JPWO2016140185A1 - 導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 - Google Patents

導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 Download PDF

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Abstract

大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しない導電性銅ペーストを提供することを目的とする。(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペーストである。(B)成分が、レゾール型フェノール樹脂であると好ましく、(B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部であると、より好ましい。

Description

本発明は、導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置に関し、特に、大気雰囲気化で焼成可能な導電性銅ペースト、この導電性銅ペーストの硬化膜、この導電性銅ペースト硬化膜を有する半導体装置に関する。
半導体素子の電極部と基板の導電部とが接着された半導体装置は、非常に広範に使用されており、半導体素子の電極部と基板の導電部との接着には、導電性接着剤やはんだ付けが使用されている。導電性接着剤は、はんだ付けより低温で接着させることができる、という利点があるが、はんだよりバルク抵抗が高いため、導電性接着剤の低抵抗化が検討されている。
従来の導電性接着剤は、導電性フィラーとして、銀を使用している。しかしながら、銀のマイグレーション性や価格高騰のため、銅を導電性フィラーとして使用することが検討されている。また、この銅を使用する導電性接着剤には、酸化しやすい銅を大気雰囲気中で硬化させることも求められている。
銅を導電性フィラーとして使用するペーストとして、所定の粒度分布とタップ密度の銅粉、熱硬化性樹脂、有機カルボン酸、及びキレート剤、更にポリブタジエンを必須成分とする導電性銅ペーストが開示されている(特許文献1の請求項1、第0013、0022段落)。
この導電性銅ペーストは、スクリーン印刷が可能で、導電性銀ペーストに匹敵する良好な導電性を有し、かつ耐マイグレーション性を併せ持つファインピッチ対応のスルーホール用として好適な導電性銅ペーストを目的としており(特許文献1の第0008段落)、有機カルボン酸として、具体例としては、サリチル酸、安息香酸、酒石酸、クエン酸、マレイン酸、コハク酸、フマル酸、マロン酸等が挙げられている(特許文献1の第0018段落)。なお、これらの有機カルボン酸は、いずれも常温で固体である。
また、銅を含む金属粉と、少なくとも2個の(メタ)アクリル基を含有する化合物と、β−ジカルボニル化合物を含み、実質的にアゾ化合物および過酸化物を含まないことを特徴とする回路基板用導電性ペーストが開示されている(特許文献2の請求項1)。この回路基板用導電性ペーストでは、フラックス活性を有する化合物を含んでよいことが記載されており(特許文献2の第0014段落)、フラックス活性を有する化合物として、オレイン酸等の脂肪族カルボン酸が挙げられている(特許文献2の第0038、0046段落)。
他にも、一分子中に少なくとも2個以上の水酸基を持ち、かつ1個以上の3級アミンを含むプレポリマー、銅粉、アミノ樹脂、及び還元剤を含有し、酸性エッチング液によりエッチング可能な導電性銅ペースト組成物が開示されており(特許文献3の請求項1)、還元剤として、オレイン酸、リノール酸等の炭素数12〜23の不飽和モノカルボン酸が挙げられている(特許文献3の第0016段落)。
しかしながら、これらの導電性銅ペーストには、硬化条件が高温短時間(例えば、210℃で10分間)の場合に、比抵抗が高くなる、銅粉の含有量により硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗が大きく変化してしまう、という問題があることがわかった。
特開2008−130301号公報 特開2009−295895号公報 特開平10−064333号公報
本発明者らは、鋭意研究の結果、銅粉と、常温で液状の脂肪酸と、トリエタノールアミンとを併用することにより、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗が低く、銅粉の含有量により硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗が大きく変化しない導電性銅ペーストを見出した。すわなち、本発明は、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、硬化後に比抵抗が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しない導電性銅ペーストを提供することを目的とする。
本発明は、以下の構成を有することによって上記問題を解決した導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法、および半導体装置に関する。
〔1〕(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペースト。
〔2〕(C)成分が、オレイン酸、リノール酸、およびリノレン酸から選ばれる少なくとも1種である、上記〔1〕記載の導電性銅ペースト。
〔3〕(B)成分が、レゾール型フェノール樹脂である、上記〔1〕または〔2〕記載の導電性銅ペースト。
〔4〕(B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部である、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔5〕(C)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部である、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔6〕(D)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔7〕初期粘度が、8〜12Pa・sである、上記〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の導電性銅ペースト。
〔8〕25℃で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、1週間以上である、上記〔1〕〜〔7〕いずれか記載の導電性銅ペースト。
〔9〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の導電性銅ペーストの硬化物である、導電性銅ペースト硬化膜。
〔10〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法。
〔11〕上記〔9〕記載の導電性銅ペースト硬化膜を有する、半導体装置。
本発明〔1〕によれば、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗値が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しない(比抵抗値が1×10−4Ω・cm未満である)導電性銅ペーストを提供することができる。
本発明〔9〕によれば、高信頼性の半導体装置を得るための導電性銅ペースト硬化膜を提供することができる。本発明〔10〕によれば、高信頼性の半導体装置を得るための導電性銅ペースト硬化膜を、大気雰囲気下の加熱で簡便に得ることができる。本発明〔11〕によれば、例えば、半導体素子の電極部と基板の導電部との間の接続抵抗値が小さい高信頼性の半導体装置を得ることができる。
〔導電性銅ペースト〕
本発明の導電性銅ペーストは、(A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする。
(A)である銅粉は、硬化後の導電性銅ペーストに導電性を付与する。(A)成分としては、棒状、フレーク状、球状の銅粉が挙げられ、硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗の観点から、棒状、フレーク状が好ましい。(A)成分は、粒子形状の樹枝状銅粉(電解銅粉)を解砕してえられた棒状の銅粉が、より好ましく、脂肪酸、特にオレイン酸で表面処理を行った棒状の銅粉が、さらに好ましい。(A)成分の市販品としては、三井金属鉱業(株)製の電解銅粉(ECY)が挙げられ、脂肪酸、特にオレイン酸で表面処理を行った電解銅粉(10%粒子径:3.4μm、50%粒子径:8.1μm、90%粒子径:15.2μm、タップ密度:4.4 g/cm)が、より好ましい。ここで、粒子径は、レーザー回折・散乱式粒子分布測定装置で、タップ密度は、振盪比重測定機(タップマシン)で測定する。(A)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。
(B)成分である熱硬化性樹脂は、導電性銅ペーストに接着性、硬化性を付与する。(B)成分としては、熱硬化収縮性、密着性の観点から、フェノール樹脂が好ましく、レゾール型フェノール樹脂が、より好ましい。(B)成分の市販品としては、昭和電工(株)製のレゾール型フェノール樹脂(品名:CKM−918A)が挙げられる。(B)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。なお、レゾール型フェノール樹脂のような固形の樹脂は、ペーストを作製するにあたり、後述する(E)成分である溶剤と加熱混合して液状にしたうえで用いてもよい。
(C)成分は、銅粉表面の酸化層を溶出させるフラックス成分として機能する。ここで、常温とは、25℃をいう。(C)成分は、液状であるため、導電性銅ペーストでの均一性が良くなり、(A)成分である銅粉の表面への濡れ性も良くなる、と考えられる。(C)成分は、炭素=炭素の二重結合を含む不飽和脂肪酸が好ましい。(C)成分としては、
オレイン酸(CH(CHCH=CH(CHCOOH、シス−9−オクタデセン酸)、
リノール酸(CH−(CH−CH=CHCHCH=CH(CHCOOH、シス−9,シス−12−オクタデカジエン酸)、
リノレン酸(CHCHCH=CHCHCH=CHCHCH=CH(CHCOOH、シス−9,シス−12,シス−15−オクタデカトリエン酸)
が挙げられ、オレイン酸が、より好ましい。(C)成分は、単独でも2種以上を併用してもよい。
(D)成分であるトリエタノールアミン(TEA、N(CHCHOH))は、(C)成分のフラックス効果で溶出した銅イオンを固定化し、かつ室温下(25℃)での脂肪酸のカルボキシル基の作用を抑制する。
(A)成分は、導電性銅ペーストの硬化性と、硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗の観点から、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、80〜90質量部であると好ましく、87.5質量部が特に好ましい。
また、(A)成分は、導電性銅ペーストの硬化物の場合も、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、80〜90質量部であると好ましく、87.5質量部が特に好ましい。ここで、導電性銅ペーストは、硬化時の質量減少が1%未満と少ないため、硬化物中での好ましい(A)成分の含有量は、硬化前の(A)成分の含有量と同様である。ここで、(A)成分の定量分析は、熱重量分析装置で行う。
(B)成分は、導電性銅ペーストの硬化性と、硬化後の導電性銅ペーストの比抵抗の観点から、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部であると好ましく、12.5質量部が特に好ましい。
また、(B)成分は、導電性銅ペーストの硬化物の場合も、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部であると好ましく、12.5質量部が特に好ましい。ここで、(B)成分の定量分析は、イオンクロマトグラフ−質量分析装置で行う。
(C)成分は、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部であると好ましく、1質量部であると、より好ましい。(C)成分が0.8質量部より少ないと、銅ペースト硬化膜の比抵抗値が高くなり易く、3質量部より多いと、銅ペーストのポットライフが短くなり易くなる。
また、(C)成分は、導電性銅ペーストの硬化物の場合も、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部であると好ましい。ここで、(C)成分の定量分析は、イオンクロマトグラフ−質量分析装置で行う。
(D)成分は、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部であると好ましく、3質量部であると、より好ましい。(D)成分が1質量部より少ないと、銅ペーストのポットライフが短くなり易く、5質量部より多いと、銅ペースト硬化膜の比抵抗値が高くなり易くなる。
導電性銅ペーストは、さらに、(B)成分が固形である場合の溶融・液状化および導電性銅ペーストの粘度調製の観点から、(E)成分として溶剤を用いることができる。(E)成分は熱硬化性樹脂の溶解性や硬化条件を考慮して適宜選択することができ、具体的には、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テルピネオール、ジヒドロテルピネオール、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどを挙げることができる。(B)成分がフェノール樹脂である場合にはブチルカルビトールを用いることが好ましい。
(E)成分は、導電性銅ペースト100質量部に対して、10〜20質量部であると好ましい。
本発明の導電性銅ペーストには、本発明の目的を損なわない範囲で、更に必要に応じ、レベリング剤、着色剤、イオントラップ剤、消泡剤、難燃剤、その他の添加剤等を配合することができる。
本発明の導電性銅ペーストは、例えば、(A)成分〜(D)成分およびその他添加剤等を同時にまたは別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶融、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、3本ロールミル、ボールミル、プラネタリーミキサー、ビーズミル等を使用することができる。また、これら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
導電性銅ペーストの初期粘度は、8〜12Pa・sの範囲であると、スクリーン印刷性の観点から好ましい。ここで、導電性銅ペーストの初期粘度は、導電性銅ペーストを作製した後、1時間以内に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で測定する。
導電性銅ペーストのポットライフは、室温(25℃)で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、6日以上であると好ましい。
本発明の導電性銅ペーストは、スクリーン印刷、ディスペンサー等で、基板の導電部や、半導体素子の電極部等の電子部品の所望の位置に形成・塗布される。
本発明の導電性銅ペーストの硬化条件は、大気雰囲気下、150〜300℃、5〜30分間が好ましく、特に、200〜220℃で5〜15分間での高温短時間が適している。導電性銅ペーストの硬化物である導電性銅ペースト硬化膜は、低比抵抗である。ここで、本発明の導電性銅ペースト硬化膜の製造方法は、導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする。
本発明の導電性銅ペーストは、半導体素子の電極部と基板の導電部等の電子部品用接着剤として適している。
〔半導体装置〕
本発明の半導体装置は、導電性銅ペースト硬化膜を有する。半導体装置は、例えば、導電部を有する基板と、電極部を有する半導体素子とを含み、上記導電性銅ペーストの硬化物である導電性銅ペースト硬化膜で、基板の導電部と半導体素子の電極部とが接合される。
本発明の半導体装置は、半導体素子の電極部と基板の導電部との間の接続抵抗値が小さく、高信頼性である。
本発明について、実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、部、%はことわりのない限り、質量部、質量%を示す。
実施例、比較例では、
(A)成分として、三井金属鉱業(株)製オレイン酸表面処理電解銅粉(10%粒子径:3.4μm、50%粒子径:8.1μm、90%粒子径:15.2μm、タップ密度:4.4g/cm)を、
(B)成分として、昭和電工(株)製のレゾール型フェノール樹脂(品名:CKM−918Aを、
(C)成分として、和光純薬工業(株)製のオレイン酸、リノール酸、リノレン酸を、
(C)成分の代替成分(室温で固体)として、和光純薬工業(株)製のパルミチン酸(CH(CH14COOH(ヘキサデカン酸)、ステアリン酸(CH(CH16COOH(オクタデカン酸)を、
(D)成分として、和光純薬工業(株)製トリエタノールアミン(TEA:品名:2,2’,2”−ニトリロトリエタノール)を、
(D)成分の代替成分として、四国化成工業(株)製のイミダゾール(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、品名:2PHZ−PW)、和光純薬工業(株)製のモノエタノールアミン(MEA、NHCHCHOH、品名:2−アミノエタノール)、ジエタノールアミン(DEA、NH(CHCHOH)、品名:2,2’−イミノジエタノール)を、
(E)成分として、シェルケミカルズジャパン(株)製のブチルカルビトール(CH(CHO(CHO(CHOH、2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールまたはジエチレングリコールモノブチルエーテル)を使用した。
〔評価方法〕
《初期粘度測定》
導電性銅ペーストを作製した後、1時間以内に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で、導電性銅ペーストの初期粘度を測定した。
《ポットライフの測定》
導電性銅ペーストを25℃で保持し、24時間毎に、ブルックフィールド型(B型)粘度計を用い、25℃、50回転で粘度を測定し、初期値の1.2倍(20%増加)以上になるまでの時間を測定した。
《比抵抗値測定》
アルミナ基板上に、導電性銅ペーストを、スクリーン印刷機で、幅:1mm、長さ:71mmのパターンを印刷し、送風定温乾燥機で、大気雰囲気中、210℃×10分間加熱処理して、硬化させた。得られた導電性銅ペースト硬化膜の膜厚は、(株)東京精密製表面粗さ形状測定機(型番:サーフコム1500SD−2)を用いて、抵抗値は、(株)TFFケースレーインスツルメンツ製デジタルマルチメーター(型番:2001)を用いて、それぞれ測定し、体積抵抗率を算出し、比抵抗値とした。
〔実施例1〕
(A)成分としてオレイン酸表面処理電解銅粉:87.5質量部、(B)成分としてのレゾール型フェノール樹脂12.5部を(E)成分としてブチルカルビトール10.2部に加熱溶解させたもの、(C)成分としてオレイン酸:1部、および(D)成分としてトリエタノールアミン:3部を、三本ロールミルで均一に混練し、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、5.6×10−5Ω・cmであった。
〔実施例2〕
オレイン酸表面処理電解銅粉:85質量部、レゾール型フェノール樹脂15部をブチルカルビトール12.3部に加熱溶解させたものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、9.6×10−5Ω・cmであった。なお、ポットライフの測定は、行わなかった。
〔実施例3〕
オレイン酸表面処理電解銅粉:90質量部、レゾール型フェノール樹脂10部をブチルカルビトール8.2部に加熱溶解させたものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、6.4×10−5Ω・cmであった。なお、ポットライフの測定は、行わなかった。
〔実施例4〕
(C)成分として、オレイン酸:3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調整した。この導電性銅ペーストのポットライフは、7日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、5.9×10−5Ω・cmであった。
〔実施例5〕
(D)成分として、トリエタノールアミン:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調整した。この導電性銅ペーストのポットライフは、6日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化物の比抵抗値は、8.6×10−5Ω・cmであった。
〔実施例6〕
(C)成分として、リノール酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、7日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は6.0×10−5Ω・cmであった。
〔実施例7〕
(C)成分として、リノレン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は5.9×10−5Ω・cmであった。
〔比較例1〕
オレイン酸、およびトリエタノールアミンを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、8日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、7.1×10−4Ω・cmであった。
〔比較例2〕
トリエタノールアミンを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、2.9×10−4Ω・cmであった。
〔比較例3〕
オレイン酸を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、12日間であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、4.7×10−4Ω・cmであった。
〔比較例4〕
(D)成分の代わりに、イミダゾール(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、品名:2PHZ−PW)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、1.8×10−4Ω・cmであった。
〔比較例5〕
(C)成分の代わりに、室温で固体状の脂肪酸であるパルミチン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、4日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、7.5×10−5Ω・cmであった。
〔比較例6〕
(C)成分の代わりに、室温で固体状の脂肪酸であるステアリン酸:1部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、2日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、6.7×10−5Ω・cmであった。
〔比較例7〕
(D)成分の代わりに、モノエタノールアミン(MEA):3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日未満であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は、1.4×10−4Ω・cmであった。
〔比較例8〕
(D)成分の代わりに、ジエタノールアミン(DEA)3部を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。この導電性銅ペーストのポットライフは、1日間であった。また、この導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値は9.2×10−5Ω・cmであった。
Figure 2016140185
〔実施例8〜10、比較例9〜11〕
本発明と、特許文献1に記載された発明との比較試験を行った。表2に示す組成にしたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製した。調製した導電性銅ペースト硬化膜の比抵抗値を、測定した。表2に結果を示す。
Figure 2016140185
〔実施例11〜14〕
表3に示す組成にしたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性銅ペーストを調製し、評価を行った。実施例14の(A)成分−2には、ナミックス製液相還元球状銅粉(特開平9−165606号公報に記載された方法で作製、平均粒径:6μm)を使用した。表3に、比抵抗とポットライフの結果を示す。
Figure 2016140185
表1からわかるように、実施例1〜7の全てで、大気雰囲気中、高温短時間で硬化させたときの比抵抗値が、1×10−4Ω・cm未満で、ポットライフが6日以上であった。これに対して、(C)成分および(D)成分を含まない比較例1は、比抵抗値が高かった。(D)成分を含まない比較例2は、比抵抗値が高く、ポットライフが短かった。(C)成分を含まない比較例3は、比抵抗値が高かった。(D)成分の代わりにイミダゾールを用いた比較例4は、比抵抗値が高く、ポットライフが短かった。(C)成分の代わりにパルミチン酸を用いた比較例5は、ポットライフが短かった。(C)成分の代わりにステアリン酸を用いた比較例6は、ポットライフが短かった。(D)成分の代わりにMEAを用いた比較例7は、比抵抗値が高く、ポットライフが短かった。(D)成分の代わりにDEAを用いた比較例8は、ポットライフが短かった。
表2からわかるように、実施例8〜10では、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、(A)成分が85〜90部の全てで、比抵抗値が、1×10−4Ω・cm未満であった。これに対して、比較例9〜11では、(A)成分の含有量により、比抵抗が多く変化し、比抵抗が1番小さい比較例10でも、比抵抗が2.438×10−4Ω・cmであった。
表3からわかるように、実施例11〜14の全てで、大気雰囲気中、高温短時間で硬化させたときの比抵抗値が、1×10−4Ω・cm未満で、ポットライフが6日以上であった。
上記のように、本発明の導電性銅ペーストは、大気雰囲気中で硬化可能で、ポットライフが長く、高温短時間の硬化条件でも比抵抗値が低く、銅粉の含有量により硬化後の比抵抗が大きく変化しないため、非常に有用である。

Claims (11)

  1. (A)銅粉、(B)熱硬化性樹脂、(C)常温で液状の脂肪酸、および(D)トリエタノールアミンを含有することを特徴とする、導電性銅ペースト。
  2. (C)成分が、オレイン酸、リノール酸、およびリノレン酸から選ばれる少なくとも1種である、請求項1記載の導電性銅ペースト。
  3. (B)成分が、レゾール型フェノール樹脂である、請求項1または2記載の導電性銅ペースト。
  4. (B)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、10〜20質量部である、請求項1〜3のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
  5. (C)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、0.8〜3質量部である、請求項1〜4のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
  6. (D)成分が、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、1〜5質量部である、請求項1〜5のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
  7. 初期粘度が、8〜12Pa・sの範囲である、請求項1〜6のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
  8. 25℃で保持した時、初期粘度の1.2倍以上の粘度になるまでの時間が、1週間以上である、請求項1〜7のいずれか1項記載の導電性銅ペースト。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項記載の導電性銅ペーストの硬化物である、導電性銅ペースト硬化膜。
  10. 請求項1〜8のいずれか1項記載の導電性銅ペーストを、基板にスクリーン印刷した後、大気雰囲気下、200〜220℃で、5〜15分間加熱することを特徴とする、導電性銅ペースト硬化膜の製造方法。
  11. 請求項9記載の導電性銅ペースト硬化膜を有する、半導体装置。
JP2017503467A 2015-03-05 2016-02-29 導電性銅ペースト、導電性銅ペースト硬化膜および半導体装置 Pending JPWO2016140185A1 (ja)

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017029953A1 (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 ナミックス株式会社 樹脂組成物、銅ペースト、および半導体装置
JP7081064B2 (ja) 2016-01-19 2022-06-07 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置
JP2017141330A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、導電性銅ペーストの硬化物、および半導体装置
JP6948111B2 (ja) * 2016-02-09 2021-10-13 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置
JPWO2019004331A1 (ja) 2017-06-30 2020-04-23 積水化学工業株式会社 導電性ペースト
JP7048877B2 (ja) 2017-09-22 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 多層基板の製造方法、および、部品実装基板の製造方法
WO2019093121A1 (ja) * 2017-11-13 2019-05-16 京セラ株式会社 ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品
JP6877750B2 (ja) * 2017-12-06 2021-05-26 ナミックス株式会社 導電性ペースト
CN109509568B (zh) * 2017-12-29 2021-06-08 太原氦舶新材料有限责任公司 一种高性能导电银浆
US11929341B2 (en) * 2018-06-26 2024-03-12 Alpha Assembly Solutions Inc. Nano copper paste and film for sintered die attach and similar applications
SG11202105564QA (en) * 2018-11-29 2021-06-29 Showa Denko Materials Co Ltd Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste
CN110491543B (zh) * 2019-07-30 2021-06-08 北京氦舶科技有限责任公司 一种触摸屏用导电银浆及其制备方法
WO2021153383A1 (ja) * 2020-01-28 2021-08-05 住友ベークライト株式会社 導電性ペーストおよび半導体装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0216172A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 半田付可能な導電塗料
JPH10330801A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅微粉末及びその製造方法
JP2002332502A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅ペースト用の表面処理銅粉、その表面処理銅粉の製造方法、その表面処理銅粉を用いた銅ペースト及びその銅ペーストを用いたプリント配線板
JP2003105402A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電ペースト用の銅粉及びその銅粉を用いた導電ペースト並びにその導電ペーストを用いた導体を含んだチップ部品
JP2005190907A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表面処理金属粉、その表面処理金属粉を用いた導電性ペースト、及びその導電性ペーストを用いて得られるプリント配線板及びチップ部品
WO2006013793A1 (ja) * 2004-08-03 2006-02-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. 導電ペーストおよびそれを用いた電子部品搭載基板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0239901B1 (en) * 1986-03-31 1992-11-11 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd Conductive copper paste composition
JPH0662900B2 (ja) * 1987-12-23 1994-08-17 タツタ電線株式会社 導電塗料
JPH0377202A (ja) * 1989-08-18 1991-04-02 Daido Steel Co Ltd 導電性組成物
JP2702796B2 (ja) * 1990-02-23 1998-01-26 旭化成工業株式会社 銀合金導電性ペースト
JP2514516B2 (ja) * 1992-02-05 1996-07-10 タツタ電線株式会社 半田付け可能な導電性ペ―スト
JP3309231B2 (ja) * 1993-08-25 2002-07-29 タツタ電線株式会社 金属酸化物成形体との密着性の良い導電塗料
JPH09165606A (ja) 1995-12-15 1997-06-24 Takeshi Hayakawa 銅粉末の製造方法
JPH1064333A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Taiyo Ink Mfg Ltd 導電性銅ペースト組成物及びそれを用いたプリント回路基板の製造方法
JPH1085984A (ja) * 1996-09-10 1998-04-07 Aoki Metal:Kk はんだ付け用フラックス及びやに入りはんだ
US7214419B2 (en) * 2002-05-31 2007-05-08 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Conductive paste multilayered board including the conductive paste and process for producing the same
KR100779770B1 (ko) * 2002-07-17 2007-11-27 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판
JP4840097B2 (ja) 2006-11-20 2011-12-21 住友ベークライト株式会社 導電性銅ペースト
CN101294012B (zh) * 2007-04-27 2011-05-25 比亚迪股份有限公司 一种导电涂料及其制备方法及导电涂层
JP2009021149A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト
JP2009295895A (ja) 2008-06-09 2009-12-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 回路板用導電性ペースト
CN106663880B (zh) * 2014-08-29 2019-07-30 三井金属矿业株式会社 导电体的连接结构及其制造方法、导电性组合物以及电子部件模块
US9637647B2 (en) * 2015-08-13 2017-05-02 E I Du Pont De Nemours And Company Photonic sintering of a polymer thick film copper conductor composition
WO2017029953A1 (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 ナミックス株式会社 樹脂組成物、銅ペースト、および半導体装置
JP7081064B2 (ja) * 2016-01-19 2022-06-07 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0216172A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 半田付可能な導電塗料
JPH10330801A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅微粉末及びその製造方法
JP2002332502A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅ペースト用の表面処理銅粉、その表面処理銅粉の製造方法、その表面処理銅粉を用いた銅ペースト及びその銅ペーストを用いたプリント配線板
JP2003105402A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電ペースト用の銅粉及びその銅粉を用いた導電ペースト並びにその導電ペーストを用いた導体を含んだチップ部品
JP2005190907A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表面処理金属粉、その表面処理金属粉を用いた導電性ペースト、及びその導電性ペーストを用いて得られるプリント配線板及びチップ部品
WO2006013793A1 (ja) * 2004-08-03 2006-02-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. 導電ペーストおよびそれを用いた電子部品搭載基板

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Publication number Publication date
TW201638244A (zh) 2016-11-01
CN107210085A (zh) 2017-09-26
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KR20170122728A (ko) 2017-11-06
WO2016140185A1 (ja) 2016-09-09
US20180061520A1 (en) 2018-03-01

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