JPWO2018124288A1 - 電源装置及び電源装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、近年、人工衛星の大電力化に伴い、搭載される機器の消費電力も増加しており、排熱設計が重要な技術となっている。特に、スイッチング電源で使用するFET(Field Effect Transistor)及びダイオードは高発熱の電気部品である。従来は排熱対策として基板のシャシ固定用のネジに近い位置に高発熱の電気部品を実装している。あるいは、高発熱の電気部品をシャシに直接取り付けて、リード曲げの工夫、または基板への配線を伸張する工夫により、電気部品が基板上のパターンと電気的に接続されていた。
電気部品が実装された基板と、
前記基板の一方の面に対向する面であるシャシ面を有するシャシと、
前記基板の前記一方の面と前記シャシ面との間に配置され、前記一方の面と前記シャシ面とに接続する、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物であるシャシ側樹脂部と
を備える。
電源装置100は、実施の形態1から実施の形態8のうちの一つの構成を有してもよいし、実施の形態1から実施の形態8のうちの複数の構成を有してもよい。
なお、以下の実施の形態では、例えば電源装置100−1のように「−1」をつけて電源装置100を区別する。
***構成の説明***
図1から図3を参照して、実施の形態1の電源装置100−1を説明する。なお、電源装置100−1は地上において、真空あるいは真空に近い環境で使用されてもよい。
図2は、シャシ10の部分的な平面図(図1における−Z方向矢視)及びE−E断面を示す。E−E断面が図1,4,6−16,21に対応する。ネジ孔12には、基板固定ネジ31がねじ込まれる。図1ではシャシ10と基板20との一部を記載している。シャシ10ではネジ孔12は複数存在する。各ネジ孔12に基板固定ネジ31がねじ込まれる。基板固定ネジ31およびネジ孔12は、基板20の外周に沿った周縁部に複数配置され、例えば長方形の四隅または四辺に所定の間隔で設けられる。
図3は、図2の範囲13に相当する部分、つまり図1を−Z方向から見た矢視を、模式的に示す図である。
基板20には発熱量の大きい電気部品25が取り付けられる。本実施の形態では、発熱量の大きい電気部品25として、SMD(Surface Mount Device)タイプのFETを使用する。通常、SMDタイプのFETで発生した熱は、FETの電極から基板20の回路パターンに伝わり、面内方向に伝わり、ネジ留め部を介してシャシ10に伝わる。
電源装置100−1では、図1に示すように高熱伝導性の絶縁樹脂組成物(硬化前の絶縁樹脂硬化物27−1)で、基板20の一方の面20aであるS面と、シャシ10のシャシ面11との間をポッティング(モールド)する。これにより、絶縁樹脂組成物である高熱伝導性ポッティング樹脂を経路として、電気部品25の熱をシャシ10に伝える。このとき、基板20の厚さ方向(他方の面20bであるC面からS面)への熱伝導を向上させるために、基板20のC面からS面へ貫通するスルーホールが設けられている。スルーホールはメッキが施されている。メッキ後のスルーホールの内部には、はんだ、あるいはその他の金属、あるいは高熱伝導性を有するポッティング樹脂、が充填される。このスルーホールを充填スルーホール21と呼ぶ。
(1)シャシ10に基板20を固定した後、液状の絶縁樹脂組成物をシャシ10と基板20との間に流し込み、絶縁樹脂組成物を加熱硬化させて形成する方法がある。
(2)あるいは、シャシ10の底面に絶縁樹脂硬化物27−1を形成した後に、基板20を基板固定ネジ31でシャシ10に固定する。この(2)の方法の場合、絶縁樹脂硬化物27−1の硬度によるが、基板20をシャシ10へ取り付ける前における、絶縁樹脂硬化物27−1の厚みL2は、基板20のS面(一方の面20a)とシャシ10のシャシ面11との間の幅L1の110%以上250%以下の範囲の厚みになるように形成する。
つまり、
L2=(1.1〜2.5)×L1
である。
さらに、より好ましくは、基板20をシャシ10へ取り付ける前における、
絶縁樹脂硬化物27−1の厚みL2は、幅L1の120%以上200%以下の範囲がよい。
つまり、
L2=(1.2〜2.0)×L1
である。絶縁樹脂硬化物27−1の厚みL2をこの範囲内に形成する場合、基板20との固定部30により、S面と絶縁樹脂硬化物27−1との界面がより強固に密着し、排熱効果が高まる。さらに、使用環境時の冷熱サイクルによる厚み減少があった場合の排熱低下を抑制することができる。絶縁樹脂硬化物27−1の厚みが、S面とシャシ面11との間の幅の110%より薄い場合は、
つまり、
L2<1.1×L1
の場合、冷熱サイクルによる絶縁樹脂硬化物27−1の厚み減少により排熱効果が低下する。
また、厚みL2が厚みL1の200%を超える場合は、
つまり、
L2>2.0×L1
の場合、基板20をシャシ10にネジで固定する時に基板20が変形し、この変形が原因となって、冷熱サイクルで基板20に亀裂が入る恐れがある。
次に、形成した絶縁樹脂硬化物27−1とシャシ10とが接するように基板20をネジでシャシ10に固定する。このようにすることで、S面上の配線パターンなどの高電圧部位に絶縁弱点部となる気泡が残らない。
絶縁樹脂組成物は、液状の絶縁樹脂に、高熱伝導性を付与する無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有した液状の絶縁樹脂組成物であるとする。
つまり、
<液状の絶縁樹脂組成物=[液状の絶縁樹脂+無機充填材]>+熱硬化→絶縁樹脂硬化物27−1である。液状の絶縁樹脂組成物が硬化して得られる絶縁樹脂硬化物27−1の硬度は、80以下(ショアA)であり、さらに好ましくは70以下である。
硬度が80を超える場合、基板20との接着性が低下して排熱効果が得られない恐れ及び基板20が変形する恐れがある。
硬度はショアA硬度計を代表として標記している。柔かい材料はショアEやショア00、ASKER Cなどで測定してもよい。ショアA80以下であれば、ショアEやショア00、ASKER Cで測定してもよい。
また、絶縁樹脂硬化物27−1を細かく切断し、ヘキサンやアセトンなどの有機溶媒で絶縁樹脂硬化物27−1の成分を抽出する。ガスクロマトグラフ質量分析装置(GC/MS)を使用し、その抽出溶媒を、ヘリウムをキャリアガスとして使用して、40℃から300℃まで昇温しながら、低分子成分量を分析する。その低分子成分量は、2000ppm以下、好ましくは1000ppm以下である。
2000ppmを超える場合は、絶縁樹脂硬化物27−1の使用時の冷熱サイクルで電気部品及び配線が汚染されたり、電気接点障害を引き起こしたり、電気部品特性が劣化する恐れがある。
(硬化物のアウトガス)
絶縁樹脂硬化物27−1を、ASTM E595に準拠し、真空環境下(7×10−3Pa 以下)において、加熱温度:125℃、保持時間:24時間、放出ガス冷却温度:25℃の試験条件で試験する。この試験条件で絶縁樹脂硬化物27−1から放出されるアウトガスを測定する。
測定結果から算出した質量損失比(TML:Total Mass Loss)は1%以下、再凝縮物質量比(CVCM:Collected Volatile Condensable Material)が0.1%以下であるべきある。
TMLが1%を超えたり、CVCMが0.1%を超える場合は、使用時の冷熱サイクルで電気部品及び配線が汚染されたり、電気接点障害を引き起こしたり、電気部品特性が劣化する恐れがある。
絶縁樹脂硬化物27−1のガラス転移点は、−10℃以下、好ましくは−20℃以下である。より好ましくは絶縁樹脂硬化物27−1の使用時の冷熱サイクル温度の低温側より低い温度が好ましい。ガラス転移点が−10℃より高い場合は、絶縁樹脂硬化物27−1の使用時の冷熱サイクルにおいて、絶縁樹脂硬化物27−1の変形が大きくなり安定な排熱が得られない恐れ、あるいは基板20の反りを引き起こすことなどの恐れがある。
液状の絶縁樹脂としては、シリコーン樹脂あるいはウレタン樹脂の液状の熱硬化性樹脂とすることができる。
シリコーン樹脂は、室温で液状であれば公知のものを使用することができる。シリコーン樹脂は、硬化システムが付加反応型と縮合反応型とのいずれでも良い。シリコーン樹脂は、硬化後がゴム状(エラストマー)であっても、ゲル状であっても構わない。
例えば、ベースポリマーは平均分子量5,000〜10万であり、25℃での粘度が1〜100,000Pa・sの液状である。ベースポリマーは側鎖と末端にアルキル基、アルケニル基、アリル基、水酸基、水素基、アルコキシアルキル基、アルコキシシリル基の少なくとも1種類を有する直鎖状、環状、分岐状あるいは、梯子状の主鎖構造を有する公知のオルガノポリシロキサンである。ベースポリマーは、2種以上のオルガノポリシロキサンの混合物でも良い。
付加反応型の場合、ベースポリマーとして、アルケニル基を含むオルガノポリシロキサン、架橋剤として水素シロキサン、触媒として白金化合物を含有する組成を用いることができる。これらの配合量は、硬化反応が進行し、硬化後に必要な硬度が得られ、公知の有効量で良い。
縮合反応型の場合、ベースポリマーとして、シラノール基を含むオルガノポリシロキサン、架橋剤としてアルコキシシランやアセトキシシランなどのシラン化合物、触媒として有機錫化合物を含有する組成を用いることができる。
これらの配合量は、硬化反応が進行し、硬化後に必要な硬度が得られ、従来公知の有効量で良い。
ウレタン樹脂は、主剤として1分子中に複数の水酸基を持つポリオール樹脂と硬化剤としての1分子中に2個以上のイソシアネート基をもつ化合物を組み合わせ、共重合させることで得られる組成内にウレタン結合を有する樹脂である。
ウレタン樹脂は、混合後に25℃での粘度が1〜100,000Pa・sの液状であれば、公知のものを使用できる。
例えば、ポリオール樹脂としては、公知のポリエステル系ポリオール、ジカルボン酸エステル系ポリオール、ポリエーテル系ポリオール、ポリテトラメチレンポリオキシグリコール、ひまし油系ポリオール、ε−カプロラクトン系ポリオール、ポリオキシポリアルキレン系ポリオール、β−メチル−δ−バレロラクトン系ポリオール、カーボネート系ポリオール等を用いてもよく、これらの2種以上を併用することもできる。
イソシアネート化合物としては、公知のトリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリデンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート等を用いてもよく、これらの2種以上を併用することもできる。
また、ウレタン化反応を促進させるため、適宜のウレタン化触媒を用いることができる。このウレタン化触媒としては、第3級アミン化合物や有機金属化合物等の公知の触媒を用いることが可能である。ウレタン化触媒としては、例えば、トリエチレンジアミン,N,N’−ジメチルヘキサメチレンジアミン,N,N’−ジメチルブタンジアミン,ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン―7(DBU)及びDBU塩、オクチル酸鉛,ラウリル酸ジブチル錫、ビスマストリス(2−エチルヘキサノエート)、ジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)チタン、等が挙げられる。
熱伝導性を有する充填材は、組成物(硬化物)に熱伝導性を付与する役割を有し、公知の熱伝導性の充填材を使用することができる。充填剤として、例えば、アルミナ粉末、酸化マグネシム粉末、窒化ホウ素粉末、窒化アルミニム粉末、酸化ベリリウム粉末、酸化亜鉛粉末、窒化珪素粉末、酸化ケイ素粉末、アルミニウム粉末、銅粉末、銀粉末、ニッケル粉末、金粉末、ダイヤモンド粉末、カーボン粉末、インジウム、及びガリウムなどが挙げられる。
熱伝導経路だけでなく、基板20とシャシ10との間に絶縁性を確保する必要がある場合は、アルミナ粉末、酸化マグネシム粉末、窒化ホウ素粉末、窒化アルミニム粉末、酸化ベリリウム粉末、酸化ケイ素粉末の高い絶縁性を有する粉末を使用することが好ましい。
0.1μm以上200μm以下、
好ましくは、
0.5μm以上100μm以下である。
このような平均粒径の熱伝導性充填材は、1種単独であるいは粒径が異なる2種以上を混ぜ合わせて使用してもよい。平均粒径が0.1μm未満の熱伝導性充填材は、粒子同士が凝集し易くなり流動性に乏しいものとなることがあるため好ましくない。平均粒径が100μm超過の熱伝導性充填材は、粒子が沈降しやすく、硬化物の熱伝導率が不均一になることがあるため好ましくない。
充填材の形状は、不定形でも球形でも如何なる形状でも構わない。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における体積平均値D50(即ち、累積体積が50%になるときの粒子径又はメジアン径)として測定することができる。
絶縁樹脂組成物は、上記の液状絶縁樹脂に、上記の高熱伝導性を付与するための無機充填材を混合して得られる。充填材の配合量が増加すると、硬化物の熱伝導率は上昇する。その場合、組成物の粘度は高くなり、作業性が低下し、あるいは硬化物の硬度が高くなることで基材との密着性が低下する。これらにより、目的とする排熱効果を得ることができない可能性もある。
従って、液状の絶縁樹脂組成物に含有される無機充填材の配合割合は、無機充填材が配合された絶縁樹脂組成物の25℃における粘度が、300Pa・s以下であれば特に限定されない。
さらに、絶縁樹脂組成物を狭い隙間に流し込む必要がある場合は、その粘度は50Pa・s以下が望ましい。例えば、無機充填材は、
40vol%以上80vol%以下、
の範囲内に含まれることが好ましく、
50vol%以上75vol%以下、
の範囲内に含まれることがより好ましい。
80vol%を超える場合は、絶縁樹脂組成物の粘度が高くなり作業性が悪くなり、あるいは硬化物の硬度が高くなり安定した排熱特性を得られないために好ましくない。一方、粘度が40vol%未満の場合は、樹脂の比率が高く、硬化物の熱伝導率の向上が見込めないため、好ましくない。また、絶縁樹脂組成物の反応性や基材との接着性を制御するための、アセチレン化合物、各種窒素化合物、有機りん化合物、オキシム化合物、及び有機クロロ化合物等の反応制御剤、あるいはシランカップリング剤などの密着性改質剤などの添加剤を必要に応じて、適宜加えても構わない。
液状の絶縁樹脂組成物の硬化条件は、公知のシリコーンポッティング材あるいはウレタンポッティング材と同様の条件とすることができる。
硬化温度は、
室温から180℃以下が良く、
より好ましくは
室温から150℃以下
である。
硬化温度が室温以下では、硬化が不十分で、使用時の冷熱サイクルで未反応原料が揮発し、電気部品を汚染する恐れがある。一方、硬化温度が150℃を超える場合は、電気部品の耐熱温度を超える恐れがあり、電気部品劣化を引き起こす可能性がある。
硬化時間は、所要の硬度が得られれば限定しないが、
室温の場合
48時間以下、好ましくは
24時間以下、
加熱硬化の場合は、
0.1時間以上12時間以下、
好ましくは
0.5時間以上6時間以下
である。
絶縁樹脂硬化物27−1の使用時のアウトガスの懸念がある場合は、加熱硬化することが好ましい。例えば、電気部品の使用許容の上限温度で加熱処理すれば、硬化物内部の揮発しやすい低分子成分を減少させ、アウトガスによる悪影響を回避することができる。
絶縁樹脂組成物の硬化物の絶縁破壊電界は、
10kV/mm以上が良く、より好ましくは15kV/mm以上である。
10kV/mm未満の場合は、使用電圧によっては、電気部品の配線間、基板20の配線パターン間の距離を長くする必要があり、電源部材の小型化の寄与が小さくなる。
絶縁樹脂組成物の硬化物の体積抵抗率は、
1.0E+10Ω・cm以上が良く、より好ましくは
1.0E+12Ω・cm以上である。
1.0E+10Ω・cm未満の
場合は、使用電圧によっては、電気部品の配線間、基板20の配線パターン間の距離を長くする必要があり、電源部材の小型化の寄与が小さくなる。液状の絶縁樹脂組成物を発熱部品上あるいは基材上にポッティングしたり、筺体内に流し込んだりする前に、接着性を改善する表面改質剤(プライマー)で、これら被着体を処理しても構わない。公知のシリコーン用あるいはウレタン用プライマーを使用することができる。
電源装置100−1の製造方法は、
シャシ面11に対して、基板20の一方の面20aがシャシ面11に対向するように基板20を配置する基板配置工程と、
基板20の一方の面20aとシャシ面11との間に、絶縁性を有する液状の樹脂組成物を流し込む流し込み工程と、
流し込まれた液状の樹脂組成物を硬化させてシャシ側樹脂部91を生成する硬化工程とを備える。
ここで、液状の樹脂組成物は、シリコーンあるいはウレタンをベース樹脂として用い、無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有する。
シャシ側樹脂部27−1の硬度は、ショアAの硬度で70以下であることが好ましい。シャシ側樹脂部27−1は、300℃加熱時の低分子成分揮発量が1000ppm以下であり、ガラス転移点が−20℃以下であることが好ましい。
電源装置100−1の製造方法は、
シャシ面11に、絶縁性を有する液状の樹脂組成物を流し込む流し込み工程と、
シャシ面11に流し込まれた液状の樹脂組成物を硬化させて、シャシ側樹脂部91を生成する硬化工程と、
基板20の一方の面20aが、シャシ面11に対向し、かつ、シャシ側樹脂部91に密着するように、基板20をシャシ10に取り付ける取り付け工程と
を備える。
ここで、液状の樹脂組成物は、
シリコーンあるいはウレタンをベース樹脂として用い、無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有する。
シャシ側樹脂部27−1の硬度は、ショアAの硬度で70以下であることが好ましい。シャシ側樹脂部27−1は、300℃加熱時の低分子成分揮発量が1000ppm以下であり、ガラス転移点が−20℃以下であることが好ましい。
図4、図5を参照して実施の形態2の電源装置100−2を説明する。
図4は、電源装置100−2の断面図である。図5は、図3に対応する図であり、図4の−Z方向矢視に相当する模式的な図である。
(1)電気部品25の直下に充填スルーホール21を設けて、基板20のS面に熱を伝える構成である。
(2)電気部品25の下面と基板20との間には、電気部品25の熱8を充填スルーホール21に効率的に伝えるため、熱伝導材23が配置されている。熱伝導材23は、例えば、はんだペーストあるいは銀ペーストである。
(3)電気部品25は、基板20に固定ネジ29で固定される。
図6を参照して実施の形態3の電源装置100−3を説明する。
図6は、電源装置100−3を説明する図である。電源装置100−3は、電源装置100−1に対して基板固定ネジ31の頭を、高い熱伝導率の樹脂27−2によってポッティングした構成である。電源装置100−3の他の構成は、電源装置100−1と同じ構成である。
図7及び図8は、実施の形態4の電源装置100−4を示す図である。図7及び図8の電源装置100−4は、電源装置100−1に対して、固定部30の構成が異なる他は、電源装置100−1と同じである。
図9は、実施の形態5の電源装置100−5を示す図である。電源装置100−5は、電源装置100−1に対して、以下の(1)〜(3)が異なる。他は電源装置100−1と同じである。
(1)電気部品25の電極26が、電気部品25の上にある。
(2)電極26と充填スルーホール21とが、電極接続部28−1である、ワイヤーあるいはブスバーで接続されている。
(3)電気部品25が基板20に接着剤24で固定されている。
図10は、実施の形態6の電源装置100−6を示す図である。電源装置100−6は、電源装置100−5に対して、さらに、電気部品25と、ブスバーあるいはワイヤである電極接続部28−1とを、樹脂硬化物27−3で包み込んだ構成である。この構成により、熱伝導率を向上させることが可能となる。樹脂硬化物27−3は部品側樹脂部92である。
図11及び図12は実施の形態7の電源装置100−7を示す図である。図11に示す電源装置100−7は、電源装置100−6に対して、シャシ接続部28−2である排熱用のブスバーを、電気部品25の上部に設けた構成である。シャシ接続部28−2はネジ42でシャシ10に固定される。排熱用のブスバーにより、排熱を増加できる。この場合、図11の樹脂硬化物27−3は、絶縁性の樹脂硬化物である接触樹脂部93である。
接触樹脂部93は基板20に対して絶縁樹脂硬化物27−1の反対の位置に配置されて、電気部品25の少なくとも一部と接触する。熱伝達性を有するシャシ接続部28−2は、接触樹脂部93とシャシ10とを接続する。
図13は、実施の形態8の電源装置100−8を示す図である。電源装置100−7では、排熱用として設けたブスバーであるシャシ接続部28−2をシャシ10に接続している。
電源装置100−8では、スルーホール接続部28−3が、基板20上の充填スルーホール21の他方の端部21bに接続している。これにより、熱8が絶縁樹脂硬化物27−1を介してシャシ10に排熱する。このため、図12の電源装置100−7よりも排熱経路を短くできる。
図14は、実施の形態9を表す図である。実施の形態9は、電源装置100を大気が存在する環境で製造する方法に関する。実施の形態9は、真空ではなく、地上の通常の大気環境で基板20とシャシ10との間に絶縁樹脂硬化物27−1(絶縁樹脂組成物)の層を成形する作業、つまり、液状の絶縁樹脂組成物を注入する作業を示している。
実施の形態9では電源装置100−8を例としているが、実施の形態9の方法は、電源装置100−1から100−7にも適用できる。
すなわち、回路パターンとなる基板中の銅箔に依存する従来の熱伝導経路(基板面内方向)に加え、上記の排熱経路を設けて、電源の筐体であるシャシへの排熱能力を増加させることで、基板上の部品温度上昇を抑制することを可能とするものである。
高発熱部品の周囲または、その部品が実装されている基板とシャシの間を、宇宙環境に耐えうる高熱伝導率を有する液状絶縁樹脂にてポッティング(充填、モールド)することにより排熱パスを確保する。通常数十um〜数百umの銅箔で構成される回路パターンから成る従来の熱伝導経路(基板面内方向)に加え、その基板とシャシとを高熱伝導率の樹脂にて接続し排熱経路を設ける。この排熱経路によって、基板の面外方向となるシャシ方向への排熱能力を増加させる。これにより基板上の部品温度上昇を抑制することが可能となる。
上記の高熱伝導率を有する液状絶縁樹脂は、高熱伝導性を付与する無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有する。
液状絶縁樹脂の硬化物の硬度は70以下(ショアA)である。
また、液状絶縁樹脂の硬化物は、300℃加熱時の低分子成分揮発量が500ppm以下であり、ガラス転移点が−20℃以下である。上記で述べたように、液状絶縁樹脂の硬化物は、シリコーンあるいはウレタンがベース樹脂である。
この構成により、熱伝導性ポッティング樹脂で放熱路を確保することで、FET素子等の電気部品の温度上昇を抑制することが可能となり、電源の小型化または高出力化が可能である。ポリイミド基板、ガラエポ基板などの従来基板を使用しても高発熱部品を実装できる高排熱構造を提供することができる。
図15から図20を参照して実施の形態10を説明する。実施の形態10では、電源装置101−1,101−2、102−1、102−2,102−3、102−4を説明する。実施の形態10は、電気部品25のグランド端子25aの電位と、シャシ10の電位とを異なる電位に保持し、かつ、電気部品25の熱をシャシ10に伝達する電源装置に関する。実施の形態10の電源装置では、シャシ10が起立部を有する。
基板20の一方の面20a及び他方の面20bは、以下、面20a及び面20bと記す。
基板20には電気部品25が実装されている。シャシ10は、基板20の面20aに対向する面であるシャシ面11と、シャシ面11から面20aに向かって起立すると共に起立方向15の端部14aが面20aと接触せずに、面20aに対向する起立部14を有する。起立部14は伝熱部94である。電気部品25に発生した熱が、起立部14に伝達される。シャシ側樹脂部91は、基板20の面20aと起立部14の端部14aとの間に配置され、面20aと端部14aとに接続している。シャシ側樹脂部91は、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物である。
これに対し、実施の形態10の電源装置では、シャシ10に、起立部14によって凸状の段差を設けている。また、後述する実施の形態11では、シャシ10に凹状の凹部55を設けている。
樹脂内の熱拡散により、凸状または凹状の壁面に熱を拡散させることによって、排熱パスが増え、または、樹脂の中で最短ルートの排熱パスが形成されてる。このような排熱パスによって排熱性能が向上するため、電源装置に、より高い排熱性を持たせることができる。
図17の上側の図は、電源装置102−1のZ1方向の平面図を模式的に示す。図17の上側の図では、起立部14−1の端面14bと、複数の充填スルーホール21との位置を示している。なお上側の図では、充填スルーホール21は実線で示している。
図17では、起立部14−1の端面14bは、基板20の面20aの非導電領域20cに当接している。つまり、起立部14−1の端部14aの端面14bは、非導電領域20cに接触している。面20aにおいて充填スルーホール21の一方の端部21aが現れていない領域は非導電領域20cである。
図19は、電源装置102−3の断面図である。
図20は、電源装置102−4の断面図である。
電源装置102−2、電源装置102−3及び電源装置102−4は、電源装置102−1に対して、起立部の形状が異なる。電源装置102−2の起立部14−2及び電源装置102−4の起立部14−4は、いずれも、起立方向15を法線の方向とする断面の形状が、起立方向15に向かって変化している。起立部14−2及び起立部14−4では、断面の形状が起立方向15に向かって次第に小さくなる。
例えば、起立部14−3は螺旋形状もしくは縦断面が楔型状となっており、外周が凹凸形状をなす。
電源装置101−1及び電源装置101−2では、起立部14の端面14bと面20aとをシャシ側樹脂部91が接続している。また、沿面距離d1が、定められた距離d以上の長さである。よって、電源装置101−1及び電源装置101−2によれば、グランド端子25aの電位と、シャシ10の電位とを異なる電位に保持し、かつ、電気部品25の熱をシャシ10に伝達することができる。
図21は、実施の形態11による電源装置103を示す図である。電源装置103では、シャシ面11に対して段差が設けられており、凹状の凹部55が存在する。凹部55は、図21では、角部AからDで示される。凹部55はシャシ面11よりも低い、底面11aを有する。
電源装置103は、電気部品25、基板20、基板20の面20aに対向するシャシ面11を有するシャシ10及びシャシ側樹脂部91を備える。基板20は、面20aの裏面である面20bのうち電気部品25で覆われる領域に、はんだレベラー54が形成されたはんだレベラー形成領域51を有し、面20aに、はんだレベラー54が形成されたはんだレベラー形成領域51を有する。また、基板20は、面20aから面20bへ貫通し、内面にはんだレベラー54が形成され電気部品25で覆われる領域に配置された複数のスルーホール52を有する。
シャシ側樹脂部91は、電気部品25と基板20の面20bに形成されたはんだレベラー形成領域51との間と、基板20の面20aに形成されたはんだレベラー形成領域51とシャシ10との間と、スルーホール52の内部とに配置される。
シャシ側樹脂部91は、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下であり、硬度がショアA硬度計で70以下である。シャシ側樹脂部91は、絶縁性の樹脂硬化物である。
(1)シャシ側樹脂部91は、電気部品25と、基板20の面20bに形成されているはんだレベラー形成領域51との間に配置されている。
はんだレベラー形成領域51では、基板20の面20bに施された銅メッキ53の表面に、はんだレベラー54が形成されている。
(2)シャシ側樹脂部91は、基板20の面20aに形成されているはんだレベラー形成領域51と、シャシ10との間に配置されている。
(3)シャシ側樹脂部91は、電気部品25の直下の基板20の領域に形成されたスルーホール52の内部に配置されている。
ここで、スルーホール52の内面には銅メッキ53が施されており、銅メッキ53の表面にはんだレベラー54が施されている。
スルーホール52の内部は、銅メッキ53とはんだレベラー54との積層構造である。
硬度が低い樹脂を用いることで、熱衝撃及び振動で発生する応力が樹脂によって吸収または緩和できる。
このため、電気部品25、基板20、スルーホール52、シャシ10のそれぞれと、シャシ側樹脂部91の樹脂界面との剥離を抑制できるので、排熱信頼性を高めることができる。
電気部品25と基板20との間に低硬度のシャシ側樹脂部91を介在させることで、電気部品25と基板20との密着力が高まり、界面熱抵抗を低減できる。
電気部品25と基板20との間に設ける樹脂硬化物であるシャシ側樹脂部91の厚みは、熱抵抗を下げるために薄い方がよく、シャシ側樹脂部91の厚みは、0.25mm以下が好ましい。
尚、電気部品25は、樹脂モールド品、セラミックパッケージ品または金属ケースで覆われた構成のどれでも良い。
また、図21に示すシャシ側樹脂部91として、粘度10Pa・s以上300Pa・s以下の液状樹脂組成物を用いても良い。
塗布された高粘度の液状樹脂組成物は、基板20を基板固定ネジ31でシャシ10に固定するとき、または、電気部品25が固定ネジ29で基板20に固定されるときに発生する圧力によって、スルーホール52の内部に充填される。
なお、10Pa・s以上の高粘度の液状樹脂組成物の粘度は、上記のように10Pa・s以上300Pa・s以下である。
ただし、液状樹脂組成物の粘度が高いほどネジ固定がしにくくなるため、より好ましくは、液状樹脂組成物の粘度は、50Pa・s〜150Pa・sである。
粘度が10Pa・s以上の樹脂であっても、塗布時には、樹脂はスルーホール52に充填される。
しかし、硬化時に粘度が下がり、スルーホール52から流れ出る場合がある。その場合は、加熱硬化の可能な樹脂であれば、低温で樹脂を加熱して半硬化させた後、半硬化させた温度よりも高い硬化温度で樹脂を硬化させる。
これにより、スルーホール52からの流れ出しが、改善できる。
液状樹脂組成物の粘度が10Pa・s未満の場合、樹脂の硬化時に粘度が下がり、スルーホール52の内部に樹脂が留まらず、未充填領域が発生するおそれがあり、また、樹脂の硬化後に、スルーホール52の内部にボイドが残存するそれがある。これらの場合、樹脂が流動しないように、樹脂を堰きとめるための壁を設ける必要がある。
また、樹脂硬化物が、同一樹脂で形成されてもよい。「同一樹脂」における同一とは、樹脂の物性が同一とみなされることを意味する。
つまり、
(1)電気部品25と基板20のはんだレベラー形成領域51との間と、
(2)基板20の面20aに形成されたはんだレベラー形成領域51とシャシ10との間と、
(3)電気部品25直下に設けた基板20のスルーホール52の内部とを、
異なる樹脂で充填した場合には、各樹脂硬化物の硬度及び熱膨張率のような物性の違いにより、熱衝撃のため硬化物界面で剥離が起こる恐れがある。一方に、物性が同一の樹脂を充填することで、剥離のような課題を回避できる。
Claims (23)
- 電気部品が実装された基板と、
前記基板の一方の面に対向する面であるシャシ面を有するシャシと、
前記基板の前記一方の面と前記シャシ面との間に配置され、前記一方の面と前記シャシ面とに接続する、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物であるシャシ側樹脂部と
を備える電源装置。 - 前記基板は、
前記一方の面から他方の面へ貫通するスルーホールに熱伝達材が充填された充填スルーホールを備え、
前記シャシ側樹脂部は、
前記一方の面に現れた前記充填スルーホールの一方の端部に接続する請求項1に記載の電源装置。 - 前記電気部品は、電極を有し、
前記電源装置は、
前記電極と前記充填スルーホールとを接続する熱伝達材である電極接続部、
を備える請求項2に記載の電源装置。 - 前記充填スルーホールの前記熱伝達材は、
金属と、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物とのいずれかである請求項2または請求項3に記載の電源装置。 - 前記充填スルーホールは、
前記基板において前記電気部品の周囲のいずれかの位置に配置されており、
前記電源装置は、さらに、
前記シャシ側樹脂部とともに前記基板を間に挟むように、前記基板に対して前記シャシ側樹脂部の反対の位置に配置されて、前記電気部品と前記基板の前記他方の面に現れた前記充填スルーホールの他方の端部とを封じ込める絶縁性の樹脂硬化物である部品側樹脂部を備える請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置。 - 前記電源装置は、さらに、
前記シャシ側樹脂部とともに前記基板を間に挟むように、前記基板に対して前記シャシ側樹脂部の反対の位置に配置されて、前記電気部品の少なくとも一部と接触する絶縁性の樹脂硬化物である接触樹脂部と、
前記接触樹脂部と前記シャシとを接続する熱伝達性を有するシャシ接続部と
を備える請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置。 - 前記充填スルーホールは、
前記基板において前記電気部品の周囲のいずれかの位置に配置されており、
前記電源装置は、さらに、
前記シャシ側樹脂部とともに前記基板を間に挟むように、前記基板に対して前記シャシ側樹脂部の反対の位置に配置されて、前記電気部品の少なくとも一部と接触する絶縁性の樹脂硬化物である接触樹脂部と、
前記接触樹脂部と、前記充填スルーホールの前記他方の端部とを接続する熱伝達性を有するスルーホール接続部を備える請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置。 - 前記シャシ側樹脂部は、
シリコーンあるいはウレタンがベース樹脂であり、
無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有しており、
硬度がショアAの硬度で70以下であり、
300℃加熱時の低分子成分揮発量が1000ppm以下であり、
ガラス転移点が−20℃以下である、
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電源装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置の製造方法であって、
前記シャシ面に対して、前記基板の前記一方の面が前記シャシ面に対向するように前記基板を配置する基板配置工程と、
前記基板の前記一方の面と前記シャシ面との間に、絶縁性を有する液状の樹脂組成物を流し込む流し込み工程と、
流し込まれた前記液状の樹脂組成物を硬化させて前記シャシ側樹脂部を生成する硬化工程と
を備え、
前記液状の樹脂組成物は、
シリコーンあるいはウレタンをベース樹脂とし、
無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有し、
前記シャシ側樹脂部の硬度は、
ショアAの硬度で70以下であり、
300℃加熱時の低分子成分揮発量が1000ppm以下であり、
ガラス転移点が−20℃以下である、
電源装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置の製造方法において、
前記シャシ面に、絶縁性を有する液状の樹脂組成物を流し込む流し込み工程と、
前記シャシ面に流し込まれた前記液状の樹脂組成物を硬化させて、前記シャシ側樹脂部を生成する硬化工程と
前記基板の前記一方の面が、前記シャシ面に対向し、かつ、前記シャシ側樹脂部に密着するように、前記基板を前記シャシに取り付ける取り付け工程と、
を備え、
前記液状の樹脂組成物は、
シリコーンあるいはウレタンをベース樹脂とし、
無機充填材として、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化マグネシウム、酸化ベリリウムのうち少なくとも一つを含有し、
シャシ側樹脂部の硬度は、
ショアAの硬度で70以下であり、
300℃加熱時の低分子成分揮発量が1000ppm以下であり、
ガラス転移点が−20℃以下である、
電源装置の製造方法。 - 前記液状の樹脂組成物の25℃における粘度は、
300Pa・s以下である請求項9または請求項10に記載の電源装置の製造方法。 - 電気部品が実装された基板と、
前記基板の一方の面に対向する面であるシャシ面を有するシャシと、
前記基板の前記一方の面と前記シャシ面との間に配置され、前記一方の面と前記シャシ面とに接続する、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物であるシャシ側樹脂部と
を備え、
前記シャシは、
前記シャシ側樹脂部の内部で前記シャシ面から前記一方の面に向かって起立しており、起立方向の端部が前記一方の面に対向している起立部を備える電源装置。 - 前記基板は、
前記一方の面から他方の面へ貫通するスルーホールに熱伝達材が充填された充填スルーホールを備え、
前記シャシ側樹脂部は、
前記一方の面に現れた前記充填スルーホールの一方の端部に接続し、
前記起立部の前記端部の端面は、
前記充填スルーホールの一方の端部が現れていない前記一方の面の領域であり、導電性を持たない領域である非導電領域に接触している請求項12に記載の電源装置。 - 前記起立部は、
前記起立方向を法線の方向とする断面の形状が、前記起立方向に向かって変化する請求項12または請求項13に記載の電源装置。 - 前記起立部は、
前記断面の形状が、前記起立方向に向かって次第に小さくなる請求項14に記載の電源装置。 - 電気部品が実装された基板と、
前記基板の一方の面に対向する面であるシャシ面と、前記シャシ面から前記一方の面に向かって起立すると共に起立方向の端部が前記一方の面と接触せずに対向する起立部を有するシャシと、
前記基板の前記一方の面と前記起立部の前記端部との間に配置され、前記一方の面と前記端部とに接続する、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物であるシャシ側樹脂部と
を備える電源装置。 - 前記基板は、
前記一方の面から他方の面へ貫通するスルーホールに熱伝達材が充填された充填スルーホールを備え、
前記シャシ側樹脂部は、
前記一方の面に現れた前記充填スルーホールの一方の端部と前記起立部の前記端部とに接続する請求項16に記載の電源装置。 - 前記充填スルーホールの前記熱伝達材は、
金属と、熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下の絶縁性の樹脂硬化物とのいずれかである請求項17に記載の電源装置。 - 前記シャシは、絶縁体を有し、
前記電気部品は、前記絶縁体にネジで固定されており、
前記充填スルーホールは、前記ネジとは接触していない請求項13または請求項17に記載の電源装置。 - 電気部品と、
基板と、
前記基板の一方の面に対向する面であるシャシ面を有するシャシと、
シャシ側樹脂部と
を備え、
前記基板は、
前記一方の面の裏面である他方の面のうち前記電気部品で覆われる領域に、はんだレベラーが形成されたはんだレベラー形成領域を有し、前記一方の面にはんだレベラーが形成されたはんだレベラー形成領域を有し、前記一方の面から前記他方の面へ貫通し、内面にはんだレベラーが形成され前記電気部品で覆われる領域に配置されたスルーホールを有し、
前記シャシ側樹脂部は、
前記電気部品と前記基板の前記他方の面に形成された前記はんだレベラー形成領域との間と、
前記基板の前記一方の面に形成された前記はんだレベラー形成領域と前記シャシとの間と、
前記スルーホールの内部と
に配置され、
熱伝導率が1W/mK以上10W/mK以下であり、
硬度がショアA硬度計で70以下であり、
絶縁性の樹脂硬化物である電源装置。 - 前記スルーホールに形成された前記はんだレベラーは、
前記一方の面に形成された前記はんだレベラー形成領域と、前記他方の面に形成された前記はんだレベラー形成領域とに接続している請求項20に記載の電源装置。 - 前記シャシ側樹脂部は、
粘度が10Pa・s以上300Pa・s以下の液状樹脂組成物である請求項20または請求項21に記載の電源装置。 - 前記電気部品と前記基板の前記他方の面に形成された前記はんだレベラー形成領域との間に配置される前記シャシ側樹脂部と、
前記基板の前記一方の面に形成された前記はんだレベラー形成領域と前記シャシとの間に配置される前記シャシ側樹脂部と、
前記スルーホールの内部に配置される前記シャシ側樹脂部とは、
物性が同一である請求項20から請求項22のいずれか一項に記載の電源装置。
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