化物以外にも、その他の成分を含んでいてもよい。
なお、熱伝導材料は、未硬化の特定円盤状化合物および未硬化の架橋性化合物を含んでいてもよい。
その他の成分としては、代表的には、無機物が挙げられる。

＜無機物＞
本発明の熱伝導材料は、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる観点から、無機物を含むのが好ましい。

無機物としては、従来から熱伝導材料の無機フィラーに用いられているいずれの無機物を用いてもよい。無機物としては、無機酸化物または無機窒化物が好ましい。無機物は、無機酸化窒化物であってもよい。無機物の形状は特に制限されず、粒子状であってもよく、フィルム状であってもよく、または、板状であってもよい。粒子状無機物の形状は、米粒状、球形状、立方体状、紡錘形状、鱗片状、凝集状、および、不定形状が挙げられる。

無機酸化物としては、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３、ＦｅＯ、Ｆｅ_３Ｏ_４）、酸化銅（ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化タングステン（ＷＯ_３、Ｗ_２Ｏ_５）、酸化鉛（ＰｂＯ、ＰｂＯ_２）、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２、Ｃｅ_２Ｏ_３）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_５）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ_２、ＧｅＯ）、酸化ランタン（Ｌａ_２Ｏ_３）、および、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）が挙げられる。
上記の無機酸化物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
無機酸化物は、酸化チタン、酸化アルミニウム、または、酸化亜鉛が好ましい。
無機酸化物は、非酸化物として用意された金属が、環境下等で酸化したことにより生じている酸化物であってもよい。

無機窒化物としては、例えば、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化炭素（Ｃ_３Ｎ_４）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化クロム（Ｃｒ_２Ｎ）、窒化銅（Ｃｕ_３Ｎ）、窒化鉄（Ｆｅ_４Ｎ）、窒化鉄（Ｆｅ_３Ｎ）、窒化ランタン（ＬａＮ）、窒化リチウム（Ｌｉ_３Ｎ）、窒化マグネシウム（Ｍｇ_３Ｎ_２）、窒化モリブデン（Ｍｏ_２Ｎ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（Ｗ_２Ｎ）、窒化タングステン（ＷＮ_２）、窒化イットリウム（ＹＮ）、および、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）が挙げられる。
上記の無機窒化物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
無機窒化物は、アルミニウム原子、ホウ素原子、または、珪素原子を含むことが好ましく、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、または、窒化珪素であることがより好ましく、窒化アルミニウムまたは窒化ホウ素であることがさらに好ましく、窒化ホウ素であることが特に好ましい。

無機物の大きさは特に限定されないが、無機物の分散性がより優れる点で、無機物の平均粒径は５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２００μｍ以下がさらに好ましい。下限は特に限定されないが、取り扱い性の点で、１０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
上記平均粒径の測定方法としては、電子顕微鏡を用いて、１００個の無機物を無作為に選択して、それぞれの無機物の粒径（長径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、市販品を用いる場合、カタログ値を用いてもよい。

無機物は、１種のみを使用していてもよいし、２種以上を併用していてもよい。
本発明の熱伝導材料中の、無機物の含有量は、本発明の熱伝導材料の全質量に対して、３０〜９５質量％が好ましく、３５〜９０質量％がより好ましく、４０〜９０質量％がさらに好ましい。

熱伝導材料は、上記硬化物を含んでいればよく、その製造方法は特に制限されないが、特定円盤状化合物および架橋性化合物を含む熱伝導材料形成用組成物（本組成物）を用いて形成されることが好ましい。つまり、上記組成物を硬化させて、上記硬化物を含む熱伝導材料を得ることが好ましい。
以下、本組成物、および、本組成物を用いた本発明の熱伝導材料の製造方法について説明する。

［熱伝導材料形成用組成物］
本組成物は、特定円盤状化合物および架橋性化合物を含む。
特定円盤状化合物および架橋性化合物の定義は、上述した通りである。

本組成物中の特定円盤状化合物の含有量は、組成物の全固形分に対して、５〜９５質量％が好ましく、１０〜９０質量％がより好ましく、１５〜８０質量％がさらに好ましい。
本組成物中の架橋性化合物の含有量は、組成物の全固形分に対して、５〜９５質量％が好ましく、１０〜９０質量％がより好ましく、１５〜８０質量％がさらに好ましい。
また、上記組成物中の架橋性化合物の含有量は、組成物中の架橋性化合物が有する架橋性基の数と、組成物中の特定円盤状化合物が有する反応性官能基の数との比（架橋性基の数／反応性官能基の数）が、０．１〜１０．０となる量が好ましく、０．１〜９．０となる量がより好ましく、０．１〜８．０となる量がさらに好ましい。

また、本組成物は、無機物、溶媒、および、硬化促進剤等のその他の成分を含んでいてもよい。
無機物の定義は、上述した通りである。

＜溶媒＞
本組成物は、さらに、溶媒を含んでいてもよい。
溶媒の種類は特に制限されず、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、例えば、酢酸エチル、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ジクロロメタン、および、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が挙げられる。
本組成物における溶媒の含有量は、本組成物の全質量に対する本組成物中の全固形分の質量の合計（固形分濃度）が、１〜９０質量％となる量が好ましく、５〜８５質量％となる量がより好ましく、１０〜８０質量％となる量がさらに好ましい。

＜硬化促進剤＞
硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、２−エチル−４−メチルイミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール等、および、特開２０１２−６７２２５号公報段落００５２に記載の硬化促進剤が挙げられる。中でも、トリフェニルホスフィンが好ましい。
本組成物中の硬化促進剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましく、０．０１〜２０質量％がより好ましく、０．０１〜１０質量％がさらに好ましい。
また、硬化促進剤の使用量は、特定円盤状化合物と架橋性化合物との合計質量に対して、０．０１〜３０質量％が好ましく、０．０１〜２０質量％がより好ましく、０．０１〜１０質量％がさらに好ましい。
なお、架橋性化合物としてエポキシ化合物を使用し、かつ、特定円盤状化合物がアミノ基を有する場合、硬化促進剤を用いないことも好ましい場合がある。アミノ基はオキシラニル基（エポキシ基）との反応性が優れるため、硬化促進剤を用いてさらに反応性を向上させる必要が無い場合があるためである。

なお、本組成物が、液晶性を示す特定円盤状化合物を含み、且つ、組成物自体が液晶性を示す場合、熱伝導性と耐熱性とに優れた硬化性組成物として好適に使用できる。つまり、本組成物は、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する液晶性円盤状化合物と、上記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物とを含み、液晶性を示す態様であることも好ましい。
なお、上記態様とした場合、架橋性化合物も同様に液晶性を示すことが好ましい。
また、上記液晶性円盤状化合物としては、後述する式（１Ａ）で表される液晶性円盤状化合物が好ましい。
また、架橋性化合物は、上述した通りである。

＜組成物の製造方法＞
本組成物の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、上述した各種成分（特定円盤状化合物、架橋性化合物、無機物、硬化促進剤、および、溶媒等）を公知の方法で混合することにより製造できる。混合する際には、各種成分を一括で混合しても、順次混合してもよい。

＜組成物の硬化方法＞
本組成物の硬化方法は特に制限されず、特定円盤状化合物および架橋性化合物の種類によって適宜最適な方法が選ばれる。硬化方法は、特に制限されないが、熱硬化反応が好ましい。
熱硬化反応の際の加熱温度は特に制限されない。例えば、５０〜２５０℃の範囲で適宜選択すればよい。また、熱硬化反応を行う際には、温度の異なる加熱処理を複数回にわたって実施してもよい。
硬化処理は、フィルム状またはシート状とした本組成物について行うことが好ましい。具体的には、例えば、本組成物を塗布成膜し硬化反応を行えばよい。その際、プレス加工を行ってもよい。

また、硬化処理は、本組成物を半硬化状態にした時点で終了してもよい。半硬化状態の本発明の熱伝導材料を、使用されるデバイス等に接触するように配置した後、さらに加熱等により硬化を進行させ、本硬化させてもよい。上記本硬化させる際の加熱等によって、デバイスと本発明の熱伝導材料とが接着することも好ましい。
硬化反応を含む熱伝導材料の作製については、「高熱伝導性コンポジット材料」（シーエムシー出版、竹澤由高著）を参照することができる。

熱伝導材料の形状に特に制限はなく、用途に応じて様々な形状に成形できる。成形された熱伝導材料の典型的な形状としては、例えば、シート状が挙げられる。
また、本発明の熱伝導材料の熱伝導性は異方的ではなく等方的であることが好ましい。

［熱伝導材料の用途］
本発明の熱伝導材料は放熱シート等の放熱材として用いることができ、各種デバイスの放熱用途に用いることができる。より具体的には、デバイス上に本発明の熱伝導材料を含む熱伝導層を配置して熱伝導層付きデバイスを作製することにより、デバイスからの発熱を効率的に熱伝導層で放熱できる。
本発明の熱伝導材料は十分な熱伝導性を有するとともに、高い耐熱性を有しているため、パーソナルコンピュータ、一般家電、および、自動車等の様々な電気機器に用いられているパワー半導体デバイスの放熱用途に適している。
さらに、本発明の熱伝導材料は、半硬化状態であっても十分な熱伝導性を有するため、各種装置の部材の隙間等の、光硬化のための光を到達させることが困難な部位に配置する放熱材としても使用できる。また、熱伝導性を有する接着剤としての使用も可能である。

本発明の熱伝導材料は、本組成物から形成される部材以外の、他の部材と組み合わせて使用されてもよい。
例えば、シート状の熱伝導材料は、本組成物から形成された層の他の、シート状の支持体と組み合わせられていてもよい。
シート状の支持体としては、プラスチックフィルム、金属フィルム、または、ガラス板が挙げられる。プラスチックフィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオレフィン、セルロース誘導体、および、シリコーンが挙げられる。金属フィルムとしては、銅フィルムが挙げられる。

〔液晶性円盤状化合物〕
本発明の液晶性円盤状化合物は、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する。
円盤状化合物の定義およびその好適態様、ならびに、反応性官能基およびその好適態様については、上述した通りである。
上記液晶性円盤状化合物の分子量は、熱伝導性の観点から、３０００以下であることが好ましく、２５００以下であることがより好ましい。なお分子量の下限値は特に制限されないが、例えば、２００以上である。
上記液晶性円盤状化合物としては、熱伝導性により優れる点で、なかでも、後述する式（１Ａ）で表される化合物が好ましい。

上記式中、Ｍは、ｎ^ｃ１価の円盤状コア部を表す。
Ｌ^ｃ１１は、２価の連結基を表す。
Ｑは、水素原子または置換基を表す。
ｎ^ｃ１は、３以上の整数を表す。
ただし、１個以上のＱは、上記反応性官能基を表す。また、上記Ｍがトリフェニレン骨格である場合、Ｌ^ｃ１１は、＊^ｃ１−アルキレン基−Ｘ^ｃ１−＊^ｃ２、＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アルキレン基−＊^ｃ２、または＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アリーレン基−Ｏ−＊^ｃ２で表される部分構造を含む２価の連結基を表す。
Ｘ^ｃ１は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を表す。
＊^ｃ１は、円盤状コア部との結合位置を示す。＊^ｃ２は、他方の結合位置を表す。

上記式（１Ａ）中、Ｍ、ｎ^ｃ１、Ｌ^ｃ１１、およびＱは、上述した式（１）中のＭ、ｎ^ｃ１、Ｌ^ｃ１、およびＱと各々同義であり、好適態様も同じである。
上記式（１Ａ）としては、なかでも、式（Ｄ４Ａ）で表される化合物または式（Ｄ１６）で表される化合物が好ましい。

Ｌ^１１は、＊^ｃ１−アルキレン基−Ｘ^ｃ１−＊^ｃ２、＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アルキレン基−＊^ｃ２、または＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アリーレン基−Ｏ−＊^ｃ２で表される部分構造を含む２価の連結基を表す。
Ｘ^ｃ１は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を表す。
＊^ｃ１は、円盤状コア部との結合位置を示す。＊^ｃ２は、他方の結合位置を表す。
Ｑは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ただし、１個以上のＱは、上記反応性官能基を表す。

式（Ｄ４Ａ）中、Ｌ^１１としては、上述した式（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中のＬで表される２価の連結基において、＊^ｃ１−アルキレン基−Ｘ^ｃ１−＊^ｃ２、＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アルキレン基−＊^ｃ２、または＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アリーレン基−Ｏ−＊^ｃ２で表される部分構造を有するものが該当する。つまり、式（Ｄ４）のＬと同様のものが挙げられる。

式（Ｄ１６）中、Ａ^２Ｘ、Ａ^３Ｘ、および、Ａ^４Ｘは、それぞれ独立に、−ＣＨ＝または−Ｎ＝を表す。
Ｒ^１７Ｘ、Ｒ^１８Ｘ、および、Ｒ^１９Ｘは、それぞれ独立に、＊−Ｘ^２１１Ｘ−（Ｚ^２１Ｘ−Ｘ^２１２Ｘ）_ｎ２１Ｘ−Ｌ^２１Ｘ−Ｑを表す。＊は、中心環との結合位置を表す。
Ｘ^２１１ＸおよびＸ^２１２Ｘは、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、または、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
Ｚ^２１Ｘは、それぞれ独立に、５員環もしくは６員環の芳香族環基、または、５員環もしくは６員環の非芳香族環基を表す。
Ｌ^２１Ｘは、単結合または２価の連結基を表す。
Ｑは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ただし、１個以上のＱは、上記反応性官能基を表す。
ｎ２１Ｘは、０〜３の整数を表す。ｎ２１Ｘが２以上の場合、複数存在する（Ｚ^２１Ｘ−Ｘ^２１２Ｘ）は、同一でも異なっていてもよい。

なお、式（Ｄ１６）で表される化合物については、上述したとおりである。

また、上記液晶性円盤状化合物は、硬化反応の観点から、結晶相から液晶相への相転移温度が２００℃以下であることが好ましく、１８０℃以下であることがより好ましい。結晶相から液晶相への相転移温度の下限値は特に制限されないが、例えば、０℃以上である。なお、相転移温度は、偏光顕微鏡による観察、又は示差走査熱量測定により確認できる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきではない。

〔組成物の調製および評価（１）〕
［各種成分］
以下に、実施例および比較例で使用した各種成分を示す。

＜円盤状化合物または棒状化合物＞
（円盤状化合物Ｂ−１の合成）
以下に示す合成スキームに従って、円盤状化合物Ｂ−１を合成した。

有機合成化学協会誌２００２年１２月号１１９０頁に記載の方法に従い、円盤状化合物Ｐ−１を合成した。３００ｍＬの三口フラスコにＰ−１（７ｇ）、ｐ−メルカプトフェノール（２．９ｇ）、トリエチルアミン（３．６ｇ）、および、テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）を入れて得られた混合溶液を、室温で２時間撹拌した。混合溶液に蒸留水（７０ｍＬ）を加えてから、酢酸エチル（７０ｍＬ）で反応生成物を抽出した。さらに、抽出液を１Ｎ塩酸（７０ｍＬ）および飽和食塩水（７０ｍＬ）で洗浄し、その後、無水硫酸マグネシウムで抽出液中の水分を除去した。抽出液の溶媒を減圧して除去し、円盤状化合物Ｂ−１（９．５ｇ、収率：９５％）を得た。

上記円盤状化合物Ｂ−１の合成方法を参考にして、円盤状化合物Ｂ−２〜Ｂ−７、Ｂ−１１〜Ｂ−１８、および、Ｂ−２１〜Ｂ−２３を合成した。

（円盤状化合物Ｂ−８の合成）
特許５６２０１２９号に記載の実施例１４の方法に従い、例示化合物１３を合成し、以下に示す円盤状化合物Ｐ−２とした。Ｐ−２を用いて、円盤状化合物Ｂ−１の合成において上述したのと同様の方法で、円盤状化合物Ｂ−８を合成した。

上記円盤状化合物Ｂ−８の合成方法を参考にして、円盤状化合物Ｐ−９〜Ｐ−１０、および、Ｂ−１９〜Ｐ−２０を合成した。

以下に、得られた円盤状化合物Ｂ−１〜Ｂ−２３の構造を以下に示す。
なお、構造式中、＊は中心環との結合位置を示す。

（棒状化合物）
棒状化合物Ｄ−１およびＤ−２の構造を以下に示す。

＜架橋性化合物＞
架橋性化合物として、下記Ａ−１〜Ａ−６の化合物を用いた。

Ａ−１：ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂とビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂の混合物、エポキシ当量：１６５．７ｇ／ｅｑ、全塩素：０．００８重量％、粘度：２，３４０ｍＰａ・ｓ、新日鉄住金化学社製。

＜硬化促進剤＞
硬化促進剤として、ＰＰｈ_３（トリフェニルホスフィン）を用いた。

＜無機物＞
無機物として、ＳＧＰＳ（窒化ホウ素、平均粒径１２μｍ、デンカ（株）社製）を用いた。

＜溶媒＞
溶媒として、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）を用いた。

［調製］
＜実施例１＞
下記表１に示す各種成分を、円盤状化合物、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）、架橋性化合物、および、硬化促進剤の順で混合した後、無機物を添加した。得られた混合物を自転公転ミキサー（ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０）で５分間処理することで組成物１を得た。
なお、円盤状化合物と架橋性化合物の混合比は、組成物中の円盤状化合物が有する反応性官能基の数と、架橋性化合物が有する架橋性基の数とが等しくなるように調整した。
また、組成物１の最終的な固形分は、表１に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＭＥＫで調整した。

次に、アプリケーターを用いて、ポリエステルフィルム（ＮＰ−１００Ａ パナック社製、膜厚１００μｍ）の離型面上に組成物１を均一に塗布し、空気下で１時間放置することで塗膜１を得た。
次に、塗膜１の塗膜面を別のポリエステルフィルムで覆い、空気下で熱プレス（熱板温度１６０℃、圧力１２ＭＰａで３０分間処理した後、さらに、１９０℃、圧力１２ＭＰａで２時間）で処理することで塗膜を硬化し、樹脂シートを得た。樹脂シートの両面にあるポリエステルフィルムを剥がし、平均膜厚２５０μｍの熱伝導性シート１を得た。

［熱伝導性評価］
熱伝導性評価は、熱伝導性シート１を用いて実施した。下記の方法で熱伝導率の測定を行い、下記の基準に従って熱伝導性を評価した。

（熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）の測定）
（１）アイフェイズ社製の「アイフェイズ・モバイル１ｕ」を用いて、熱伝導性シート１の厚み方向の熱拡散率を測定した。
（２）メトラー・トレド社製の天秤「ＸＳ２０４」を用いて、熱伝導性シート１の比重をアルキメデス法（「固体比重測定キット」使用）で測定した。
（３）セイコーインスツル社製の「ＤＳＣ３２０／６２００」を用い、１０℃／分の昇温条件の下、２５℃における熱伝導性シート１の比熱を求めた。
（４）得られた熱拡散率に比重および比熱を乗じることで、熱伝導性シート１の熱伝導率を算出した。

（評価基準）
「Ａ」： １５Ｗ／ｍ・Ｋ以上
「Ｂ」： １２Ｗ／ｍ・Ｋ以上１５Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｃ」： ９Ｗ／ｍ・Ｋ以上１２Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｄ」： ９Ｗ／ｍ・Ｋ未満
結果を表１に示す。

＜実施例２〜２９、比較例１〜２＞
実施例１と同様の手順により、下記表１に示す実施例および比較例の各組成物を得た。なお、比較例においては、円盤状化合物ではなく、棒状化合物Ｄ−１またはＤ−２を使用した。
また、組成物の最終的な固形分は、表１に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＭＥＫで調整した。
また、得られた各組成物から熱伝導性シート２〜２９、比較用熱伝導性シート１〜２を作製し、実施例１と同様の熱伝導性評価試験を実施した。結果を表１に示す。

表１において、各種組成物の成分欄に記載される（数値）は、組成物中の全固形分に対する各種成分の含有量（質量％）を意味する。
また、表１中に記載される「膜厚［μｍ］」は、熱伝導性シートの平均膜厚を意味する。
表１中に記載される「中心環」は、使用した円盤状化合物の中心環が有する構造を示す。
表１中に記載される「反応性官能基」は、使用した円盤状化合物が有する反応性官能基の種類を示す。
表１中に記載される「官能基数」は、使用した円盤状化合物が有する反応性官能基の数を示す。
表１中に記載される「架橋性基」は、使用した架橋性化合物が有する架橋性基の種類を示す。
表１中に記載される「式（Ｅ１）」は、使用した架橋性化合物がエポキシ化合物である場合において、エポキシ化合物が式（Ｅ１）で表される化合物であるか否かを表し、使用したエポキシ化合物が式（Ｅ１）で表される化合物である場合を「有」、そうでない場合を「無」とする。

上記表に示すように、本発明の熱伝導材料は、熱伝導性に優れることが確認された。
また、特定円盤状化合物の中心環がトリフェニレン環である場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例８〜１０および２２〜２３と、他の実施例との比較）。
特定円盤状化合物が、反応性官能基を３〜６個有する場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例２７と、他の実施例との比較）。
特定円盤状化合物が有する反応性官能基が、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基のいずれかである場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例４および１０と、他の実施例との比較）。
架橋性化合物がエポキシ化合物である場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例２８と、他の実施例の比較）。
エポキシ化合物が式（Ｅ１）で表される場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例１２と、他の実施例の比較）。

〔組成物の調製および評価（２）〕
以下の手順により、水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物と、架橋性化合物とを含む組成物の調製および評価を実施した。なお、以下の説明では、架橋性化合物を「主剤」、上述した円盤状化合物を「硬化剤」ともいう。
［各種成分］
以下に、後述する実施例で使用した各種成分を示す。

＜硬化剤＞
以下に、円盤状化合物Ｃ−１〜Ｃ−１５を示す。なお、構造式中、＊は中心環との結合位置を示す。なお、円盤状化合物Ｃ−１〜Ｃ−１５のうち、Ｃ−１〜Ｃ−１２、およびＣ−１５は、液晶性を示す（つまり、Ｃ−１〜Ｃ−１２、およびＣ−１５は、液晶性円盤状化合物に該当する）。なお、液晶性円盤状化合物の合成方法の一例として、後段にてＣ−５の合成例を示す。
以下に、円盤状化合物Ｃ−１〜Ｃ−１５を示す。なお、構造式中、＊は中心環との結合位置を示す。

（合成例）
≪液晶性円盤状化合物Ｃ−５の合成≫
特許５３８５９３７号に記載の方法に従い、円盤状カルボン酸を合成した。５００ｍＬの三口フラスコに円盤状カルボン酸（２０ｇ）、ＤＭＡｃ（１００ｍＬ）を入れて、続いて５〜１５℃で塩化チオニル（９．２ｇ）を滴下した。２時間室温で撹拌後、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール（１２．５）のＤＭＡｃ（１０ｍＬ）混合溶液を５〜１５℃で滴下し、室温で２時間撹拌した。混合溶液に蒸留水（１００ｍＬ）および酢酸エチル（２００ｍＬ）、ヘキサン（５０ｍＬ）で反応生成物を抽出した。さらに、抽出液を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、その後、無水硫酸マグネシウムで抽出液中の水分を除去した。抽出液の溶媒を減圧して除去し、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３／７）による精製を行うことで円盤状化合物Ｃ−５（１７．７ｇ、収率：６４％）を得た。

（硬化剤の液晶性）
硬化剤（Ｃ−１〜Ｃ−１５）について、各々単独の状態でホットステージ上にて加熱した。偏光顕微鏡観察を行い、相転移挙動（結晶相−液晶相における相転移温度）を調べた。
表２に、硬化剤の液晶性の有無、液晶相の種類、および、結晶相−液晶相における相転移温度を示す。なお、表２中、「なし」とは、液晶性を示さなかったことを意図する。また、表２中、「Ｄ_Ｎｅ」とはディスコティックネマチック相を意味する。

＜主剤（架橋性化合物）＞
主剤として、下記Ｄ−１〜Ｄ−８の化合物を用いた。

Ｄ−１：ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂とビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂の混合物、エポキシ当量：１６５．７ｇ／ｅｑ、全塩素：０．００８質量％、粘度：２，３４０ｍＰａ・ｓ、新日鉄住金化学社製。

（主剤の液晶性）
主剤（Ｄ−１〜Ｄ−８）について、各々単独の状態でホットステージ上にて加熱した。偏光顕微鏡観察を行い、相転移挙動を調べた。
表２に、主剤の液晶性の有無、および液晶相の種類を示す。なお、表２中、「なし」とは、液晶性を示さなかったことを意図する。また、表２中、「Ｄ_Ｎｅ」とはディスコティックネマチック相を意味し、「Ｎｅ」とはネマチック相を意味する。

＜硬化促進剤＞
硬化促進剤として、ＰＰｈ_３（トリフェニルホスフィン）を用いた。

＜無機物＞
「ＰＴＸ−６０」：凝集状窒化ホウ素（平均粒径：６０μｍ、モーメンティブ製）
「ＰＴ−１１０」：平板状窒化ホウ素（平均粒径：４５μｍ、モーメンティブ製）
「Ｓ−５０」：窒化アルミニウム（平均粒径：５５μｍ、ＭＡＲＵＷＡ製）
「ＳＧＰＳ」：窒化ホウ素（平均粒径１２μｍ）、デンカ（株）社製）
「ＡＡ−３」：アルミナ（平均粒径：３μｍ、住友化学製）
「ＡＡ−０４」：アルミナ（平均粒径：０．４μｍ、住友化学製）

＜溶媒＞
溶媒として、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いた。

［調製］
＜実施例３０＞
下記表２に示す各種成分を、硬化剤（液晶性円盤状化合物）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、主剤（架橋性化合物）、および、硬化促進剤の順で混合した後、無機物を添加した。得られた混合物を自転公転ミキサー（ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０）で５分間処理することで組成物３０を得た。
また、組成物３０の最終的な固形分は、表２に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＴＨＦで調整した。

次に、アプリケーターを用いて、ポリエステルフィルム（ＮＰ−１００Ａ パナック社製、膜厚１００μｍ）の離型面上に組成物３０を均一に塗布し、空気下で１時間放置することで塗膜３０を得た。
次に、塗膜３０の塗膜面を別のポリエステルフィルムで覆い、空気下で熱プレス（熱板温度１７０℃、圧力１２ＭＰａで３０分間処理した後、さらに、１９０℃で２時間）で処理することで塗膜を硬化し、樹脂シートを得た。樹脂シートの両面にあるポリエステルフィルムを剥がし、平均膜厚４００μｍの熱伝導性シート３０を得た。

＜組成物３０の液晶性＞
上記塗膜３０をホットステージ上で加熱した。加熱後、上記組成物を冷却しながら偏光顕微鏡観察を行い、液晶性を調べた。
表２に、組成物の液晶性の有無、及び液晶相の種類を示す。

［熱伝導性評価］
熱伝導性評価は、熱伝導性シート３０を用いて実施した。実施例１と同様の方法で熱伝導率の測定を行い、下記評価基準に従って熱伝導性を評価した。

（評価基準）
「Ａ」： １５Ｗ／ｍ・Ｋ以上
「Ｂ＋＋」：１３Ｗ／ｍ・Ｋ以上１５Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｂ＋」： １１Ｗ／ｍ・Ｋ以上１３Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｂ」： ９Ｗ／ｍ・Ｋ以上１１Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｃ」： ７Ｗ／ｍ・Ｋ以上９Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｄ」： ７Ｗ／ｍ・Ｋ未満

［耐熱性評価］
耐熱性評価は、熱伝導性シート３０を用いて実施した。具体的には、熱伝導性シート３０を１７５℃にて１０００時間加熱した後、熱伝導率を測定した。次いで、加熱前の熱伝導率と加熱後の伝導率の変動値を算出することにより、下記評価基準に従って評価した。なお、熱伝導率の変動の大きさが少ないものほど評価が高い。

（評価基準）
「Ａ」 ：０．５Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｂ」 ：０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上１．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｃ」 ：１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１．５Ｗ／ｍ・Ｋ未満
「Ｄ」 ：１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上

＜実施例３１〜５３＞
実施例３１と同様の手順により、下記表２に示す実施例および比較例の各組成物を得た。また、組成物の最終的な固形分は、表２に記載された固形分濃度（「溶媒」欄内に記載）になるよう、ＴＨＦで調整した。
また、得られた各組成物から熱伝導性シート３１〜５３を作製し、実施例３０と同様の熱伝導性評価試験を実施した。結果を表２に示す。
また、実施例３１〜５３についても、実施例３０と同様の方法により、組成物の液晶性の有無、および液晶相の種類を調べた。

表２において、各種組成物の成分欄に記載される（数値）は、組成物中の全固形分に対する各種成分の含有量（質量％）を意味する。
表２中に記載される「反応性官能基」は、使用した硬化剤（液晶性円盤状化合物）が有する反応性官能基の種類を示す。
表２中に記載される「中心環」は、使用した円盤状化合物の中心環が有する構造を示す。
表２中に記載される「液晶性」とは、主剤および硬化剤の各化合物の単独の状態での液晶性の有無を意味する。なお、表２中、「なし」とは、液晶性を示さなかったことを意図する。また、表２中、「Ｄ_Ｎｅ」とはディスコティックネマチック相を意味し、「Ｎｅ」はネマチック相を意味する。
表２中に記載される「式（１Ａ）」は、使用した硬化剤が上述した式（１Ａ）で表される液晶性円盤状化合物であるか否かを表し、使用した硬化剤が式（１Ａ）で表される液晶性円盤状化合物である場合を「有」、そうでない場合を「無」とする。
表２中に記載される「架橋性基」は、使用した主剤（架橋性化合物）が有する架橋性基の種類を示す。
また、表２中に記載される「膜厚［μｍ］」は、熱伝導性シートの平均膜厚を意味する。

上記表に示すように、本発明の液晶性円盤状化合物（硬化剤）を用いた熱伝導材料は、膜厚が４００μｍと厚みがあっても、熱伝導性により優れることが確認された（実施例３０〜４７および実施例４９〜５３と、実施例４８および実施例４９との比較）。
また、実施例３４〜３５、実施例３７〜３９、および実施例４２との対比から、上記液晶性円盤状化合物の結晶相−液晶相の相転移温度が１８０℃以下の場合、熱伝導性に顕著に優れることが確認された。
また、液晶性円盤状化合物（硬化剤）が有する反応性官能基が、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基のいずれかである場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例３４〜３５、実施例３７、実施例３９〜４４、および実施例５０の比較）。
架橋性化合物（主剤）が、架橋性基としてエポキシ基を有し且つ式（Ｅ１）で表される場合、または架橋性基としてエポキシ基を有し且つ円盤状化合物である場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例３０と実施例３２と実施例３６の比較、ならびに、実施例４６と実施例４７の比較）。また、硬化剤および主剤のいずれもが液晶性を示す場合、熱伝導材料の熱伝導性がより優れることが確認された（実施例３１と実施例３２、実施例３５と実施例３６の比較）。
また、実施例３０〜実施例５３の結果から、熱伝導性材料用組成物が、硬化剤として、液晶性円盤状化合物を含み、且つ、組成物自体が液晶性を示す場合、耐熱性に優れることが明らかである。
また、実施例３５、実施例５１〜実施例５３の結果から、無機物として窒化ホウ素を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。

Claims (19)

1. 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物と、前記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物との硬化物を含む、熱伝導材料。
2. 前記円盤状化合物が、下記式（１）で表される、請求項１に記載の熱伝導材料。
   
   上記式中、Ｍは、ｎ^ｃ１価の円盤状コア部を表す。
   Ｌ^ｃ１は、２価の連結基を表す。
   Ｑは、水素原子または置換基を表す。
   ｎ^ｃ１は、３以上の整数を表す。
   ただし、１個以上のＱは、前記反応性官能基を表す。
3. 前記円盤状化合物が、式（Ｄ４）で表される化合物である、請求項２に記載の熱伝導材料。
   
   Ｌは、それぞれ独立に、２価の連結基を表す。
   Ｑは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ただし、１個以上のＱは、前記反応性官能基を表す。
4. 前記円盤状化合物が、前記反応性官能基を３〜６個有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱伝導材料。
5. 前記円盤状化合物が、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基からなる群から選択される基を３〜６個有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱伝導材料。
6. 前記架橋性化合物が、エポキシ化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱伝導材料。
7. 前記エポキシ化合物が、式（Ｅ１）で表される化合物であるか、または、エポキシ基を有する円盤状化合物である、請求項６に記載の熱伝導材料。
   
   式（Ｅ１）中、Ｌ^Ｅ１は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。
   Ｌ^Ｅ２は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（−ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（−ＣＨ_３）−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ^＋（−Ｏ⁻）−、−Ｎ^＋（−Ｏ⁻）＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ^＋（−Ｏ⁻）−、−Ｎ^＋（−Ｏ⁻）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（−ＣＮ）−、または、−Ｃ（−ＣＮ）＝ＣＨを表す。
   Ｌ^Ｅ３は、置換基を有していてもよい、５員環もしくは６員環の芳香族環基または５員環もしくは６員環の非芳香族環基、または、これらの環からなる多環基を表す。
   ｐｅは、０以上の整数を表す。
   ｐｅが２以上の整数である場合、複数存在する（−Ｌ^Ｅ３−Ｌ^Ｅ２−）は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｌ^Ｅ４は、それぞれ独立に、置換基を表す。
   ｌｅは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
   ｌｅが２以上の整数である場合、複数存在するＬ^Ｅ４は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
8. さらに、無機物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の熱伝導材料。
9. 前記無機物が、無機窒化物または無機酸化物である、請求項８に記載の熱伝導材料。
10. 前記無機物が、窒化ホウ素である、請求項８または９に記載の熱伝導材料。
11. シート状である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の熱伝導材料。
12. デバイスと、前記デバイス上に配置された請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱伝導材料を含む熱伝導層とを有する、熱伝導層付きデバイス。
13. 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する円盤状化合物と、前記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物とを含む、熱伝導材料形成用組成物。
14. 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する液晶性円盤状化合物と、前記反応性官能基と反応する基を有する架橋性化合物とを含み、
    液晶性を示す、請求項１３に記載の熱伝導材料形成用組成物。
15. 水酸基、カルボン酸基、無水カルボン酸基、アミノ基、シアネートエステル基、および、チオール基からなる群から選択される反応性官能基を１個以上有する、液晶性円盤状化合物。
16. 下記式（１Ａ）で表される、請求項１５に記載の液晶性円盤状化合物。
    
    上記式中、Ｍは、ｎ^ｃ１価の円盤状コア部を表す。
    Ｌ^ｃ１１は、２価の連結基を表す。
    Ｑは、水素原子または置換基を表す。
    ｎ^ｃ１は、３以上の整数を表す。
    ただし、１個以上のＱは、前記反応性官能基を表す。また、前記Ｍがトリフェニレン骨格である場合、Ｌ^ｃ１１は、＊^ｃ１−アルキレン基−Ｘ^ｃ１−＊^ｃ２、＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アルキレン基−＊^ｃ２、または＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アリーレン基−Ｏ−＊^ｃ２で表される部分構造を含む２価の連結基を表す。
    Ｘ^ｃ１は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を表す。
    ＊^ｃ１は、円盤状コア部との結合位置を示す。＊^ｃ２は、他方の結合位置を表す。
17. 式（Ｄ４Ａ）で表される化合物または式（Ｄ１６）で表される化合物である、請求項１５または１６に記載の液晶性円盤状化合物。
    
    Ｌ^１１は、＊^ｃ１−アルキレン基−Ｘ^ｃ１−＊^ｃ２、＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アルキレン基−＊^ｃ２、または＊^ｃ１−Ｘ^ｃ１−アリーレン基−Ｏ−＊^ｃ２で表される部分構造を含む２価の連結基を表す。
    Ｘ^ｃ１は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を表す。
    ＊^ｃ１は、円盤状コア部との結合位置を示す。＊^ｃ２は、他方の結合位置を表す。
    Ｑは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
    ただし、１個以上のＱは、前記反応性官能基を表す。
    
    式（Ｄ１６）中、Ａ^２Ｘ、Ａ^３Ｘ、および、Ａ^４Ｘは、それぞれ独立に、−ＣＨ＝または−Ｎ＝を表す。
    Ｒ^１７Ｘ、Ｒ^１８Ｘ、および、Ｒ^１９Ｘは、それぞれ独立に、＊−Ｘ^２１１Ｘ−（Ｚ^２１Ｘ−Ｘ^２１２Ｘ）_ｎ２１Ｘ−Ｌ^２１Ｘ−Ｑを表す。＊は、中心環との結合位置を表す。
    Ｘ^２１１ＸおよびＸ^２１２Ｘは、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）Ｓ−、−Ｓ−、−ＳＣ（＝Ｏ）−、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＣ（＝Ｏ）ＮＨ−、または、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｓ−を表す。
    Ｚ^２１Ｘは、それぞれ独立に、５員環もしくは６員環の芳香族環基、または、５員環もしくは６員環の非芳香族環基を表す。
    Ｌ^２１Ｘは、単結合または２価の連結基を表す。
    Ｑは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
    ただし、１個以上のＱは、前記反応性官能基を表す。
    ｎ２１Ｘは、０〜３の整数を表す。ｎ２１Ｘが２以上の場合、複数存在する（Ｚ^２１Ｘ−Ｘ^２１２Ｘ）は、同一でも異なっていてもよい。
18. 前記反応性官能基が、水酸基、カルボン酸基、および、無水カルボン酸基からなる群から選択される基である、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の液晶性円盤状化合物。
19. 結晶相から液晶相への相転移温度が１８０℃以下である、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の液晶性円盤状化合物。