JPWO2016002241A1 - エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品 - Google Patents

エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016002241A1
JPWO2016002241A1 JP2015554921A JP2015554921A JPWO2016002241A1 JP WO2016002241 A1 JPWO2016002241 A1 JP WO2016002241A1 JP 2015554921 A JP2015554921 A JP 2015554921A JP 2015554921 A JP2015554921 A JP 2015554921A JP WO2016002241 A1 JPWO2016002241 A1 JP WO2016002241A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
compound
resin composition
naphthol
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015554921A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5904387B1 (ja
Inventor
陽祐 広田
陽祐 広田
高光 中村
高光 中村
泰 佐藤
泰 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
DIC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DIC Corp filed Critical DIC Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP5904387B1 publication Critical patent/JP5904387B1/ja
Publication of JPWO2016002241A1 publication Critical patent/JPWO2016002241A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/02Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
    • C08G59/04Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof
    • C08G59/06Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof of polyhydric phenols
    • C08G59/08Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof of polyhydric phenols from phenol-aldehyde condensates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/04Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/04Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
    • C08J5/10Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material characterised by the additives used in the polymer mixture
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1515Three-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1545Six-membered rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/04Epoxynovolacs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326Organic insulating material consisting of one material containing O
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676Single layer compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C08J2363/04Epoxynovolacs
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/0959Plated through-holes or plated blind vias filled with insulating material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Abstract

得られる硬化物の熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を有するエポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、上記性能を兼備した硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び成形品を提供すること。本発明は、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、下記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)とを必須成分として含み、前記キサンテン化合物(C)の含有率がGPC測定における面積比率で0.1%〜5.5%であることを特徴とするエポキシ樹脂であることを特徴とする。

Description

本発明は、得られる硬化物において熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができるエポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、前記性能を兼備した硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品に関する。
エポキシ樹脂とフェノール性水酸基含有樹脂からなる硬化性樹脂組成物は、接着剤、成形材料、塗料、フォトレジスト材料、顕色材料等に用いられるほか、得られる硬化物の優れた耐熱性や耐湿性などに優れる点から半導体封止材やプリント配線板用絶縁材料等の電気・電子分野で幅広く用いられている。
これらの各種用途のうち、プリント配線基板の分野では、電子機器の小型化・高性能化の流れに伴い、半導体装置の配線ピッチの狭小化による高密度化の傾向が著しく、これに対応した半導体実装方法として、半田ボールにより半導体装置と基板とを接合させるフリップチップ接続方式が広く用いられている。このフリップチップ接続方式は、配線板と半導体との間に半田ボールを配置したのち、全体を加熱して溶融接合させる所謂リフロー方式による半導体実装方式であるので、配線板が半田リフロー時に高熱環境に晒される。そのため、高熱環境により配線板が熱収縮すると、配線板と半導体を接続する半田ボールに大きな応力が発生し、配線の接続不良を起こす場合があった。よって、プリント配線板に用いられる絶縁材料には、低熱膨張率の材料が求められている。
また、半導体封止材料の分野では、鉛フリー半田への移行によりリフロー処理温度が高温化するに至り、耐半田クラック性(リフロー性)の向上が求められている。よって、半導体封止材料には、硬化物において高い耐熱性と低い吸湿率を有する材料が求められている。
加えて、近年、環境問題に対する法規制等により、鉛を使用しない高融点半田が主流となっており、リフロー温度が高くなっている。それに伴い、リフロー時の絶縁材料の体積変化による、プリント配線基板の反りに起因する接続不良も深刻になってきている。よって、熱履歴後の体積変化が小さい材料が求められている。
このような要求に対応するために、例えば、特許文献1にはナフトールとホルムアルデヒドとエピクロルヒドリンを反応させて得られるナフトールノボラック型エポキシ樹脂を主剤とした熱硬化性樹脂組成物が、低熱膨張性等の技術課題を解決するものとして記載されている。
然し乍ら、前記ナフトールノボラック型エポキシ樹脂は、一般的なフェノールノボラック型エポキシ樹脂と比較して、得られる硬化物の耐熱性、熱膨張率、及び吸湿率について改良効果が認められるものの、近年要求される高耐熱性、低熱膨張性、低吸湿率のレベルを十分満足できるものではなかった。また、前記樹脂から得られる硬化物は、熱履歴により体積が大きく変化するために、前記したプリント配線基板の接続不良を生じやすいものであった。
特公昭62−20206号公報
従って、本発明が解決しようとする課題は、得られる硬化物の熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができるエポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、前記性能を兼備した硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品を提供することにある。
本発明者らは、前記課題を解決するため、鋭意検討した結果、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、キサンテン化合物(C)とを必須成分として含み、前記キサンテン化合物の含有率がGPC測定における面積比率で0.1%〜5.5%であるエポキシ樹脂が、その硬化物において熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、下記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)とを必須成分として含み、前記キサンテン化合物の含有率がGPC測定における面積比率で0.1%〜5.5%であることを特徴とするエポキシ樹脂に関する。
Figure 2016002241
但し、構造式(1)〜(3)中、Rは、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基、炭素原子数1〜4のアルコキシ基を表し、mはそれぞれ独立して1〜6の整数を表す。
本発明は、更に、前記エポキシ樹脂と、硬化剤とを必須成分とする硬化性樹脂組成物に関する。
本発明は、更に、前記硬化性樹脂組成物を硬化反応させてなる硬化物に関する。
本発明は、更に、前記硬化性樹脂組成物と、無機充填材とを含有する半導体封止材料に関する。
本発明は、更に、前記半導体封止材料を加熱硬化させて得られる半導体装置に関する。
本発明は、更に、前記硬化性樹脂組成物を有機溶剤に希釈したものを補強基材に含浸し、得られる含浸基材を半硬化させることにより得られるプリプレグに関する。
本発明は、更に、前記硬化性樹脂組成物を有機溶剤に希釈したワニスを得、これを板状に賦形したものと銅箔とを加熱加圧成型することにより得られる回路基板に関する。
本発明は、更に、前記硬化性樹脂組成物を有機溶剤に希釈したものを基材フィルム上に塗布し、乾燥させることにより得られるビルドアップフィルムに関する。
本発明は、更に、前記ビルドアップフィルムを回路が形成された回路基板に塗布し、加熱硬化させて得られる回路基板に凹凸を形成し、次いで前記回路基板にめっき処理を行うことにより得られるビルドアップ基板に関する。
本発明は、更に、前記硬化性樹脂組成物と、強化繊維とを含有する繊維強化複合材料に関する。
本発明は、更に、前記繊維強化複合材料を硬化させてなる繊維強化成形品に関する。
本発明によれば、得られる硬化物において熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができるエポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、前記性能を兼備した硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品を提供できる。
合成例1で得られたフェノール樹脂のGPCチャートである。 合成例2で得られたエポキシ樹脂のGPCチャートである。 合成例2で得られたエポキシ樹脂のFD−MSのスペクトルである。 合成例2で得られたエポキシ樹脂の13C−NMRスペクトルである。 合成例3で得られたフェノール樹脂のGPCチャートである。 合成例4で得られたエポキシ樹脂のGPCチャートである。 合成例5で得られたフェノール樹脂のGPCチャートである。 合成例6で得られたエポキシ樹脂のGPCチャートである。 合成例7で得られたフェノール樹脂のGPCチャートである。 合成例8で得られたエポキシ樹脂のGPCチャートである。 合成例9で得られたフェノール樹脂のGPCチャートである。 合成例10で得られたエポキシ樹脂のGPCチャートである。 合成例11で得られたフェノール樹脂のGPCチャートである。 合成例12で得られたエポキシ樹脂のGPCチャートである。
<エポキシ樹脂>
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のエポキシ樹脂は、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、下記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)とを必須成分として含み、前記キサンテン化合物(C)の含有率がGPC測定における面積比率で0.1%〜5.5%であることを特徴としている。
Figure 2016002241
但し、構造式(1)〜(3)中、Rはそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基、炭素原子数1〜4のアルコキシ基を表し、mはそれぞれ独立して1〜6の整数を表す。
前記Rが表す炭素原子数1〜4の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。炭素原子数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、t-プロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基等が挙げられる。
なお、前記で記載した化合物の中でも、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させる硬化物が得られるという観点から、Rは水素原子であることが好ましい。
即ち、本発明のエポキシ樹脂は、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、前記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)を含む混合物であり、その混合物のなかに、前記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)をGPC測定における面積比率で0.1%〜5.5%含むことで、硬化物において熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができるという機能を有するものである。中でも、硬化物の熱膨張率、吸湿性、及び熱履歴後の体積変化を低減する効果がより高まることから、前記キサンテン化合物(C)の含有率はGPC測定における面積比率で0.5%〜5.0%の範囲であることが好ましく、0.8%〜4.5%の範囲であることがより好ましい。
なお、エポキシ樹脂における前記キサンテン化合物(C)の含有率が0.1%未満の場合には、硬化物中に極性基が多く発生する上、キサンテン化合物骨格と分子骨格同士の相互作用が不十分なものとなるため、その硬化物は、熱膨張率と吸湿性が大きく、かつ熱履歴後の体積変化も大きいものとなる。反対に、前記含有率が5.5%を越える場合には、硬化物中の架橋密度が低下するため、その硬化物は熱膨張率が大きく、耐熱性が大幅に低下する。
一方、本発明のエポキシ樹脂における前記ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)の含有率は、熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができる硬化物が得られることから、GPC測定における面積比率で0.1%〜4.0%の範囲であることが好ましく、0.5%〜3.5%の範囲であることがより好ましい。
また、本発明のエポキシ樹脂は、熱履歴後の体積変化率が小さく、高耐熱性、低吸湿性を発現させることができる硬化物が得られることから、前記グリシジルエーテル化合物(B)と、前記キサンテン化合物(C)との合計含有率は、GPC測定における面積比率で1.0%〜8.0%であることが好ましく、2.0%〜7.0%の範囲であることがより好ましい。
また、本発明のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、高耐熱性で熱履歴後の体積変化率が小さい硬化物が得られることから、220g/eq〜275g/eqの範囲であることが好ましい。より好ましくは、220g/eq〜270g/eqの範囲である。
なお、本発明における各種含有率とは、下記の条件によるGPC測定によって計算される、本発明のエポキシ樹脂の全ピーク面積に対する、前記各構造体のピーク面積の存在割合である。
<GPC測定条件>
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
検出器: RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
(使用ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(50μl)。
A.クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂
前記のように、本発明のエポキシ樹脂は、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)を必須成分として含んでいる。クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)は、クレゾールのグリシジルエーテル化合物とナフトールのグリシジルエーテル化合物が2価のメチレン基を介して結合したものである。クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、下記構造式(4)で表されるものが挙げられる。
Figure 2016002241
ただし、構造式(4)において、Gはグリシジル基、Rは、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、または炭素原子数1〜4のアルコキシ基を示し、a、bはそれぞれ独立に1〜20の数を示し、nは1〜3の整数を示す。
炭素原子数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、t-プロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基等が挙げられる。
なお、前記構造式(4)で表される化合物の中でも、得られるエポキシ樹脂の硬化物が高耐熱性と低熱膨張率を兼備し、熱履歴後の体積変化が小さくなるという性質を発現させることができるという観点から、Rは水素原子であるものが好ましい。
B.グリシジルエーテル化合物
また、前記のように、本発明のエポキシ樹脂は、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)を必須成分として含んでいる。前記グリシジルエーテル化合物(B)としては、例えば、下記構造式(5)で表されるものが挙げられる。
Figure 2016002241
ただし、構造式(5)において、Gはグリシジル基、Rは、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、または炭素原子数1〜4のアルコキシ基を示し、nは1〜3の整数を示す。
炭素原子数1〜4のアルコキシ基における具体的な置換基ついては、前述した通りである。
なお、前記構造式(5)で表される化合物の中でも、Rが水素原子である場合が、エポキシ樹脂の硬化物における熱履歴後の体積変化が少なくなる点から好ましい。
<エポキシ樹脂の製造方法>
以上詳述した本発明のエポキシ樹脂は、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、キサンテン化合物(C)とを、前記キサンテン化合物(C)がGPCの面積比で0.1%〜5.5%の割合で含まれるように配合することによって製造することができる。しかし、下記の方法により製造することが、工業的な生産性に優れると共に、混合物の均一性に優れる点から好ましい。
そのようなエポキシ樹脂の製造方法は、クレゾールと、ナフトール化合物と、ホルムアルデヒドとを、常圧、不活性ガス雰囲気下、60〜100℃の範囲で、酸触媒を用いて脱水縮合反応させたのち、常圧、不活性ガス雰囲気下、101〜119℃の範囲で熱履歴を与えてフェノール樹脂を得る工程(工程1)と、前記工程で得られたフェノール樹脂とエピハロヒドリンとを反応させる工程(工程2)から構成される。
<工程1>
上記のように、工程1では、クレゾールと、ナフトール化合物と、ホルムアルデヒドとを、常圧、不活性ガス雰囲気下、60〜100℃の範囲で、酸触媒を用いて脱水縮合反応を実施したのち、常圧、不活性ガス雰囲気下、101〜119℃の範囲で熱履歴を与える。前記の条件でクレゾールと、ナフトール化合物と、ホルムアルデヒドとを反応させることにより、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型フェノール樹脂と、ナフトール化合物と、キサンテン化合物とを必須成分として含むフェノール樹脂を得ることができる。なお、常圧とは特別に減圧も加圧もしないときの圧力であり、通常、大気圧に等しい圧力を指す。
より詳細に説明すると、工程1では、酸触媒を用いることで、キサンテン化合物(C)が生成し、さらに、常圧、不活性ガス雰囲気下、60〜100℃の範囲で脱水縮合反応した後に、常圧、不活性ガス雰囲気下、101〜119℃の範囲で熱履歴を与えることで、工程2の終了時に、上記キサンテン化合物(C)がGPCの面積比で0.1%〜5.5%の割合で含まれるエポキシ樹脂を得ることができるものである。
なお、前記反応にアルカリ触媒を用いた場合は、工程2の終了時に前記キサンテン化合物(C)が得られない。また、前記反応を減圧下や、酸化性雰囲気下で実施した場合は、工程2の終了時に前記所定量を越える量のキサンテン化合物(C)が生成する。
さらに、常圧、不活性ガス雰囲気下で反応を実施しても、脱水縮合反応を所定の温度範囲以下で実施した場合は、クレゾールが十分に反応しないか、工程2の終了時に前記所定量を越える量のキサンテン化合物(C)が生成する。同様に、常圧、不活性ガス雰囲気下で反応を実施しても、101〜119℃の温度範囲で熱履歴を与えないと、工程2が終了したときに前記範囲内のキサンテン化合物(C)が生成しない。
即ち、前記の条件の下でクレゾールとナフトール化合物とホルムアルデヒドとを反応させないと、硬化物において熱履歴後の体積変化が少なく、低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができるエポキシ樹脂を(工程2において)製造できない。
なお、前記熱履歴は、常圧、不活性ガス雰囲気下、系の温度が101〜119℃となるように、1分〜12時間の間、与えることが好ましい。
ここで用いる酸触媒としては、例えば、酸触媒としては塩酸、硫酸、リン酸などの無機酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、シュウ酸などの有機酸、三弗化ホウ素、無水塩化アルミニウム、塩化亜鉛などのルイス酸などが挙げられる。その使用量は、原料成分であるクレゾールとナフトール化合物のフェノール性水酸基の総数に対して、モル基準で0.001〜2.0倍量となる範囲であることが好ましい。
ここで用いる不活性ガスとしては、前記化学反応や化合物に対して不活性な気体であれば限定されないが、窒素やアルゴンを用いることが生産コストの観点から好ましい。
また、前記反応に用いる有機溶剤としては、メチルセロソルブ、イソプロピルアルコール、エチルセロソルブ、トルエン、キシレン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。本発明における有機溶剤の使用量は、原料成分であるクレゾールとナフトール化合物の総質量100質量部あたり、10〜300質量部の範囲であることが、得られる樹脂が低粘度となる点から好ましい。
1.クレゾール
なお、エポキシ樹脂の製造方法では、前記のようにクレゾールとナフトール化合物とホルムアルデヒドを原料成分とする。前記製造方法に用いるクレゾールとしては、o-クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾールが挙げられる。なお、前記の中でも、分子量を制御しやすい点からo-クレゾール、p−クレゾールが好ましい。
2.ナフトール化合物
また、前記製造方法に用いるナフトール化合物としては、α−ナフトール、β−ナフトール、又はα−ナフトール、β−ナフトールにメチル基、エチル基、プロピル基、t−ブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基が核置換した化合物等が挙げられる。なお、前記の中でも、得られるエポキシ樹脂の硬化物が高耐熱性と低熱膨張率を兼備し、熱履歴後の体積変化が小さくなるという性質を発現するといった観点から、α−ナフトール、β−ナフトールが好ましい。
3.ホルムアルデヒド
また、前記製造方法に用いるホルムアルデヒドとしては、水溶液の状態であるホルマリン溶液でも、固形状態であるパラホルムアルデヒドでもよい。
工程1におけるクレゾールと、ナフトール化合物との使用割合は、モル比(クレゾール/ナフトール化合物)が0.1〜2.0となる範囲であることが、最終的に得られるエポキシ樹脂中の各成分比率の調整が容易である点から好ましい。
ホルムアルデヒドの仕込み比率は、クレゾール及びナフトール化合物の総モル数に対して、ホルムアルデヒドが、モル基準で0.6〜2.0倍量となる割合であること、特に、低熱膨張性に優れる点から、0.6〜1.5倍量となる割合であることが好ましい。
なお、反応終了後は、反応混合物のpH値が4〜7になるまで中和あるいは水洗処理を行うことが好ましい。中和処理や水洗処理は常法にしたがって行えばよく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基性物質を中和剤として用いることができる。中和あるいは水洗処理を行った後は、減圧加熱下で有機溶剤を留去することで、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型フェノール樹脂と、ナフトール化合物と、キサンテン化合物とを含み、工程2の終了時に、前記キサンテン化合物(C)を前記所定量含むエポキシ樹脂を与えるフェノール樹脂を製造するものである。
<工程2>
工程2では、工程1で得られたクレゾール−ナフトール共縮ノボラック型フェノール樹脂1モルに対し、エピハロヒドリン1〜10モルを添加し、更に、クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型フェノール樹脂1モルに対し0.9〜2.0モルの塩基性触媒を一括添加または徐々に添加しながら20〜120℃の温度で0.5〜10時間反応させる方法が挙げられる。この塩基性触媒は固形でもその水溶液を使用してもよく、水溶液を使用する場合は、連続的に添加すると共に、反応混合物中から減圧下、または常圧下、連続的に水及びエピハロヒドリン類を留出せしめ、更に分液して水は除去しエピハロヒドリン類は反応混合物中に連続的に戻す方法でもよい。
なお、工業生産を行う際、エポキシ樹脂生産の初バッチでは仕込みに用いるエピハロヒドリン類の全てが新しいものであるが、次バッチ以降は、粗反応生成物から回収されたエピハロヒドリン類と、反応で消費される分で消失する分に相当する新しいエピハロヒドリン類とを併用することが好ましい。この際、グリシドール等、エピクロルヒドリンと水、有機溶剤等との反応により誘導される不純物を含有していても良い。この時、使用するエピハロヒドリンは特に限定されないが、例えば、エピクロルヒドリン、エピブロモヒドリン、β−メチルエピクロルヒドリン等が挙げられる。これらの中でも、工業的に入手が容易なことからエピクロルヒドリンが好ましい。
また、前記塩基性触媒は、具体的には、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属水酸化物等が挙げられる。特にエポキシ樹脂合成反応の触媒活性に優れる点からアルカリ金属水酸化物が好ましく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。使用に際しては、これらの塩基性触媒を10質量%〜55質量%程度の水溶液の形態で使用してもよいし、固形の形態で使用しても構わない。また、有機溶媒を併用することにより、エポキシ樹脂の合成における反応速度を高めることができる。このような有機溶媒としては特に限定されないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、1−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ類、テトラヒドロフラン、1、4−ジオキサン、1、3−ジオキサン、ジエトキシエタン等のエーテル類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。これらの有機溶媒は、それぞれ単独で使用してもよいし、また、極性を調製するために適宜二種以上を併用してもよい。
続いて、前述のエポキシ化反応の反応物を水洗後、加熱減圧下、蒸留によって未反応のエピハロヒドリンや併用する有機溶媒を留去する。また更に加水分解性ハロゲンの少ないエポキシ樹脂とするために、得られたエポキシ樹脂を再びトルエン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなどの有機溶媒に溶解し、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液を加えてさらに反応を行うこともできる。この際、反応速度の向上を目的として、4級アンモニウム塩やクラウンエーテル等の相関移動触媒を存在させてもよい。相関移動触媒を使用する場合のその使用量としては、用いるエポキシ樹脂に対して0.1質量%〜3.0質量%の範囲が好ましい。反応終了後、生成した塩を濾過、水洗などにより除去し、更に、加熱減圧下トルエン、メチルイソブチルケトンなどの溶剤を留去することにより高純度のエポキシ樹脂を得ることができる。
<硬化性樹脂組成物>
本発明のクレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、前記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)とを必須成分として含むエポキシ樹脂は、硬化剤を併用できるものである。前記エポキシ樹脂に硬化剤を配合することで、硬化性樹脂組成物を作製することができる。
ここで用いることのできる硬化剤としては、例えば、アミン系化合物、アミド系化合物、酸無水物系化合物、フェノ−ル系化合物などの各種の公知の硬化剤が挙げられる。
具体的には、アミン系化合物としてはジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ−ル、BF−アミン錯体、グアニジン誘導体等が挙げられ、アミド系化合物としては、ジシアンジアミド、リノレン酸の2量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられる。酸無水物系化合物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。フェノール系化合物としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール付加型樹脂、フェノールアラルキル樹脂(ザイロック樹脂)、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェニロールメタン樹脂、テトラフェニロールエタン樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック樹脂、ビフェニル変性フェノール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール性水酸基含有化合物)、ビフェニル変性ナフトール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物)、アミノトリアジン変性フェノール樹脂(メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール性水酸基含有化合物)やアルコキシ基含有芳香環変性ノボラック樹脂(ホルムアルデヒドでフェノール核及びアルコキシ基含有芳香環が連結された多価フェノール性水酸基含有化合物)等の多価フェノール性水酸基含有化合物が挙げられる。
また、前記硬化性樹脂組成物は、前記で詳述したエポキシ樹脂に加え、その他の熱硬化性樹脂を併用しても良い。
その他の熱硬化性樹脂としては、例えば、シアネートエステル樹脂、ベンゾオキサジン構造を有する樹脂、マレイミド化合物、活性エステル樹脂、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、スチレンとマレイン酸無水物の共重合物などが挙げられる。前記した他の熱硬化性樹脂を併用する場合、その使用量は本発明の効果を阻害しなければ特に制限をうけないが、熱硬化性樹脂組成物100質量部中1〜50質量部の範囲であることが好ましい。
前記シアネートエステル樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールF型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールS型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールスルフィド型シアネートエステル樹脂、フェニレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ナフチレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ビフェニル型シアネートエステル樹脂、テトラメチルビフェニル型シアネートエステル樹脂、ポリヒドロキシナフタレン型シアネートエステル樹脂、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、クレゾールノボラック型シアネートエステル樹脂、トリフェニルメタン型シアネートエステル樹脂、テトラフェニルエタン型シアネートエステル樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型シアネートエステル樹脂、フェノールアラルキル型シアネートエステル樹脂、ナフトールノボラック型シアネートエステル樹脂、ナフトールアラルキル型シアネートエステル樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック型シアネートエステル樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック型シアネートエステル樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂型シアネートエステル樹脂、ビフェニル変性ノボラック型シアネートエステル樹脂、アントラセン型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。
これらのシアネートエステル樹脂の中でも、特に耐熱性に優れる硬化物が得られる点においては、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールF型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂、ポリヒドロキシナフタレン型シアネートエステル樹脂、ナフチレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ノボラック型シアネートエステル樹脂を用いることが好ましく、誘電特性に優れる硬化物が得られる点においては、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型シアネートエステル樹脂が好ましい。
ベンゾオキサジン構造を有する樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ビスフェノールFとホルマリンとアニリンの反応生成物(F−a型ベンゾオキサジン樹脂)やジアミノジフェニルメタンとホルマリンとフェノールの反応生成物(P−d型ベンゾオキサジン樹脂)、ビスフェノールAとホルマリンとアニリンの反応生成物、ジヒドロキシジフェニルエーテルとホルマリンとアニリンの反応生成物、ジアミノジフェニルエーテルとホルマリンとフェノールの反応生成物、ジシクロペンタジエン−フェノール付加型樹脂とホルマリンとアニリンの反応生成物、フェノールフタレインとホルマリンとアニリンの反応生成物、ジフェニルスルフィドとホルマリンとアニリンの反応生成物などが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。
前記マレイミド化合物としては、例えば、下記構造式(i)〜(iii)の何れかで表される各種の化合物等が挙げられる。
Figure 2016002241
(式中Rはm価の有機基であり、α及びβはそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基の何れかであり、sは1以上の整数である。)
Figure 2016002241
(式中Rは水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基の何れかであり、sは1〜3の整数、tは繰り返し単位の平均で0〜10である。)
Figure 2016002241
(式中Rは水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基の何れかであり、sは1〜3の整数、tは繰り返し単位の平均で0〜10である。)これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。
前記活性エステル樹脂としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。前記活性エステル樹脂は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物又はそのハライドとヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル樹脂が好ましく、カルボン酸化合物又はそのハライドと、フェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル樹脂がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等、又はそのハライドが挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、ジヒドロキシジフェニルエーテル、フェノールフタレイン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン−フェノール付加型樹脂等が挙げられる。
活性エステル樹脂として、具体的にはジシクロペンタジエン−フェノール付加構造を含む活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル樹脂等が好ましく、なかでもピール強度の向上に優れるという点で、ジシクロペンタジエン−フェノール付加構造を含む活性エステル樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル樹脂がより好ましい。ジシクロペンタジエン−フェノール付加構造を含む活性エステル樹脂として、より具体的には下記一般式(iv)で表される化合物が挙げられる。
Figure 2016002241
但し、式(iv)中、Rはフェニル基又はナフチル基であり、uは0又は1を表し、nは繰り返し単位の平均で0.05〜2.5である。なお、樹脂組成物の硬化物の誘電正接を低下させ、耐熱性を向上させるという観点から、Rはナフチル基が好ましく、uは0が好ましく、また、nは0.25〜1.5が好ましい。
本発明の硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂組成物のみでも硬化は進行するが、硬化促進剤を併用してもよい。硬化促進剤としてはイミダゾール、ジメチルアミノピリジンなどの3級アミン化合物;トリフェニルホスフィンなどの燐系化合物;3フッ化ホウ素、3フッ化ホウ素モノエチルアミン錯体などの3フッ化ホウ素アミン錯体;チオジプロピオン酸等の有機酸化合物;チオジフェノールベンズオキサジン、スルホニルベンズオキサジン等のベンズオキサジン化合物;スルホニル化合物等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。これら触媒の添加量は、硬化性樹脂組成物100質量部中0.001〜15質量部の範囲であることが好ましい。
また、本発明の硬化性樹脂組成物に高い難燃性が求められる用途に用いる場合には、実質的にハロゲン原子を含有しない非ハロゲン系難燃剤を配合してもよい。
前記非ハロゲン系難燃剤は、例えば、リン系難燃剤、窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤、無機系難燃剤、有機金属塩系難燃剤等が挙げられ、それらの使用に際しても何等制限されるものではなく、単独で使用しても、同一系の難燃剤を複数用いても良く、また、異なる系の難燃剤を組み合わせて用いることも可能である。
前記リン系難燃剤は、無機系、有機系のいずれも使用することができる。無機系化合物としては、例えば、赤リン、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、リン酸三アンモニウム、ポリリン酸アンモニウム等のリン酸アンモニウム類、リン酸アミド等の無機系含窒素リン化合物が挙げられる。
また、前記赤リンは、加水分解等の防止を目的として表面処理が施されていることが好ましく、表面処理方法としては、例えば、(i)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン、酸化ビスマス、水酸化ビスマス、硝酸ビスマス又はこれらの混合物等の無機化合物で被覆処理する方法、(ii)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン等の無機化合物、及びフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂の混合物で被覆処理する方法、(iii)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン等の無機化合物の被膜の上にフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂で二重に被覆処理する方法等が挙げられる。
前記有機リン系化合物は、例えば、リン酸エステル化合物、ホスホン酸化合物、ホスフィン酸化合物、ホスフィンオキシド化合物、ホスホラン化合物、有機系含窒素リン化合物等の汎用有機リン系化合物の他、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド、10−(2,5―ジヒドロオキシフェニル)−10H−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド、10−(2,7−ジヒドロオキシナフチル)−10H−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド等の環状有機リン化合物及びそれをエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の化合物と反応させた誘導体等が挙げられる。
これらリン系難燃剤の配合量としては、リン系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性樹脂組成物100質量部中、赤リンを非ハロゲン系難燃剤として使用する場合には0.1質量部〜2.0質量部の範囲で配合することが好ましく、有機リン化合物を用いる場合には同様に0.1質量部〜10.0質量部の範囲で配合することが好ましく、0.5質量部〜6.0質量部の範囲で配合することがより好ましい。
また前記リン系難燃剤を使用する場合、該リン系難燃剤にハイドロタルサイト、水酸化マグネシウム、ホウ素化合物、酸化ジルコニウム、黒色染料、炭酸カルシウム、ゼオライト、モリブデン酸亜鉛、活性炭等を併用してもよい。
前記窒素系難燃剤は、例えば、トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物、フェノチアジン等が挙げられ、トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物が好ましい。
前記トリアジン化合物は、例えば、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メロン、メラム、サクシノグアナミン、エチレンジメラミン、ポリリン酸メラミン、トリグアナミン等の他、例えば、(1)硫酸グアニルメラミン、硫酸メレム、硫酸メラムなどの硫酸アミノトリアジン化合物、(2)フェノール、クレゾール、キシレノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール類と、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン、ホルムグアナミン等のメラミン類及びホルムアルデヒドとの共縮合物、(3)前記(2)の共縮合物とフェノールホルムアルデヒド縮合物等のフェノール樹脂類との混合物、(4)前記(2)、(3)を更に桐油、異性化アマニ油等で変性したもの等が挙げられる。
前記シアヌル酸化合物は、例えば、シアヌル酸、シアヌル酸メラミン等を挙げることができる。
前記窒素系難燃剤の配合量としては、窒素系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性樹脂組成物100質量部中、0.05〜10質量部の範囲で配合することが好ましく、0.1質量部〜5質量部の範囲で配合することがより好ましい。
また前記窒素系難燃剤を使用する際、金属水酸化物、モリブデン化合物等を併用してもよい。
前記シリコーン系難燃剤は、ケイ素原子を含有する有機化合物であれば特に制限がなく使用でき、例えば、シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等が挙げられる。前記シリコーン系難燃剤の配合量としては、シリコーン系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性樹脂組成物100質量部中、0.05〜20質量部の範囲で配合することが好ましい。また前記シリコーン系難燃剤を使用する際、モリブデン化合物、アルミナ等を併用してもよい。
前記無機系難燃剤は、例えば、金属水酸化物、金属酸化物、金属炭酸塩化合物、金属粉、ホウ素化合物、低融点ガラス等が挙げられる。
前記金属水酸化物は、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ドロマイト、ハイドロタルサイト、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化ジルコニウム等を挙げることができる。
前記金属酸化物は、例えば、モリブデン酸亜鉛、三酸化モリブデン、スズ酸亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化コバルト、酸化ビスマス、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化タングステン等を挙げることができる。
前記金属炭酸塩化合物は、例えば、炭酸亜鉛、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、炭酸鉄、炭酸コバルト、炭酸チタン等を挙げることができる。
前記金属粉は、例えば、アルミニウム、鉄、チタン、マンガン、亜鉛、モリブデン、コバルト、ビスマス、クロム、ニッケル、銅、タングステン、スズ等を挙げることができる。
前記ホウ素化合物は、例えば、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸、ホウ砂等を挙げることができる。
前記低融点ガラスは、例えば、シープリー(ボクスイ・ブラウン社)、水和ガラスSiO−MgO−HO、PbO−B系、ZnO−P−MgO系、P−B−PbO−MgO系、P−Sn−O−F系、PbO−V−TeO系、Al−HO系、ホウ珪酸鉛系等のガラス状化合物を挙げることができる。
前記無機系難燃剤の配合量としては、無機系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性樹脂組成物100質量部中、0.05質量部〜20質量部の範囲で配合することが好ましく、0.5質量部〜15質量部の範囲で配合することがより好ましい。
前記有機金属塩系難燃剤は、例えば、フェロセン、アセチルアセトナート金属錯体、有機金属カルボニル化合物、有機コバルト塩化合物、有機スルホン酸金属塩、金属原子と芳香族化合物又は複素環化合物がイオン結合又は配位結合した化合物等が挙げられる。
前記有機金属塩系難燃剤の配合量としては、有機金属塩系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性樹脂組成物例えば、硬化性樹脂組成物100質量部中、0.005質量部〜10質量部の範囲で配合することが好ましい。
本発明の硬化性樹脂組成物は、必要に応じて無機充填材を配合することができる。前記無機充填材は、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、水酸化アルミ等が挙げられる。前記無機充填材の配合量を特に大きくする場合は溶融シリカを用いることが好ましい。前記溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め且つ成形材料の溶融粘度の上昇を抑制するためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布を適当に調整することが好ましい。その充填率は難燃性を考慮して、高い方が好ましく、硬化性樹脂組成物の全質量に対して20質量%以上が特に好ましい。また導電ペーストなどの用途に使用する場合は、銀粉や銅粉等の導電性充填剤を用いることができる。
本発明の硬化性樹脂組成物は、この他、必要に応じて、シランカップリング剤、離型剤、顔料、乳化剤等の種々の配合剤を添加することができる。
<硬化性樹脂組成物の用途>
本発明の硬化性樹脂組成物は、得られる硬化物が低熱膨張性と低吸湿性に優れ、かつ高い耐熱性を発現させることができることから、半導体封止材料、半導体装置、プリプレグ、プリント回路基板、ビルドアップ基板、ビルドアップフィルム、繊維強化複合材料、繊維強化樹脂成形品、導電ペースト等に適用することができる。
1.半導体封止材料
本発明の硬化性樹脂組成物から半導体封止材料を得る方法としては、前記硬化性樹脂組成物、前記硬化促進剤、及び無機充填剤等の配合剤とを必要に応じて押出機、ニ−ダ、ロ−ル等を用いて均一になるまで充分に溶融混合する方法が挙げられる。その際、無機充填剤としては、通常、溶融シリカが用いられるが、パワートランジスタ、パワーIC用高熱伝導半導体封止材として用いる場合は、溶融シリカよりも熱伝導率の高い結晶シリカ,アルミナ,窒化ケイ素などの高充填化、または溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、窒化ケイ素などを用いるとよい。その充填率は硬化性樹脂組成物100質量部当たり、無機充填剤を30質量%〜95質量%の範囲で用いることが好ましく、中でも、難燃性や耐湿性や耐半田クラック性の向上、線膨張係数の低下を図るためには、70質量部以上がより好ましく、80質量部以上であることがさらに好ましい。
2.半導体装置
本発明の硬化性樹脂組成物から半導体装置を得る方法としては、前記半導体封止材料を注型、或いはトランスファー成形機、射出成形機などを用いて成形し、さらに50〜200℃で2〜10時間の間、加熱する方法が挙げられる。
3.プリプレグ
本発明の硬化性樹脂組成物からプリプレグを得る方法としては、有機溶剤を配合してワニス化した硬化性樹脂組成物を、補強基材(紙、ガラス布、ガラス不織布、アラミド紙、アラミド布、ガラスマット、ガラスロービング布など)に含浸したのち、用いた溶剤種に応じた加熱温度、好ましくは50〜170℃で加熱することによって、得る方法が挙げられる。この時用いる樹脂組成物と補強基材の質量割合としては、特に限定されないが、通常、プリプレグ中の樹脂分が20質量%〜60質量%となるように調製することが好ましい。
ここで用いる有機溶剤としては、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、その選択や適正な使用量は用途によって適宜選択し得るが、例えば、下記のようにプリプレグからプリント回路基板をさらに製造する場合には、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド等の沸点が160℃以下の極性溶剤を用いることが好ましく、また、不揮発分が40質量%〜80質量%となる割合で用いることが好ましい。
4.プリント回路基板
本発明の硬化性樹脂組成物からプリント回路基板を得る方法としては、前記プリプレグを、常法により積層し、適宜銅箔を重ねて、1〜10MPaの加圧下に170〜300℃で10分〜3時間、加熱圧着させる方法が挙げられる。
5.ビルドアップ基板
本発明の硬化性樹脂組成物からビルドアップ基板を得る方法としては、工程1〜3を経由する方法が挙げられる。工程1では、まず、ゴム、フィラーなどを適宜配合した前記硬化性樹脂組成物を、回路を形成した回路基板にスプレーコーティング法、カーテンコーティング法等を用いて塗布した後、硬化させる。工程2では、必要に応じて、硬化性樹脂組成物が塗布された回路基板に所定のスルーホール部等の穴あけを行った後、粗化剤により処理し、その表面を湯洗することによって、前記基板に凹凸を形成させ、銅などの金属をめっき処理する。工程3では、工程1〜2の操作を所望に応じて順次繰り返し、樹脂絶縁層及び所定の回路パターンの導体層を交互にビルドアップしてビルドアップ基板を成形する。なお、前記工程において、スルーホール部の穴あけは、最外層の樹脂絶縁層の形成後に行うとよい。また、本発明のビルドアップ基板は、銅箔上で当該樹脂組成物を半硬化させた樹脂付き銅箔を、回路を形成した配線基板上に、170〜300℃で加熱圧着することで、粗化面を形成、メッキ処理の工程を省き、ビルドアップ基板を作製することも可能である。
6.ビルドアップフィルム
本発明の硬化性樹脂組成物からビルドアップフィルムを得る方法としては、例えば、支持フィルム上に硬化性樹脂組成物を塗布したのち、乾燥させて、支持フィルムの上に樹脂組成物層を形成する方法が挙げられる。本発明の硬化性樹脂組成物をビルドアップフィルムに用いる場合、該フィルムは、真空ラミネート法におけるラミネートの温度条件(通常70℃〜140℃)で軟化し、回路基板のラミネートと同時に、回路基板に存在するビアホール或いはスルーホール内の樹脂充填が可能な流動性(樹脂流れ)を示すことが肝要であり、このような特性を発現するよう前記各成分を配合することが好ましい。
ここで、回路基板のスルーホールの直径は通常0.1〜0.5mm、深さは通常0.1〜1.2mmであり、通常この範囲で樹脂充填を可能とするのが好ましい。なお回路基板の両面をラミネートする場合はスルーホールの1/2程度充填されることが望ましい。
前記したビルドアップフィルムを製造する具体的な方法としては、有機溶剤を配合してワニス化した硬化性樹脂組成物を調製した後、支持フィルム(Y)の表面に、前記組成物を塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥して硬化性樹脂組成物の層(X)を形成する方法が挙げられる。
ここで用いる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等を用いることが好ましく、また、不揮発分30質量%〜60質量%となる割合で使用することが好ましい。
なお、形成される前記樹脂組成物の層(X)の厚さは、通常、導体層の厚さ以上とする必要がある。回路基板が有する導体層の厚さは通常5〜70μmの範囲であるので、樹脂組成物層の厚さは10〜100μmの厚みを有するのが好ましい。なお、本発明における前記樹脂組成物の層(X)は、後述する保護フィルムで保護されていてもよい。保護フィルムで保護することにより、樹脂組成物層表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。
前記した支持フィルム及び保護フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、更には離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを挙げることができる。なお、支持フィルム及び保護フィルムはマッド処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。支持フィルムの厚さは特に限定されないが、通常10〜150μmであり、好ましくは25〜50μmの範囲で用いられる。また保護フィルムの厚さは1〜40μmとするのが好ましい。
前記した支持フィルム(Y)は、回路基板にラミネートした後に、或いは加熱硬化することにより絶縁層を形成した後に、剥離される。ビルドアップフィルムを構成する硬化性樹脂組成物層が加熱硬化した後に支持フィルム(Y)を剥離すれば、硬化工程でのゴミ等の付着を防ぐことができる。硬化後に剥離する場合、通常、支持フィルムには予め離型処理が施される。
なお、前記のようにして得られたビルドアップフィルムから多層プリント回路基板を製造することができる。例えば、前記樹脂組成物の層(X)が保護フィルムで保護されている場合はこれらを剥離した後、前記樹脂組成物の層(X)を回路基板に直接接するように回路基板の片面又は両面に、例えば真空ラミネート法によりラミネートする。ラミネートの方法はバッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。また必要により、ラミネートを行う前にビルドアップフィルム及び回路基板を必要により加熱(プレヒート)しておいてもよい。ラミネートの条件は、圧着温度(ラミネート温度)を70〜140℃とすることが好ましく、圧着圧力を1〜11kgf/cm(9.8×104〜107.9×104N/m)とすることが好ましく、空気圧を20mmHg(26.7hPa)以下の減圧下でラミネートすることが好ましい。
7.繊維強化複合材料
本発明の硬化性樹脂組成物から繊維強化複合材料(樹脂が強化繊維に含浸したシート状の中間材料)を得る方法としては、硬化性樹脂組成物を構成する各成分を均一に混合してワニスを調整し、次いでこれを強化繊維からなる強化基材に含浸した後、重合反応させることにより製造する方法が挙げられる。
かかる重合反応を行う際の硬化温度は、具体的には、50〜250℃の温度範囲であることが好ましく、特に、50〜100℃で硬化させ、タックフリー状の硬化物にした後、更に、120〜200℃の温度条件で処理することが好ましい。
ここで、強化繊維は、有撚糸、解撚糸、又は無撚糸などいずれでも良いが、解撚糸や無撚糸が、繊維強化プラスチック製部材の成形性と機械強度を両立することから、好ましい。さらに、強化繊維の形態は、繊維方向が一方向に引き揃えたものや、織物が使用できる。織物では、平織り、朱子織りなどから、使用する部位や用途に応じて自由に選択することができる。具体的には、機械強度や耐久性に優れることから、炭素繊維、ガラス繊維、アラミド繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維、炭化ケイ素繊維などが挙げられ、これらの2種以上を併用することもできる。これらの中でもとりわけ成形品の強度が良好なものとなる点から炭素繊維が好ましく、かかる、炭素繊維は、ポリアクリロニトリル系、ピッチ系、レーヨン系などの各種のものが使用できる。中でも、容易に高強度の炭素繊維が得られるポリアクリロニトリル系のものが好ましい。ここで、ワニスを強化繊維からなる強化基材に含浸して繊維強化複合材料とする際の強化繊維の使用量は、該繊維強化複合材料中の強化繊維の体積含有率が40%〜85%の範囲となる量であることが好ましい。
8.繊維強化樹脂成形品
本発明の硬化性樹脂組成物から繊維強化成形品(樹脂が強化繊維に含浸したシート状部材が硬化した成形品)を得る方法としては、型に繊維骨材を敷き、前記ワニスを多重積層してゆくハンドレイアップ法やスプレーアップ法、オス型・メス型のいずれかを使用し、強化繊維からなる基材にワニスを含浸させながら積み重ねて成形、圧力を成形物に作用させることのできるフレキシブルな型をかぶせ、気密シールしたものを真空(減圧)成型する真空バッグ法、あらかじめ強化繊維を含有するワニスをシート状にしたものを金型で圧縮成型するSMCプレス法、繊維を敷き詰めた合わせ型に前記ワニスを注入するRTM法などにより、強化繊維に前記ワニスを含浸させたプリプレグを製造し、これを大型のオートクレーブで焼き固める方法などが挙げられる。なお、前記で得られた繊維強化樹脂成形品は、強化繊維と硬化性樹脂組成物の硬化物とを有する成形品であり、具体的には、繊維強化成形品中の強化繊維の量は、40質量%〜70質量%の範囲であることが好ましく、強度の点から50質量%〜70質量%の範囲であることが特に好ましい。
9.導電ペースト
本発明の硬化性樹脂組成物から導電ペーストを得る方法としては、例えば、微細導電性粒子を該硬化性樹脂組成物中に分散させる方法が挙げられる。前記導電ペーストは、用いる微細導電性粒子の種類によって、回路接続用ペースト樹脂組成物や異方性導電接着剤とすることができる。
次に本発明を実施例、比較例により具体的に説明するが、以下において「部」及び「%」は特に断わりのない限り質量基準である。尚、GPC、13CNMR、FD−MSスペクトルは以下の条件にて測定した。
<GPCの測定条件>
GPCの測定は下記の条件で行った。
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
検出器: RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
(使用ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(50μl)。
13C−NMRの測定条件>
装置:日本電子株式会社製 AL−400、
測定モード:SGNNE(NOE消去の1H完全デカップリング法)、
溶媒:ジメチルスルホキシド、
パルス角度:45°パルス、
試料濃度 :30wt%、
積算回数 :1000回。
<FD−MSスペクトルの測定条件>
FD−MSスペクトルは、日本電子株式会社製の二重収束型質量分析装置「AX505H(FD505H)」を用いて測定した。
[合成例1]フェノール樹脂の合成
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、窒素ガスパージを施しながらα−ナフトール144g(1.0モル)、β−ナフトール577g(4.0モル)、o−クレゾール270g(2.5モル)、パラトルエンスルホン酸5gを仕込み、室温から70℃まで45分で昇温しながら撹拌した。続いて、42W%ホルマリン水溶液420g(5.8モル)を1時間要して滴下した。滴下終了後、110℃まで昇温して常圧下で2時間撹拌し、49%水酸化ナトリウム水溶液で中和、水洗して塩を除去した。その後160℃まで3時間で昇温し、反応系内に残った溶剤と水分を加熱減圧下に除去しフェノール樹脂を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は113℃(B&R法)、水酸基当量は165g/eqであった。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図1に示す。図1より、フェノール樹脂におけるナフトールモノマーのGPC測定における面積比は3.4%であり、キサンテン化合物のGPC測定における面積比は3.5%であった。
[合成例2]エポキシ樹脂(D−1)の合成
次いで、温度計、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに窒素ガスパージを施しながら合成例1で得られたフェノール樹脂165g(水酸基当量1.0g/eq)、エピクロルヒドリン555g(6.0モル)、n−ブタノール53gを仕込み溶解させた。50℃に昇温した後に、20%水酸化ナトリウム水溶液220g(1.10モル)を3時間要して添加し、その後更に50℃で1時間反応させた。反応終了後、150℃減圧下で未反応エピクロルヒドリンを留去した。次に、得られた粗エポキシ樹脂にメチルイソブチルケトン300gとn−ブタノール50gとを加え溶解した。更にこの溶液に10W%水酸化ナトリウム水溶液15gを添加して80℃で2時間反応させた後に洗浄液のpHが中性となるまで水100gで水洗を3回繰り返した。次いで共沸によって系内を脱水し、精密濾過を経た後に、溶媒を減圧下で留去してクレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、キサンテン化合物(C)を含むエポキシ樹脂(D−1)210gを得た。得られたエポキシ樹脂(D−1)のGPCチャートを図2に、FD−MSのスペクトルを図3に、13C−NMRスペクトルを図4に示す。ここで、図3のFD−MSスペクトルより、M=200、282のピークを観察されたことにより、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、キサンテン化合物(C)が生成していることを確認した。また、図2に示すGPCチャートにおいて、上記ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)は36.6分にピークを示し、上記キサンテン化合物(C)は37.4分にピークを示すことを確認した。ここで、図2に示すGPCチャートにおいて、エポキシ樹脂(D−1)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)の面積比は2.4%、キサンテン化合物(C)の面積比は3.5%であることを確認した。なお、得られたエポキシ樹脂の軟化点は81℃(B&R法)、エポキシ当量は242g/eqであった。
[合成例3]フェノール樹脂の合成
パラトルエンスルホン酸の量を5gから2gに変更したこと以外は合成例1と同様にしてフェノール樹脂を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は100℃(B&R法)、水酸基当量は156g/eqであった。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図5に示す。図5より、フェノール樹脂におけるナフトールモノマーのGPC測定における面積比は1.1%であり、キサンテン化合物のGPC測定における面積比は1.6%であった。
[合成例4]:エポキシ樹脂(D−2)の合成
合成例1のフェノール樹脂165gに代えて、合成例3で得られたフェノール樹脂を156g用いたこと以外は合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D−2)を得た。得られたエポキシ樹脂(D−2)の軟化点は74℃(B&R法)、エポキシ当量は230g/eqであった。得られたエポキシ樹脂(D−2)のGPCチャートを図6に示す。図6より、エポキシ樹脂(D−2)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のGPC測定における面積比は0.9%、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は1.5%であった。
[合成例5]フェノール樹脂の合成
o−クレゾールの量を270g(2.5モル)から216g(2.0モル)に変更したこと以外は合成例1と同様にしてフェノール樹脂を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は107℃(B&R法)、水酸基当量は160g/eqであった。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図7に示す。図7より、フェノール樹脂におけるナフトールモノマーのGPC測定における面積比は1.8%であり、キサンテン化合物のGPC測定における面積比は3.1%であった。
[合成例6]エポキシ樹脂(D−3)の合成
合成例1のフェノール樹脂165gに代えて、合成例5で得られたフェノール樹脂を160g用いたこと以外は合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D−3)を得た。得られたエポキシ樹脂(D−3)の軟化点は80℃(B&R法)、エポキシ当量は236g/eqであった。得られたエポキシ樹脂(D−3)のGPCチャートを図8に示す。図8より、エポキシ樹脂(D−3)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のGPC測定における面積比は1.8%、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は2.5%であった。
[合成例7]フェノール樹脂の合成
α−ナフトールの量を144g(1.0モル)から0g、o−クレゾールの量を270g(2.5モル)から216g(2.0モル)に変更したこと以外は合成例1と同様にしてフェノール樹脂を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は110℃(B&R法)、水酸基当量は169g/eqであった。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図9に示す。図9より、フェノール樹脂におけるナフトールモノマーのGPC測定における面積比は3.5%であり、キサンテン化合物のGPC測定における面積比は5.0%であった。
[合成例8]エポキシ樹脂(D−4)の合成
合成例1のフェノール樹脂165gに代えて、合成例7で得られたフェノール樹脂169gを用いたこと以外は合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D−4)を得た。得られたエポキシ樹脂(D−4)の軟化点は82℃(B&R法)、エポキシ当量は248g/eqであった。得られたエポキシ樹脂(D−4)のGPCチャートを図10に示す。図10より、エポキシ樹脂(D−4)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のGPC測定における面積比は2.2%、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は4.4%であった。
[合成例9]フェノール樹脂の合成
o−クレゾールの量を270g(2.5モル)から324g(3.0モル)に変更したこと以外は合成例1と同様にしてフェノール樹脂を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は122℃(B&R法)、水酸基当量は155g/eqであった。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図11に示す。図11より、フェノール樹脂におけるナフトールモノマーのGPC測定における面積比は1.6%であり、キサンテン化合物のGPC測定における面積比は2.5%であった。
[合成例10]エポキシ樹脂の合成(D−5)
合成例1のフェノール樹脂165gに代えて、合成例9で得られたフェノール樹脂155gを用いたこと以外は合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D−5)を得た。得られたエポキシ樹脂(D−5)の軟化点は93℃(B&R法)、エポキシ当量は234g/eqであった。得られたエポキシ樹脂(D−5)のGPCチャートを図12に示す。図12より、エポキシ樹脂(D−5)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のGPC測定における面積比は1.1%、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は2.5%であった。
[合成例11]フェノール樹脂の合成
α−ナフトールの量を144g(1.0モル)から0g(0モル)、o−クレゾールの量を281g(2.6モル)に変更したこと以外は合成例1と同様にしてフェノール樹脂を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は110℃(B&R法)、水酸基当量は158g/eqであった。得られたフェノール樹脂(A−6)のGPCチャートを図13に示す。図13より、フェノール樹脂におけるナフトールモノマーのGPC測定における面積比は1.2%であり、キサンテン化合物のGPC測定における面積比は5.6%であった。
[合成例12]エポキシ樹脂の合成(D−6)
合成例1のフェノール樹脂165gに代えて、合成例11で得られたフェノール樹脂158gに変更したこと以外は合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D−6)を得た。得られたエポキシ樹脂(D−6)の軟化点は82℃(B&R法)、エポキシ当量は238g/eqであった。得られたエポキシ樹脂(D−6)のGPCチャートを図14に示す。図14より、エポキシ樹脂(D−6)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のGPC測定における面積比は0.6%、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は5.3%であった。
[合成例13]エポキシ樹脂の合成(D−7)
合成例1のフェノール樹脂165gに代えて、合成例1のフェノール樹脂158g(水酸基0.96当量)、α−ナフトール6g(水酸基0.04当量)に変更した以外は合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D−7)を得た。得られたエポキシ樹脂(D−7)の軟化点は79℃(B&R法)、エポキシ当量は240g/eqであった。図示しないが、エポキシ樹脂(D−7)におけるナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のGPC測定における面積比は5.4%、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は3.4%であった。
[比較合成例1]フェノール樹脂の合成
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、窒素ガスパージを施しながらα−ナフトール505g(3.50モル)、水158g、蓚酸5gを仕込み、室温から100℃まで45分で昇温しながら撹拌した。続いて、42W%ホルマリン水溶液177g(2.45モル)を1時間要して滴下した。滴下終了後、さらに100℃で1時間攪拌し、その後180℃まで3時間で昇温した。反応終了後、加熱減圧下、水蒸気を吹き込むことによってフリーのα−ナフトールを除去してフェノール樹脂480部を得た。得られたフェノール樹脂の軟化点は142℃(B&R法)、水酸基当量は156g/eqであった。図示しないが、得られたフェノール樹脂におけるGPC測定において、α−ナフトールモノマーと、キサンテン化合物のピークは確認できなかった。
[比較合成例2]エポキシ樹脂の合成(D’−1)
次いで、温度計、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに窒素ガスパージを施しながら前記反応で得られたフェノール樹脂156g(水酸基1.0当量)、エピクロルヒドリン463g(5.0モル)、n−ブタノール53gを仕込み溶解させた。50℃に昇温した後に、20%水酸化ナトリウム水溶液220g(1.10モル)を3時間要して添加し、その後更に50℃で1時間反応させた。反応終了後、150℃減圧下で未反応エピクロルヒドリンを留去した。それで得られた粗エポキシ樹脂にメチルイソブチルケトン300gとn−ブタノール50gとを加え溶解した。更にこの溶液に10W%水酸化ナトリウム水溶液15gを添加して80℃で2時間反応させた後に洗浄液のpHが中性となるまで水100gで水洗を3回繰り返した。次いで共沸によって系内を脱水し、精密濾過を経た後に、溶媒を減圧下で留去してエポキシ樹脂(D’−1)202gを得た。得られたエポキシ樹脂(D’−1)の軟化点は122℃(B&R法)、エポキシ当量は239g/eqであった。図示しないが、得られたエポキシ樹脂におけるGPC測定において、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、キサンテン化合物(C)のピークは確認できなかった。
[比較合成例3]エポキシ樹脂の合成(D’−2)
α−ナフトールの量を505g(3.50モル)から6g(水酸基0.04当量)に変更したこと以外は比較合成例1と同様にしてフェノール樹脂を得た。次に、比較合成例1のフェノール樹脂156g(水酸基1.0当量)に代えて、前記で得られたフェノール樹脂150g(水酸基0.96当量)を用いたこと以外は比較合成例2と同様にしてエポキシ樹脂(D’−2)を得た。得られたエポキシ樹脂(D’−2)の軟化点は115℃(B&R法)、エポキシ当量は231g/eqであった。図示しないが、得られたエポキシ樹脂におけるGPC測定において、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)の面積比は3.8%であり、キサンテン化合物(C)のピークは確認できなかった。
[比較合成例4]エポキシ樹脂の合成(D’−3)
合成例2にて得たエポキシ樹脂(D−1)100gをメチルイソブチルケトン100gに溶解させた後、加熱減圧下、水蒸気を吹き込むことによって溶剤とナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)を除去したエポキシ樹脂(D’−3)を得た。得られたエポキシ樹脂(D’−3)の軟化点は87℃(B&R法)、エポキシ当量は244g/eqであった。図示しないが、得られたエポキシ樹脂におけるGPC測定において、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)のピークは確認できず、キサンテン化合物(C)の面積比は3.6%であった。
[比較合成例5]エポキシ樹脂の合成(D’−4)
撹拌機、冷却器及び温度計を備えた2Lのフラスコに1−ナフトール405g、フェノール298g、37%ホルマリン水溶液228gを入れ、オイルバス中で100℃に昇温し、1時間還流させた。次に、2規定の塩酸を2ml加え、系内の水が還流する温度で4時間反応させた後、165℃まで昇温し、12時間反応させた。その後、減圧下にて200℃で4時間加熱して反応溶液を濃縮し、フェノール樹脂を得た。次いで、温度計、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに窒素ガスパージを施しながら前記反応で得られたフェノール樹脂174g(水酸基1.0当量)、エピクロルヒドリン463g(5.0モル)、n−ブタノール53gを仕込み溶解させた。50℃に昇温した後に、20%水酸化ナトリウム水溶液220g(1.10モル)を3時間要して添加し、その後更に50℃で1時間反応させた。反応終了後、150℃減圧下で未反応エピクロルヒドリンを留去した。それで得られた粗エポキシ樹脂にメチルイソブチルケトン300gとn−ブタノール50gとを加え溶解した。更にこの溶液に10W%水酸化ナトリウム水溶液15gを添加して80℃で2時間反応させた後に洗浄液のpHが中性となるまで水100gで水洗を3回繰り返した。次いで共沸によって系内を脱水し、精密濾過を経た後に、溶媒を減圧下で留去してエポキシ樹脂(D’−4)を得た。得られたエポキシ樹脂(D’−4)の軟化点は62℃(B&R法)、エポキシ当量は261g/eqであった。図示しないが、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)はGPC測定において3.8%であり、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は18.9%であった。
[比較合成例6]エポキシ樹脂の合成(D’−5)
比較合成例2で得られたエポキシ樹脂(D’−1)100gと比較合成例5で得られたエポキシ樹脂(D’−4)50gとを150℃で溶融混合し、エポキシ樹脂(D’−5)を得た。得られたエポキシ樹脂(D’−5)の軟化点は96℃(B&R法)、エポキシ当量は246g/eqであった。図示しないが、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)はGPC測定において1.3%であり、キサンテン化合物(C)のGPC測定における面積比は6.3%であった。
[実施例1〜7、比較例1〜5]組成物及び積層板の作製
下記化合物を表1、表2に示した割合で配合し、最終的に各組成物の不揮発分(N.V.)が58W%となるようにメチルエチルケトンを用いて調整した。
・D−1:合成例2で得られたエポキシ樹脂
・D−2:合成例4で得られたエポキシ樹脂
・D−3:合成例6で得られたエポキシ樹脂
・D−4:合成例7で得られたエポキシ樹脂
・D−5:合成例10で得られたエポキシ樹脂
・D−6:合成例12で得られたエポキシ樹脂
・D−7:合成例13で得られたエポキシ樹脂
・D’−1:比較合成例2で得られたエポキシ樹脂
・D’−2:比較合成例3で得られたエポキシ樹脂
・D’−3:比較合成例4で得られたエポキシ樹脂
・D’−4:比較合成例5で得られたエポキシ樹脂
・D’−5:比較合成例6で得られたエポキシ樹脂
・E−1:フェノール樹脂
DIC(株)製TD−2090
フェノールノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量:105g/eq
・F−1:硬化促進剤
2−エチル−4−メチルイミダゾール
次に、下記の如き条件で硬化させて積層板を試作し、下記の方法で耐熱性、吸湿率、熱膨張率及び熱履歴後の収縮率を評価した。結果を表1、表2に示す。
<積層板作製条件>
基材:日東紡績株式会社製 ガラスクロス「#2116」(210×280mm)
プライ数:6 プリプレグ化条件:160℃
硬化条件:200℃、40kg/cmで1.5時間、成型後板厚:0.8mm
<耐熱性試験>
前記で作製した積層板を厚さ0.8mmの硬化物を幅5mm、長さ54mmのサイズに切り出し、これを試験片1とした。この試験片1を粘弾性測定装置(DMA:レオメトリック社製固体粘弾性測定装置「RSAII」、レクタンギュラーテンション法:周波数1Hz、昇温速度3℃/分)を用いて、弾性率変化が最大となる(tanδ変化率が最も大きい)温度をガラス転移温度として評価した。
<吸湿率>
JIS−C−6481に準拠し、平山製作所製プレッシャークッカー試験機「PC−304RIII」により、121℃、湿度100%、2気圧の条件の下、4時間保管した前後の質量を測定し、質量変化を吸湿率として算出した。
<熱膨張率>
積層板を5mm×5mm×0.8mmのサイズに切り出し、これを試験片2として熱機械分析装置(TMA:セイコーインスツルメント社製SS−6100)の下記圧縮モードで熱機械分析を行った。なお、下記条件での測定を同一サンプルにつき2回実施し、2回目の測定における、40℃から60℃の温度範囲における平均線膨張率を熱膨張係数として評価した。
測定条件
測定架重:88.8mN
昇温速度:10℃/分で2回
測定温度範囲:−50℃から300℃
<熱履歴前後の積層板の寸法変化率>
積層板を5mm×5mm×0.8mmのサイズに切り出した試験片2について熱機械分析装置(TMA:セイコーインスツルメント社製SS−6100)の下記圧縮モードで熱機械分析を行った。なお、下記条件での測定を同一サンプルにつき2回実施し、1回目と2回目の測定時の30℃におけるプローブの位置の差を、元の試験片2の厚みで除することで熱履歴後の収縮率として評価した。
測定架重:88.8mN
昇温速度:3℃/分で2回
測定温度範囲:−30℃から260℃
Figure 2016002241
Figure 2016002241

Claims (14)

  1. クレゾール−ナフトール共縮ノボラック型エポキシ樹脂(A)と、ナフトールのグリシジルエーテル化合物(B)と、下記構造式(1)〜(3)で表される化合物の群から選択される1種以上のキサンテン化合物(C)とを必須成分として含み、前記キサンテン化合物(C)の含有率がGPC測定における面積比率で0.1%〜5.5%であることを特徴とするエポキシ樹脂。
    Figure 2016002241
    (但し、構造式(1)〜(3)中、R、Rはそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基、炭素原子数1〜4のアルコキシ基を表し、mはそれぞれ独立して1〜6の整数を表し、nはそれぞれ独立して1〜4の整数を表す。)
  2. 前記グリシジルエーテル化合物(B)の含有率がGPC測定における面積比率で0.1%〜4.0%である請求項1記載のエポキシ樹脂。
  3. 前記グリシジルエーテル化合物(B)と、前記キサンテン化合物(C)との合計含有率が、GPC測定における面積比率で1.0%〜8.0%である請求項1記載のエポキシ樹脂。
  4. エポキシ当量が220g/eq〜275g/eqである請求項1記載のエポキシ樹脂。
  5. 請求項1〜4の何れか1つに記載のエポキシ樹脂と、硬化剤とを必須成分とする硬化性樹脂組成物。
  6. 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物を硬化反応させてなる硬化物。
  7. 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物と、無機充填材とを含有する半導体封止材料。
  8. 請求項7に記載の半導体封止材料を加熱硬化させて得られる半導体装置。
  9. 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物を有機溶剤に希釈したものを補強基材に含浸し、得られる含浸基材を半硬化させることにより得られるプリプレグ。
  10. 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物を有機溶剤に希釈したワニスを得、これを板状に賦形したものと銅箔とを加熱加圧成型することにより得られる回路基板。
  11. 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物を有機溶剤に希釈したものを基材フィルム上に塗布し、乾燥させることにより得られるビルドアップフィルム。
  12. 請求項11に記載のビルドアップフィルムを回路が形成された回路基板に塗布し、加熱硬化させて得られる回路基板に凹凸を形成し、次いで前記回路基板にめっき処理を行うことにより得られるビルドアップ基板。
  13. 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物と、強化繊維とを含有する繊維強化複合材料。
  14. 請求項13に記載の繊維強化複合材料を硬化させてなる繊維強化成形品。
JP2015554921A 2014-06-30 2015-01-27 エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品 Active JP5904387B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014134162 2014-06-30
JP2014134162 2014-06-30
PCT/JP2015/052135 WO2016002241A1 (ja) 2014-06-30 2015-01-27 エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5904387B1 JP5904387B1 (ja) 2016-04-13
JPWO2016002241A1 true JPWO2016002241A1 (ja) 2017-04-27

Family

ID=55018810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015554921A Active JP5904387B1 (ja) 2014-06-30 2015-01-27 エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10113028B2 (ja)
JP (1) JP5904387B1 (ja)
KR (1) KR102268342B1 (ja)
CN (1) CN106471034B (ja)
TW (1) TWI647247B (ja)
WO (1) WO2016002241A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017209236A1 (ja) * 2016-06-03 2017-12-07 Dic株式会社 置換または非置換アリル基含有マレイミド化合物およびその製造方法、並びに前記化合物を用いた組成物および硬化物
JP7109940B2 (ja) * 2018-03-08 2022-08-01 日東電工株式会社 封止用接着シート
CN111902469B (zh) * 2018-03-20 2023-04-14 东丽株式会社 预浸料坯及纤维增强复合材料
JP7069297B2 (ja) * 2018-03-30 2022-05-17 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
JP6924292B2 (ja) * 2020-01-22 2021-08-25 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂混合物、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
CN113473700B (zh) * 2021-06-30 2022-10-25 江苏传艺科技股份有限公司 一种抗弯折耐压的5g柔性电路板及其生产工艺
US20230140403A1 (en) 2021-11-03 2023-05-04 Solubag Spa Hydrodegradable packaging material

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6220206A (ja) 1985-07-18 1987-01-28 アルプス電気株式会社 押ボタンスイツチとその製造方法
JPH0593034A (ja) * 1991-07-26 1993-04-16 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH0593035A (ja) * 1991-07-29 1993-04-16 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JP3004463B2 (ja) * 1992-04-24 2000-01-31 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP3149609B2 (ja) * 1993-03-23 2001-03-26 日立化成工業株式会社 ナフトール変性フェノール樹脂の製造方法
JP3098375B2 (ja) * 1994-03-29 2000-10-16 日立化成工業株式会社 フェノール樹脂とその製造方法、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及びicパッケージ
JPH09291127A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Nippon Kayaku Co Ltd ナフトール含有ノボラック型樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2000128962A (ja) * 1998-10-28 2000-05-09 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
US6784228B2 (en) * 2001-07-12 2004-08-31 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Epoxy resin composition, cured article thereof, novel epoxy resin, novel phenol compound, and process for preparing the same
US7141627B2 (en) * 2002-10-31 2006-11-28 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Epoxy resin composition
JP6070134B2 (ja) * 2012-12-07 2017-02-01 Dic株式会社 活性エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
JP5692471B1 (ja) * 2013-06-26 2015-04-01 Dic株式会社 フェノール性水酸基含有化合物、フェノール樹脂、硬化性組成物、その硬化物、半導体封止材料、及びプリント配線基板
KR102145814B1 (ko) * 2013-06-26 2020-08-19 디아이씨 가부시끼가이샤 에폭시 화합물, 에폭시 수지, 경화성 조성물, 그 경화물, 반도체 봉지 재료, 및 프린트 배선 기판

Also Published As

Publication number Publication date
KR102268342B1 (ko) 2021-06-23
TWI647247B (zh) 2019-01-11
TW201600533A (zh) 2016-01-01
CN106471034A (zh) 2017-03-01
KR20170028323A (ko) 2017-03-13
WO2016002241A1 (ja) 2016-01-07
US10113028B2 (en) 2018-10-30
US20170240690A1 (en) 2017-08-24
CN106471034B (zh) 2018-08-28
JP5904387B1 (ja) 2016-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5904387B1 (ja) エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プレプリグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、及び繊維強化成形品
KR101340283B1 (ko) 페놀 수지 조성물, 경화성 수지 조성물, 그 경화물, 및 프린트 배선 기판
WO2018180451A1 (ja) エポキシ樹脂、製造方法、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
US9056990B2 (en) Phosphorus-atom-containing oligomer composition, curable resin composition, cured product thereof, and printed circuit board
JP6260846B2 (ja) エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
KR102409661B1 (ko) 에폭시 수지, 제조 방법, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물
JP6809200B2 (ja) エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP2017105898A (ja) エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP6874359B2 (ja) エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP5850228B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、その硬化物、シアン酸エステル樹脂、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及び、ビルドアップフィルム
JP6024121B2 (ja) シアン酸エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及び、ビルドアップフィルム
JP6257020B2 (ja) フェニルフェノール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
JP5929660B2 (ja) ビフェノール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
JP6809206B2 (ja) エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
WO2017199831A1 (ja) エポキシ樹脂、製造方法、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP7036235B2 (ja) フェノール樹脂、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP6048035B2 (ja) クレゾール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
JP6032476B2 (ja) クレゾール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
JP2019011396A (ja) エポキシ樹脂の製造方法、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP6002987B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
JP6750427B2 (ja) 多官能エポキシ樹脂、その製造方法、硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP2014024978A (ja) 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20160215

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160302

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5904387

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250