JP2007094324A - 光学異方体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】重合性液晶組成物を重合してなる光学異方体を製造する際に、重合熱により光学異方体のバルクのオーダーパラメーターが低下することを防止して均一な複屈折率を有する光学異方体を提供することにある。
【解決手段】熱伝導率が2W/(m・K)以上である基板を一定の間隔を保って積層した成型用セルに重合性液晶組成物を挟持した後、該重合性組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で硬化させる光学異方体の製造方法及び当該方法により製造された基板と光学異方体層が直接接着した光学異方体。本願発明の光学異方体は光学的な均一性が高く、液晶ディスプレイ用の位相差フィルム、光学撮像装置等に有用である。
【選択図】 なし

Description

本発明は、液晶ディスプレイに用いられる位相差フィルムや光学撮像装置に用いられる光学ローパスフィルターとして利用される光学異方体及びその製造方法に関する。

従来、重合性液晶組成物を用いて光学ローパスフィルターなどに利用される光学異方体は、ガラス基板からなる成型用セルに重合性液晶組成物を挟持した後、重合性組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化して製造する方法（特許文献１及び２参照）が一般的である。しかし、このような方法で製造された光学異方体は、重合性液晶組成物が重合する際に発生する重合熱によりバルクのオーダーパラメーターの低下に起因して複屈折率が低下してしまうという問題点があった。そのため、目的とする位相差を得るためには、光学異方体を厚くする必要があり、均一な複屈折を有しなおかつ薄型の光学異方体を製造することは困難であった。

また、重合性液晶組成物を基板に塗布した後、重合性液晶組成物を冷却した状態で重合させる方法（特許文献３参照）が開示されている。しかし、当該引用文献においては、使用する基板について特に言及されておらず、光学異方体の放熱に大きな影響を及ぼす基板の熱伝導率は考慮されていないことから、重合熱の放熱が十分でなかった。

一方、重合性液晶組成物の硬化物よりなる光学異方体を熱伝導率の高いサファイア基板に貼り付けることによって放熱効率を良くして光学異方体の温度上昇を抑制する方法（特許文献４参照）が開示されている。しかし、当該引用文献記載の方法では、重合性液晶組成物を硬化させて形成した光学異方体と基板の間に接着剤層を形成することが避けられないことから、重合熱の放熱が十分でなかった。

特開平８−２８３７１８号公報 特開２００３−１９５０４９号公報 特開２０００−００９９３６号公報 特開２００２−１３１７５０号公報

本発明が解決しようとする問題点は、重合性液晶組成物を重合してなる光学異方体を製造する際に、重合熱により光学異方体のバルクのオーダーパラメーターが低下することを防止して均一な複屈折率を有する光学異方体を提供することにある。

以上の課題を解決するには、重合性液晶組成物が重合する際に発生する重合熱の放熱効率を上げて温度上昇を防ぐ必要がある。以下に、その手段について述べる。
本発明の光学異方体は、重合性液晶組成物の重合体よりなる光学異方体層及び基板が積層された光学異方体において、基板と光学異方体層が直接接着しており、基板の熱伝導率が2W/(m・K)以上であることを特徴とする。

更に、重合性液晶組成物の重合体よりなる光学異方体層、配向膜層及び基板が順に積層された光学異方体において、配向膜層と光学異方体層が直接接着しており、基板の熱伝導率が2W/(m・K)以上であることを特徴とする。

以上の光学異方体の製造方法は、少なくとも一枚の熱伝導率が2W/(m・K)以上である基板を一定の間隔を保って積層した成型用セルに重合性液晶組成物を挟持した後、又は熱伝導率が2W/(m・K)以上である基板上に重合性液晶組成物を塗布した後、重合性組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化させることによって行われることを特徴とする。
このようにして製造された光学異方体から基板の少なくとも一枚を剥離して使用することも可能である。

熱伝導率の高い基板を用いて重合性液晶組成物を重合してなる光学異方体を製造した場合、熱伝導率の低い基板を用いて光学異方体を製造した場合と比較して、重合時の温度上昇を抑制することが可能となり、光学的に均一な光学異方体が得られるようになった。
さらに、本願発明の重合性液晶組成物を重合してなる光学異方体を基板から剥離する場合、熱伝導率の高い基板は一般にガラス基板よりも強固であるため、再利用することが可能であるのでコスト削減に繋がる。

本発明による光学異方体及びその製造製造方法の最良の形態について説明する。先ず、光学異方体を塗布又は挟持するための基板は、熱伝導率が好ましくは2W/(m・K)以上、特に好ましくは10W/(m・K)以上であるものを使用する。ただし、少なくとも光学異方体層より活性エネルギー線源側にある基板は、活性エネルギー線に対して透明である必要がある。基板の材料としては、セラミック材料又は金属材料を用いることができる。透明セラミック材料の具体例としてサファイア、水晶、ダイヤモンドなどが挙げられる。不透明セラミック材料の具体例としてアルミナ、ムライト、コージライト、ステアタイト、フォルステライト、イットリア、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、ジルコニア、サーメット、チタニア、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウムなどが挙げられる。金属材料の具体例として金、銀、銅、黄銅、鉄、アルミニウム、ニッケル、鉛及び亜鉛などが挙げられる。

また、基板をクールプレートなどの冷却装置に接着して冷却された状態で重合性液晶組成物を重合した場合は、基板の厚さは薄いものほど放熱効果が高く、基板の厚さは5mm以下であることが好ましく、特に1mm以下であることが好ましい。
以上に示した基板に塗布又は挟持する重合性液晶組成物は、円盤状液晶組成物又は棒状液晶組成物を使用することが好ましく、棒状液晶組成物が特に好ましい。
円盤状液晶組成物は、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体、シクロヘキサン誘導体等を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基やアルコキシ基、置換ベンゾイルオキシキ等がその側鎖として放射状に置換した構造である化合物を含有することが好ましい。
また、棒状の重合性液晶組成物は、一般式（Ｉ）

（式中、Pは反応性官能基を表し、Spは炭素原子数１から２０のスペーサー基を表し、ｎは０又は１を表し、
Rは、Ｐ−（Ｓｐ）n−と同じ意味を表すか又は炭素原子数１から２５のアルキル基を表し、該アルキル基の水素原子はフッ素原子、塩素原子又はシアノ基により置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１つの-CH₂-基又は隣接していない２つ以上の-CH₂-基は、それぞれ独立して酸素原子が相互に直接結合しない形で、-O-、-S-、-NH-、-N(CH₃)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていてもよく
MGはメソゲン基を表し、、Zは単結合、-O-、-COO-又は-OCO-を表し、及びMGは一般式（II）

（式中、A1、A2及びA3はそれぞれ独立して、1，4-フェニレン基、1，4-シクロヘキシレン基、1，4−シクロヘキセニレン基又はナフタレン-2,6-ジイル基を表し、
該1，4-フェニレン基の基中に存在する１つ又は２つ以上の炭素原子は酸素原子又は窒素原子により置き換えられていてもよく、
該1，4-シクロヘキシレン基中に存在する１つの-CH₂-基又は隣接していない２つの-CH₂-基は-O-又は-S-により置き換えられていてもよく、
該1，4-フェニレン基、該1，4-シクロヘキシレン基、該1，4−シクロヘキセニレン基又は該ナフタレン-2,6-ジイル基の一つ以上の水素原子は、塩素原子、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基又は炭素原子数１から７のアルカノイル基により置換されていても良いが、該アルキル基、アルコキシ基又はアルカノイル基の水素原子はフッ素原子又は塩素原子により置換されていてもよい、
Z1及びZ2はそれぞれ独立して、-COO-、-OCO-、-CH₂CH₂-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂CH₂COO-、-CH₂CH₂OCO-、-COOCH₂CH₂-、-OCOCH₂CH₂-、又は単結合を表し、ｍは０、１又は２を表す。）を表す。）で表される化合物を含有することが好ましい。
ここで、重合性液晶組成物に含有される化合物として、より具体的には一般式（III）

（式中、mは０又は１の整数を表し、W³及びW⁴はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-、又は-OCO-を表し、Y¹及びY²はそれぞれ独立的に-COO-、又は-OCO-を表し、r、及びsはそれぞれ独立的に２から１８を表し、式中に存在する1,4−フェニレン基の一つ以上の水素原子は炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数１から７のアルカノイル基、シアノ基又はハロゲン原子で置換されていても良い。）で表される化合物を挙げることができる。以上のような化合物を用いると、機械的強度や耐熱性に優れた光学異方体が得られるので好ましい。
また、重合性液晶組成物に含有される化合物として、より具体的には一般式（IV）

（式中、Z¹は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は炭素原子１から２０の炭化水素基を表し、Z²は水素原子又はメチル基を表し、tは０又は1を表し、A、B及びCはそれぞれ独立的に、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素原子で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つの-CH₂-基が酸素原子又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表し、A、B及びC中の一つ以上の水素原子は、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数１から７のアルカノイル基、シアノ基、ハロゲン原子置換されていても良く、Y³及びY⁴はそれぞれ独立的に、単結合、-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH₂）₄-、-CH₂CH₂CH₂O-、-OCH₂CH₂CH₂-、-CH=CHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂CH₂COO-、-CH₂CH₂OCO-、-COOCH₂CH₂-、又は-OCOCH₂CH₂-を表し、Y⁵は単結合、-O-、-COO-、-OCO-、又は-CH=CHCOO-を表す。）
で表される化合物を挙げることができる。以上のような化合物を用いると、重合性液晶組成物の粘度低減や液晶温度範囲を室温もしくは室温付近まで低減することができるので好ましい。
また、重合性液晶組成物に含有される化合物として、より具体的には一般式（Ｖ）

（式中、Z³は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は炭素原子１から２０の炭化水素基を表し、Z⁴は水素原子又はメチル基を表し、W⁵はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-、-OCO-を表し、vは２から１８の整数を表し、uは０又は１を表し、D、E及びFは、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素原子で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つの-CH₂-基が酸素原子又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表し、D、E及びF中の一つ以上の水素原子は、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数１から７のアルカノイル基、シアノ基、ハロゲン原子置換されていても良く、Y⁶、及びY⁷はそれぞれ独立的に、単結合、-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH₂）₄-、-CH₂CH₂CH₂O-、-OCH₂CH₂CH₂-、-CH=CHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂CH₂COO-、-CH₂CH₂OCO-、-COO CH₂CH₂-、又は-OCOCH₂CH₂-を表し、Y⁸は単結合、-O-、-COO-、-OCO-、又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を挙げることができる。以上のような化合物を用いると、重合性液晶組成物の粘度を大幅に増加させることなく液晶物性を調節することができるので好ましい。
一般式（I）で表される化合物の具体例を以下に挙げることができる。

（式中、j及びkはそれぞれ独立的に、２から１８の整数を表す）。
また、一般式（III）で表される化合物の具体例を以下に挙げることができる。

（式中、j及びkはそれぞれ独立的に、２から１８の整数を表す）。
また、一般式（IV）で表される化合物の具体的な例として、化合物の構造と相転移温度を以下に挙げることができる。（式中、シクロヘキサン環はトランスシクロヘキサン環を表し、数字は相転移温度を表し、Cは結晶相、Nはネマチック相、Sはスメクチック相、Iは等方性液体相をそれぞれ表す。）

また、一般式（V）で表される化合物の具体例を以下に挙げることができる。

（式中、X¹は水素原子又はメチル基を表し、R¹は炭素原子数１から１５のアルキル基を表し、ｓは２から１８を表す。）
また、以上の重合性液晶組成物中に重合禁止剤、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤又は界面活性剤を含有しても良い。
以上の重合性液晶組成物を基板に塗布又は挟持させた後、重合性液晶組成物中の重合性液晶分子の配向処理を行う。重合性液晶分子を配向させる手段として、磁場又は少なくとも一枚の基板に積層させた配向層を利用する方法、あるいはこれらを組み合わせた方法を利用してもよい。また、重合熱の放熱の観点から配向膜層の厚さは、100nm以下であることが好ましく、特に20nm以下であることが好ましい。

以上のようにして、重合性液晶組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で、活性エネルギー線を照射する。ここで、重合性液晶組成物を重合するのに用いる活性エネルギー線は、紫外線であることが好ましい。
ここで、放熱効率を議論するためには、重合熱の発生の仕方について考慮する必要がある。製造プロセス上、重合を短時間に行うことが好ましい。しかし、重合が短時間に進行すると重合熱は放熱されにくくなり、光学異方体のバルクのオーダーパラメーターが顕著に低下する。重合の進行は、重合性液晶組成物中に含有する重合開始剤の濃度、光学異方体の厚さ及び活性エネルギー線の強度の影響を大いに受ける。重合性液晶組成物中に含有する重合開始剤の濃度が高いほど、光学異方体の厚さが厚いほど、また、活性エネルギー線の強度が強いほど、重合は短時間に進行して重合熱は放熱されにくくなる。従って、熱伝導率の高い基板を使用することによって放熱効果が顕著となる重合開始剤の濃度は、0.1質量％以上、特には0.5質量％以上であり、光学異方体の厚さは、10μm以上、特には100μm以上であり、活性エネルギー線の強度は、10mW/cm²以上、特には100mW/cm²以上である。
更に、クールプレートなどの冷却装置を用いて基板又は活性エネルギー線を照射する雰囲気を冷却した状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化することが好ましい。
以上のようにして、重合熱の放熱効率を向上させることで、複屈折率が均一な光学異方体を得ることができる。

（実施例１）
化合物(Ａ)55質量％及び化合物(Ｂ)18質量％及び化合物(Ｃ)22質量％及び化合物(Ｄ)5質量％からなる液晶性単量体に光重合開始剤「ルシリン−TPO(BASF社製)」を1.0質量%添加して溶解させて、重合性液晶組成物を調製した。化合物（Ａ）から（Ｄ）は以下に示す。

40mm×40mm、厚さ1mmのサファイア基板を用いて280μmのセルギャップを有するアンチパラレル配向処理を施した成型用セルを作製した。ホットプレートを用いて45℃とした該セルに上記重合性液晶組成物を注入し、室温まで冷却した後、約0.5テスラの磁場に静置した。成型用セルを磁場中から取り出し、20℃に設定したクールプレートに置き、十分冷却した状態で強度120mW/cm²の紫外線を4秒間照射して光学異方体を作製した。紫外線照射中の重合性液晶組成物の最高到達温度は36℃であった。

（比較例１）
サファイア基板による放熱効果の比較のため、基板をガラス基板に変更して実施例１と同様な実験を行ったところ、紫外線照射中の重合性液晶組成物の最高到達温度は50℃であった。

（実施例２）
実施例１と同様に光学異方体を作製した後、サファイア基板より光学異方体を剥離した。なお、ガラス基板を用いた場合と同様に、サファイア基板から光学異方体を剥離することは容易であり、製造上の問題ない。得られた光学異方体の屈折率を測定したところ、紫外線を照射した側の表面の複屈折率は0.050、紫外線を照射した反対側表面の複屈折率は0.051、全体の平均の複屈折率は0.021であった。

（比較例２）
比較例１と同様に光学異方体を作製した後、サファイア基板より光学異方体を剥離した。得られた光学異方体の屈折率を測定したところ、紫外線を照射した側の表面の複屈折率は0.042、紫外線を照射した反対側の表面の複屈折率は0.031、全体の平均の複屈折率は0.009であった。
以上の実験例と比較例から、熱伝導率の高いサファイア基板を用いた場合、熱伝導率の低いガラス基板を用いた場合と比較して、表面の複屈折率に対する全体の平均の複屈折率
の減少比を抑制することができ、複屈折率の均一な光学異方体が得られたことがわかる。

Claims (24)

1. 重合性液晶組成物の重合体よりなる光学異方体層及び基板が積層された光学異方体において、該基板と該光学異方体層が直接接着しており、該基板の熱伝導率が2W/(m・K)以上であることを特徴とする光学異方体。
2. 重合性液晶組成物の重合体よりなる光学異方体層、配向膜層及び基板が順に積層された光学異方体において、該配向膜層と光学異方体層が直接接着しており、該基板の熱伝導率が2W/(m・K)以上であることを特徴とする光学異方体。
3. 該配向膜層の厚さが100nm以下である請求項２に記載の光学異方体。
4. 該基板の厚さが5mm以下である請求項１から３の何れかに記載の光学異方体。
5. 光学異方体層が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体、又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、アルコキシ基、又は置換ベンゾイルオキシキ等がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物を含有する重合性液晶組成物の重合体である請求項１から４の何れかに記載の光学異方体。
6. 光学異方体層が、一般式（Ｉ）
   

   

   （式中、Pは反応性官能基を表し、Spは炭素原子数１から２０のスペーサー基を表し、ｎは０又は１を表し、
   Rは、Ｐ−（Ｓｐ）n−と同じ意味を表すか又は炭素原子数１から２５のアルキル基を表し、該アルキル基の水素原子はフッ素原子、塩素原子又はシアノ基により置換されていてもよく、該アルキル基中に存在する１つの-CH₂-基又は隣接していない２つ以上の-CH₂-基は、それぞれ独立して酸素原子が相互に直接結合しない形で、-O-、-S-、-NH-、-N(CH₃)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていてもよく
   Zは単結合、-O-、-COO-又は-OCO-を表し、MGはメソゲン基又は一般式（II）
   

   

   （式中、A1、A2及びA3はそれぞれ独立して、1，4-フェニレン基、1，4-シクロヘキシレン基、1，4−シクロヘキセニレン基又はナフタレン-2,6-ジイル基を表し、
   該1，4-フェニレン基の基中に存在する１つ又は２つ以上の炭素原子は酸素原子又は窒素原子により置き換えられていてもよく、
   該1，4-シクロヘキシレン基中に存在する１つの-CH₂-基又は隣接していない２つの-CH₂-基は-O-又は-S-により置き換えられていてもよく、
   該1，4-フェニレン基、該1，4-シクロヘキシレン基、該1，4−シクロヘキセニレン基又は該ナフタレン-2,6-ジイル基の一つ以上の水素原子は、塩素原子、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基又は炭素原子数１から７のアルカノイル基により置換されていても良いが、該アルキル基、アルコキシ基又はアルカノイル基の水素原子はフッ素原子又は塩素原子により置換されていてもよい、
   Z1及びZ2はそれぞれ独立して、-COO-、-OCO-、-CH₂CH₂-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂CH₂COO-、-CH₂CH₂OCO-、-COOCH₂CH₂-、-OCOCH₂CH₂-、又は単結合を表し、ｍは０、１又は２を表す。）を表す。）で表される化合物を含有する重合性液晶組成物の重合体である請求項１から４の何れかに記載の光学異方体。
7. 光学異方体層が、一般式（III）
   

   

   （式中、mは０又は１の整数を表し、W³及びW⁴はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-、又は-OCO-を表し、Y¹及びY²はそれぞれ独立的に-COO-、又は-OCO-を表し、r、及びsはそれぞれ独立的に２から１８を表し、式中に存在する1,4−フェニレン基の一つ以上の水素原子は炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数１から７のアルカノイル基、シアノ基又はハロゲン原子で置換されていても良い。）で表される化合物を含有する重合性液晶組成物の重合体である請求項６記載の光学異方体。
8. 光学異方体層が、一般式（IV）
   

   

   （式中、Z¹は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は炭素原子１から２０の炭化水素基を表し、Z²は水素原子又はメチル基を表し、tは０又は1を表し、A、B及びCはそれぞれ独立的に、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素原子で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つの-CH₂-基が酸素原子又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表し、A、B及びC中の一つ以上の水素原子は、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数１から７のアルカノイル基、シアノ基、ハロゲン原子置換されていても良く、Y³及びY⁴はそれぞれ独立的に、単結合、-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH₂）₄-、-CH₂CH₂CH₂O-、-OCH₂CH₂CH₂-、-CH=CHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂CH₂COO-、-CH₂CH₂OCO-、-COOCH₂CH₂-、又は-OCOCH₂CH₂-を表し、Y⁵は単結合、-O-、-COO-、-OCO-、又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を含有する重合性液晶組成物の重合体である請求項６記載の光学異方体。
9. 光学異方体層が、一般式（V）
   

   

   （式中、Z³は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は炭素原子１から２０の炭化水素基を表し、Z⁴は水素原子又はメチル基を表し、W⁵はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-、-OCO-を表し、vは２から１８の整数を表し、uは０又は１を表し、D、E及びFは、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素原子で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つの-CH₂-基が酸素原子又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表し、D、E及びF中の一つ以上の水素原子は、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数１から７のアルカノイル基、シアノ基、ハロゲン原子置換されていても良く、Y⁶、及びY⁷はそれぞれ独立的に、単結合、-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH₂）₄-、-CH₂CH₂CH₂O-、-OCH₂CH₂CH₂-、-CH=CHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂CH₂COO-、-CH₂CH₂OCO-、-COO CH₂CH₂-、又は-OCOCH₂CH₂-を表し、Y⁸は単結合、-O-、-COO-、-OCO-、又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を含有する重合性液晶組成物の重合体である請求項６記載の光学異方体。
10. 光学異方体層が、重合性液晶組成物中に重合禁止剤、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤又は界面活性剤を含有する重合性液晶組成物の重合体である請求項１から９の何れかに記載の光学異方体。
11. 重合性液晶組成物中に含有する重合開始剤の濃度が0.1質量％以上であり、かつ該光学異方体層の厚さが10μm以上である請求項１から９の何れかに記載の光学異方体。
12. 少なくとも一枚の熱伝導率が2W/(m・K)以上である基板を一定の間隔を保って積層した成型用セルに重合性液晶組成物を挟持した後、該重合性組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化させることを特徴とする光学異方体の製造方法。
13. 熱伝導率が2W/(m・K)以上の基板上に重合性液晶組成物を塗布した後、該重合性液晶組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化させること特徴とする光学異方体の製造方法。
14. 少なくとも一枚の熱伝導率が2W/(m・K)以上である基板を一定の間隔を保って積層した成型用セルに重合性液晶組成物を挟持した後、該重合性液晶組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化させ、その後該基板の少なくとも一枚を剥離することを特徴とする光学異方体の製造方法。
15. 熱伝導率が2W/(m・K)以上の基板上に重合性液晶組成物を塗布した後、該重合性液晶組成物中の重合性液晶分子を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化させ、その後該基板を剥離すること特徴とする光学異方体の製造方法。
16. 基板の厚さが5mm以下であることを特徴とする請求項１２から１５の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
17. 重合性液晶組成物中に重合禁止剤、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤又は界面活性剤を含有する請求項１２から１６の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
18. 重合性液晶組成物中に含有する重合開始剤の濃度が0.1質量％以上であり、かつ該光学異方体の厚さが10μm以上である請求項１２から１７の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
19. 少なくとも一枚の基板に配向膜層を積層させることにより重合性液晶分子を配向させる請求項１２から１８の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
20. 配向膜層の厚さが100nm以下である請求項１９記載の光学異方体の製造方法。
21. 磁場により重合性液晶分子を配向させる請求項１２から２０の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
22. 活性エネルギー線が紫外線である請求項１２から２１の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
23. 活性エネルギー線の強度が10mW/cm²以上であることを特徴とする請求項１２から２２の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
24. 冷却装置を用いて基板又は活性エネルギー線を照射する雰囲気を冷却した状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化することを特徴とする請求項１２から２３の何れかに記載の光学異方体の製造方法。