JPWO2015087859A1 - タッチセンサー用部材の製造方法及びタッチセンサー用部材 - Google Patents

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美晴 田辺
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Abstract

本発明は、ITOの代替として機能し、検出電極の骨見えや光反射といった問題を伴うことがなく、かつ、導電配線との間の断線や導通不良を抑止した微細なパターンが形成された、タッチセンサー用部材及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、上記表示領域上及び上記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、上記表示領域上の上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して導電パターンを得る、導電パターン形成工程と、を備え、上記表示領域上の上記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、上記加飾領域上の上記導電パターンの線幅が、7〜100μmである、タッチセンサー用部材の製造方法を提供する。

Description

本発明は、タッチセンサー用部材の製造方法とタッチセンサー用部材に関する。
携帯電話や携帯情報端末(PDA)等の機器に組み込まれることが多いタッチパネルは、大別して、液晶パネルのような表示装置と、タッチセンサーのような位置入力装置とからなる。そしてタッチセンサーは、主として表示領域に形成された検出電極と、表示領域周辺の加飾領域に配置された導電配線とから構成される。検出電極としては、表示部の視認性を阻害しないよう、透明度の高い酸化インジウムスズ(以下、「ITO」)が幅広く用いられている。
特開2013−924号公報
しかしながら、ITOの原料となるインジウムは高価な希土類金属であって、その供給は不安定である。また、導電性が比較的低いことから、電子黒板等に組み込まれる大型のタッチパネルの検出電極として用いるためには、導電性が低すぎるという問題も抱えるものであった。このような事情から、ITOの代替物質の探索が進められており、例えば貴金属を使用した材料(特許文献1)等が開発されているが、これをタッチパネルに適用した場合には、貴金属特有の光反射や、それに伴って検出電極の骨見えを生じ、表示部の視認性が低下してしまう。
また、タッチセンサーの表示領域に形成されたITOと、その周辺の加飾領域に配置された導電配線は、ITOと導電配線で使用される材料との間の密着不良や、ITOのパターン形成工程と加飾領域に配置された導電配線を形成する工程の間に加熱工程や他の材料の積層工程などといった種々の工程が入ることにより、熱収縮による位置ずれ、表面の薬液残さ、物理刺激を起因として接続性が悪くなり、断線や導通不良等の不具合が頻発することも問題視されていた。このため、全く新規なITOの代替技術が切望されているのが現状であった。
そこで本発明は、ITOの代替として機能し、表示領域の検出電極の骨見えや光反射といった問題を伴うことがなく、かつ、加飾領域の導電配線(導電パターン)との間の断線や導通不良を抑止し、接続性に優れた表示領域の検出電極(微細な導電パターン)が形成された、タッチセンサー用部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は、以下の(1)〜(7)に記載したタッチセンサー用部剤の製造方法及びタッチセンサー用部材を提供する。
(1) 表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、上記表示領域上及び上記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、上記表示領域上の上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して導電パターンを得る、導電パターン形成工程と、を備え、上記表示領域上の上記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、上記加飾領域上の上記導電パターンの線幅が、7〜100μmである、タッチセンサー用部材の製造方法。
(2) 表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、上記表示領域上に、感光性遮光ペーストを塗布して遮光塗布膜を得る、遮光塗布膜形成工程と、遮光塗布膜形成工程後に、上記表示領域上及び上記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、上記表示領域上の上記遮光塗布膜及び上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して遮光層及び導電パターンを得る、遮光層及び導電パターン形成工程と、を備え、上記表示領域上の上記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、上記加飾領域上の上記導電パターンの線幅が、7〜100μmである、タッチセンサー用部材の製造方法。
(3) 上記表示領域上の上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、が含有する有機成分が同一である、上記(1)又は(2)に記載のタッチセンサー用部材の製造方法。
(4) 上記表示領域上の上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、の組成が同一である、上記(1)〜(3)のいずれかに記載のタッチセンサー用部材の製造方法。
(5) 上記導電塗布膜形成工程において、上記表示領域上及び上記加飾領域上に、一括して感光性導電ペーストを塗布する、上記(4)に記載のタッチセンサー用部材の製造方法。
(6) 表示領域と、加飾領域と、に区分される基板と、上記表示領域上に形成された、線幅が2〜6μmの導電パターンと、上記加飾領域上に形成された、線幅が7〜100μmの導電パターンと、を備え、上記線幅が2〜6μmの導電パターンと、上記線幅が7〜100μmの導電パターンと、の組成が同一である、タッチセンサー用部材。
(7) 上記表示領域と、上記線幅が2〜6μmの導電パターンと、の間に、遮光層を有する、上記(6)に記載のタッチセンサー用部材。
本発明のタッチセンサー用部材の製造方法によれば、タッチセンサーの表示領域上に、ITOの代替として機能し、かつ、表示領域の検出電極の骨見えや光反射といった問題を伴うことのない、微細な導電パターンを形成することができ、さらに、該導電パターンの形成と同時に、断線や導通不良を抑止し、接続性が極めて良好な導電配線を加飾領域上に一括して形成することができる。また、一括して形成することにより生産性の向上に貢献できる。
本発明の第一の態様におけるタッチセンサー用部材の製造方法は、表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、上記表示領域上及び上記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、上記表示領域上の上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して導電パターンを得る、導電パターン形成工程と、を備え、上記表示領域上の上記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、上記加飾領域上の上記導電パターンの線幅が、7〜100μmであることを特徴とする。
本発明が備える導電塗布膜形成工程において、感光性導電ペーストを塗布する基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム(以下、「PETフィルム」)、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム若しくはアラミドフィルム等のフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、アルカリガラス基板、無アルカリガラス基板若しくはガラス・エポキシ樹脂複合基板のガラス板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板又は炭化ケイ素基板が挙げられるが、フィルム又はガラス板が好ましい。またこれらの基板の表面は、絶縁層若しくはパターン又は加飾層で被覆されていても構わない。ガラス基板のガラスとしては、強化処理を施した強化ガラスが好ましい。ここで強化ガラスとしては、例えば、ガラス表面層の分子をイオン交換してガラス表面に大きな分子を形成し、ガラス表面層に圧縮応力を形成した化学強化ガラス、又は、ガラスを残留応力が残る温度まで加熱後、急冷することによりガラス表面層に圧縮応力を形成した物理強化ガラスが挙げられる。
基板は、連続した長尺の基板であっても構わない。長尺の基板の場合、例えば、リール・トウ・リール又はロール・トウ・ロール法を用いて、パターンを製造することができる。ロール・トウ・ロール法等の方式を用いた場合、照射光を中央にしてその前面及び背面に基板を並列させれば、一度に複数のラインを得ることができ、効率的である。
基板の加飾領域とは、タッチセンサーにおける額縁部分に相当する領域をいう。基板の加飾領域には、白又は黒等の樹脂からなる加飾層が形成されていても構わず、加飾層の表面は、さらにモリブデン等の金属薄膜で被覆されていても構わない。また、基板の表示領域及び/又は加飾領域には、透明樹脂等からなる絶縁層が形成されていても構わない。加飾領域に加飾層が形成されている場合、加飾領域と表示領域の境界の段差を生じるため、絶縁層を加飾領域と表示領域に一括して設けると、最上面が均一となり、段差による導電パターンの断線を抑止できるので好ましい。
感光性導電ペーストを基板上に塗布して導電塗布膜を得る方法としては、ペーストの粘度によって選択することができる。例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、活版印刷若しくはフレキソ印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いる方法が挙げられる。中でも、得られる導電塗布膜の表面の平滑性が良好であり、スクリーン印刷版の選択による膜厚調整が容易であることから、スクリーン印刷が好ましい。
基板に塗布される感光性導電ペーストとは、導電性粒子、並びに、有機成分である感光性有機化合物、溶剤を含有する組成物をいう。感光性導電ペースト中の全固形分に占める導電性粒子の割合は、60〜95質量%であることが好ましく、80〜90質量%であることがより好ましい。当該割合が60質量%以上であれば、導電性粒子同士の接触確率が向上し、得られる導電パターンの比抵抗値及び断線確率が低くなる。ここで、断線確率が低くなるのは、導電パターン中の導電性粒子が有機成分や気泡等によって隔たれた微小な欠陥の発生率が低くなるからである。一方で、当該割合が95質量%以下であれば、露光のための光が導電塗布膜中をスムーズに透過するため、微細なパターン形成が容易となる。ここで全固形分とは、溶剤を除く、感光性導電ペースト又は感光性遮光ペーストの全構成成分をいう。
感光性導電ペーストが含有する導電性粒子とは、例えば、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、白金(Pt)、鉛(Pb)、スズ(Sn)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、チタン(Ti)若しくはインジウム(In)等の金属又はこれら金属の合金、あるいは、酸化ルテニウム等の金属の酸化物の粒子が挙げられるが、導電性の観点からAg、Cu又はAuの粒子が好ましく低コスト及び安定性の観点からAgの粒子がより好ましい。
導電性粒子としてAgの粒子を用いると、導電パターンを形成した後、Agによる光反射が生じやすいため、導電パターンにはAgの粒子と共に、有機成分を含有すると好ましい。有機成分によってAgの直接的な光反射を抑制することができる。
導電性粒子は二層以上の層構造を有していても構わない。Cuをコアとして、表面にAgをシェルとするような構造であっても構わない。また表面に種々の有機成分を含んでいても構わない。表面の有機成分は小粒子径の導電性粒子の分散性の維持や導電助剤として機能するため、効果的に利用することができる。有機質成分としては、例えば、脂肪酸、アミン、チオール系の有機化合物又はカーボンが挙げられる。
感光性導電ペーストが含有する感光性有機化合物とは、不飽和二重結合を有する、モノマー、オリゴマー又はポリマーをいう。不飽和二重結合を有するモノマーとしては、例えば、アクリル系モノマーが挙げられる。アクリル系モノマーとしては、例えば、メチルアクリレート、アクリル酸、アクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸エチル、n−ブチルアクリレート、iso−ブチルアクリレート、iso−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、N−メトキシメチルアクリルアミド、N−エトキシメチルアクリルアミド、N−n−ブトキシメチルアクリルアミド、N−イソブトキシメチルアクリルアミド、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、1−ナフチルアクリレート、2−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート若しくはベンジルメルカプタンアクリレート等のアクリル系モノマー、スチレン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン若しくはヒドロキシメチルスチレン等のスチレン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドン、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エポキシ基を不飽和酸で開環させてできた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールFのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマーが挙げられる。エポキシアクリレートモノマーとして、例えば、エポキシエステル40EM、70PA、80MFA若しくは3002M(以上、いずれも共栄社化学(株)製)、CN104若しくはCN121(以上、いずれもサートマー社製)、EBECRYL3702又はEBECRYL3700若しくはEBECRYL600(以上、いずれもダイセル・サイテック(株)製)が挙げられる。また、上記アクリル系モノマーのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられる。
不飽和二重結合を有するポリマーとしては、例えば、アクリル系共重合体が挙げられる。アクリル系共重合体とは、共重合成分にアクリル系モノマーを含む共重合体をいう。ポリマーは、カルボキシル基を有することが好ましい。カルボキシル基を有するアクリル系共重合体は、モノマーとして不飽和カルボン酸等の不飽和酸を用いることにより得られる。不飽和酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。
また、上記アクリル系共重合体が有するカルボキシル基と、グリシジル(メタ)アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、側鎖に反応性の不飽和二重結合を有する、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体が得られる。
感光性有機化合物の酸価は、感光性有機化合物のアルカリ可溶性を至適なものとするため、40〜250mgKOH/gであることが好ましい。酸価が40mgKOH/g未満であると、可溶部分の溶解性が低下する。一方で、酸価が250mgKOH/gを超えると、現像許容幅が狭くなる。なお、酸価は、JIS K 0070(1992)に準拠して測定することができる。
感光性導電ペーストは、熱硬化性化合物を含有しても構わない。熱硬化性化合物とは、エポキシ基を有する、モノマー、オリゴマー若しくはポリマー、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体又は既閉環ポリイミドをいうが、エポキシ基を有する、モノマー、オリゴマー又はポリマーが好ましい。
エポキシ基を有するポリマーとしては、例えば、エチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂又は複素環式エポキシ樹脂が挙げられる。
熱硬化性化合物の添加量は、100質量部の感光性有機化合物に対して、1〜100質量部であることが好ましく、30〜80質量部であることがより好ましく、10〜80質量部であることがさらに好ましい。100質量部の感光性有機化合物に対する添加量が30質量部以上であると、密着性が向上する。一方で、100質量部の感光性有機化合物に対する添加量が80質量部以下であると、塗布膜状態での安定性が高い感光性導電ペーストを得ることができる。
感光性有機化合物及び熱硬化性化合物は、加熱又はキセノンフラッシュランプの光の照射時に導電塗布膜の形状を保持するため、脂環式構造を有することが好ましく、シクロヘキサン骨格を有することがより好ましい。ここで脂環式構造とは、炭素原子が環状に結合した構造の内、芳香族環を除いたものをいう。脂環式構造としては、例えば、シクロプロパン骨格、シクロブタン骨格、シクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、シクロブテン骨格、シクロペンテン骨格、シクロヘキセン骨格、シクロプロピン骨格、シクロブチン骨格、シクロペンチン骨格、シクロヘキシン骨格又は水添ビスフェノールA骨格が挙げられる。
これらの骨格を有する感光性有機化合物又は熱硬化性化合物の合成に使用する化合物としては、例えば、水添ビスフェノールA、1,1−シクロブタンジカルボン酸、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、4,4−ジアミノ−ジシクロヘキシルメタン、イソフォロンジアミン、ジシクロヘキシルメタン4,4’−ジイソシアネート、トランス−4−メチルシクロヘキシルイソシアネート、タケネート600(1,3−ビス(イソシアナートメチル)シクロヘキサン)(三井化学社製)、ジイソシアン酸イソホロン、1,2−エポキシシクロヘキサン、1−ビニル−3,4−エポキシシクロヘキサン、リカレジンDME−100(1,4−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル)(新日本理化株式会社製)、リカレジンHBE−100(4,4’−イソプロピリデンジシクロヘキサノールと(クロロメチル)オキシランとのポリマー)(新日本理化株式会社製)、ST−4000D(水添ビスフェノールAを主成分とするエポキシ樹脂;新日鐵化学株式会社製)、1,2:5,6−ジエポキシシクロオクタン、水添ビスフェノールAのPO付加物ジアクリレート、水添ビスフェノールAのEO付加物ジメタクリレート、水添ビスフェノールAのPO付加物ジメタクリレート、2−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、tert−ブチルシクロヘキシルアクリレート、tert−ブチルシクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレート又はジシクロペンタニルメタクリレートが挙げられる。
感光性導電ペーストは、必要に応じて、光重合開始剤を含有することが好ましい。ここで光重合開始剤とは、紫外線等の短波長の光を吸収して分解するか、又は、水素引き抜き反応を起こして、ラジカルを生じる化合物をいう。光重合開始剤としては、例えば、1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)]、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキサイド、エタノン、1−[9−エチル−6−2(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2’−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、2,4−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン又はメチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。
光重合開始剤の添加量は、100質量部の感光性有機化合物に対して0.05〜30質量部が好ましく、5〜20質量部がより好ましい。100質量部の感光性有機化合物に対する添加量が5質量部以上であると、感光性導電ペーストを露光した部分の硬化密度が高くなり、現像後の残膜率が高くなる。一方で、100質量部の感光性有機化合物に対する光重合開始剤の添加量が30質量部以下であると、感光性導電ペーストを塗布して得られる塗布膜上部での過剰な光吸収が抑制される。その結果、形成されたパターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。
感光性導電ペーストは、光重合開始剤と共に、増感剤を含有しても構わない。
増感剤としては、例えば、2,4−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボニルビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール又は1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールが挙げられる。
増感剤の添加量は、100質量部の感光性有機化合物に対して0.05〜10質量部が好ましく、より好ましくは0.1〜10質量部がより好ましい。100質量部の感光性有機化合物に対する添加量が0.1質量部以上であると、光感度が十分に向上する。一方で、感光性有機成分の100質量部の感光性有機化合物に対する添加量が10質量部以下であると、感光性導電ペーストを塗布して得られる塗布膜上部での過剰な光吸収が抑制される。その結果、形成されたパターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。
感光性導電ペーストは、カルボン酸又はその酸無水物を含有しても構わない。カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸、3,4,5,6−テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、4−メチルヘキサヒドロフタル酸、メチルビシクロ[2.2,1]ヘプタン−2,3−ジカルボン酸、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリンビスアンヒドロトリメリテートモノアセテート、テトラプロペペニルコハク酸、オクテニルコハク酸、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)ナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸、シクロヘキサン−1,2,3,4−テトラカルボン酸、BYK−P105(ビックケミー社製)、PA−111(味の素ファインテクノ社製)、フローレンG−700若しくはフローレンG−900(以上、いずれも共栄社化学社製)又はKD−4、KD−8、KD−9、KD−12、KD−15若しくはJP−57(以上、いずれもクローダ社製)が挙げられる。
酸無水物としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、1,2,3,6−テトラヒドロ無水フタル酸、3,4,5,6−テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルビシクロ[2.2,1]ヘプタン−2,3−ジカルボン酸無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリンビスアンヒドロトリメリテートモノアセテート、テトラプロペペニル無水コハク酸、オクテニルコハク酸無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)ナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物又はシクロヘキサン−1,2,3,4−テトラカルボン酸3,4無水物が挙げられる。
カルボン酸又はその酸無水物の添加量は、100質量部の感光性有機化合物に対して0.5〜30質量部が好ましく、1〜20質量部がより好ましい。100質量部の感光性有機化合物に対するカルボン酸又はその酸無水物の添加量が0.5質量部以上であると、現像液への親和性が高まり、良好なパターニングが可能となる。一方で、100質量部の感光性有機化合物に対するカルボン酸又は酸無水物の添加量が30質量部以下であると、現像マージンや高温高湿度下における密着性が向上する。
感光性導電ペーストは、その粘度を調整するため、溶剤を含有することが好ましい。溶剤はペースト作製の過程で、最後に添加しても構わない。溶剤量を増やすことで、乾燥後の導電膜の膜厚を薄くすることが可能である。溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(以下、「DMEA」)、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられ、それらを2種以上混合しても構わない。
感光性導電ペーストは、その所望の特性を損なわない範囲であれば、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤又は安定剤等を含有しても構わない。
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール又はグリセリンが挙げられる。
レベリング剤としては、例えば、特殊ビニル系重合物又は特殊アクリル系重合物が挙げられる。
シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はビニルトリメトキシシランが挙げられる。
安定剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、サリチル酸誘導体、シアノアクリレート誘導体、チヌビン109、チヌビン234、チヌビン328、チヌビン329、チヌビン384−2若しくはチヌビン571(以上、いずれも長瀬産業株式会社製)、EVERSORB75、EVERSORB76、EVERSORB81、EVERSORB109若しくはEVERSORB234(以上、いずれも株式会社ソート製)、アデカスタブLA−38((株)ADEKA製)、Sumisorb130、Sumisorb250、Sumisorb340若しくはSumisorb350(以上、いずれも住化ケムテックス株式会社製)又は1〜3級のアミノ基を有する化合物が挙げられる。1〜3級のアミノ基を有する化合物としては、例えば、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、1−(2−アミノエチル)−4−メチルピペラジンハイドロクロライド、6−アミノ−1−メチルウラシル、ポリエチレンイミン、オクタデシルイソシアネート変性ポリエチレンイミン又はプロピレンオキサイド変性エポリエチレンイミンが挙げられる。
スクリーン印刷により塗布をする場合の感光性導電ペーストの粘度は、4,000〜150,000mPa・sの範囲(ブルックフィールド型の粘度計を用いて3rpm測定した値)であることが好ましく、4,000〜50,000mPa・sであることがより好ましい。粘度が4,000mPa・s未満であると、基板上に導電塗布膜を形成することができない。この場合、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、オフセット印刷、グラビア印刷又はダイコーター等の方法を用いることが好ましい。一方で、粘度が150,000mPa・sを超えると、導電塗布膜の表面に凹凸が発生し、露光ムラが生じやすい。なお、感光性導電ペーストの粘度は、ブルックフィールド粘度計を用いた3rpm測定により測定することができる。
得られる導電塗布膜の膜厚は、塗布の方法又は感光性導電ペーストの全固形分濃度若しくは粘度等によって適宜決定すればよいが、乾燥後の膜厚が、0.1〜10μmになることが好ましい。膜厚が10μmを超えると、露光のための光が導電塗布膜中をスムーズに透過できず、得られる導電パターンの断線や剥がれが生じたり、現像マージンが狭くなったりする。ここでいう断線が生じやすいとは、導電パターン中の有機成分の硬化不足によって、導電性粒子が現像時に一部欠落して発生する等の微小欠陥が生じやすくなるためである。
なお、表示領域上の導電塗布膜は、乾燥後の膜厚が0.1〜3μmになることが好ましく、0.5〜2μmになることがより好ましい。加飾領域上の導電塗布膜は、乾燥後の膜厚が0.5〜7μmになることが好ましいが、この限りでない。表示領域上と加飾領域上とに一括して感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る場合には、加飾領域上の膜厚は表示領域上で適切に選択された膜厚に合わせることが好ましく、乾燥後の膜厚が0.5〜2μmになることが好ましい。なお、膜厚は、例えば“サーフコム”(登録商標)1400((株)東京精密製)のような触針式段差計を用いて測定することができる。より具体的には、ランダムな3つの位置の膜厚を触針式段差計(測長:1mm、走査速度:0.3mm/sec)でそれぞれ測定し、その平均値を膜厚とすることができる。
導電塗布膜形成工程で得られた導電塗布膜が溶剤を含有する場合には、導電塗布膜を乾燥して、溶剤を揮発除去しておくことが好ましい。乾燥の方法としては、例えば、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、電磁波紫外線ランプ、赤外線ヒーター若しくはハロゲンヒーター等の電磁波、又は、マイクロ波による加熱乾燥、あるいは、真空乾燥が挙げられる。加熱温度は、50〜150℃が好ましく、80〜110℃がより好ましい。加熱温度が50℃未満であると、溶剤が残存する。一方で、加熱温度が150℃を超えると、導電塗布膜が熱硬化し、露光によるパターン形成ができなくなる。加熱時間は、1分〜数時間が好ましく、1〜20分がより好ましい。
本発明が備える導電パターン形成工程においては、導電塗布膜形成工程で得られた導電塗布膜を、フォトリソグラフィー法により加工する。すなわち、導電パターン形成工程においては、表示領域上の導電塗布膜と、加飾領域上の導電塗布膜とを、一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して、導電パターンを形成する。一括して導電パターンを形成することで、断線や導通不良を抑止し、表示領域上と加飾領域上との導電パターンの導電接続性を良好にすることができ、生産性の向上に貢献できる。
露光のための光すなわち露光光は、感光性有機成分又は光重合開始剤の吸収スペクトルと合致する紫外領域、すなわち300〜450nmの波長域にスペクトルを有することが好ましい。そのような露光光を得るための光源としては、水銀ランプ、キセノンランプ、LEDランプ、半導体レーザー、KrFエキシマレーザー又はArFエキシマレーザーが挙げられるが、水銀ランプのi線(365nm)、h線(405nm)又はg線(436nm)が好ましい。また露光光を、キセノンフラッシュランプの光にしても構わない。
露光の方法としては、例えば、マスク露光又はレーザー直接描画法等のレーザー露光が挙げられる。
露光した表示領域上の導電塗布膜と、加飾領域上の導電塗布膜とを、現像液を用いて一括して現像し、それぞれの未露光部を除去することで、所望のパターンが得られる。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられるが、これらの水溶液に、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類又は界面活性剤を添加しても構わない。有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶媒又はこれら極性溶媒と、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶液が挙げられる。
現像の方法としては、例えば、基板を静置又は回転させながら現像液を導電塗布膜の表面にスプレーする方法、基板を現像液中に浸漬する方法、又は、基板を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法が挙げられる。
現像により得られたパターンは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を加えた水溶液が挙げられる。
現像により得られたパターンをさらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射することで、導電パターンが得られる。
加熱の方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。加熱により、得られる導電パターンの硬度が高まり、他の部材との接触による欠けや剥がれ等を抑制することができ、さらには基板との密着性を向上させることができる。
キセノンフラッシュランプの光は、パルス照射しても構わない。ここでパルス照射とは、連続照射と間欠照射とを瞬時に繰り返す光の照射方法をいう。パルス照射は、連続照射に比べてより弱い光の照射が可能であるため、導電パターンの急激な変性を抑制できるので好ましい。生産効率の向上、余剰の光散乱の防止、基板の損傷防止等を目的とする場合、有効な手段である。より具体的には、0.01〜10000msecのトータル照射時間で、パルス照射を組み合わせるとよい。また、キセノンフラッシュランプの光と併せて、輝線を有する光を照射しても構わない。ここで輝線を有する光を同時に照射するためには、例えば、水銀キセノンランプを用いても構わないし、キセノンランプと水銀ランプとの光を同時に照射しても構わない。
照射するキセノンフラッシュランプの光のエネルギー量は、基板の種類、又は、形成する導電パターンの厚みや線幅を考慮して適宜決定すればよいが、劣化しやすい基板の損傷防止のため、300〜2500mJ/cmが好ましい。なお、表示領域上と加飾領域上との間で、照射するキセノンフラッシュランプの光のエネルギー量及び照射時間を異なるものにしても構わない。
一方で、得られたパターンに導電性を発現させるための処理として、100〜250℃での加熱と、キセノンフラッシュランプの光の照射とを組み合わせて行っても構わない。
形成された表示領域上の導電パターンの線幅は、2〜6μmである必要がある。導電パターンの線幅が2μm未満であると、後工程での物理的刺激による断線や基板との密着性の悪化を生じる。線幅はまた、目視で認識できないよう、6μm以下である必要がある。すなわち、タッチパネル搭載のスマートフォンのように小型ディスプレイ、例えば6インチ前後のサイズのディスプレイで使用する場合では、視点距離が近くなるため、線幅は細い方がよく、6μm以下である必要がある。ディスプレイ画面が数十インチを超えるような大画面へ適用する場合は、視点距離が離れるため、導電パターンの線幅の上限は、目視で認識できない範囲で微調整することもできるが限定的である。
表示領域上の導電パターンは、交差点を有する、メッシュパターンの様な形態とすることが好ましい。メッシュパターンの形態としては、四角又は菱形等のパターンが繰り返す、座標で区別できるような形態が好ましい。そのようなメッシュパターンにおいては、ある1辺の導電パターンと、隣合う1辺の導電パターンとの端点を結んだパターンピッチが、100〜3000μmであることが好ましい。この範囲であると、目視で認識できない程度に透過性があり、曇ったような見栄えの悪化が防げる。パターンピッチが100μmより狭いと、透過性が悪くなるか、パターン間のショート不良が生じやすくなるので不適当である。
形成された加飾領域上の導電パターンの線幅は、7〜100μmである必要がある。加飾領域上の導電パターンは複数のパターンを規則よく平行に配置する形態がよく知られる。この場合、加飾領域上の導電パターンのピッチは、14〜200μmが好ましい。加飾領域は、ディスプレイの額縁に配置するものであり、ディスプレイの表示領域を広めるため狭額縁としたい場合には、線幅が7〜100μmである必要がある。その場合にパターンピッチも狭くすると良いが、配線間に残さが残りやすく、ショートの原因となりやすいため、可能な範囲でパターンピッチを広くすると好ましい。狭額縁用としてのパターンピッチは14〜200μmで好ましく使用できる。生産安定性を求めるならば、線幅10〜100μm、パターンピッチ20〜200μmで形成すると好ましい。
表示領域上と加飾領域上とで線幅の異なる導電パターンを形成する方法としては、例えば、用いる露光マスクの開口部幅を至適なものに調整する方法、表示領域上と加飾領域上との露光量に差異をもたせる方法、又は、一括露光後に露光マスクの加飾領域に対応する部分をマスキングしてから表示領域のみをさらに露光する方法が挙げられる。
本発明の第二の態様におけるタッチセンサー用部材の製造方法は、表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、上記表示領域上に、感光性遮光ペーストを塗布して遮光塗布膜を得る、遮光塗布膜形成工程と、遮光塗布膜形成工程後に、上記表示領域上及び上記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、上記表示領域上の上記遮光塗布膜及び上記導電塗布膜と、上記加飾領域上の上記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して導電パターンを得る、導電パターン形成工程と、を備え、上記表示領域上の上記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、上記加飾領域上の上記導電パターンの線幅が、7〜100μmであることを特徴とする。
本発明の第二の態様によれば、遮光膜の存在によって、表示領域上の導電パターンの光反射を抑止することができ好ましい。
感光性遮光ペーストを基板の表示領域上に塗布して遮光塗布膜を得る方法としては、導電塗布膜を得る方法と同様のものが挙げられる。すなわち遮光塗布膜は表示領域の導電パターンと同様のパターンを得ることができる。
基板の表示領域上に塗布される感光性遮光ペーストとは、顔料、並びに、有機成分である感光性有機化合物及び溶剤を含有する組成物をいう。感光性遮光ペースト中の全固形分に占める顔料の割合は、5〜50質量%であることが好ましい。全固形分に対する添加量が5質量%以上であると、緻密で遮光性の高い遮光塗布膜を得ることができる。一方で、全固形分に対する添加量が50質量%を超えると、露光光が遮光塗布膜中をスムーズに透過せず、微細なパターン形成が困難となるばかりでなく、現像の際にパターンが剥がれやすくなる。
感光性遮光ペーストが含有する顔料とは、可視領域に吸収を有する、有色の粉末をいう。顔料は、遮光性に影響を与える粉末の色、粒径、分散状態及び表面粗さ等の最適化が容易であることから、無機化合物の粉末が好ましい。ここで無機化合物とは、炭素以外の元素で構成される化合物、及び、単純な一部の炭素化合物をいう。単純な一部の炭素化合物としては、例えば、グラファイト若しくはダイヤモンド等の炭素の同素体、炭酸カルシウム等の金属炭酸塩又は金属炭化物等の塩が挙げられる。
顔料となる無機化合物としては、例えば、金属酸化物、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、チタンブラック、カーボンウイスカー又はカーボンナノチューブが挙げられるが、クロム、鉄、コバルト、ルテニウム、マンガン、パラジウム、銅、ニッケル、マグネシウム及びチタンからなる群から選ばれる金属の酸化物、又は、カーボンブラック、の粉末が好ましい。上記金属の酸化物又はカーボンブラックは、単独でのみならず、合金又は混合粉末を用いても構わない。このような顔料としては、例えば、四酸化三コバルト(Co)、Cr−CuO−Co、ルテニウム酸化物(RuO)、CuO−Cr−Mnが挙げられる。また、上記の金属酸化物で他の金属粉末又は樹脂粉を被覆したものを用いても構わない。
顔料の体積平均粒子径は、顔料をペースト中に均一に分散させて遮光性を確保しながら微細パターニングを達成するため、0.05〜2μmが好ましく、0.05〜1μmがより好ましい。顔料の体積平均粒子径が0.05μm未満であると、遮光性が不十分となる。一方で、顔料の体積平均粒子径が2μmを超えると、遮光塗布膜の表面の平滑性が低くなり、さらには露光光が遮光塗布膜中をスムーズに透過せず、微細なパターン形成が困難となる。なお、顔料の体積平均粒子径は、導電性粒子と同様に動的光散乱法により測定することができる。
感光性遮光ペーストが含有する感光性有機化合物とは、感光性導電ペーストが含有するものと同じく、不飽和二重結合を有する、モノマー、オリゴマー又はポリマーをいう。
感光性遮光ペーストが含有する場合がある熱硬化性化合物とは、感光性導電ペーストが含有するものと同じく、エポキシ基を有する、モノマー、オリゴマー若しくはポリマー、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体又は既閉環ポリイミドをいうが、エポキシ基を有する、モノマー、オリゴマー又はポリマーが好ましい。熱硬化性化合物の添加量は、感光性導電ペーストと同様であることが好ましい。また感光性有機化合物及び熱硬化性化合物は、加熱又はキセノンフラッシュランプの光の照射時に導電塗布膜の形状を保持するため、脂環式構造を有することが好ましく、シクロヘキサン骨格を有することがより好ましい。
感光性遮光ペーストは、感光性導電ペーストと同様に、必要に応じて光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤の添加量は、感光性導電ペーストと同様であることが好ましい。また感光性遮光ペーストは、光重合開始剤と共に、増感剤を含有しても構わない。増感剤の添加量も、感光性導電ペーストと同様であることが好ましい。
感光性遮光ペーストは、感光性導電ペーストと同様に、カルボン酸又はその酸無水物を含有しても構わない。カルボン酸又はその酸無水物の添加量は、感光性導電ペーストと同様であることが好ましい。
感光性遮光ペーストは、感光性導電ペーストと同様に、その粘度を調整するために溶剤を含有する。
感光性遮光ペーストは、感光性導電ペーストと同様に、その所望の特性を損なわない範囲であれば可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤又は安定剤等を含有しても構わない。
スクリーン印刷により塗布をする場合の感光性遮光ペーストの粘度は、5,000〜150,000mPa・sの範囲であることが好ましい。スピナーを用いた回転塗布をする場合の感光性遮光ペーストの粘度は、10〜10,000mPa・sの範囲であることが好ましい、ダイコーターにより塗布をする場合の感光性遮光ペーストの粘度は、50〜50,000mPa・sの範囲であることが好ましい。なお、感光性遮光ペーストの粘度は、感光性導電ペーストと同様に、ブルックフィールド粘度計を用いた3rpm測定により測定することができる。
本発明の第二の態様におけるタッチセンサー用部材の製造方法では、遮光塗布膜形成工程において、基板の表示領域上に感光性遮光ペーストを塗布して遮光塗布膜を得るが、その後の導電塗布膜形成工程においては、遮光塗布膜上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る以外は、第一の態様における製造方法の導電塗布膜形成工程と同様である。また、遮光層及び導電パターン形成工程においては、上記遮光塗布膜から遮光層を得る以外は、第一の態様における製造方法の導電パターン形成工程と同様である。なお、基板の表示領域上に形成された導電パターンは、遮光塗布膜に由来する遮光層と、導電塗布膜に由来する導電パターンとの積層構造を有することとなる。
また、遮光塗布膜は表示領域上の全面に渡って形成される必要はなく、表示領域上の一部にのみ形成しても構わない。また必要に応じて、基板の加飾領域上にも遮光塗布膜を形成し、基板の加飾領域上に遮光層と導電パターンとの積層構造を形成しても構わない。
本発明のタッチセンサー用部材の製造方法が備える導電塗布膜形成工程においては、製造プロセスの簡便性のため、表示領域上及び加飾領域上に、同一の感光性導電ペーストを一括して塗布することが好ましい。一方で、必要に応じて、表示領域上に塗布する感光性導電ペーストと、加飾領域上に塗布する感光性導電ペーストとを、異なるものにしても構わない。この場合、表示領域上に塗布する感光性導電ペーストが含有する導電性粒子の体積平均粒子径と、加飾領域上に塗布する感光性導電ペーストが含有する導電性粒子の体積平均粒子径とを異なるものとすることができるが、この場合、前者は0.05〜0.5μmであることが、後者は0.5〜3μmであることが、それぞれ好ましい。
一方で、異なる感光性導電ペーストを用いる場合には、それぞれが含有する感光性有機化合物及び熱硬化性化合物の構造、特に熱硬化性化合物の構造が類似することが好ましく、それぞれが含有する熱硬化性化合物が実質的に同一の組成であることがより好ましく、それぞれが含有する感光性有機化合物及び熱硬化性化合物が実質的に同一の組成であることがさらに好ましい。感光性有機化合物及び熱硬化性化合物として、互いに共通的なものを選択することにより、表示領域上に形成された導電パターンと、加飾領域上に形成された導電パターンとの境界における親和性が良好なものとなり、さらには導電パターン形成工程における加熱又はキセノンフラッシュランプの光の照射の際の、収縮率の差による不具合が解消される。
上記のような境界における親和性をさらに高め、かつ、加熱又はキセノンフラッシュランプの光の照射の際の、収縮率の差による不具合を徹底的に抑止するためにも、表示領域上の導電塗布膜と、加飾領域上の導電塗布膜と、の組成は、同一であることがさらに好ましい。両者を同一とするのであれば異なる感光性導電ペーストを用いる必要はなく、表示領域上及び加飾領域上に一括して感光性導電ペーストを塗布することができるため、上記のように製造プロセスの簡便性を高めることもできる。
本発明の製造方法で用いる感光性導電ペースト及び感光性遮光ペーストは、例えば、三本ローラー、ボールミル若しくは遊星式ボールミル等の分散機又は混練機を用いて製造することができる。
本発明のタッチセンサー用部材は、表示領域と、加飾領域と、に区分される基板と、上記表示領域上に形成された、線幅が2〜6μmの導電パターンと、上記加飾領域上に形成された、線幅が7〜100μmの導電パターンと、を備え、上記線幅が2〜6μmの導電パターンと、上記線幅が7〜100μmの導電パターンと、の組成が同一である、タッチセンサー用部材である。また、本発明のタッチセンサー用部材は、上記表示領域と、上記線幅が2〜6μmの導電パターンと、の間に、遮光層を有しても構わない。本発明のタッチセンサー用部材は、本発明のタッチセンサー用部材の製造方法によって得ることができる。
本発明の製造方法により製造されるタッチセンサー用部材は、タッチセンサーが具備する検出電極及びその周辺の導電配線として好適に用いられる。タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜式、光学式、電磁誘導式又は静電容量式が挙げられるが、静電容量式のタッチパネルにおいて、本発明の製造方法により製造されるタッチセンサー用部材がより好適に用いられる。
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
各実施例で用いた材料は、以下のとおりである。
[感光性有機化合物]
(合成例1 : 感光性有機化合物(1))
共重合比率(質量基準):エチルアクリレート(以下、「EA」)/メタクリル酸2−エチルヘキシル(以下、「2−EHMA」)/スチレン(以下、「St」)/グリシジルメタクリレート(以下、「GMA」)/アクリル酸(以下、「AA」)=20/40/20/5/15
窒素雰囲気の反応容器中に、150gのDMEAを仕込み、オイルバスを用いて80℃まで昇温した。これに、20gのEA、40gの2−EHMA、20gのSt、15gのAA、0.8gの2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び10gのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートからなる混合物を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに6時間重合反応を行った。その後、1gのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、5gのGMA、1gのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び10gのDMEAからなる混合物を、0.5時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに2時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに24時間真空乾燥することで、感光性有機化合物(1)を得た。得られた感光性有機化合物(1)の酸価は103mgKOH/gであった。
(合成例2 : 感光性有機化合物(2))
共重合比率(質量基準)トリシクロデカンジメタノールジアクリレート(IRR214−K;ダイセル・サイテック(株)製)/変性ビスフェノールAジアクリレート(EBECRYL150;ダイセル・サイテック(株)製)/St/AA)=25/40/20/15
窒素雰囲気の反応容器中に、150gのDMEAを仕込み、オイルバスを用いて80℃まで昇温した。これに、25gのIRR214−K、40gのEBECRYL150、20gのSt、15gのAA、0.8gの2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び10gのDMEAからなる混合物を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに6時間重合反応を行った。その後、1gのハイドロキノンモノメチルエーテル1gを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに24時間真空乾燥することで、感光性有機化合物(2)を得た。得られた感光性有機化合物(2)の酸価は89mgKOH/gであった。
[熱硬化性化合物]
エポキシ樹脂(1)(アデカレジンEP−4530(エポキシ当量190);(株)ADEKA製)
エポキシ樹脂(2)(JER1001(エポキシ当量475);三菱化学(株)製)
フェノール樹脂(PSF−2808;群栄化学工業株式会社製)。
[モノマー]
ライトアクリレートBP−4EA(共栄社化学株式会社製)
ライトアクリレートTMP−A(共栄社化学株式会社製)
[顔料]
Co粒子(正同化学工業(株)製)
[導電性粒子]
体積平均粒子径が1μmのAg粒子
体積平均粒子径が0.3μmのAg粒子
体積平均粒子径が0.05μmのAg粒子
[光重合開始剤]
N−1919((株)ADEKA製)
[溶剤]
ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート:DMEA(東京化成工業(株)製)
[加飾用黒色インク]
MRX−HF(帝国インキ製造(株)製)
各感光性導電ペースト及び感光性遮光ペーストを、以下のとおり用意した。
(感光性導電ペーストA)
100mLクリーンボトルに、17.5gの感光性有機化合物(2)、0.5gのN−1919、1.5gのエポキシ樹脂(1)、3.5gのライトアクリレートBP−4EA(共栄社化学株式会社製)を及び19.0gのDMEAを入れ、“あわとり錬太郎”(登録商標)(ARE−310;(株)シンキー製)で混合し、42.0gの樹脂溶液を得た。得られた42.0gの樹脂溶液と、62.3gの体積平均粒子径0.3μmのAg粒子とを混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練した後に、さらにDMEAを7g再度加えて混合し111gの感光性導電ペーストAを得た。感光性導電ペーストAの粘度は、10,000mPa・sであった。
(感光性導電ペーストB)
Ag粒子を体積平均粒子径が1μmのもの、エポキシ樹脂を(2)に変更した以外は、感光性導電ペーストAと同様の方法で、111gの感光性導電ペーストBを得た。感光性導電ペーストBの粘度は、13,000mPa・sであった。
(感光性導電ペーストC)
エポキシ樹脂(1)をフェノール樹脂に変更した以外は、感光性導電ペーストBと同様の方法で、111gの感光性導電ペーストCを得た。感光性導電ペーストCの粘度は、20,000mPa・sであった。
(感光性導電ペーストD)
Ag粒子を体積平均粒子径が0.05μmのものに変更し、エポキシ樹脂に代えてライトアクリレートTMP−Aとした以外は、感光性導電ペーストAと同様の方法で、111gの感光性導電ペーストDを得た。感光性導電ペーストDの粘度は、6,000mPa・sであった。
(感光性遮光ペースト)
100mLクリーンボトルに、10.0gの感光性有機化合物(1)、0.5gのN−1919、1.0gのエポキシ樹脂(2)及び10.0gのDMEAを入れ、“あわとり錬太郎”(登録商標)(ARE−310;(株)シンキー製)で混合し、21.5gの樹脂溶液を得た。得られた21.5gの樹脂溶液と、2.0gの体積平均粒子径0.8μmのCo粒子とを混ぜ合わせ、3本ローラー(EXAKT M−50;EXAKT社製)を用いて混練し、23.5gの感光性遮光ペーストを得た。感光性遮光ペーストの粘度は、12,000mPa・sであった。
(実施例1)
ガラス基板の加飾領域上に、予め加飾用黒色インキをスクリーン印刷で塗布して、150℃のIR(遠赤外線)ヒーター炉内で1時間加熱して、加飾層を形成した。ガラス基板の表示領域上及び加飾領域上に、感光性導電ペーストAを、乾燥後の膜厚が1.5μmとなるようにスクリーン印刷で塗布して、導電塗布膜を得た。得られた導電塗布膜は、90℃のIRヒーター炉内で10分間乾燥した。次に、表示領域に対応する部分における開口部幅が3μm、ピッチ140μmのメッシュ形状であり、加飾領域に対応する部分における開口部幅が20μmである露光マスクを介して、露光装置(PEM−6M;ユニオン光学(株)製)を用いて露光量500mJ/cm(波長365nm換算)で露光し、0.2質量%NaCO溶液で30秒間浸漬現像を行い、さらに超純水でリンスしてから、140℃のIRヒーター炉内で30分間加熱して、導電パターンを得た。
得られた導電パターンについて、以下の方法のとおりパターニング性及び導電性を評価した。評価結果を表1に示す。
<パターニング性の評価方法>
得られた導電パターンを光学顕微鏡により観察し、パターン太り線幅及びパターンの直進性を評価した。パターン太りについては、表示領域上に形成された導電パターンの線幅が2〜6μmであり、かつ加飾領域上に形成された導電パターンの線幅が7〜25μmであることが好ましい。表示領域上の導電パターンが2μm未満の場合、後工程で断線が生じやすいため不可である。またパターンの直進性については、導電パターンの蛇行及び目視での断線のいずれもがなければ「良好」とし、導電パターンの蛇行又は断線のいずれかがあれば「可」、蛇行及び断線のいずれもがあれば「不可」とした。
<導電性の評価方法>
得られた導電パターンの端点から端点を抵抗測定用テスター(2407A;BKプレシジョン社製)端子でつないで、導通性を評価した。端点から端点の長さは2cmとした。抵抗値が1000Ω未満の場合を「良好」、抵抗値が1000〜2000Ωの場合を「可」、抵抗値が測定できなかった場合を「不可」とした。
<光反射の評価方法>
得られた表示領域上の導電パターンを分光測色計(CM−2500d;コニカミノルタ製)を用いて、基板の裏側からL値を測定し、L値が36未満となるものを「良好」、L値が36以上60以下となるものを「可」、L値が60を超えるものを「不可」とした。なお、Lは輝度の指標であり、100が純白を、0が黒を表現する。
<骨見えの評価方法>
得られた表示領域上の導電パターンの基板を目から30cm〜50cm離し、白色電灯下、目視にて30秒間観察した。観察する人を10人準備した。30秒間に10人全ての人が導電パターンを確認できなければ「良好」、5人以上の人が導電パターンを確認できなければ「可」、10人全ての人が導電パターンを確認できれば「不可」とした。
(実施例2)
ガラス基板の加飾領域上に、実施例1と同様に加飾層を形成した。ガラス基板上の表示領域上に、感光性遮光ペーストBを、乾燥後の膜厚が2μmとなるようにスクリーン印刷で塗布して、遮光塗布膜を得た。得られた遮光塗布膜は、90℃のIRヒーター炉内で10分間乾燥した。さらに、遮光塗布膜上及び加飾領域上に、感光性導電ペーストBを、乾燥後の膜厚が2μmとなるようにスクリーン印刷で塗布して、導電塗布膜を得た。得られた導電塗布膜は、90℃のIR炉内で5分間乾燥した。
次に、実施例1と同一の露光マスクを介して、露光装置を用いて露光量800mJ/cm(波長365nm換算)で露光し、0.2質量%NaCO溶液で30秒間浸漬現像を行い、超純水でリンスしてから、140℃のIRヒーター炉内で30分間加熱して、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
(実施例3)
感光性導電ペーストAを用いた以外は実施例2と同様にして、遮光塗布膜及び導電塗布膜を得た。
次に、実施例1と同一の露光マスクを介して、露光装置を用いて露光量300mJ/cmで露光し、さらに露光マスクの加飾領域に対応する部分にマスキングをして、表示領域のみを露光量700mJ/cmで追加の露光をし、0.2質量%NaCO溶液で30秒間浸漬現像を行い、超純水でリンスしてから、140℃のIRヒーター炉内で30分間加熱して、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
(実施例4)
ガラス基板の加飾領域上に、加飾層を形成した。ガラス基板上の加飾領域上に感光性導電ペーストBを、表示領域上に感光性導電ペーストAを、いずれも乾燥後の膜厚が2μmとなるようにスクリーン印刷でそれぞれ塗布して、導電塗布膜を得た。得られた導電塗布膜を、実施例1と同様の方法で乾燥、露光、現像、リンス及び加熱して、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
(実施例5)
感光性導電ペーストDを用い、乾燥後の膜厚が1μm以下となるようにダイコーターで塗布する以外は、実施例1と同様にして、導電塗布膜を得た。得られた導電塗布膜を、表示領域に対応する部分における開口部幅を2μmに変え、加熱温度を180℃に変更した以外は、実施例1と同様の方法で乾燥、露光、現像、リンスして、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
(実施例6)
ガラス基板に代えてPETフィルム基板を、感光性導電ペーストAに代えて感光性導電ペーストCを、それぞれ用いた以外は、実施例4と同様にして、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
(実施例7)
加飾領域上に感光性導電ペーストAを用いた以外は実施例2と同様にして、遮光塗布膜及び導電塗布膜を得た。
次に、実施例1と同一の露光マスクを介して、露光装置を用いて露光量300mJ/cmで露光し、さらに露光マスクの加飾領域に対応する部分にマスキングをして、表示領域のみを露光量700mJ/cmで追加の露光をし、0.2質量%NaCO溶液で30秒間浸漬現像を行い、超純水でリンスしてから、エネルギー量0.5J/cm、照射時間0.3msec、の条件でキセノンフラッシュランプの光を照射して、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
(実施例8)
ガラス基板に代えてPETフィルム基板を、感光性導電ペーストAに代えて感光性導電ペーストCを、それぞれ用いた。実施例4と同様の方法で乾燥、露光、現像、リンスした後、エネルギー量1.0J/cm、照射時間0.3msec、の条件でキセノンフラッシュランプの光を照射して、導電パターンを得た。得られた導電パターンについて、実施例1と同様の評価をした。評価結果を表1に示す。
実施例1〜8の導電パターンは、いずれも断線がなく直進性に優れており、タッチセンサー用部材として好適なものであった。
Figure 2015087859
本発明の製造方法は、タッチセンサー用部材が備える検出電極及び導電配線となる導電パターンの形成に、好適に用いることができる。

Claims (7)

  1. 表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、前記表示領域上及び前記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、
    前記表示領域上の前記導電塗布膜と、前記加飾領域上の前記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して導電パターンを得る、導電パターン形成工程と、を備え、
    前記表示領域上の前記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、
    前記加飾領域上の前記導電パターンの線幅が、7〜100μmである、タッチセンサー用部材の製造方法。
  2. 表示領域と、加飾領域と、に区分される基板において、前記表示領域上に、感光性遮光ペーストを塗布して遮光塗布膜を得る、遮光塗布膜形成工程と、
    遮光塗布膜形成工程後に、前記表示領域上及び前記加飾領域上に感光性導電ペーストを塗布して導電塗布膜を得る、導電塗布膜形成工程と、
    前記表示領域上の前記遮光塗布膜及び前記導電塗布膜と、前記加飾領域上の前記導電塗布膜と、を一括して露光及び現像し、さらに100〜250℃で加熱又はキセノンフラッシュランプの光を照射して遮光層及び導電パターンを得る、遮光層及び導電パターン形成工程と、を備え、
    前記表示領域上の前記導電パターンの線幅が、2〜6μmであり、
    前記加飾領域上の前記導電パターンの線幅が、7〜100μmである、タッチセンサー用部材の製造方法。
  3. 前記表示領域上の前記導電塗布膜と、前記加飾領域上の前記導電塗布膜と、が含有する熱硬化性化合物が同一である、請求項1又は2記載のタッチセンサー用部材の製造方法。
  4. 前記表示領域上の前記導電塗布膜と、前記加飾領域上の前記導電塗布膜と、の組成が同一である、請求項1〜3のいずれか一項記載のタッチセンサー用部材の製造方法。
  5. 前記導電塗布膜形成工程において、前記表示領域上及び前記加飾領域上に、一括して感光性導電ペーストを塗布する、請求項4記載のタッチセンサー用部材の製造方法。
  6. 表示領域と、加飾領域と、に区分される基板と、
    前記表示領域上に形成された、線幅が2〜6μmの導電パターンと、
    前記加飾領域上に形成された、線幅が7〜100μmの導電パターンと、を備え、
    前記線幅が2〜6μmの導電パターンと、前記線幅が7〜100μmの導電パターンと、の組成が同一である、タッチセンサー用部材。
  7. 前記表示領域と、前記線幅が2〜6μmの導電パターンと、の間に、遮光層を有する、請求項6記載のタッチセンサー用部材。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201705751D0 (en) * 2017-04-10 2017-05-24 Rainbow Tech Systems Ltd Force sensitive resistor
CN109634469B (zh) * 2019-02-27 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制作方法、触控显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013206050A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toray Ind Inc タッチパネルの製造方法
JP2013246723A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 静電容量型タッチパネル用光透過性電極

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004266142A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電磁波シールド体の製造方法
CN102047152B (zh) * 2008-05-28 2012-12-26 凸版印刷株式会社 滤色器的制造方法、带图案基板的制造方法及小型光掩模
KR101573929B1 (ko) * 2009-01-08 2015-12-02 엘지전자 주식회사 과냉각 장치
JP2012014669A (ja) * 2009-11-20 2012-01-19 Fujifilm Corp 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル
JP5899673B2 (ja) 2011-06-14 2016-04-06 東レ株式会社 導電性フィルム及びその製造方法
TWI571912B (zh) * 2012-05-04 2017-02-21 群康科技(深圳)有限公司 觸控面板邊緣走線的製作方法、具有該邊緣走線的觸控面板及觸控顯示裝置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013206050A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toray Ind Inc タッチパネルの製造方法
JP2013246723A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 静電容量型タッチパネル用光透過性電極

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