JPWO2015122345A1 - 導電ペースト、パターンの製造方法、導電パターンの製造方法及びセンサー - Google Patents

Abstract

【課題】本発明はイオンマイグレーション現象の発生が顕著に抑制された導電パターンを形成可能であるばかりでなく、低コストである、導電ペーストを提供し、導電性の核を銀で被覆した銀被覆粒子、及び、感光性有機化合物、を含有し、上記銀被覆粒子に占める銀の割合が、１０〜４５質量％である、導電ペーストを提供する。

Description

本発明は、導電ペースト、パターンの製造方法、導電パターンの製造方法及びセンサーに関する。

有機成分である樹脂と、無機成分である導電フィラーとを含む、有機−無機複合導電パターンを形成するための材料として、樹脂や接着剤に銀フレーク、銅粉又はカーボン粒子を大量に混合した、いわゆるポリマー型の導電ペーストが実用化されている。

これら導電ペーストの多くについては、スクリーン印刷法により形成したパターンを加熱硬化させることで、導電パターンを得ることができる（特許文献１及び２）。しかし、幅が１００μｍ以下の導電パターンを精度よく形成することは困難である。

そこで、酸性エッチング可能な導電ペースト（特許文献３）や、導電性粒子として銀粒子を含有する感光性硬化型導電ペーストが開発されている（特許文献４及び５参照）。

特開２０１２−０１８７８３号公報 特開２００７−２０７５６７号公報 特開平１０−０６４３３３号公報 特開２００４−３６１３５２号公報 国際公開第２００４／０６１００６号パンフレット

しかしながら、酸性エッチング可能な導電ペーストについては、導電パターンの形成に際してレジスト層を形成する必要があることから、製造工程の煩雑化という問題を抱えるものであった。

また、従来の感光性硬化型導電ペーストであれば、幅が１００μｍ以下の高精細な導電パターンを形成することが可能である。しかし、用いる銀粒子が高価であることや、イオンマイグレーション現象に起因する導電パターンの短絡が問題視されてきた。

そこで本発明は、イオンマイグレーション現象の発生が顕著に抑制された導電パターンを形成可能であるばかりでなく、低コストである、導電ペーストを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、以下の（１）〜（７）に記載した導電ペースト、パターンの製造方法、導電パターンの製造方法及びセンサーを提供する。
（１） 導電性の核を銀で被覆した銀被覆粒子、及び、感光性有機化合物、を含有し、上記銀被覆粒子に占める銀の割合が、１０〜４５質量％である、導電ペースト。
（２） 上記導電性の核が、銅を含有する、上記（１）に記載の導電ペースト。
（３） 全固形分に占める上記銀被覆粒子の割合が、４０〜８０質量％である、上記（１）又は（２）に記載の導電ペースト。
（４） 上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得る、パターンの製造方法。
（５） 上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得て、パターンを１００〜３００℃で加熱して、導電パターンを得る、導電パターンの製造方法。
（６） 上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得て、さらに得られたパターンをキセノンフラッシュランプの光で露光して、導電パターンを得る、導電パターンの製造方法。
（７） 上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電ペーストを用いて製造された導電パターンを具備する、センサー。
（８） 上記（５）又は（６）記載の導電パターンの製造方法で製造された導電パターンを具備する、センサー。

本発明の導電ペーストによれば、低コストであり、かつ、イオンマイグレーション現象の発生が顕著に抑制された、高精細な導電パターンを形成することが可能となる。

本発明の導電ペーストは、導電性の核を銀で被覆した銀被覆粒子、及び、感光性有機化合物、を含有し、上記銀被覆粒子に占める銀の割合が、１０〜４５質量％であることを特徴とする。

本発明の導電パターンの製造方法により形成された導電パターンは、有機成分と無機成分との複合物となっており、１００〜３００℃で加熱した際、又はキセノンフラッシュランプの光で露光した際の、有機成分である感光性有機化合物の硬化収縮によって、無機成分である銀被覆粒子同士が互いに接触することで導電性が発現するものである。

本発明の導電ペーストは、導電性の核を銀で被覆した銀被覆粒子を含有する。

導電性の核を銀で被覆した構成とすることにより、銀のみからなる粒子と比較した場合において、形成された導電パターンにおけるイオンマイグレーション現象の発生を抑制することができる。ここでイオンマイグレーション現象とは、１００℃未満の低温下、電界の影響を受けた金属成分が、非金属物質の表面や中を移動する現象をいう。電気的に多用される金属の中で、銀は最もイオンマイグレーション現象が発生しやすいことで知られている。イオンマイグレーション現象により、導電パターンが含有する銀等が絶縁物の表面や中を移動すると、絶縁抵抗値の低下に伴う導電パターンの短絡が生じかねない。

導電性の核とは、電気を通す性質を有する物質の粒子をいう。導電性の核としては、電気を通す性質が良好である金属の核が好ましい。導電性の核を構成する金属としては、例えば、銅、鉛、スズ、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、タングステン、モリブデン、酸化ルテニウム、クロム、チタン若しくはインジウムあるいはこれら金属の合金の粒子又はこれら金属の複合体が挙げられる。導電性及びコストの観点から銅、亜鉛、ニッケル若しくはアルミニウム又はこれらの合金が好ましく、銅、亜鉛若しくはニッケル又はこれらの合金がより好ましい。中でも銅を含有することが好ましい。銅と亜鉛との合金、又は、銅とニッケルとの合金においては、銅成分の酸価を防ぐため、導電性の核に占める亜鉛又はニッケルの割合が１〜５０質量％であることが好ましい。

銀被覆粒子の体積平均粒子径は、０．１〜１０μｍが好ましく、０．５〜６μｍがより好ましい。体積平均粒子径が０．１μｍ以上であると、１００〜３００℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光で露光した際の銀被覆粒子同士の接触確率が向上し、形成された導電パターンの比抵抗及び断線確率が低くなる。さらには、基板上に塗布した導電ペーストの塗布膜の露光において、露光光が塗布膜中をスムーズに透過することができ、微細なパターニングが容易となる。一方で、体積平均粒子径が１０μｍ以下であると、形成された導電パターンの表面平滑度、パターン精度及び寸法精度が向上する。なお、体積平均粒子径は、コールターカウンター法により測定することができる。

銀被覆粒子に占める銀の割合は、１０〜４５質量％の必要がある。銀被覆粒子に占める銀の割合が１０質量％以上であると、比抵抗が低く、安定性の高い導電パターンを形成することができる。さらに２０質量%以上であると、より比抵抗の低いパターンを形成できるので好ましい。一方で、銀被覆粒子に占める銀の割合が４５質量％を超えると、銀被覆粒子のコストが増大し、イオンマイグレーション現象を抑制する効果が低減する。また銀被覆粒子に占める銀の割合が１０〜４５質量％であると、導電ペーストの粘度を好適に調整することができる。

銀被覆粒子に占める銀の割合や、導電性の核の組成は、銀被覆粒子に荷重をかけてペレット状に成形したものを試料として、真空雰囲気下、蛍光Ｘ線装置（（株）リガク製 ＺＳＸ Ｐｒｉｕｍｕｓ）で測定して算出することができる。

銀被覆粒子の被覆の態様としては、導電性の核と、導電ペーストが含有する感光性有機化合物等との化学反応を抑制するため、導電性の核の表面が完全に覆われている態様が好ましい。導電性の核の表面の一部が被覆されていたり、銀の被覆膜に孔が形成された態様であったりしても構わない。なお、導電ペーストがカルボキシル基を有する感光性有機化合物を含有する場合において、導電性の核が銅、亜鉛又はニッケルのように陽イオン化しやすい金属を含有すると、導電性の核とカルボキシル基とが結合して、導電ペーストの粘度が著しく増加又は導電ペーストがゲル化してしまう場合がある。このため、導電性の核の表面が、化学的に安定な銀で十分に覆われている態様が好ましい。

導電性の核への銀被覆方法として、導電性の核と銀の置換反応を利用した化学還元法や、別の化学還元法として、還元剤を共に用いて導電性の核の表面に銀または銀の前駆体を析出させる方法や、そして導電性の核に銀の粒子を電気的に吸着させ圧力で固着させる物理的方法がある。これらの化学還元法は、導電性の核の周囲に銀が均一に被覆されることや小粒子径のものでも被覆が容易であることから好ましい。また、置換反応を利用した化学還元法においては、導電性の核にイオン化しやすい金属が含まれると、イオン化しやすい金属と銀との置換反応が、より起りやすく、さらに被覆効率がよい。例えば導電性の核の銅にさらにイオン化しやすい亜鉛やニッケルを含有しているものは、銀を均一に被覆しやすい。このため、置換反応を利用した化学還元法で作製した銀被覆粒子を用いるとよい。

導電性の核の被覆に用いる銀化合物としては、硝酸銀、酢酸銀又は塩化銀等の銀塩が挙げられる。これら銀塩を、水又は有機溶剤で溶解して用いることが好ましい。また、添加剤として還元剤、キレート剤又はｐＨ調整剤を加えても構わない。

本発明の導電ペーストの全固形分に占める銀被覆粒子の割合は、４０〜８０質量％が好ましい。全固形分に占める割合が４０質量％以上であると、１００〜３００℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光で露光した際の銀被覆粒子同士の接触確率が向上し、形成された導電パターンの比抵抗及び断線確率が低くなる。一方で、全固形分に占める割合が８０質量％以下であると、導電ペーストの塗布膜の露光において、露光光が塗布膜中をスムーズに透過することができ、微細なパターニングが容易となる。なおここで全固形分とは、溶剤を除く、導電ペーストの全構成成分をいう。

本発明の導電ペーストが含有する、感光性有機化合物（以下、「化合物（Ａ）」）とは、不飽和二重結合を一つ以上有するモノマー、オリゴマー又はポリマーをいう。化合物（Ａ）としては、例えば、アクリル系共重合体が挙げられる。ここでアクリル系共重合体とは、共重合成分に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系モノマーを含む、共重合体をいう。

炭素−炭素二重結合を有するアクリル系モノマーとしては、例えば、メチルアクリレート、アクリル酸、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸エチル、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート若しくはベンジルメルカプタンアクリレート等のアクリル系モノマー、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン若しくはヒドロキシメチルスチレン等のスチレン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマー、又は、上記アクリル系モノマーのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられる。

中でも、形成される導電パターンの硬度を適度なものとするため、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビフェニル骨格及び水添ビスフェノールＡ骨格からなる群から選ばれる骨格を有することが好ましい。

アルカリ現像液等に溶解する、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体は、モノマーとして不飽和カルボン酸等の不飽和酸を用いることにより得られる。不飽和酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。

また、上記アクリル系共重合体が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、側鎖に反応性の不飽和二重結合を有する、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体が得られる。

化合物の酸価は、化合物のアルカリ可溶性を至適なものとするため、４０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。酸価が４０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、可溶部分の溶解性が低下する。一方で、酸価が２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、現像許容幅が狭くなる。なお、化合物の酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０（１９９２）に準拠して測定することができる。

本発明の導電ペーストは、含窒素化合物を含有することが好ましい。ここで含窒素化合物（以下、「化合物（Ｂ）」）とは、イミダゾール、トリアゾール、エチレンイミン及びオキシム化合物からなる群から選ばれる化合物をいう。化合物（Ｂ）を含有させることによって、低温で比抵抗の低い導電パターンを形成させることができる。すなわち、化合物（Ｂ）は他の有機成分と比べ銀被覆粒子表面に優位に結合または表面に偏在することで、銀被覆粒子の分散性を向上し、微細で導電性に優れたパターンを形成できる。他の有機成分として、カルボキシル基を含むものを用いる場合は、化合物（Ｂ）と共存すると、含有しない場合と比べ前述の効果をより顕著に得ることができてよい。また導電ペーストの経時粘度の増加やゲル化といった経時変化を抑制できる。導電性の核の表面の銀の被覆膜に孔があるなどして被覆が不十分の場合にも効果的である。

化合物（Ｂ）としては、例えば、２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール又は２−（２’−ヒドロキシ−４’−ｎ−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系化合物、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（２−アミノエチル）−４−メチルピペラジンハイドロクロライド、６−アミノ−１−メチルウラシル、ポリエチレンイミン、オクタデシルイソシアネート変性ポリエチレンイミン、プロピレンオキサイド変性エポリエチレンイミン、又は、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−］Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン−１−「９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９−Ｈ−カルバゾール−３−イル」−１−（Ｏ−アセチルオキシム）又は２−（アセチルオキシミノメチル）チオキサンテン−９−オン等のオキシムエステル化合物が挙げられる。

１００質量部の化合物（Ａ）に対する、化合物（Ｂ）の添加量は、０．０１〜２０質量部であることが好ましい。１００質量部の化合物（Ａ）に対する添加量が０．０１質量部以上であると、より低温の加熱でパターンの導電性を発現させることができ、また、導電ペーストの経時粘度の増加やゲル化といった経時変化を抑制できる。一方で、添加量が２０質量部以下であると、微細なパターニングが容易となる。

本発明の導電ペーストは、熱硬化性化合物（以下、「化合物（Ｃ）」）を含有することが好ましい。化合物（Ｃ）としては、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体又は既閉環ポリイミドが挙げられる。基板との密着性を向上させ、かつ安定性の高い導電パターンを形成ためエポキシ樹脂が好ましい。なお、エポキシ樹脂が有する骨格を適宜選択することによって、パターンの剛直性、靱性及び柔軟性を制御することも可能である。エポキシ樹脂としては、例えば、エチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂又は複素環式エポキシ樹脂が挙げられる。

１００質量部の化合物（Ａ）に対する、化合物（Ｃ）の添加量は、１〜１００質量部であることが好ましく、１０〜８０質量部であることがより好ましく、３０〜８０質量部であることがさらに好ましい。１００質量部の化合物（Ａ）に対する添加量が１質量部以上であると、基板との密着性が向上する。一方で、添加量が１００質量部以下であると、安定性の高い導電パターンを形成することができる。

本発明の導電ペーストは、光重合開始剤を含有することが好ましい。ここで光重合開始剤とは、紫外線等の短波長の光を吸収して分解するか、又は、水素引き抜き反応を起こして、ラジカルを生じる化合物をいう。光重合開始剤としては、例えば、１，２−オクタンジオン、１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、エタノン、１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン又はメチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。

１００質量部の化合物（Ａ）に対する、光重合開始剤の添加量は、０．０５〜３０質量部であることが好ましく、５〜２０質量部であることがより好ましい。１００質量部の化合物（Ａ）に対する添加量が０．０５質量部以上であると、導電ペーストの塗布膜の露光された部分の硬化密度が高くなり、現像後の残膜率が高くなる。一方で、添加量が３０質量部以下であると、導電ペーストの塗布膜上部での過剰な光吸収が抑制される。その結果、形成された導電パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。

本発明の導電ペーストは、光重合開始剤と共に、増感剤を含有しても構わない。

増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール又は１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾールが挙げられる。

１００質量部の化合物（Ａ）に対する、増感剤の添加量は、０．０５〜１０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部であることがより好ましい。１００質量部の化合物（Ａ）に対する添加量が０．０５質量部であると、光感度が十分に向上する。一方で、添加量が１０質量部以下であると、導電ペーストの塗布膜上部での過剰な光吸収が抑制される。その結果、形成された導電パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。

本発明の導電ペーストは、溶剤を含有しても構わない。溶剤を混合することで導電ペーストの粘度を適切に調整することができる。溶剤はペースト作製の過程で、最後に添加しても構わない。溶剤量を増やすことで、乾燥後の導電膜の膜厚を薄くすることが可能である。溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。導電ペーストの安定性を高めるため、ヒドロキシル基を有する有機溶剤が好ましい。

ヒドロキシル基を有する有機溶剤としては、例えば、テルピネオール、ジヒドロターピネオール、ヘキシレングリコール、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール（以下、「ソルフィット」）、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール又はベンジルアルコールが挙げられる。

導電ペーストの粘度は塗布できる範囲であればよく、スクリーン印刷により塗布をする場合の導電ペーストの粘度は、ブルックフィールド型の粘度計を用いて３ｒｐｍ測定した値として、４，０００〜１５０，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、４，０００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。粘度が４，０００ｍＰａ・ｓ未満であると、基板上に塗布膜を形成することができない場合がある。この場合、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、オフセット印刷、グラビア印刷又はダイコーター等の方法を用いることが好ましい。一方で、粘度が１５０，０００ｍＰａ・ｓを超えると、塗布膜の表面に凹凸が発生し、露光ムラが生じやすい。

本発明の導電ペーストは、その所望の特性を損なわない範囲であれば、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤又は顔料等の添加剤を含有しても構わない。

可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール又はグリセリンが挙げられる。

レベリング剤としては、例えば、特殊ビニル系重合物又は特殊アクリル系重合物が挙げられる。

シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はビニルトリメトキシシランが挙げられる。

本発明の導電ペーストは、例えば、三本ローラー、ボールミル若しくは遊星式ボールミル等の分散機又は混練機を用いて製造される。

次に本発明の導電ペーストを用いた、導電パターンの製造方法について説明する。まず本発明のパターンの製造方法について説明する。本発明のパターンの製造方法は、本発明の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得るものである。同様に、本発明の導電パターンの製造方法は、本発明の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得、さらに、得られたパターンを１００〜３００℃で加熱して導電パターンを得るものである。また、１００〜３００℃で加熱する代わりに、キセノンフラッシュランプの光で露光することによっても、導電パターンが得られる。

基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、「ＰＥＴフィルム」）、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、アラミドフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、加飾層形成基板又は絶縁層形成基板が挙げられる。

本発明の導電ペーストを基板に塗布する方法としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いた塗布が挙げられる。得られる塗布膜の膜厚は、塗布の方法又は導電ペーストの全固形分濃度若しくは粘度等に応じて適宜決定すればよい。乾燥後の膜厚が、０．１〜５０μｍになることが好ましい。本発明の導電ペーストは、この範囲の膜厚とするために、スクリーン印刷で塗布すると好ましい。なお、膜厚は、例えばサーフコム（登録商標）１４００（（株）東京精密製）のような触針式段差計を用いて測定することができる。より具体的には、ランダムな３つの位置の膜厚を触針式段差計（測長：１ｍｍ、走査速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ）でそれぞれ測定し、その平均値を膜厚とすることができる。

本発明の導電ペーストが溶剤を含有する場合、得られた塗布膜を乾燥して溶剤を揮発させておくことが好ましい。得られた塗布膜を乾燥して溶剤を揮発除去する方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。加熱温度は５０〜１８０℃が好ましく、加熱時間は１分〜数時間が好ましい。

得られた塗布膜を、パターン形成用マスクを介してフォトリソグラフィー法により露光する。露光の光源としては、水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）又はｇ線（４３６ｎｍ）が好ましい。

露光後の塗布膜を、現像液を用いて現像し、未露光部を溶解除去することで、基板上に線幅が２〜５０μｍの所望のパターンが形成できる。現像の方法として、例えば、アルカリ現像又は有機現像が挙げられる。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられる。これらの水溶液に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類又は界面活性剤を添加しても構わない。

有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶媒又はこれら極性溶媒とメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶液が挙げられる。

現像の方法としては、例えば、基板を静置又は回転させながら現像液を塗布膜面にスプレーする方法、基板を現像液中に浸漬する方法、又は、基板を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法が挙げられる。

現像により得られたパターンは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を加えた水溶液が挙げられる。

得られたパターンを１００〜３００℃で加熱することで、導電性が発現し、導電パターンが得られる。キュアの加熱温度は、１００〜１８０℃が好ましい。加熱温度が１００℃未満であると、有機成分である感光性有機化合物等の硬化収縮が不十分となり、比抵抗を低くできない。一方で、加熱温度が３００℃を超えると、耐熱性が低い基板を用いることができない。加熱による基板の損傷を抑制するため、加熱温度は１８０℃以下が好ましい。なお、加熱時間は１分〜数時間が好ましい。得られたパターンを加熱する方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。

また、得られたパターンをキセノンフラッシュランプの光で露光することでも、導電性が発現し、導電パターンが得られる。この場合の露光時間は、基板やパターンの損傷を勘案しつつ、照射エネルギー量に応じて適宜決定すればよい。０．０１〜１００００ｍｓｅｃが好ましい。基板やパターンの損傷を抑制するため、キセノンフラッシュランプの光の照射は、パルス照射が好ましく、１パルス当たりの照射エネルギーは、２．０Ｊ／ｃｍ^２以下であることがより好ましい。

なお、得られたパターンに導電性を発現させるための処理として、１００〜３００℃での加熱と、キセノンフラッシュランプの光での露光を組み合わせて行っても構わない。

本発明の導電ペーストを用いて製造された導電パターンおよび本発明の導電パターンの製造方法で製造された導電パターンはセンサー、特にタッチパネル用周囲配線又はタッチパネル表示部の検出センサーとして好適に用いられる。タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜式、光学式、電磁誘導式又は静電容量式が挙げられる。静電容量式タッチパネルは特に微細配線が求められることから、５０μｍ以下の微細加工が可能な本発明の導電ペーストがより好適に用いられる。本発明の導電パターンを１００μｍピッチ（配線幅＋配線間幅）以下の周囲配線として備えるタッチパネルにおいては、額縁幅を狭くでき、表示部を広くすることができる。また本発明の導電パターンを１０μｍ幅以下の検出センサーとして備えるタッチパネルの表示部においては、低コストながらも好適な視認性を達成することができる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらに限定されるものではない。

各実施例及び比較例で用いた評価方法は、以下のとおりである。

＜パターニング性の評価方法＞
基板上に導電ペーストを乾燥膜の膜厚が５μｍになるように塗布し、得られた導電ペーストの塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥した。一定のラインアンドスペース（以下、「Ｌ／Ｓ」）で配列された直線状の透光パターンを１つのユニットとし、Ｌ／Ｓの値が異なる９種類のユニットをそれぞれ有するフォトマスクを介して乾燥後の塗布膜を露光及び現像して、Ｌ／Ｓの値が異なる９種類のパターンをそれぞれ得た。なお、フォトマスクが有する各ユニットのＬ／Ｓの値は、５００／５００、２５０／２５０、１００／１００、５０／５０、４０／４０、３０／３０、２５／２５、２０／２０、１５／１５、１０／１０、８／８、５／５とした（それぞれ線幅（μｍ）／間隔（μｍ）を表す）。得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、パターン間に残渣がなく、かつパターン剥がれのないＬ／Ｓの値が最小のパターンを確認し、そのＬ／Ｓの値を、現像可能なＬ／Ｓの値とした。なお、露光は露光装置（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学株式会社製）を用いて露光量１５０ｍＪ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行い、現像は０．２質量％のＮａ_２ＣＯ_３溶液に基板を３０秒浸漬させた後、超純水によるリンス処理を施して行った。

＜比抵抗の評価方法＞
基板上に導電ペーストを乾燥膜の膜厚が５μｍになるように塗布し、得られた導電ペーストの塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥した。フォトマスクを介して乾燥後の塗布膜を露光及び現像して、パターンを得た。得られたパターンを１４０℃で３０分間加熱して（ただしＰＥＴ基板を用いた場合には、１．０Ｊ／ｃｍ^２の照射エネルギーで０．３ｍｓｅｃキセノンフラッシュランプの光を照射して）導電性を発現させ、比抵抗測定用の導電パターンを得た。得られた導電性パターンの線幅は０．４００ｍｍであり、ライン長さは８０ｍｍであった。

なお、露光及び現像の条件は、上記パターニング性の評価方法と同様とした。得られた比抵抗測定用の導電パターンのそれぞれの端部に抵抗計でつないで抵抗値を測定し、以下の式（１）に基づいて比抵抗を算出した。
比抵抗 ＝ 抵抗値×膜厚×線幅／ライン長 ・・・ （１）
なお、線幅は、ランダムな３つの位置の線幅を光学顕微鏡で観察し、画像データを解析して得られた平均値である。

＜マイグレーション耐性評価方法＞
基板上に導電ペーストを乾燥膜の膜厚が５μｍになるように塗布し、得られた導電ペーストの塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥した。櫛形パターンを有するフォトマスクを介して乾燥後の塗布膜を露光及び現像して、櫛形パターンを得た。得られた櫛形パターンを１４０℃で３０分間加熱して（ただしＰＥＴ基板を用いた場合には、１．０Ｊ／ｃｍ^２の照射エネルギーで０．３ｍｓｅｃキセノンフラッシュランプの光を照射して）導電性を発現させ、マイグレーション耐性評価用の導電パターンを得た。得られた導電性パターンの線幅は５０μｍであり、ライン間のスペース幅は５０μｍであり、ライン長さは４０ｍｍであった。

なお、露光及び現像の条件は、上記パターニング性の評価方法と同様とした。得られたマイグレーション耐性測定用の導電パターンのそれぞれの端部に超高抵抗計（Ｒ８３４０；（株）アドバンテスト社製）でつないで印加電圧ＤＣ２０Ｖで電流を流し、８５℃８５ＲＨ％の恒温恒湿下、６０分間曝露した後の導電パターンの変化を観察し、デンドライドや短絡が発生したものをB、変化がなかった場合をAと判定した。
＜導電ペーストの経時状態変化の評価方法＞
混練後と２週間保管後の導電ペーストの状態がほとんど変化なく、粘性を帯び、塗布が可能なものをS、導電ペースト保管容器の底に塊を生じるなど、やや固形分の分離を生じているが、混ぜることで塗布が可能なものをA、導電ペースト全体が著しく固く、混ぜるのが困難か、ゲル化することによって、塗布ができないものをBとした。また、混練後１時間以内に固化を始め、塗布ができない程度に変化したものもBとした。

各実施例及び比較例で用いた材料は、以下のとおりである。

［化合物（Ａ）］
（合成例１）
共重合比率（質量基準）：エチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）／メタクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２−ＥＨＭＡ」）／スチレン（以下、「Ｓｔ」）／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）／アクリル酸（以下、「ＡＡ」）＝２０／４０／２０／５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＳｔ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、カルボキシル基及び不飽和二重結合を有する化合物（Ａ−１）を得た。得られた化合物（Ａ−１）の酸価は１０３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例２）
共重合比率（質量基準）トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（ＩＲＲ２１４−Ｋ；ダイセル・サイテック（株）製）／変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＥＢＥＣＲＹＬ１５０；ダイセル・サイテック（株）製）／Ｓｔ／ＡＡ）＝２５／４０／２０／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２５ｇのＩＲＲ２１４−Ｋ、４０ｇのＥＢＥＣＲＹＬ１５０、２０ｇのＳｔ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、カルボキシル基及び不飽和二重結合を有する化合物（Ａ−２）を得た。得られた化合物（Ａ−２）の酸価は８９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例３）
共重合比率（質量基準）：エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＦＡ−３２４Ａ；日立化成工業（株）製）／ＥＡ／ＧＭＡ／ＡＡ＝５０／１０／５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０ｇのエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、２０ｇのＥＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、カルボキシル基及び不飽和二重結合を有する化合物（Ａ−３）を得た。得られた化合物（Ａ−３）の酸価は９６ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例４）
共重合比率（質量基準）２官能エポキシアクリレートモノマー（エポキシエステル３００２Ａ；共栄社化学（株）製）／２官能エポキシアクリレートモノマー（エポキシエステル７０ＰＡ；共栄社化学（株）製）／ＧＭＡ／Ｓｔ／ＡＡ＝２０／４０／５／２０／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのエポキシエステル３００２Ａ、４０ｇのエポキシエステル７０ＰＡ、２０ｇのＳｔ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、カルボキシル基及び不飽和二重結合を有する化合物（Ａ−４）を得た。得られた化合物（Ａ−４）の酸価は１０１ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

［化合物（Ｂ）］
（Ｂ−１）１−（２−アミノエチル）ピペラジン
（Ｂ−２）６−アミノ−１−メチルウラシル
（Ｂ−３）エポミン（登録商標）ＳＰ−２００（（株）日本触媒社製）
（Ｂ−４）ベンゾトリアゾール。

［化合物（Ｃ）］
（Ｃ−１）エポキシ樹脂（ＪＥＲ８２８（エポキシ当量１８８）；三菱化学（株）製）
（Ｃ−２）エポキシ樹脂（アデカレジンＥＰＲ−２１（エポキシ当量２１０）；（株）：ＡＤＥＫＡ製）。

［銀被覆粒子］
表１に示す銀被覆粒子
［光重合開始剤］
ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９（以下、「ＩＣ３６９」）（ＢＡＳＦジャパン（株）製）
Ｎ−１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製）
［モノマー］
ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ（共栄社化学（株）製）
［溶剤］
ＤＭＥＡ（東京化成工業（株）製）
ソルフィット（（株）クラレ製）
（実施例１）
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの化合物（Ａ−１）、０．５０ｇのＩＣ３６９及び２３．５ｇのＤＭＥＡを入れ、“あわとり錬太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、３４ｇの樹脂溶液（固形分５０質量％）を得た。組成を表１に示す。

得られた３４ｇの樹脂溶液と、２４．５ｇの銀被覆粒子（銅ニッケル合金）とを混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、５８．５ｇの導電ペーストを得た。混練後の粘度は２５，０００ｍＰａ・ｓであった。

得られた導電ペーストを用いて、導電パターンのパターニング性、比抵抗及びＩＴＯとの密着性をそれぞれ評価した。パターニング性の評価指標となる現像可能なＬ／Ｓの値は、１５／１５μｍであり、良好なパターン加工がされていることが確認された。導電パターンの比抵抗は７．２×１０^−５Ωｃｍであった。評価を行った結果を表３に示す。

（実施例２〜９、１２〜１５）
表１に示す組成の導電ペーストを実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った結果を表３に示す。

（実施例１０及び１１）
表１に示す組成の導電ペーストを実施例１と同様の方法で製造し、加熱に代えてキセノンフラッシュランプの光を照射した以外は、実施例１と同様の評価を行った結果を表３に示す。

（比較例１〜９）
表２に示す組成の導電ペーストを実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った結果を表３に示す。

実施例１〜１５の導電ペーストでは、いずれもパターニング性、比抵抗、及びマイグレーション耐性に優れた導電パターンを形成することができた。比較例１〜３、５〜７及び９の導電ペーストで形成した導電パターンは、マイグレーション耐性に劣るものであった。

比較例４ではマイグレーション耐性には問題はなかったが、比抵抗が大幅に高くなった。

比較例８ではペーストがゲル状になったため、その塗布ができず、パターニング性を評価することができなかった。

本発明の導電ペーストは、タッチパネル用表示部の検出センサー又はタッチパネル用周囲配線等の導電パターンの製造のために、好適に利用できる。

Claims (8)

1. 導電性の核を銀で被覆した銀被覆粒子、及び、
   感光性有機化合物、を含有し、
   前記銀被覆粒子に占める銀の割合が、１０〜４５質量％である、導電ペースト。
2. 前記導電性の核が、銅を含有する、請求項１記載の導電ペースト。
3. 全固形分に占める前記銀被覆粒子の割合が、４０〜８０質量％である、請求項１又は２記載の導電ペースト。
4. 請求項１〜３のいずれか一項記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得る、パターンの製造方法。
5. 請求項１〜３のいずれか一項記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得て、さらに得られたパターンを１００〜３００℃で加熱して、導電パターンを得る、導電パターンの製造方法。
6. 請求項１〜３のいずれか一項記載の導電ペーストを基板上に塗布し、露光及び現像し、線幅が２〜５０μｍのパターンを得て、さらに得られたパターンをキセノンフラッシュランプの光で露光して、導電パターンを得る、導電パターンの製造方法。
7. 請求項１〜３のいずれか一項記載の導電ペーストを用いて製造された導電パターンを具備する、センサー。
8. 請求項５又は６記載の導電パターンの製造方法で製造された導電パターンを具備する、センサー。