JPWO2015004825A1 - Dc/dcコンバータ - Google Patents
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Abstract
Description
また、上記特許文献2では、ゼロ電圧スイッチングを用いた制御によりスイッチング損失を低減するものであるが、電力移行方向が逆転した際には、ゼロ電圧スイッチングができずスイッチング損失が増大してしまうという問題点があった。
さらに、特許文献1、2においては、一次側と二次側とで構成が異なるため、電力伝送方向が逆転しても制御を単に逆転させることはできず、制御切り替えまでの時間遅れによって、出力電圧が過大に上昇したり、下降したり安定な出力を得ることが困難であった。
また、上記DC/DCコンバータは、トランスを挟んで対称な回路構成となり、簡素な制御で双方向の電力伝送を可能にすると共に、トランス電流の逆流を防止して、さらなる損失低減とトランスの小型化が図れる。
以下、この発明の実施の形態1について説明する。
図1は、この発明の実施の形態1によるDC/DCコンバータとしてのバッテリ充放電装置100の回路構成を示した図である。図に示すように、バッテリ充放電装置100は、第1直流電源としての直流電源1と第2直流電源としてのバッテリ2との間で双方向の電力変換によるバッテリ2の充放電を行うものである。
バッテリ充放電装置100は、絶縁されたトランスとしての高周波トランス3(以下、単にトランス3と称す)と、直流電源1に並列に接続された第1平滑コンデンサ4と、第1コンバータ部としての第1スイッチング回路5と、バッテリ2に並列に接続された第2平滑コンデンサ7と、第2コンバータ部としての第2スイッチング回路8と、第1スイッチング回路5、第2スイッチング回路8の各交流入出力線に接続された第1リアクトル9、第2リアクトル10とを備える。またバッテリ充放電装置100は、第1スイッチング回路5および第2スイッチング回路8を制御する制御回路20を備える。
なお、バッテリ2の充電電流iを検出する電流センサは、第2平滑コンデンサ7より第2スイッチング回路8側の位置に設けても良い。
図2は、直流電源1からバッテリ2への電力伝送、即ちバッテリ2を充電する場合の制御ブロック図である。バッテリ充放電装置100の出力電流である充電電流iは検出されて制御回路20に入力される。図に示すように、制御回路20では、入力された充電電流iを充電電流指令値i*と比較し、差分をフィードバックして第1スイッチング回路5および第2スイッチング回路8の出力DUTY比(以下、単にDUTY比と称す)を決定し、各半導体スイッチング素子Qの駆動信号21a、21bを決定する。
また、直流電源1に並列接続された第1平滑コンデンサ4の電圧は、直流電源1の電圧と同じ直流電圧となる。
この場合、第1スイッチング回路5内の一方のブリッジ回路である第1ブリッジ回路(Q4A,Q4B)を基準として、全体の駆動信号が生成される。第2スイッチング回路8内の一方のブリッジ回路である第2ブリッジ回路(Q1A,Q1B)のQ1A、Q1Bはオフ状態に保持される。
そして、第1基準素子Q4Aの駆動信号の位相に対する第1対角素子Q3Bの駆動信号の位相シフト量θ1(第1位相シフト量)と、第1基準素子Q4Aの駆動信号の位相に対する第2対角素子Q2Bの駆動信号の位相シフト量θ2(第2位相シフト量)とが、制御指令であるDUTY比に応じて決定される。即ち、位相シフト量θ1、θ2がDUTY比に応じて制御される。この位相シフト量θ1、θ2の制御についての詳細は後述するが、この場合、位相シフト量θ1が最小に保持され、位相シフト量θ2がDUTY比に応じて変化する。
以下、図3および図4〜図13に基づいて、一周期内のバッテリ充放電装置100の動作を示す。なお、バッテリ2の電圧は、第2巻線3bに発生する電圧より高いものとし、直流電源1からバッテリ2へ電力伝送される。
便宜上、期間Bから説明していく。
直流電源1の電圧をVLとすると、第1スイッチング回路5は、Q4A、Q3Bが同時オンする対角オン時間t1に電圧VLの正のパルスを、Q4B、Q3Aが同時オンする対角オン時間t1aに電圧(−VL)の負のパルスを出力して、トランス3の第1巻線3aに印加する。トランス3の第1巻線3aと第2巻線3bとの巻線比をNL:NBとすると、この時、トランス3の第2巻線3bには、(±VL)×NB/NLの電圧が印加される。
また、トランス3の一次側の第1スイッチング回路5における各半導体スイッチング素子Qのスイッチングは、コンデンサ13および第1リアクトル9の作用で、全てゼロ電圧スイッチングとなる。なお、二次側の第2スイッチング回路8のスイッチングは、一部がゼロ電圧スイッチングとなる。
図3で示した昇圧充電時と同様に、第1スイッチング回路5内の第1ブリッジ回路(Q4A,Q4B)を基準として、全体の駆動信号が生成され、第2スイッチング回路8内の第2ブリッジ回路(Q1A,Q1B)のQ1A、Q1Bはオフ状態に保持される。また、第2ブリッジ回路(Q1A,Q1B)以外の3つのブリッジ回路は、各ブリッジ回路を構成する正側(高電圧側)のQ4A、Q3A、Q2Aおよび負側(低電圧側)のQ4B、Q3B、Q2Bは、短絡防止時間を除くと、それぞれ50%のオン時間比率で制御される。
以下、図14および図15〜図24に基づいて、一周期内のバッテリ充放電装置100の動作を示す。なお、バッテリ2の電圧は、第2巻線3bに発生する電圧より低いものとし、直流電源1からバッテリ2へ電力伝送される。
便宜上、期間Dから説明していく。
また、トランス3の一次側の第1スイッチング回路5における各半導体スイッチング素子Qのスイッチングは、コンデンサ13および第1リアクトル9の作用で、全てゼロ電圧スイッチングとなる。なお、二次側の第2スイッチング回路8のスイッチングは、一部がゼロ電圧スイッチングとなる。
図25は、バッテリ充放電装置100がバッテリ2から直流電源1へ電力伝送する、即ちバッテリ2を放電する場合の制御ブロック図である。この場合、バッテリ充放電装置100は、直流電源1に出力しており、第1平滑コンデンサ4の電圧vが出力電圧として検出されて制御回路20に入力される。図に示すように、制御回路20では、入力された出力電圧vを出力電圧指令値v*と比較し、差分をフィードバックして第1スイッチング回路5および第2スイッチング回路8の出力DUTY比(DUTY比)を決定し、各半導体スイッチング素子Qの駆動信号21a、21bを決定する。
バッテリ2から電力供給される場合には、直流電源1から電力供給される場合の逆方向動作となるため、バッテリ2に並列に接続された第2平滑コンデンサ7はバッテリ2の電圧と同じ直流電圧となる。
バッテリ充放電装置100の昇圧放電において、図27に示すように、昇圧充電時の逆方向動作となり、昇圧充電時における第1スイッチング回路5の駆動信号と、第2スイッチング回路8の駆動信号を入れ替えたものである。そして、各期間A〜Jにおける動作についても、降圧充電時における第1スイッチング回路5と第2スイッチング回路8とを逆にしたものと同様である。
図26に示す降圧放電では、直流電源1の電圧は第1巻線3aに発生する電圧より低いものとし、図27に示す昇圧放電では、直流電源1の電圧は第1巻線3aに発生する電圧より高いものとし、双方においてバッテリ2から直流電源1へ電力伝送される。
第2スイッチング回路8内の第2ブリッジ回路(Q1A,Q1B)を基準として、全体の駆動信号が生成される。第1スイッチング回路5内の第1ブリッジ回路(Q4A,Q4B)のQ4A、Q4Bはオフ状態に保持される。
また、第1ブリッジ回路(Q4A,Q4B)以外の3つのブリッジ回路は、各ブリッジ回路を構成する正側(高電圧側)のQ1A、Q2A、Q3Aおよび負側(低電圧側)のQ1B、Q2B、Q3Bは、短絡防止時間を除くと、それぞれ50%のオン時間比率で制御される。この場合、制御回路20は、電力を送る側の第2スイッチング回路8の各半導体スイッチング素子Qをスイッチングする際、短絡防止時間の間に各半導体スイッチング素子Qに並列接続されたコンデンサ13の電圧が第2平滑コンデンサ7の電圧まで増加する、あるいはゼロ電圧近辺まで低下するようにしてゼロ電圧スイッチングする。
図26に示す降圧放電では、位相シフト量θ3と位相シフト量θ4とは等しく、双方の位相シフト量θ3、θ4がDUTY比に応じて変化する。また、図27に示す昇圧放電では、位相シフト量θ3が最小に保持され、位相シフト量θ4がDUTY比に応じて変化する。
また、制御回路20は、第1ブリッジ回路(Q4A,Q4B)に対して、第2ブリッジ回路(Q1A,Q1B)と等しい駆動信号を仮想駆動信号として想定し、Q4Aの仮想駆動信号によるQ4Aの仮想オンとQ3Bのオンとが重なる期間を仮想対角オン時間t4とする。この仮想対角オン時間t4は、位相シフト量θ4により決まる。なお、Q4Bの仮想駆動信号によるQ4Bの仮想オンとQ3Aのオンとが重なる仮想対角オン時間t4aも、仮想対角オン時間t4と等しい。
なお、充電時の位相シフト量θ1と放電時の位相シフト量θ4とは、共に第1対角素子Q3Bの位相シフト量であるため、同様の実線で続けて記載した。また、充電時の位相シフト量θ2と放電時の位相シフト量θ3とは、共に第2対角素子Q2Bの位相シフト量であるため、同様の点線で続けて記載した。同様に、対角オン時間t1と仮想対角オン時間t4を同様の実線で続けて記載し、仮想対角オン時間t2と対角オン時間t3とを同様の点線で続けて記載した。
トランス3の第1巻線3aから第2巻線3bに電力伝送されて第2巻線3bに電圧が発生している期間は、Q4A、Q3Bの同時オンする対角オン時間t1、およびQ4B、Q3Aの同時オンする対角オン時間t1aである。
昇圧時には、この期間を出来る限り長くすることで、第1スイッチング回路5および第2スイッチング回路8の還流期間に関わる損失を低減することが可能となる。
この昇圧充電時には、トランス3に電圧印加されている対角オン時間(t1、t1a)内に、第2スイッチング回路8で第2リアクトル10を励磁する期間がある。即ち、Q4Aの駆動信号の位相に対する第2対角素子Q2Bの駆動信号の位相シフト量θ2は位相シフト量θ1以上の値で、位相シフト量θ1、θ2が共に最小(短絡防止時間)となる第1基準点22を起点とする。そして、制御回路20は、DUTY比が増大すると位相シフト量θ1を最小に保持すると共に位相シフト量θ2を増大させる。
位相シフト量θ1、θ2が最大の時、対角オン時間t1および仮想対角オン時間t2は共に最小(短絡防止時間)となり、電力伝送がない状態である。降圧充電時では、制御回路20は、DUTY比が0のとき、位相シフト量θ1、θ2が最大で、DUTY比が増大すると位相シフト量θ1、θ2を共に低減させる。この時、対角オン時間t1および仮想対角オン時間t2は増大する。
位相シフト量θ3、θ4が最大の時、対角オン時間t3および仮想対角オン時間t4は共に最小(短絡防止時間)となり、電力伝送がない状態である。降圧放電時では、DUTY比が0のとき位相シフト量θ3、θ4が最大で、制御回路20は、DUTY比が負方向に増大すると位相シフト量θ3、θ4を共に低減させる。この時、対角オン時間t3および仮想対角オン時間t4は増大する。
直流電源1からバッテリ2への電力伝送において、第1スイッチング回路5は、Q4A、Q3Bの同時オンする対角オン時間t1(TA)に正の電圧パルスを、Q4B、Q3Aの同時オンする対角オン時間t1a(TB)に負の電圧パルスを出力して、トランス3の第1巻線3aに印加する。この期間が電力伝送期間TA、TBとなり、トランス3の巻線比に応じて第2巻線3bに電圧が発生する。第1スイッチング回路5の出力電圧波形は、第1巻線3aに印加される電圧であるが、大きさを無視すると第2巻線3bに発生する電圧、即ち第2スイッチング回路8の出力電圧波形と同様である。
なお、バッテリ2から直流電源1への電力伝送においても同様である。
仮想駆動信号を実際の駆動信号に用いた場合、即ちトランス3に逆電流が流れ得るときを比較例とすると、トランス電流ピーク値24は、例えばバッテリ電圧が150Vの時、80Ap(比較例)から58Apに低下した。またトランス電流実効値25は、55Arms(比較例)から30Armsに低下した。
また、図31に、比較例と同じ電流値5Aの場合のトランス巻線温度26と、高い電流値25Aの場合のトランス巻線温度27とを示した。図に示すように、トランス巻線温度も大きく低減することができる。
これにより、制御回路20は、直流電源1とバッテリ2の間に流れる充放電電流±iのみに基づいて双方向の制御を実現することが可能となる。
上記実施の形態1で示したバッテリ充放電装置100の起動時の制御について説明する。
例えばバッテリ充放電装置100が直流電源1からバッテリ2へ電力伝送する場合、DUTY比が0の時、位相シフト量θ1、θ2は最大で、DUTY比が増大すると位相シフト量θ1、θ2は等しい量で共に低減する(図28参照)。
バッテリ充放電装置100の起動時には、制御回路20は、位相シフト量θ1、θ2を等しくして最大から徐々に低減させることで、対角オン時間t1、t1aを徐々に増加させ、バッテリ充放電装置100をソフトスタートさせる。トランス3の巻線に流れる電流ピーク値は、トランス3の巻線への印加電圧および印加時間に比例する。したがって、バッテリ充放電装置100は、起動時に上述したようなソフトスタートを行うことで、トランス3の巻線に流れる電流ピーク値を徐々に変化させることが実現でき、外部に接続する機器への負担を軽減することが可能である。
なお、バッテリ充放電装置100がバッテリ2から直流電源1へ電力伝送する場合も同様であり、起動時には、制御回路20は、位相シフト量θ3、θ4を等しくして徐々に低減させてバッテリ充放電装置100をソフトスタートさせる。
上記実施の形態1によるバッテリ充放電装置100では、昇圧時と降圧時とで位相シフト量の最大値を等しくしたが、昇圧時の最大値を低く設定しても良い。
この実施の形態3では、制御回路20にリミッタを設けて、生成されるDUTY比を制限値αで制限する。図34に示すように、DUTY比の大きさは制限値αで制限され、位相シフト量θ2、θ4の昇圧時の最大は短絡防止時間で決定される最大よりも低い設定最大量θαaとなる。また、仮想対角オン時間t2、t4の昇圧時の最小は短絡防止時間よりも長い時間tαaとなる。
これにより、バッテリ充放電装置100の制御設計の自由度が大きくなる。
上記実施の形態3では、制御回路20は、DUTY比の大きさを制限値αで制限して、位相シフト量θ2、θ4の昇圧時の最大量を低下させたが、位相シフト量θ1、θ2、θ3、θ4の降圧時の最小量を増大することもできる。
図35に示すように、DUTY比の大きさは制限値αで制限され、θ1、θ2、θ3、θ4の降圧時の最小は短絡防止時間よりも増大した設定最小量θαbとなる。このとき、対角オン時間t1、t3と仮想対角オン時間t2、t4の降圧時の最大は、短絡防止時間で決定される最大オン時間tmaxよりも短い時間tαbとなる。
そして、制御回路20が、DUTY比の制限値αを0から増加させると、バッテリ充放電装置100の伝送電力を0から増加させることができる。このように、制御回路20がDUTY比の制限値αを変化させることで、バッテリ充放電装置100は、各半導体スイッチング素子Qのスイッチングを停止することなく、双方向の電力伝送における停止と再開を繰り返すことが可能になる。
これにより、バッテリ充放電装置100の起動と停止との動作を一部省略することができ、制御の即応性が向上する。
Claims (13)
- 第1直流電源と第2直流電源との間の双方向の電力伝送を行うDC/DCコンバータにおいて、
トランスと、
それぞれ逆並列ダイオードと並列コンデンサが接続された複数の半導体スイッチング素子を備えた2つのブリッジ回路によるフルブリッジ回路で構成され、上記第1直流電源と上記トランスの第1巻線との間に接続されて、直流/交流間で双方向に電力変換する第1コンバータ部と、
それぞれ逆並列ダイオードと並列コンデンサが接続された複数の半導体スイッチング素子を備えた2つのブリッジ回路によるフルブリッジ回路で構成され、上記第2直流電源と上記トランスの第2巻線との間に接続されて、直流/交流間で双方向に電力変換する第2コンバータ部と、
上記第1コンバータ部、上記第2コンバータ部の各交流入出力線に接続された第1リアクトル、第2リアクトルと、
上記第1コンバータ部、第2コンバータ部内の上記各半導体スイッチング素子を駆動制御して上記第1コンバータ部および第2コンバータ部を制御する制御回路とを備え、
上記制御回路は、
上記第1直流電源から上記第2直流電源への第1電力伝送において、上記第2コンバータ部の一方のブリッジ回路である第2ブリッジ回路を構成する上記各半導体スイッチング素子を全てオフ状態にすると共に、上記第1リアクトルを利用して上記第1コンバータ部内の上記各半導体スイッチング素子がゼロ電圧スイッチングするように制御し、かつ、上記トランスの上記第2巻線に発生する電圧より上記第2直流電源の電圧が高いときは、上記第2リアクトルを用いて上記第2コンバータ部が昇圧動作するように制御し、
上記第2直流電源から上記第1直流電源への第2電力伝送において、上記第1コンバータ部の一方のブリッジ回路である第1ブリッジ回路を構成する上記各半導体スイッチング素子を全てオフ状態にすると共に、上記第2リアクトルを利用して上記第2コンバータ部内の上記各半導体スイッチング素子がゼロ電圧スイッチングするように制御し、かつ、上記トランスの上記第1巻線に発生する電圧より上記第1直流電源の電圧が高いときは、上記第1リアクトルを用いて上記第1コンバータ部が昇圧動作するように制御する、
DC/DCコンバータ。 - 上記制御回路は、
上記第1電力伝送において、上記第1コンバータ部および上記第2コンバータ部内の上記第2ブリッジ回路以外の3つのブリッジ回路について、正側の半導体スイッチング素子および負側の半導体スイッチング素子を、短絡防止時間を除くとそれぞれ50%のオン時間比率で制御し、
上記第2電力伝送において、上記第1コンバータ部および上記第2コンバータ部内の上記第1ブリッジ回路以外の3つのブリッジ回路について、正側の半導体スイッチング素子および負側の半導体スイッチング素子を、短絡防止時間を除くと、それぞれ50%のオン時間比率で制御する、
請求項1に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記第1コンバータ部の上記第1ブリッジ回路の正側/負側のいずれか一方の半導体スイッチング素子を第1基準素子とし、上記第2コンバータ部内の上記第2ブリッジ回路の正側/負側のいずれか一方の半導体スイッチング素子を第2基準素子とし、
上記第1コンバータ部内で上記第1基準素子と対角の関係にある半導体スイッチング素子
である第1対角素子とし、上記第2コンバータ部内で上記第2基準素子と対角の関係にある半導体スイッチング素子を第2対角素子とし、
上記制御回路は、
上記第1電力伝送において、上記第1基準素子の駆動信号の位相に対する、上記第1対角素子の駆動信号の第1位相シフト量、および上記第2対角素子の駆動信号の第2位相シフト量を制御し、
上記第2電力伝送において、上記第2基準素子の駆動信号の位相に対する、上記第2対角素子の駆動信号の第3位相シフト量、および上記第1対角素子の駆動信号の第4位相シフト量を制御する、
請求項2に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記制御回路は、
上記第1電力伝送において、上記第1位相シフト量と上記第2位相シフト量とを同量に制御し、上記第1直流電源から上記第2直流電源への電力伝送量を増大するときは、上記第1位相シフト量および上記第2位相シフト量を低減させ、
上記第2電力伝送において、上記第3位相シフト量と上記第4位相シフト量とを同量に制御し、上記第2直流電源から上記第1直流電源への電力伝送量を増大するときは、上記第3位相シフト量および上記第4位相シフト量を低減させ、
上記第1電力伝送において上記第1位相シフト量および上記第2位相シフト量が最大の時、および上記第2電力伝送において上記第3位相シフト量および上記第4位相シフト量が最大の時に、上記第1電力伝送と上記第2電力伝送とを切り換える、
請求項3に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記制御回路は、
上記第1電力伝送において、上記第1位相シフト量と上記第2位相シフト量とが共に最小になる点を第1基準点とし、上記第1直流電源から上記第2直流電源への電力伝送量を上記第1基準点より増大するときは、上記第1位相シフト量を最小に保持すると共に上記第2位相シフト量を増大させ、
上記第2電力伝送において、上記第3位相シフト量と上記第4位相シフト量とが共に最小になる点を第2基準点とし、上記第2直流電源から上記第1直流電源への電力伝送量を上記第2基準点より増大するときは、上記第3位相シフト量を最小に保持すると共に上記第4位相シフト量を増大させる、
請求項3に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記制御回路は、
上記第1電力伝送において、上記第1位相シフト量と上記第2位相シフト量とが共に最小になる点を第1基準点とし、上記第1直流電源から上記第2直流電源への電力伝送量を上記第1基準点より増大するときは、上記第1位相シフト量を最小に保持すると共に上記第2位相シフト量を増大させ、
上記第2電力伝送において、上記第3位相シフト量と上記第4位相シフト量とが共に最小になる点を第2基準点とし、上記第2直流電源から上記第1直流電源への電力伝送量を上記第2基準点より増大するときは、上記第3位相シフト量を最小に保持すると共に上記第4位相シフト量を増大させる、
請求項4に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記制御回路は、上記第1直流電源と上記第2直流電源との間の電力伝送量に基づいて出力DUTY比を演算し、該出力DUTY比の極性に基づいて電力伝送方向を決定し、該出力DUTY比の大きさに基づいて上記第1〜第4位相シフト量を決定する、
請求項3から請求項6のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記制御回路は、上記第1直流電源から上記第2直流電源への電力伝送量が上記第1基準点より増大するときの上記第2位相シフト量、および上記第2直流電源から上記第1直流電源への電力伝送量が上記第2基準点より増大するときの上記第4位相シフト量を、設定最大量で制限する、
請求項5または請求項6に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記設定最大量を可変とする請求項8に記載のDC/DCコンバータ。
- 上記制御回路は、上記第1電力伝送時に上記第1位相シフト量と上記第2位相シフト量とを同量に制御するとき、および上記第2電力伝送時に上記第3位相シフト量と上記第4位相シフト量とを同量に制御するとき、上記第1〜第4位相シフト量を設定最小量で制限する、
請求項4または請求項6に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記設定最小量を可変とする請求項10に記載のDC/DCコンバータ。
- 上記制御回路は、
上記第1電力伝送において、上記第1基準素子の駆動信号と等しい仮想駆動信号を上記第2基準素子に対して想定し、上記第2位相シフト量を制御することで、上記第2基準素子の仮想オンと上記第2対角素子のオンとが重なる仮想対角オン時間を制御し、上記第1位相シフト量を制御することで、上記第1基準素子と上記第1対角素子とが共にオンする対角オン時間を制御し、
上記第2電力伝送において、上記第2基準素子の駆動信号と等しい仮想駆動信号を上記第1基準素子に対して想定し、上記第4位相シフト量を制御することで、上記第1基準素子の仮想オンと上記第1対角素子のオンとが重なる仮想対角オン時間を制御し、上記第3位相シフト量を制御することで、上記第2基準素子と上記第2対角素子とが共にオンする対角オン時間を制御する、
請求項3から請求項6のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。 - 上記第1コンバータ部の上記第1基準素子と上記第2コンバータ部の上記第2基準素子とは、上記トランスに対して対称配置されたものである、
請求項3から請求項6のいずれか1項に記載のDC/DCコンバータ。
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