JPWO2014010471A1 - エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板 - Google Patents
エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014010471A1 JPWO2014010471A1 JP2014524755A JP2014524755A JPWO2014010471A1 JP WO2014010471 A1 JPWO2014010471 A1 JP WO2014010471A1 JP 2014524755 A JP2014524755 A JP 2014524755A JP 2014524755 A JP2014524755 A JP 2014524755A JP WO2014010471 A1 JPWO2014010471 A1 JP WO2014010471A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching solution
- semiconductor substrate
- solar cells
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 161
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- -1 sulfonic acid compound Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- JIRHAGAOHOYLNO-UHFFFAOYSA-N (3-cyclopentyloxy-4-methoxyphenyl)methanol Chemical compound COC1=CC=C(CO)C=C1OC1CCCC1 JIRHAGAOHOYLNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CVLHGLWXLDOELD-UHFFFAOYSA-N 4-(Propan-2-yl)benzenesulfonic acid Chemical compound CC(C)C1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 CVLHGLWXLDOELD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 83
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 3
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethyl-4-(3-oxobutyl)dihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)CCC1CC(=O)OC1(C)C AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- POWFTOSLLWLEBN-UHFFFAOYSA-N tetrasodium;silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] POWFTOSLLWLEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液として、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種とケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含有させたアルカリ性のエッチング液を用いる。本発明において、スルホン酸化合物は、ｐ−トルエンスルホン酸であることが好ましい。
Description
本発明は、エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板に関する。
近年、太陽電池の発電効率を高めるために、太陽電池用半導体基板の表面に凹凸を形成させ、基板表面からの入射光を効率良く基板内部に取り込む方法が用いられている。基板表面に微細な凹凸を均一に形成する方法として、例えば、単結晶シリコン基板の（１００）面を、水酸化ナトリウム及びイソプロピルアルコールの混合水溶液を用いて異方エッチング処理し、（１１１）面で構成されるピラミッド状（四角錐状）の凹凸を形成させる方法が知られている。しかしながら、この方法は、イソプロピルアルコールを使用するため、廃液処理や作業環境、安全性の点で問題がある。また、この方法では、基板表面に形成される凹凸の形状や大きさにムラがあり、所望の大きさの微細な凹凸を均一に基板表面に形成させることが困難である。
そこで、特許文献１には、アルカリ性のエッチング液に特定の脂肪族カルボン酸とシリコンとを含有させることで、基板表面をエッチングする際のエッチングレートを安定させて、所望の大きさのピラミッド状の凹凸を基板表面に均一に形成させる方法が記載されている。
上記の通り、特許文献１には、所望の大きさの凹凸が基板表面に均一に形成された太陽電池用半導体基板の製造方法が開示されている。しかし、特許文献１に記載のエッチング液では、エッチング液の交換等をせずに基板表面のエッチング処理を続けると、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させることが困難になる。
不均一な凹凸が基板表面に形成された太陽電池用半導体基板になることを防ぐためには、所望の大きさの凹凸が基板表面に均一に形成されているか否かを頻繁に確認して、不均一な凹凸が基板表面に形成され始めたときに、エッチング液を交換しなければならない。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、多枚数の太陽電池用半導体基板を連続してエッチング処理しても、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させるための技術を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含有させたアルカリ性のエッチング液を用いることで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には本発明は以下のものを提供する。
（１） 太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液であって、下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含むエッチング液。
（上記一般式（Ｉ）中のｎは０〜５の整数であり、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基である。）
（２） 前記スルホン酸化合物は、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、キュメンスルホン酸である（１）に記載のエッチング液。
（３） （１）又は（２）に記載のエッチング液で太陽電池用半導体基板を処理した後に、前記エッチング液に添加してエッチング力を回復させるエッチング力回復剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種、及び／又はアルカリを含むエッチング力回復剤。
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種、及び／又はアルカリを含むエッチング力回復剤。
（４） （１）又は（２）に記載のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、前記基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える太陽電池用半導体基板の製造方法。
（５） （１）又は（２）に記載のエッチング液で、表面をエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板。
本発明によれば、多くの数の太陽電池用半導体基板を連続してエッチング処理しても、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させることができる。
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
＜エッチング液＞
本発明のエッチング液は、太陽電池用半導体基板の表面を処理するためのアルカリ性のエッチング液であり、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含む。また、本発明のエッチング液はアルカリ性であるため、少なくとも一種のアルカリも含む。
本発明のエッチング液は、太陽電池用半導体基板の表面を処理するためのアルカリ性のエッチング液であり、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含む。また、本発明のエッチング液はアルカリ性であるため、少なくとも一種のアルカリも含む。
［スルホン酸化合物］
本発明のエッチング液に含まれるスルホン酸化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される。下記のスルホン酸化合物がケイ酸及び／又はケイ酸塩と共にアルカリ性のエッチング液に含まれることで、エッチング液を交換等せずにエッチング液を繰り返し使用できる回数が大幅に増加する。また、下記一般式で表される化合物を使用すれば、エッチング液が泡立ちにくくなる。その結果、エッチング液が基板表面にムラ無く接触し、ピラミッド状の凹凸を基板表面に均一に形成させやすくなる。また、下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸は、ヘプタン酸等の脂肪族カルボン酸と比較して臭いにくく、トルエンスルホン酸を使用すれば、エッチング処理等の作業環境を改善できる。
本発明のエッチング液に含まれるスルホン酸化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される。下記のスルホン酸化合物がケイ酸及び／又はケイ酸塩と共にアルカリ性のエッチング液に含まれることで、エッチング液を交換等せずにエッチング液を繰り返し使用できる回数が大幅に増加する。また、下記一般式で表される化合物を使用すれば、エッチング液が泡立ちにくくなる。その結果、エッチング液が基板表面にムラ無く接触し、ピラミッド状の凹凸を基板表面に均一に形成させやすくなる。また、下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸は、ヘプタン酸等の脂肪族カルボン酸と比較して臭いにくく、トルエンスルホン酸を使用すれば、エッチング処理等の作業環境を改善できる。
（上記一般式（Ｉ）中のｎは０〜５の整数であり、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基である。）
ｎは１以上５以下であることが好ましい。ｎが１以上であると基板表面のエッチング処理を促進できるという理由で好ましく、ｎが５以上であればエッチング処理が阻害されるという理由で好ましくない。より好ましいｎの範囲は１以上３以下である。
炭素数１〜１２のアルキル基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。上記アルキル基の中でも、炭素数が１〜５のアルキル基が好ましく、その中でも特にメチル基が好ましい。特に炭素数が上記好ましい範囲内にあれば、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の炭化水素基の炭素数が少なくなる。その結果、エッチング液のＢＯＤ（生物化学的酸素要求量）、ＣＯＤ（化学的酸素要求量）を小さくできる。
ベンゼン環上のＲの置換位置は、スルホ基のパラ位、オルト位であることが好ましく、特に好ましくはスルホ基のパラ位である。
上記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物の中でも、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、キュメンスルホン酸が最も好ましい。特に、トルエンスルホン酸を使用すれば、所望の大きさのピラミッド状の凹凸を基板表面にムラ無く形成させることができる。また、トルエンスルホン酸は、カプリル酸等の脂肪族カルボン酸と比較して臭いにくい。したがって、トルエンスルホン酸を使用すれば、エッチング処理等の作業環境を改善できる。
本発明のエッチング液中のスルホン酸化合物の濃度は特に限定されないが、０．００５〜２．０ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。上記濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であればエッチングの均一性という理由で好ましく、上記濃度が２．０ｍｏｌ／Ｌ以下であればハンドリングという理由で好ましい。より好ましい上記濃度の範囲は０．１５〜１．０ｍｏｌ／Ｌである。
［ケイ酸及び／又はケイ酸塩］
本発明のエッチング液に含まれるケイ酸及び／又はケイ酸塩の種類は特に限定されないが、金属シリコン、シリカ、ケイ酸及びケイ酸塩からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。
本発明のエッチング液に含まれるケイ酸及び／又はケイ酸塩の種類は特に限定されないが、金属シリコン、シリカ、ケイ酸及びケイ酸塩からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。
ケイ酸塩としては、アルカリ金属のケイ酸塩が好ましく、例えば、オルソ珪酸ナトリウム（Ｎａ4ＳｉＯ4・ｎＨ2Ｏ）及びメタ珪酸ナトリウム（Ｎａ2ＳｉＯ3・ｎＨ2Ｏ）等のケイ酸ナトリウム、Ｋ4ＳｉＯ4・ｎＨ2Ｏ及びＫ2ＳｉＯ3・ｎＨ2Ｏ等のケイ酸カリウム、Ｌｉ4ＳｉＯ4・ｎＨ2Ｏ及びＬｉ2ＳｉＯ3・ｎＨ2Ｏ等のケイ酸リチウムなどが挙げられる。これらケイ酸塩は、化合物そのものをエッチング液に添加して用いることも可能であるし、シリコンウェハ、シリコンインゴット、シリコン切削粉等のケイ素材料または二酸化ケイ素を直接、アルカリに溶解させて反応物として得られるケイ酸塩化合物をケイ酸塩として用いても構わない。
本発明のエッチング液中のケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量（ケイ酸のみ含む場合にはケイ酸の含有量、ケイ酸塩のみ含む場合にはケイ酸塩の含有量、ケイ酸及びケイ酸塩を含む場合にはこれらの合計量）は特に限定されないが、０．５ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは２．５ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは５ｇ／Ｌ以上である。一方、本発明のエッチング液中のケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量の上限値としては、６０ｇ／Ｌ以下が好ましく、３０ｇ／Ｌ以下がより好ましい。
上記のケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量は、エッチングレートの安定化に影響を与える。エッチングレートを安定させる、ケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量は、後述するアルカリの濃度や、エッチングの際のエッチング液の温度等の条件によって変化する。このため、最適なケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量は、アルカリの濃度等に応じて決定すればよい。
［アルカリ］
アルカリは、エッチング液で基板表面をエッチングした際に、ピラミッド状の凹凸を基板表面に形成させるために必要な成分である。
アルカリは、エッチング液で基板表面をエッチングした際に、ピラミッド状の凹凸を基板表面に形成させるために必要な成分である。
本発明のエッチング液に含まれるアルカリの種類は特に限定されず、有機アルカリ及び無機アルキルのいずれも使用することができる。有機アルカリとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩、アルカノールアミン等が好ましい。無機アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物が好ましく、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムが特に好ましい。これらアルカリは単独で用いてもよく、２種以上混合して使用してもよい。
エッチング液中のアルカリの濃度は特に限定されないが、１〜５０質量％が好ましく、２〜３０質量％がより好ましく、３〜２５質量％であることがさらに好ましい。特にアルカリの濃度が３質量％以上であれば、エッチング液の耐久性が顕著に高まり、エッチング液を繰り返し使用しても、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させることができる。
［その他の成分］
本発明のエッチング液には、本発明の効果を害さない範囲で、その他の成分が含まれていてもよい。例えば、助剤としてキレート剤、アミノ酸、高分子ポリマー、グリコールエーテル類等を含むことで、スルホン酸化合物を含むことによる効果（入射光を効率よく基盤内に取り込む）を高めることができる。
本発明のエッチング液には、本発明の効果を害さない範囲で、その他の成分が含まれていてもよい。例えば、助剤としてキレート剤、アミノ酸、高分子ポリマー、グリコールエーテル類等を含むことで、スルホン酸化合物を含むことによる効果（入射光を効率よく基盤内に取り込む）を高めることができる。
［エッチング液の調製方法］
本発明のエッチング液の調製方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができるが、エッチング液を調製する際には、スルホン酸化合物、ケイ酸及び／又はケイ酸塩の順で添加することが好ましい。
本発明のエッチング液の調製方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができるが、エッチング液を調製する際には、スルホン酸化合物、ケイ酸及び／又はケイ酸塩の順で添加することが好ましい。
＜太陽電池用半導体基板の製造方法＞
本発明の太陽電池用半導体基板の製造方法は、本発明のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える。
本発明の太陽電池用半導体基板の製造方法は、本発明のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える。
太陽電池用半導体基板としては、単結晶シリコン基板が好ましいが、銅・インジウムやガリウム砒素等の半導体化合物を用いた単結晶の半導体基板も使用可能である。
エッチング工程において、本発明のエッチング液を基板表面に接触させる方法は特に限定されないが、エッチング液に太陽電池用半導体基板を浸漬させる方法が好ましい。以下、浸漬させる方法を例に本発明の製造方法を説明する。
浸漬させる方法でのエッチング工程とは、例えば、所定の容器に本発明のエッチング液を入れ、そこに太陽電池用半導体基板を浸漬する工程である。
エッチング工程における、上記容器内のエッチング液の温度は特に限定されず適宜設定することが可能であるが、生産と品質を考慮すると７０〜９８℃の範囲にあることが好ましい。
また、エッチング工程における、太陽電池用半導体基板のエッチング液への浸漬時間も特に限定されず適宜設定することが可能であるが、生産と品質を考慮すると１０〜４０分であることが好ましい。
本発明の製造方法によれば、本発明のエッチング液を使用するため、新しいエッチング液を上記容器に注ぎ足したり、上記容器内のエッチング液を新しいエッチング液に交換したりしなくても、連続して従来よりも多くの数の太陽電離用半導体基板の基板表面に所望の大きさのピラミッド状の凹凸を均一に形成させることができる。
また、本発明のエッチング液であれば、劣化したエッチング液に新しいエッチング液を加えたときの、劣化したエッチング液のエッチング力を回復させる効果が高い。例えば、エッチング液の１０％以上を新しいエッチング液と入れ替えることで、上記の高いエッチング力回復効果を得ることができる。
また、本発明のエッチング液であれば、劣化したエッチング液に上記スルホン酸化合物を加えたり、上記アルカリを加えたりすることでも、劣化したエッチング液のエッチング力を回復させることができる。例えば、スルホン酸化合物やアルカリを追加する場合であれば、エッチング液の全量の１質量％以上に相当する量をエッチング液に追加することで上記の高いエッチング力回復効果を得ることができる。なお、エッチング力の回復のために、スルホン酸化合物、アルカリの両者を劣化したエッチング液に加えてもよい。
太陽電池用半導体基板を繰り返し処理して劣化したエッチング液に、アルカリを添加することでエッチング力を回復することができる。しかしながら、ピラミッドの形成が均一にならないため、上記のように、化学式（Ｉ）で表される化合物を併用することにより、劣化したエッチング液を交換しなくてもエッチング処理を行える状態に回復させられる。このことにより初期建浴エッチング液を連続使用できるので工業的価値を高める効果がある。
＜太陽電池用半導体基板＞
本発明の製造方法で製造される太陽電池用半導体基板は、本発明のエッチング液を用いて製造した太陽電池用半導体基板であり、その基板表面には、底面の最大辺長が１〜３０μｍ、好ましくはその上限値が２５μｍ、さらに好ましくは上限が２０μｍであり、ピラミッド状の均一な凹凸が形成されている。さらに、本発明によれば、高い生産性で低反射率の太陽電池用半導体基板を得ることができる。本発明のエッチング液を用いれば、従来のエッチング液を使用するよりも、所望の大きさの上記凹凸を均一に基板表面に形成させることができる。なお、ピラミッド状の凹凸とは、ピラミッド状（四角錐状）の凸部が太陽電池用半導体基板表面に並ぶことで形成される凸部である。
本発明の製造方法で製造される太陽電池用半導体基板は、本発明のエッチング液を用いて製造した太陽電池用半導体基板であり、その基板表面には、底面の最大辺長が１〜３０μｍ、好ましくはその上限値が２５μｍ、さらに好ましくは上限が２０μｍであり、ピラミッド状の均一な凹凸が形成されている。さらに、本発明によれば、高い生産性で低反射率の太陽電池用半導体基板を得ることができる。本発明のエッチング液を用いれば、従来のエッチング液を使用するよりも、所望の大きさの上記凹凸を均一に基板表面に形成させることができる。なお、ピラミッド状の凹凸とは、ピラミッド状（四角錐状）の凸部が太陽電池用半導体基板表面に並ぶことで形成される凸部である。
上記の通り、本発明のエッチング液を用いてエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板表面には、所望の大きさのピラミッド状の凹凸が均一に形成されている。「均一に形成されている」とはピラミッド状の凸部間に間隔がほとんど空くことなく、ピラミッド状の凹凸が形成されていることを指す。したがって、従来公知のエッチング液を用いてエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板表面と、本発明のエッチング液を用いてエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板表面とは、ピラミッド状の凹凸の大きさのバラつきや、ピラミッド状の凸部間の間隔の大きさ等に基づいて区別することができる。なお、どの程度隙間無く凹凸が並ぶかについては、使用するスルホン酸化合物の種類によっても異なる。ｐ−トルエンスルホン酸を使用した場合には、ほぼ隙間無く基板表面に凹凸が並ぶので、上記の通り、本発明においては、ｐ−トルエンスルホン酸の使用が特に好ましい。
特に、エッチング液の耐久性を高める目的で、エッチング液中のアルカリの濃度を５質量％以上にすると、ピラミッド状の凹凸が大きくなる。具体的にはアルカリ濃度が５質量％のエッチング液でエッチング処理した後、基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、８０個のピラミッドを抽出のうえ、底面の最大辺長を測定するとおよそ１０〜１５μｍになる。このような大きな凹凸を形成することが目的の場合には、エッチング液の耐久性を充分に高めつつ、所望の凹凸を基板表面に形成できるため好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるものである。
＜実施例１＞
８質量％のＫＯＨ水溶液にｐ−トルエンスルホン酸を５０ｇ／Ｌ（０．３２ｍｏｌ／Ｌ）、ケイ酸塩としてケイ酸カリウムを所定量（３０ｇ／Ｌ）添加したエッチング溶液に、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（１辺３０ｍｍ正方形、厚さ１５０μｍ）を８０℃で２０分間浸漬させた。また、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、８０個のピラミッド形状についてピラミッドサイズを測定し、平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。結果を表１に示した。
８質量％のＫＯＨ水溶液にｐ−トルエンスルホン酸を５０ｇ／Ｌ（０．３２ｍｏｌ／Ｌ）、ケイ酸塩としてケイ酸カリウムを所定量（３０ｇ／Ｌ）添加したエッチング溶液に、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（１辺３０ｍｍ正方形、厚さ１５０μｍ）を８０℃で２０分間浸漬させた。また、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、８０個のピラミッド形状についてピラミッドサイズを測定し、平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。結果を表１に示した。
上記、走査電子顕微鏡は日本電子（株）製ＪＳＭ−５３１０で加速電圧は１５ｋＶにて観察した。
上記エッチング液を用いて、繰り返し１９９個の単結晶シリコン基板の基板表面のエッチングを行った。２００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。
２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理したエッチング液を用いて、さらに２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理した。４００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。
＜比較例１＞
８質量％のＫＯＨ水溶液にカプリル酸を５０ｇ／Ｌ（０．３５ｍｏｌ／Ｌ）、ケイ酸塩としてケイ酸カリウムを所定量（３０ｇ／Ｌ）添加したエッチング溶液に、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（１辺３０ｍｍ正方形、厚さ１５０μｍ）を８０℃で２０分間浸漬させた。また、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、任意に選んだ８０個のピラミッド形状についてピラミッドサイズを測定し、平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。結果を表１に示した。
８質量％のＫＯＨ水溶液にカプリル酸を５０ｇ／Ｌ（０．３５ｍｏｌ／Ｌ）、ケイ酸塩としてケイ酸カリウムを所定量（３０ｇ／Ｌ）添加したエッチング溶液に、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（１辺３０ｍｍ正方形、厚さ１５０μｍ）を８０℃で２０分間浸漬させた。また、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、任意に選んだ８０個のピラミッド形状についてピラミッドサイズを測定し、平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。結果を表１に示した。
上記エッチング液を用いて、繰り返し１９９個の単結晶シリコン基板の基板表面のエッチングを行った。２００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。
２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理したエッチング液を用いて、さらに２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理した。４００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。
表１から実施例のエッチング液であれば、連続して２００個以上の単結晶シリコン基板をエッチング処理しても、基板表面に形成される凹凸の標準偏差が小さいことが確認された。
＜実施例２＞
４００個の単結晶シリコン基板を、実施例１と同様のエッチング液を用いてエッチング処理を行った。
４００個の単結晶シリコン基板を、実施例１と同様のエッチング液を用いてエッチング処理を行った。
４００個目の単結晶シリコン基板の基板表面には凹凸が形成されなかったため、エッチング液の半分を新しいエッチング液に交換した。このエッチング液を用いて単結晶シリコン基板をエッチング処理した。エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、表面状態と平均ピラミッドサイズを評価した（平均ピラミッドサイズが評価できないものについては「−：測定できず」とした）。評価結果を表２に示した。表面状態の評価基準は以下の通りである。
A：ウエハー表面がムラなく均一にピラミッドが形成されている
B：ウエハー表面にムラが発生しているが一部ピラミッドが形成されている
F：ピラミッドが形成されていない
A：ウエハー表面がムラなく均一にピラミッドが形成されている
B：ウエハー表面にムラが発生しているが一部ピラミッドが形成されている
F：ピラミッドが形成されていない
＜実施例３＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨをエッチング液に添加し、実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨをエッチング液に添加し、実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
＜実施例４＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨ水溶液と７％のｐ−トルエンスルホン酸をエッチング液に添加した。このこと以外は実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨ水溶液と７％のｐ−トルエンスルホン酸をエッチング液に添加した。このこと以外は実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
＜比較例２＞
４００個の単結晶シリコン基板を、比較例１と同様のエッチング液を用いてエッチング処理を行った。
４００個の単結晶シリコン基板を、比較例１と同様のエッチング液を用いてエッチング処理を行った。
４００個目の単結晶シリコン基板の基板表面には凹凸が形成されなかったため、エッチング液の半分を新しいエッチング液に交換した。このエッチング液を用いて単結晶シリコン基板をエッチング処理した。エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、表面状態を評価した。評価結果を表２に示した。
＜比較例３＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨをエッチング液に添加し、実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨをエッチング液に添加し、実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
＜比較例４＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨ水溶液と７％のカプリル酸をエッチング液に添加した。このこと以外は実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨ水溶液と７％のカプリル酸をエッチング液に添加した。このこと以外は実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。
実施例２の結果と比較例２の結果とから、本発明のエッチング液の場合には、劣化したエッチング液に新しいエッチング液を加えたときのエッチング力の回復効果が高いことが確認された。
実施例３及び４の結果と、比較例３及び４の結果とから、本発明のエッチング液の場合には、劣化したエッチング液に対して、アルカリやアルカリ及びスルホン酸化合物を加えることでも、劣化したエッチング液のエッチング力が回復することが確認された。
Claims (5)
- 太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含むエッチング液。
- 前記スルホン酸化合物は、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、キュメンスルホン酸である請求項１に記載のエッチング液。
- 請求項１又は２に記載のエッチング液で太陽電池用半導体基板を処理した後に、前記エッチング液に添加してエッチング力を回復させるエッチング力回復剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種、及び／又はアルカリを含むエッチング力回復剤。 - 請求項１又は２に記載のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、前記基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える太陽電池用半導体基板の製造方法。
- 請求項１又は２に記載のエッチング液で、表面をエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012153973 | 2012-07-09 | ||
| JP2012153973 | 2012-07-09 | ||
| PCT/JP2013/068150 WO2014010471A1 (ja) | 2012-07-09 | 2013-07-02 | エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2014010471A1 true JPWO2014010471A1 (ja) | 2016-06-23 |
Family
ID=49915932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014524755A Pending JPWO2014010471A1 (ja) | 2012-07-09 | 2013-07-02 | エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2014010471A1 (ja) |
| CN (1) | CN104411797A (ja) |
| TW (1) | TW201412945A (ja) |
| WO (1) | WO2014010471A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105518834B (zh) * | 2013-09-19 | 2018-02-16 | 摄津制油株式会社 | 半导体基板用蚀刻液 |
| CN107078051A (zh) | 2014-10-21 | 2017-08-18 | 摄津制油株式会社 | 半导体基板用蚀刻液 |
| CN109314052A (zh) * | 2016-04-27 | 2019-02-05 | 摄津制油株式会社 | 半导体基板用蚀刻液 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258656A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 凹凸基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法 |
| WO2011114675A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 三菱電機株式会社 | シリコンウェハのエッチング方法、エッチング液、エッチング装置、および半導体装置 |
| JP2012004528A (ja) * | 2010-05-18 | 2012-01-05 | Shinryo Corp | エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 |
| WO2012023613A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 株式会社トクヤマ | テクスチャー形成用組成物、シリコン基板の製造方法、及びテクスチャー形成用組成物調製キット |
| JP2013089629A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Shinryo Corp | エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278983A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Daikin Ind Ltd | 高誘電率材料膜除去用エッチング液 |
| CN100536176C (zh) * | 2006-02-23 | 2009-09-02 | 三洋电机株式会社 | 凹凸基板的制造方法和光生伏打元件的制造方法 |
| WO2007129555A1 (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | 半導体基板の製造方法、ソーラー用半導体基板及びエッチング液 |
| TWI421937B (zh) * | 2006-09-13 | 2014-01-01 | Nagase Chemtex Corp | 蝕刻液組成物 |
| JP5390821B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-01-15 | 中央精機株式会社 | アルミホイールの表面処理方法及びアルカリエッチング液 |
| CN101570897A (zh) * | 2009-06-03 | 2009-11-04 | 中国科学院电工研究所 | 一种用于单晶硅绒面制备的腐蚀液及单晶硅绒面的制备方法 |
| CN101634027A (zh) * | 2009-08-26 | 2010-01-27 | 北京市太阳能研究所有限公司 | 一种制备单晶硅绒面的方法 |
| KR20120066950A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 삼성전자주식회사 | 식각액, 이를 이용한 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101092076B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2011-12-12 | 진정복 | 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
-
2013
- 2013-07-02 WO PCT/JP2013/068150 patent/WO2014010471A1/ja active Application Filing
- 2013-07-02 CN CN201380036667.0A patent/CN104411797A/zh active Pending
- 2013-07-02 JP JP2014524755A patent/JPWO2014010471A1/ja active Pending
- 2013-07-09 TW TW102124604A patent/TW201412945A/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258656A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 凹凸基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法 |
| WO2011114675A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 三菱電機株式会社 | シリコンウェハのエッチング方法、エッチング液、エッチング装置、および半導体装置 |
| JP2012004528A (ja) * | 2010-05-18 | 2012-01-05 | Shinryo Corp | エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 |
| WO2012023613A1 (ja) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 株式会社トクヤマ | テクスチャー形成用組成物、シリコン基板の製造方法、及びテクスチャー形成用組成物調製キット |
| JP2013089629A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Shinryo Corp | エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014010471A1 (ja) | 2014-01-16 |
| TW201412945A (zh) | 2014-04-01 |
| CN104411797A (zh) | 2015-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101407988B1 (ko) | 에칭액 및 실리콘 기판의 표면가공 방법 | |
| CN106119977B (zh) | 单晶硅片制绒添加剂及应用 | |
| JP6373271B2 (ja) | 半導体基板用エッチング液 | |
| US20120295447A1 (en) | Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers | |
| CN103314448A (zh) | 用于高度掺杂的半导体层湿化学蚀刻的方法 | |
| JP2010141139A (ja) | シリコン基板のエッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 | |
| CN102965709B (zh) | 一种用于铝合金表面阳极氧化的环保长效前处理工艺 | |
| JP2012227304A (ja) | エッチング液組成物およびエッチング方法 | |
| CN106012027B (zh) | 一种单多晶硅链式酸碱一体制绒及其制备方法 | |
| JPWO2014010471A1 (ja) | エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板 | |
| CN103194755A (zh) | 选择性铁蚀刻液及蚀刻方法 | |
| CN107217263A (zh) | 一种半导体行业凸块制程用铜钛腐蚀液 | |
| CN102254814B (zh) | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用 | |
| WO2012023613A1 (ja) | テクスチャー形成用組成物、シリコン基板の製造方法、及びテクスチャー形成用組成物調製キット | |
| JP2013089629A (ja) | エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 | |
| CN107858752A (zh) | 一种晶硅制绒液及其制备方法 | |
| TW201615803A (zh) | 半導體基板用蝕刻液 | |
| KR20130129142A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 조성물 및 방법 | |
| JP5484249B2 (ja) | テクスチャー形成用組成物 | |
| WO2017188177A1 (ja) | 半導体基板用エッチング液 | |
| CN117926381A (zh) | 一种用于oled精细金属掩膜版清洗的电解清洗剂组合物 | |
| CN116876083A (zh) | 一种用于硅片表面绒面制备的添加剂及制备方法 | |
| JP2014203835A (ja) | テクスチャー形成用組成物、シリコン基板の製造方法、及びテクスチャー形成用組成物調製キット | |
| JP2014165385A (ja) | テクスチャー構造を有するシリコン基板及びその製造方法 | |
| JP6282507B2 (ja) | テクスチャー形成用エッチング液およびそれを用いたテクスチャー形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160630 |