JP2007019125A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 放熱性が良好で実装密度の高い回路基板で構成された電力変換装置を得る。
【解決手段】 本発明の電力変換装置は、ディスクリートパワー半導体素子6を表面実装する回路基板2と、回路基板2を固定するケース3とからなるもので、回路基板2のディスクリートパワー半導体6の実装面から反対面に向かって高熱伝導性金属を充填して形成したスルーホール10と、スルーホール10と反対面に形成した絶縁膜4と、ケースのケース底面3aから絶縁膜4までの高さに形成された凸部5とを有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明の電力変換装置は、ディスクリートパワー半導体素子6を表面実装する回路基板2と、回路基板2を固定するケース3とからなるもので、回路基板2のディスクリートパワー半導体6の実装面から反対面に向かって高熱伝導性金属を充填して形成したスルーホール10と、スルーホール10と反対面に形成した絶縁膜4と、ケースのケース底面3aから絶縁膜4までの高さに形成された凸部5とを有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電力変換装置に搭載されているディスクリートパワー半導体素子の実装方法に関する。
ディスクリートパワー半導体素子は、リードフレーム上に固定された半導体チップをエポキシ樹脂などでモールドされた構造を持つ。従来の電力変換装置においてディスクリートパワー半導体素子の冷却方法として、図3に示すように主に熱抵抗の少ないリードフレームを経由して回路基板に伝導されるものがある。これは、ディスクリートパワー半導体6の熱を、ディスクリートパワー半導体6の背面14と密着した絶縁体4を通してケース3に放熱するものである。
また、他の従来例として、図4に示すようにパッケージ背面から絶縁体を介してヒートシンクの代わりとなるケースへの熱伝導がある(例えば、特許文献1参照)。
これは、半導体チップ12の熱を、主に熱抵抗の少ないリードフレーム13を経由して端子4から回路基板2に伝導するものである。
特開平8−78616号 (図1)
また、他の従来例として、図4に示すようにパッケージ背面から絶縁体を介してヒートシンクの代わりとなるケースへの熱伝導がある(例えば、特許文献1参照)。
これは、半導体チップ12の熱を、主に熱抵抗の少ないリードフレーム13を経由して端子4から回路基板2に伝導するものである。
ところが、従来の電力変換装置は、ディスクリートパワー半導体6の背面14と密着しているので放熱効率が低い。また、他の従来例では、リードフレーム13を経由して回路基板2に伝導しているので十分な放熱は困難であった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、放熱性が良好で実装密度の高い回路基板で構成された電力変換装置を提供することを目的とする。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、放熱性が良好で実装密度の高い回路基板で構成された電力変換装置を提供することを目的とする。
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1に記載の発明は、ディスクリートパワー半導体素子を表面実装する回路基板と、前記回路基板を固定するケースとからなる電力変換装置において、前記回路基板の前記ディスクリートパワー半導体の実装面から反対面に向かって高熱伝導性金属を充填して形成したスルーホールと、前記スルーホールと前記反対面に形成した絶縁膜と、前記ケースのケース底面から前記絶縁膜に接触する高さに形成された凸部とを有するものである。
また、請求項2に記載の発明は、ディスクリートパワー半導体素子を表面実装する回路基板と、前記回路基板を固定するケースとからなる電力変換装置において、
前記ディスクリートパワー半導体素子が実装される前記回路基板の実装部分に前記ディスクリートパワー半導体素子の素子底面より狭く形成した穴と、前記ディスクリートパワー半導体素子に接触し前記穴をとおり前記ケースの底面近傍まで伸延するスペーサと、前記スペーサと前記ケースの底面との間に形成された絶縁膜と、を有するものである。
また、請求項3に記載の発明は、前記スペーサを高熱伝導性の部材とするものである。
請求項1に記載の発明は、ディスクリートパワー半導体素子を表面実装する回路基板と、前記回路基板を固定するケースとからなる電力変換装置において、前記回路基板の前記ディスクリートパワー半導体の実装面から反対面に向かって高熱伝導性金属を充填して形成したスルーホールと、前記スルーホールと前記反対面に形成した絶縁膜と、前記ケースのケース底面から前記絶縁膜に接触する高さに形成された凸部とを有するものである。
また、請求項2に記載の発明は、ディスクリートパワー半導体素子を表面実装する回路基板と、前記回路基板を固定するケースとからなる電力変換装置において、
前記ディスクリートパワー半導体素子が実装される前記回路基板の実装部分に前記ディスクリートパワー半導体素子の素子底面より狭く形成した穴と、前記ディスクリートパワー半導体素子に接触し前記穴をとおり前記ケースの底面近傍まで伸延するスペーサと、前記スペーサと前記ケースの底面との間に形成された絶縁膜と、を有するものである。
また、請求項3に記載の発明は、前記スペーサを高熱伝導性の部材とするものである。
請求項1に記載の発明によると、ディスクリートパワー半導体素子の熱を回路基板のスルーホールを通してケースまで放熱することができ、高密度実装化することができる。
また、請求項2、3に記載の発明によると、ディスクリートパワー半導体素子の熱を回路基板のスルーホールを通してケースまで放熱することができ、高密度実装化することができる。
また、請求項2、3に記載の発明によると、ディスクリートパワー半導体素子の熱を回路基板のスルーホールを通してケースまで放熱することができ、高密度実装化することができる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
本発明の実施例1である電力変換装置の側断面図を図1に示す。
図において、2は回路基板、3はケース、4は絶縁体、5は凸部、6はディスクリートパワー半導体素子、7は端子、8は素子底面、9は充填材、10はスルーホール、11はスペーサである。
回路基板2は、ケース3の底面に平行かつ絶縁体4と凸部5の高さの間隔で固定される。ディスクリートパワー半導体素子6は、回路基板2の表面に端子7をはんだ付けされている。
また、ディスクリートパワー半導体素子6の底面8は、回路基板2の垂直方向に銅またはアルミなど高熱伝導性金属でできた充填材9されたスルーホール10と密着している。
この反対面では、スルーホール10と絶縁体4と凸部5がそれぞれ密着している。
図において、2は回路基板、3はケース、4は絶縁体、5は凸部、6はディスクリートパワー半導体素子、7は端子、8は素子底面、9は充填材、10はスルーホール、11はスペーサである。
回路基板2は、ケース3の底面に平行かつ絶縁体4と凸部5の高さの間隔で固定される。ディスクリートパワー半導体素子6は、回路基板2の表面に端子7をはんだ付けされている。
また、ディスクリートパワー半導体素子6の底面8は、回路基板2の垂直方向に銅またはアルミなど高熱伝導性金属でできた充填材9されたスルーホール10と密着している。
この反対面では、スルーホール10と絶縁体4と凸部5がそれぞれ密着している。
この構造によると、ディスクリートパワー半導体素子6からの発せられた熱は、主に端子7を介して回路基板2に伝えられ、さらに底面8で密着しているスルーホール10の充填材9、絶縁体4、凸部5、ケース3の順番で放熱される。
本発明の実施例2である電力変換装置1の側断面図を図2に示す。
回路基板2は、ケース3の底面に平行かつ凸部5の高さの間隔で固定される。
ディスクリートパワー半導体素子6は、回路基板2の表面に端子7をはんだ付けされている。
また、ディスクリートパワー半導体素子6の底面8は、回路基板2の垂直方向に銅またはアルミなど高熱伝導性金属でできたスペーサ11と密着している。
スペーサ11とケース3の間には絶縁体4が密着して挟まれている。
回路基板2は、ケース3の底面に平行かつ凸部5の高さの間隔で固定される。
ディスクリートパワー半導体素子6は、回路基板2の表面に端子7をはんだ付けされている。
また、ディスクリートパワー半導体素子6の底面8は、回路基板2の垂直方向に銅またはアルミなど高熱伝導性金属でできたスペーサ11と密着している。
スペーサ11とケース3の間には絶縁体4が密着して挟まれている。
この構造によると、ディスクリートパワー半導体素子6からの発せられた熱は、主に端子7を介して回路基板2に伝えられ、スペーサ11、絶縁体4、凸部5、ケース3の順番で放熱される。
本発明は、インバータなどの電気的な容量の大きい製品用の半導体だけでなく、制御素
子など低電圧、小容量のデバイスにも適用することができる。
子など低電圧、小容量のデバイスにも適用することができる。
1 電力変換装置
2 回路基板
3 ケース
4 絶縁体
5 凸部
6 ディスクリートパワー半導体素子
7 端子
8 底面
9 充填材
10 スルーホール
11 スペーサ
12 半導体チップ
13 リードフレーム
14 背面
2 回路基板
3 ケース
4 絶縁体
5 凸部
6 ディスクリートパワー半導体素子
7 端子
8 底面
9 充填材
10 スルーホール
11 スペーサ
12 半導体チップ
13 リードフレーム
14 背面
Claims (3)
- ディスクリートパワー半導体素子を表面実装する回路基板と、前記回路基板を固定するケースとからなる電力変換装置において、
前記回路基板は前記ディスクリートパワー半導体の実装面から反対面に向かって高熱伝導性金属を充填して形成したスルーホールと、前記スルーホールと前記反対面に形成した絶縁膜と、前記ケースのケース底面から前記絶縁膜までの高さに形成された凸部とを有したことを特徴とする電力変換装置。 - ディスクリートパワー半導体素子を表面実装する回路基板と、前記回路基板を固定するケースとからなる電力変換装置において、
前記ディスクリートパワー半導体素子が実装される前記回路基板の実装部分に前記ディスクリートパワー半導体素子の素子底面より狭く形成した穴と、前記ディスクリートパワー半導体素子に接触し前記穴をとおり前記ケースの底面近傍まで伸延するスペーサと、前記スペーサと前記ケースの底面との間に形成された絶縁膜とを有したことを特徴とする電力変換装置。 - 前記スペーサは、熱伝導性の部材からなることを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005197012A JP2007019125A (ja) | 2005-07-06 | 2005-07-06 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005197012A JP2007019125A (ja) | 2005-07-06 | 2005-07-06 | 電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007019125A true JP2007019125A (ja) | 2007-01-25 |
Family
ID=37756053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005197012A Pending JP2007019125A (ja) | 2005-07-06 | 2005-07-06 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007019125A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008029410A1 (de) * | 2008-06-23 | 2009-12-24 | Brose Fahrzeugteile GmbH & Co. Kommanditgesellschaft, Würzburg | Vorrichtung, insbesondere zur Stromleitung, und ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, insbesondere zur Stromleitung |
JP2011066332A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 制御装置の放熱構造 |
WO2018124288A1 (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | 電源装置及び電源装置の製造方法 |
US10327324B2 (en) | 2014-05-22 | 2019-06-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Circuit board |
WO2020003423A1 (ja) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 三菱電機株式会社 | 電源装置 |
CN114727473A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-07-08 | 惠州市金百泽电路科技有限公司 | 一种具有高散热性结构的pcb板及其加工方法 |
-
2005
- 2005-07-06 JP JP2005197012A patent/JP2007019125A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102008029410A1 (de) * | 2008-06-23 | 2009-12-24 | Brose Fahrzeugteile GmbH & Co. Kommanditgesellschaft, Würzburg | Vorrichtung, insbesondere zur Stromleitung, und ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, insbesondere zur Stromleitung |
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US11172573B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-11-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Power supply device |
WO2020003423A1 (ja) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 三菱電機株式会社 | 電源装置 |
US11772829B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-10-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Power supply device |
CN114727473A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-07-08 | 惠州市金百泽电路科技有限公司 | 一种具有高散热性结构的pcb板及其加工方法 |
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