JPWO2016140185A1 - 導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 - Google Patents
導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016140185A1 JPWO2016140185A1 JP2017503467A JP2017503467A JPWO2016140185A1 JP WO2016140185 A1 JPWO2016140185 A1 JP WO2016140185A1 JP 2017503467 A JP2017503467 A JP 2017503467A JP 2017503467 A JP2017503467 A JP 2017503467A JP WO2016140185 A1 JPWO2016140185 A1 JP WO2016140185A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper paste
- component
- conductive copper
- conductive
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 166
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 142
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 15
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 10
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 229920003987 resole Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 19
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 claims description 18
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 17
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 claims description 6
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 claims description 5
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 9
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 4
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 4
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 4
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 2
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N menthanol Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)O)CC1 UODXCYZDMHPIJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-UHFFFAOYSA-N 9,12-Octadecadienoic Acid Chemical compound CCCCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- -1 azo compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N cis-palmitoleic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-UHFFFAOYSA-N α-Linolenic acid Chemical compound CCC=CCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
- B22F1/103—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing an organic binding agent comprising a mixture of, or obtained by reaction of, two or more components other than a solvent or a lubricating agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
- B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0036—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
- H01L2224/83055—Composition of the atmosphere being oxidating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83862—Heat curing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しない導電性銅ペーストを提供することを目的とする。(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペーストである。(B)成分が、レゾール型フェノール樹脂であると好ましく、(B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部であると、より好ましい。
Description
本発明は、導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置に関し、特に、大気雰囲気化で焼成可能な導電性銅ペースト、この導電性銅ペーストの硬化膜、この導電性銅ペースト硬化膜を有する半導体装置に関する。
半導体素子の電極部と基板の導電部とが接着された半導体装置は、非常に広範に使用されており、半導体素子の電極部と基板の導電部との接着には、導電性接着剤やはんだ付けが使用されている。導電性接着剤は、はんだ付けより低温で接着させることができる、という利点があるが、はんだよりバルク抵抗が高いため、導電性接着剤の低抵抗化が検討されている。
従来の導電性接着剤は、導電性フィラーとして、銀を使用している。しかしながら、銀のマイグレーション性や価格高騰のため、銅を導電性フィラーとして使用することが検討されている。また、この銅を使用する導電性接着剤には、酸化しやすい銅を大気雰囲気中で硬化させることも求められている。
銅を導電性フィラーとして使用するペーストとして、所定の粒度分布とタップ密度の銅粉、熱硬化性樹脂、有機カルボン酸、及びキレート剤、更にポリブタジエンを必須成分とする導電性銅ペーストが開示されている(特許文献1の請求項1、第0013、0022段落)。
この導電性銅ペーストは、スクリーン印刷が可能で、導電性銀ペーストに匹敵する良好な導電性を有し、かつ耐マイグレーション性を併せ持つファインピッチ対応のスルーホール用として好適な導電性銅ペーストを目的としており(特許文献1の第0008段落)、有機カルボン酸として、具体例としては、サリチル酸、安息香酸、酒石酸、クエン酸、マレイン酸、コハク酸、フマル酸、マロン酸等が挙げられている(特許文献1の第0018段落)。なお、これらの有機カルボン酸は、いずれも常温で固体である。
また、銅を含む金属粉と、少なくとも2個の(メタ)アクリル基を含有する化合物と、β−ジカルボニル化合物を含み、実質的にアゾ化合物および過酸化物を含まないことを特徴とする回路基板用導電性ペーストが開示されている(特許文献2の請求項1)。この回路基板用導電性ペーストでは、フラックス活性を有する化合物を含んでよいことが記載されており(特許文献2の第0014段落)、フラックス活性を有する化合物として、オレイン酸等の脂肪族カルボン酸が挙げられている(特許文献2の第0038、0046段落)。
他にも、一分子中に少なくとも2個以上の水酸基を持ち、かつ1個以上の3級アミンを含むプレポリマー、銅粉、アミノ樹脂、及び還元剤を含有し、酸性エッチング液によりエッチング可能な導電性銅ペースト組成物が開示されており(特許文献3の請求項1)、還元剤として、オレイン酸、リノール酸等の炭素数12〜23の不飽和モノカルボン酸が挙げられている(特許文献3の第0016段落)。
しかしながら、これらの導電性銅ペーストには、硬化条件が高温短時間(例えば、210℃で10分間)の場合に、比抵抗が高くなる、銅粉の含有量により硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗が大きく変化してしまう、という問題があることがわかった。
本発明者らは、鋭意研究の結果、銅粉と、常温で液状の脂肪酸と、トリエタノールアミンとを併用することにより、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗が低く、銅粉の含有量により硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗が大きく変化しない導電性銅ペーストを見出した。すわなち、本発明は、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、硬化後に比抵抗が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しない導電性銅ペーストを提供することを目的とする。
本発明は、以下の構成を有することによって上記問題を解決した導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法、および半導体装置に関する。
〔1〕(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペースト。
〔2〕(C)成分が、オレイン酸、リノール酸、およびリノレン酸から選ばれる少なくとも1種である、上記〔1〕記載の導電性銅ペースト。
〔3〕(B)成分が、レゾール型フェノール樹脂である、上記〔1〕または〔2〕記載の導電性銅ペースト。
〔4〕(B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部である、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔5〕(C)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部である、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔6〕(D)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔7〕初期粘度が、8〜12Pa・sである、上記〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔8〕25℃で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、1週間以上である、上記〔1〕〜〔7〕いずれか記載の導電性銅ペースト。
〔9〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の導電性銅ペーストの硬化物である、導電性銅ペースト硬化膜。
〔10〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法。
〔11〕上記〔9〕記載の導電性銅ペースト硬化膜を有する、半導体装置。
〔1〕(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペースト。
〔2〕(C)成分が、オレイン酸、リノール酸、およびリノレン酸から選ばれる少なくとも1種である、上記〔1〕記載の導電性銅ペースト。
〔3〕(B)成分が、レゾール型フェノール樹脂である、上記〔1〕または〔2〕記載の導電性銅ペースト。
〔4〕(B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部である、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔5〕(C)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部である、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔6〕(D)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔7〕初期粘度が、8〜12Pa・sである、上記〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔8〕25℃で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、1週間以上である、上記〔1〕〜〔7〕いずれか記載の導電性銅ペースト。
〔9〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の導電性銅ペーストの硬化物である、導電性銅ペースト硬化膜。
〔10〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法。
〔11〕上記〔9〕記載の導電性銅ペースト硬化膜を有する、半導体装置。
本発明〔1〕によれば、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗値が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しない(比抵抗値が1×10−4Ω・cm未満である)導電性銅ペーストを提供することができる。
本発明〔9〕によれば、高信頼性の半導体装置を得るための導電性銅ペースト硬化膜を提供することができる。本発明〔10〕によれば、高信頼性の半導体装置を得るための導電性銅ペースト硬化膜を、大気雰囲気下の加熱で簡便に得ることができる。本発明〔11〕によれば、例えば、半導体素子の電極部と基板の導電部との間の接続抵抗値が小さい高信頼性の半導体装置を得ることができる。
〔導電性銅ペースト〕
本発明の導電性銅ペーストは、(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする。
本発明の導電性銅ペーストは、(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする。
(A)である銅粉は、硬化後の導電性銅ペーストに導電性を付与する。(A)成分としては、棒状、フレーク状、球状の銅粉が挙げられ、硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗の観点から、棒状、フレーク状が好ましい。(A)成分は、粒子形状の樹枝状銅粉(電解銅粉)を解砕してえられた棒状の銅粉が、より好ましく、脂肪酸、特にオレイン酸で表面処理を行った棒状の銅粉が、さらに好ましい。(A)成分の市販品としては、三井金属鉱業(株)製の電解銅粉(ECY)が挙げられ、脂肪酸、特にオレイン酸で表面処理を行った電解銅粉(10%粒子径:3.4μm、50%粒子径:8.1μm、90%粒子径:15.2μm、タップ密度:4.4 g/cm3)が、より好ましい。ここで、粒子径は、レーザー回折・散乱式粒子分布測定装置で、タップ密度は、振盪比重測定機(タップマシン)で測定する。(A)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。
(B)成分である熱硬化性樹脂は、導電性銅ペーストに接着性、硬化性を付与する。(B)成分としては、熱硬化収縮性、密着性の観点から、フェノール樹脂が好ましく、レゾール型フェノール樹脂が、より好ましい。(B)成分の市販品としては、昭和電工(株)製のレゾール型フェノール樹脂(品名:CKM−918A)が挙げられる。(B)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。なお、レゾール型フェノール樹脂のような固形の樹脂は、ペーストを作製するにあたり、後述する(E)成分である溶剤と加熱混合して液状にしたうえで用いてもよい。
(C)成分は、銅粉表面の酸化層を溶出させるフラックス成分として機能する。ここで、常温とは、25℃をいう。(C)成分は、液状であるため、導電性銅ペーストでの均一性が良くなり、(A)成分である銅粉の表面への濡れ性も良くなる、と考えられる。(C)成分は、炭素=炭素の二重結合を含む不飽和脂肪酸が好ましい。(C)成分としては、
オレイン酸(CH3(CH2)7CH=CH(CH2)7COOH、シス−9−オクタデセン酸)、
リノール酸(CH3−(CH2)4−CH=CHCH2CH=CH(CH2)7COOH、シス−9,シス−12−オクタデカジエン酸)、
リノレン酸(CH3CH2CH=CHCH2CH=CHCH2CH=CH(CH2)7COOH、シス−9,シス−12,シス−15−オクタデカトリエン酸)
が挙げられ、オレイン酸が、より好ましい。(C)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。
オレイン酸(CH3(CH2)7CH=CH(CH2)7COOH、シス−9−オクタデセン酸)、
リノール酸(CH3−(CH2)4−CH=CHCH2CH=CH(CH2)7COOH、シス−9,シス−12−オクタデカジエン酸)、
リノレン酸(CH3CH2CH=CHCH2CH=CHCH2CH=CH(CH2)7COOH、シス−9,シス−12,シス−15−オクタデカトリエン酸)
が挙げられ、オレイン酸が、より好ましい。(C)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。
(D)成分であるトリエタノールアミン(TEA、N(CH2CH2OH)3)は、(C)成分のフラックス効果で溶出した銅イオンを固定化し、かつ室温下(25℃)での脂肪酸のカルボキシル基の作用を抑制する。
(A)成分は、導電性銅ペーストの硬化性と、硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗の観点から、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、80〜90質量部であると好ましく、87.5質量部が特に好ましい。
また、(A)成分は、導電性銅ペーストの硬化物の場合も、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、80〜90質量部であると好ましく、87.5質量部が特に好ましい。ここで、導電性銅ペーストは、硬化時の質量減少が1%未満と少ないため、硬化物中での好ましい(A)成分の含有量は、硬化前の(A)成分の含有量と同様である。ここで、(A)成分の定量分析は、熱重量分析装置で行う。
(B)成分は、導電性銅ペーストの硬化性と、硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗の観点から、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部であると好ましく、12.5質量部が特に好ましい。
また、(B)成分は、導電性銅ペーストの硬化物の場合も、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部であると好ましく、12.5質量部が特に好ましい。ここで、(B)成分の定量分析は、イオンクロマトグラフ−質量分析装置で行う。
(C)成分は、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部であると好ましく、1質量部であると、より好ましい。(C)成分が0.8質量部より少ないと、銅ペースト硬化膜の比抵抗値が高くなり易く、3質量部より多いと、銅ペーストのポットライフが短くなり易くなる。
また、(C)成分は、導電性銅ペーストの硬化物の場合も、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部であると好ましい。ここで、(C)成分の定量分析は、イオンクロマトグラフ−質量分析装置で行う。
(D)成分は、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部であると好ましく、3質量部であると、より好ましい。(D)成分が1質量部より少ないと、銅ペーストのポットライフが短くなり易く、5質量部より多いと、銅ペースト硬化膜の比抵抗値が高くなり易くなる。
導電性銅ペーストは、さらに、(B)成分が固形である場合の溶融・液状化および導電性銅ペーストの粘度調製の観点から、(E)成分として溶剤を用いることができる。(E)成分は熱硬化性樹脂の溶解性や硬化条件を考慮して適宜選択することができ、具体的には、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テルピネオール、ジヒドロテルピネオール、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどを挙げることができる。(B)成分がフェノール樹脂である場合にはブチルカルビトールを用いることが好ましい。
(E)成分は、導電性銅ペースト100質量部に対して、10〜20質量部であると好ましい。
本発明の導電性銅ペーストには、本発明の目的を損なわない範囲で、更に必要に応じ、レベリング剤、着色剤、イオントラップ剤、消泡剤、難燃剤、その他の添加剤等を配合することができる。
本発明の導電性銅ペーストは、例えば、(A)成分〜(D)成分およびその他添加剤等を同時にまたは別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶融、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、3本ロールミル、ボールミル、プラネタリーミキサー、ビーズミル等を使用することができる。また、これら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
導電性銅ペーストの初期粘度は、8〜12Pa・sの範囲であると、スクリーン印刷性の観点から好ましい。ここで、導電性銅ペーストの初期粘度は、導電性銅ペーストを作製した後、1時間以内に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で測定する。
導電性銅ペーストのポットライフは、室温(25℃)で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、6日以上であると好ましい。
本発明の導電性銅ペーストは、スクリーン印刷、ディスペンサー等で、基板の導電部や、半導体素子の電極部等の電子部品の所望の位置に形成・塗布される。
本発明の導電性銅ペーストの硬化条件は、大気雰囲気下、150〜300℃、5〜30分間が好ましく、特に、200〜220℃で5〜15分間での高温短時間が適している。導電性銅ペーストの硬化物である導電性銅ペースト硬化膜は、低比抵抗である。ここで、本発明の導電性銅ペースト硬化膜の製造方法は、導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする。
本発明の導電性銅ペーストは、半導体素子の電極部と基板の導電部等の電子部品用接着剤として適している。
〔半導体装置〕
本発明の半導体装置は、導電性銅ペースト硬化膜を有する。半導体装置は、例えば、導電部を有する基板と、電極部を有する半導体素子とを含み、上記導電性銅ペーストの硬化物である導電性銅ペースト硬化膜で、基板の導電部と半導体素子の電極部とが接合される。
本発明の半導体装置は、導電性銅ペースト硬化膜を有する。半導体装置は、例えば、導電部を有する基板と、電極部を有する半導体素子とを含み、上記導電性銅ペーストの硬化物である導電性銅ペースト硬化膜で、基板の導電部と半導体素子の電極部とが接合される。
本発明の半導体装置は、半導体素子の電極部と基板の導電部との間の接続抵抗値が小さく、高信頼性である。
本発明について、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部、%はことわりのない限り、質量部、質量%を示す。
実施例、比較例では、
(A)成分として、三井金属鉱業(株)製オレイン酸表面処理電解銅粉(10%粒子径:3.4μm、50%粒子径:8.1μm、90%粒子径:15.2μm、タップ密度:4.4g/cm3)を、
(B)成分として、昭和電工(株)製のレゾール型フェノール樹脂(品名:CKM−918Aを、
(C)成分として、和光純薬工業(株)製のオレイン酸、リノール酸、リノレン酸を、
(C)成分の代替成分(室温で固体)として、和光純薬工業(株)製のパルミチン酸(CH3(CH2)14COOH(ヘキサデカン酸)、ステアリン酸(CH3(CH2)16COOH(オクタデカン酸)を、
(D)成分として、和光純薬工業(株)製トリエタノールアミン(TEA:品名:2,2’,2”−ニトリロトリエタノール)を、
(D)成分の代替成分として、四国化成工業(株)製のイミダゾール(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、品名:2PHZ−PW)、和光純薬工業(株)製のモノエタノールアミン(MEA、NH2CH2CH2OH、品名:2−アミノエタノール)、ジエタノールアミン(DEA、NH(CH2CH2OH)2、品名:2,2’−イミノジエタノール)を、
(E)成分として、シェルケミカルズジャパン(株)製のブチルカルビトール(CH3(CH2)3O(CH2)2O(CH2)2OH、2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールまたはジエチレングリコールモノブチルエーテル)を使用した。
(A)成分として、三井金属鉱業(株)製オレイン酸表面処理電解銅粉(10%粒子径:3.4μm、50%粒子径:8.1μm、90%粒子径:15.2μm、タップ密度:4.4g/cm3)を、
(B)成分として、昭和電工(株)製のレゾール型フェノール樹脂(品名:CKM−918Aを、
(C)成分として、和光純薬工業(株)製のオレイン酸、リノール酸、リノレン酸を、
(C)成分の代替成分(室温で固体)として、和光純薬工業(株)製のパルミチン酸(CH3(CH2)14COOH(ヘキサデカン酸)、ステアリン酸(CH3(CH2)16COOH(オクタデカン酸)を、
(D)成分として、和光純薬工業(株)製トリエタノールアミン(TEA:品名:2,2’,2”−ニトリロトリエタノール)を、
(D)成分の代替成分として、四国化成工業(株)製のイミダゾール(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、品名:2PHZ−PW)、和光純薬工業(株)製のモノエタノールアミン(MEA、NH2CH2CH2OH、品名:2−アミノエタノール)、ジエタノールアミン(DEA、NH(CH2CH2OH)2、品名:2,2’−イミノジエタノール)を、
(E)成分として、シェルケミカルズジャパン(株)製のブチルカルビトール(CH3(CH2)3O(CH2)2O(CH2)2OH、2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールまたはジエチレングリコールモノブチルエーテル)を使用した。
〔評価方法〕
《初期粘度測定》
導電性銅ペーストを作製した後、1時間以内に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で、導電性銅ペーストの初期粘度を測定した。
《初期粘度測定》
導電性銅ペーストを作製した後、1時間以内に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で、導電性銅ペーストの初期粘度を測定した。
《ポットライフの測定》
導電性銅ペーストを25℃で保持し、24時間毎に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で粘度を測定し、初期値の1.2倍(20%増加)以上になるまでの時間を測定した。
導電性銅ペーストを25℃で保持し、24時間毎に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で粘度を測定し、初期値の1.2倍(20%増加)以上になるまでの時間を測定した。
《比抵抗値測定》
アルミナ基板上に、導電性銅ペーストを、スクリーン印刷機で、幅:1mm、長さ:71mmのパターンを印刷し、送風定温乾燥機で、大気雰囲気中、210℃×10分間加熱処理して、硬化させた。得られた導電性銅ペースト硬化膜の膜厚は、(株)東京精密製表面粗さ形状測定機(型番:サーフコム1500SD−2)を用いて、抵抗値は、(株)TFFケースレーインスツルメンツ製デジタルマルチメーター(型番:2001)を用いて、それぞれ測定し、体積抵抗率を算出し、比抵抗値とした。
アルミナ基板上に、導電性銅ペーストを、スクリーン印刷機で、幅:1mm、長さ:71mmのパターンを印刷し、送風定温乾燥機で、大気雰囲気中、210℃×10分間加熱処理して、硬化させた。得られた導電性銅ペースト硬化膜の膜厚は、(株)東京精密製表面粗さ形状測定機(型番:サーフコム1500SD−2)を用いて、抵抗値は、(株)TFFケースレーインスツルメンツ製デジタルマルチメーター(型番:2001)を用いて、それぞれ測定し、体積抵抗率を算出し、比抵抗値とした。
〔実施例1〕
(A)成分としてオレイン酸表面処理電解銅粉:87.5質量部、(B)成分としてのレゾール型フェノール樹脂12.5部を(E)成分としてブチルカルビトール10.2部に加熱溶解させたもの、(C)成分としてオレイン酸:1部、および(D)成分としてトリエタノールアミン:3部を、三本ロールミルで均一に混練し、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、5.6×10−5Ω・cmであった。
(A)成分としてオレイン酸表面処理電解銅粉:87.5質量部、(B)成分としてのレゾール型フェノール樹脂12.5部を(E)成分としてブチルカルビトール10.2部に加熱溶解させたもの、(C)成分としてオレイン酸:1部、および(D)成分としてトリエタノールアミン:3部を、三本ロールミルで均一に混練し、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、5.6×10−5Ω・cmであった。
〔実施例2〕
オレイン酸表面処理電解銅粉:85質量部、レゾール型フェノール樹脂15部をブチルカルビトール12.3部に加熱溶解させたものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、9.6×10−5Ω・cmであった。なお、ポットライフの測定は、行わなかった。
オレイン酸表面処理電解銅粉:85質量部、レゾール型フェノール樹脂15部をブチルカルビトール12.3部に加熱溶解させたものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、9.6×10−5Ω・cmであった。なお、ポットライフの測定は、行わなかった。
〔実施例3〕
オレイン酸表面処理電解銅粉:90質量部、レゾール型フェノール樹脂10部をブチルカルビトール8.2部に加熱溶解させたものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、6.4×10−5Ω・cmであった。なお、ポットライフの測定は、行わなかった。
オレイン酸表面処理電解銅粉:90質量部、レゾール型フェノール樹脂10部をブチルカルビトール8.2部に加熱溶解させたものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、6.4×10−5Ω・cmであった。なお、ポットライフの測定は、行わなかった。
〔実施例4〕
(C)成分として、オレイン酸:3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調整した。この導電性銅ペーストのポットライフは、7日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、5.9×10−5Ω・cmであった。
(C)成分として、オレイン酸:3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調整した。この導電性銅ペーストのポットライフは、7日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、5.9×10−5Ω・cmであった。
〔実施例5〕
(D)成分として、トリエタノールアミン:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調整した。この導電性銅ペーストのポットライフは、6日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化物の比抵抗値は、8.6×10−5Ω・cmであった。
(D)成分として、トリエタノールアミン:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調整した。この導電性銅ペーストのポットライフは、6日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化物の比抵抗値は、8.6×10−5Ω・cmであった。
〔実施例6〕
(C)成分として、リノール酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、7日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は6.0×10−5Ω・cmであった。
(C)成分として、リノール酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、7日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は6.0×10−5Ω・cmであった。
〔実施例7〕
(C)成分として、リノレン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は5.9×10−5Ω・cmであった。
(C)成分として、リノレン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は5.9×10−5Ω・cmであった。
〔比較例1〕
オレイン酸、およびトリエタノールアミンを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、7.1×10−4Ω・cmであった。
オレイン酸、およびトリエタノールアミンを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、7.1×10−4Ω・cmであった。
〔比較例2〕
トリエタノールアミンを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、2.9×10−4Ω・cmであった。
トリエタノールアミンを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、2.9×10−4Ω・cmであった。
〔比較例3〕
オレイン酸を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、12日間であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、4.7×10−4Ω・cmであった。
オレイン酸を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、12日間であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、4.7×10−4Ω・cmであった。
〔比較例4〕
(D)成分の代わりに、イミダゾール(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、品名:2PHZ−PW)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、1.8×10−4Ω・cmであった。
(D)成分の代わりに、イミダゾール(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、品名:2PHZ−PW)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、1.8×10−4Ω・cmであった。
〔比較例5〕
(C)成分の代わりに、室温で固体状の脂肪酸であるパルミチン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、4日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、7.5×10−5Ω・cmであった。
(C)成分の代わりに、室温で固体状の脂肪酸であるパルミチン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、4日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、7.5×10−5Ω・cmであった。
〔比較例6〕
(C)成分の代わりに、室温で固体状の脂肪酸であるステアリン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、2日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、6.7×10−5Ω・cmであった。
(C)成分の代わりに、室温で固体状の脂肪酸であるステアリン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、2日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、6.7×10−5Ω・cmであった。
〔比較例7〕
(D)成分の代わりに、モノエタノールアミン(MEA):3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、1.4×10−4Ω・cmであった。
(D)成分の代わりに、モノエタノールアミン(MEA):3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、1.4×10−4Ω・cmであった。
〔比較例8〕
(D)成分の代わりに、ジエタノールアミン(DEA)3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は9.2×10−5Ω・cmであった。
(D)成分の代わりに、ジエタノールアミン(DEA)3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は9.2×10−5Ω・cmであった。
〔実施例8〜10、比較例9〜11〕
本発明と、特許文献1に記載された発明との比較試験を行った。表2に示す組成にしたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。調製した導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値を、測定した。表2に結果を示す。
本発明と、特許文献1に記載された発明との比較試験を行った。表2に示す組成にしたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。調製した導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値を、測定した。表2に結果を示す。
〔実施例11〜14〕
表3に示す組成にしたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製し、評価を行った。実施例14の(A)成分−2には、ナミックス製液相還元球状銅粉(特開平9−165606号公報に記載された方法で作製、平均粒径:6μm)を使用した。表3に、比抵抗とポットライフの結果を示す。
表3に示す組成にしたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製し、評価を行った。実施例14の(A)成分−2には、ナミックス製液相還元球状銅粉(特開平9−165606号公報に記載された方法で作製、平均粒径:6μm)を使用した。表3に、比抵抗とポットライフの結果を示す。
表1からわかるように、実施例1〜7の全てで、大気雰囲気中、高温短時間で硬化させたときの比抵抗値が、1×10−4Ω・cm未満で、ポットライフが6日以上であった。これに対して、(C)成分および(D)成分を含まない比較例1は、比抵抗値が高かった。(D)成分を含まない比較例2は、比抵抗値が高く、ポットライフが短かった。(C)成分を含まない比較例3は、比抵抗値が高かった。(D)成分の代わりにイミダゾールを用いた比較例4は、比抵抗値が高く、ポットライフが短かった。(C)成分の代わりにパルミチン酸を用いた比較例5は、ポットライフが短かった。(C)成分の代わりにステアリン酸を用いた比較例6は、ポットライフが短かった。(D)成分の代わりにMEAを用いた比較例7は、比抵抗値が高く、ポットライフが短かった。(D)成分の代わりにDEAを用いた比較例8は、ポットライフが短かった。
表2からわかるように、実施例8〜10では、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、(A)成分が85〜90部の全てで、比抵抗値が、1×10−4Ω・cm未満であった。これに対して、比較例9〜11では、(A)成分の含有量により、比抵抗が多く変化し、比抵抗が1番小さい比較例10でも、比抵抗が2.438×10−4Ω・cmであった。
表3からわかるように、実施例11〜14の全てで、大気雰囲気中、高温短時間で硬化させたときの比抵抗値が、1×10−4Ω・cm未満で、ポットライフが6日以上であった。
上記のように、本発明の導電性銅ペーストは、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗値が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しないため、非常に有用である。
Claims (11)
- (A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペースト。
- (C)成分が、オレイン酸、リノール酸、およびリノレン酸から選ばれる少なくとも1種である、請求項1記載の導電性銅ペースト。
- (B)成分が、レゾール型フェノール樹脂である、請求項1または2記載の導電性銅ペースト。
- (B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部である、請求項1〜3のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
- (C)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部である、請求項1〜4のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
- (D)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部である、請求項1〜5のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
- 初期粘度が、8〜12Pa・sの範囲である、請求項1〜6のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
- 25℃で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、1週間以上である、請求項1〜7のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載の導電性銅ペーストの硬化物である、導電性銅ペースト硬化膜。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載の導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法。
- 請求項9記載の導電性銅ペースト硬化膜を有する、半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015043245 | 2015-03-05 | ||
JP2015043245 | 2015-03-05 | ||
PCT/JP2016/056042 WO2016140185A1 (ja) | 2015-03-05 | 2016-02-29 | 導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016140185A1 true JPWO2016140185A1 (ja) | 2017-12-14 |
Family
ID=56848164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017503467A Pending JPWO2016140185A1 (ja) | 2015-03-05 | 2016-02-29 | 導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10347388B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2016140185A1 (ja) |
KR (1) | KR20170122728A (ja) |
CN (1) | CN107210085A (ja) |
TW (1) | TW201638244A (ja) |
WO (1) | WO2016140185A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017029953A1 (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、銅ペースト、および半導体装置 |
JP7081064B2 (ja) | 2016-01-19 | 2022-06-07 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置 |
JP2017141330A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、導電性銅ペーストの硬化物、および半導体装置 |
JP6948111B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2021-10-13 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置 |
JPWO2019004331A1 (ja) | 2017-06-30 | 2020-04-23 | 積水化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
JP7048877B2 (ja) | 2017-09-22 | 2022-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 多層基板の製造方法、および、部品実装基板の製造方法 |
WO2019093121A1 (ja) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
JP6877750B2 (ja) * | 2017-12-06 | 2021-05-26 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト |
CN109509568B (zh) * | 2017-12-29 | 2021-06-08 | 太原氦舶新材料有限责任公司 | 一种高性能导电银浆 |
US11929341B2 (en) * | 2018-06-26 | 2024-03-12 | Alpha Assembly Solutions Inc. | Nano copper paste and film for sintered die attach and similar applications |
SG11202105564QA (en) * | 2018-11-29 | 2021-06-29 | Showa Denko Materials Co Ltd | Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste |
CN110491543B (zh) * | 2019-07-30 | 2021-06-08 | 北京氦舶科技有限责任公司 | 一种触摸屏用导电银浆及其制备方法 |
WO2021153383A1 (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-05 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性ペーストおよび半導体装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0216172A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 半田付可能な導電塗料 |
JPH10330801A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅微粉末及びその製造方法 |
JP2002332502A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅ペースト用の表面処理銅粉、その表面処理銅粉の製造方法、その表面処理銅粉を用いた銅ペースト及びその銅ペーストを用いたプリント配線板 |
JP2003105402A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電ペースト用の銅粉及びその銅粉を用いた導電ペースト並びにその導電ペーストを用いた導体を含んだチップ部品 |
JP2005190907A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理金属粉、その表面処理金属粉を用いた導電性ペースト、及びその導電性ペーストを用いて得られるプリント配線板及びチップ部品 |
WO2006013793A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 導電ペーストおよびそれを用いた電子部品搭載基板 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0239901B1 (en) * | 1986-03-31 | 1992-11-11 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd | Conductive copper paste composition |
JPH0662900B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1994-08-17 | タツタ電線株式会社 | 導電塗料 |
JPH0377202A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Daido Steel Co Ltd | 導電性組成物 |
JP2702796B2 (ja) * | 1990-02-23 | 1998-01-26 | 旭化成工業株式会社 | 銀合金導電性ペースト |
JP2514516B2 (ja) * | 1992-02-05 | 1996-07-10 | タツタ電線株式会社 | 半田付け可能な導電性ペ―スト |
JP3309231B2 (ja) * | 1993-08-25 | 2002-07-29 | タツタ電線株式会社 | 金属酸化物成形体との密着性の良い導電塗料 |
JPH09165606A (ja) | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Takeshi Hayakawa | 銅粉末の製造方法 |
JPH1064333A (ja) | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 導電性銅ペースト組成物及びそれを用いたプリント回路基板の製造方法 |
JPH1085984A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-07 | Aoki Metal:Kk | はんだ付け用フラックス及びやに入りはんだ |
US7214419B2 (en) * | 2002-05-31 | 2007-05-08 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Conductive paste multilayered board including the conductive paste and process for producing the same |
KR100779770B1 (ko) * | 2002-07-17 | 2007-11-27 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판 |
JP4840097B2 (ja) | 2006-11-20 | 2011-12-21 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性銅ペースト |
CN101294012B (zh) * | 2007-04-27 | 2011-05-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种导电涂料及其制备方法及导电涂层 |
JP2009021149A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性ペースト |
JP2009295895A (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路板用導電性ペースト |
CN106663880B (zh) * | 2014-08-29 | 2019-07-30 | 三井金属矿业株式会社 | 导电体的连接结构及其制造方法、导电性组合物以及电子部件模块 |
US9637647B2 (en) * | 2015-08-13 | 2017-05-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | Photonic sintering of a polymer thick film copper conductor composition |
WO2017029953A1 (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、銅ペースト、および半導体装置 |
JP7081064B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2022-06-07 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置 |
-
2016
- 2016-02-29 KR KR1020177021997A patent/KR20170122728A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-02-29 CN CN201680009284.8A patent/CN107210085A/zh active Pending
- 2016-02-29 JP JP2017503467A patent/JPWO2016140185A1/ja active Pending
- 2016-02-29 WO PCT/JP2016/056042 patent/WO2016140185A1/ja active Application Filing
- 2016-02-29 US US15/555,319 patent/US10347388B2/en active Active
- 2016-03-03 TW TW105106472A patent/TW201638244A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0216172A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 半田付可能な導電塗料 |
JPH10330801A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅微粉末及びその製造方法 |
JP2002332502A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅ペースト用の表面処理銅粉、その表面処理銅粉の製造方法、その表面処理銅粉を用いた銅ペースト及びその銅ペーストを用いたプリント配線板 |
JP2003105402A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電ペースト用の銅粉及びその銅粉を用いた導電ペースト並びにその導電ペーストを用いた導体を含んだチップ部品 |
JP2005190907A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理金属粉、その表面処理金属粉を用いた導電性ペースト、及びその導電性ペーストを用いて得られるプリント配線板及びチップ部品 |
WO2006013793A1 (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 導電ペーストおよびそれを用いた電子部品搭載基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201638244A (zh) | 2016-11-01 |
CN107210085A (zh) | 2017-09-26 |
US10347388B2 (en) | 2019-07-09 |
KR20170122728A (ko) | 2017-11-06 |
WO2016140185A1 (ja) | 2016-09-09 |
US20180061520A1 (en) | 2018-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2016140185A1 (ja) | 導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 | |
JP7081064B2 (ja) | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置 | |
JP6099472B2 (ja) | 金属ナノ粒子分散体、金属ナノ粒子分散体の製造方法および接合方法 | |
JP2006331788A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた配線基板 | |
JP6647031B2 (ja) | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、硬化物、半導体装置 | |
KR20170012437A (ko) | 접합재 및 그것을 사용한 접합 방법 | |
CN103985431B (zh) | 一种高强度印刷电路板导电银浆及其制备方法 | |
JP2017069175A (ja) | 導電性ペースト及び導電膜 | |
WO2019189512A1 (ja) | 導電性接着剤組成物 | |
TW201840693A (zh) | 電極形成用樹脂組合物及晶片型電子零件以及其製造方法 | |
JP2011187194A (ja) | 導電性ペースト | |
JP6948111B2 (ja) | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置 | |
JP6714244B2 (ja) | 樹脂組成物、銅ペースト、および半導体装置 | |
JP2017141330A (ja) | 樹脂組成物、導電性銅ペースト、導電性銅ペーストの硬化物、および半導体装置 | |
JP7369031B2 (ja) | ペースト組成物、及び電子部品装置の製造方法 | |
JP2009205899A (ja) | 導電性ペースト組成物およびプリント配線板 | |
WO2017057201A1 (ja) | 導電性ペースト及び導電膜 | |
JP2011129335A (ja) | 加熱硬化型銀ペーストおよびこれを用いて形成した導体膜 | |
JP2010090264A (ja) | 機能性導電塗料とそれを用いた印刷配線板の製造方法 | |
JP2009205908A (ja) | 導電性ペースト組成物およびプリント配線板 | |
JP2018181558A (ja) | 導電性銅ペースト | |
JP4089368B2 (ja) | 導電性ペースト | |
JP2010055787A (ja) | 銀ペースト | |
KR20200093678A (ko) | 도전성 접착제 조성물, 도전성 접착제 경화물 및 전자 기기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200107 |