CN106119977B - 单晶硅片制绒添加剂及应用 - Google Patents
单晶硅片制绒添加剂及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106119977B CN106119977B CN201610738890.5A CN201610738890A CN106119977B CN 106119977 B CN106119977 B CN 106119977B CN 201610738890 A CN201610738890 A CN 201610738890A CN 106119977 B CN106119977 B CN 106119977B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- texturing
- monocrystalline silicon
- solution
- component
- crown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 26
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 25
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical group COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 12-crown-4 Chemical compound C1COCCOCCOCCO1 XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 15-crown-5 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCO1 VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical group CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical group CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical group CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical group CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical group COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical group CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N benzo-15-crown-5 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 abstract description 18
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 abstract 4
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cosmetics (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供一种单晶硅片制绒添加剂，其各组分的质量百分含量为：A组分0.1%～30%，B组分0.01%～10%，余量为水；A组分选自冠醚、冠醚衍生物和冠醚的碱金属络合物中的一种或几种；B组分为醇醚。本发明还提供一种用于单晶硅片制绒的制绒液，其含有碱溶液和上述单晶硅片制绒添加剂。本发明还提供一种单晶硅片的制绒方法，其利用上述制绒液对单晶硅片进行表面制绒。在单晶硅片制绒液中添加本发明的添加剂，能使制绒反应变快，可对金刚线切割的单晶硅片进行快速制绒，使得产能提高，并且可以获得均匀、密集的绒面金字塔，降低反射率，提高电池效率。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅片制绒添加剂及应用。
背景技术
目前单晶硅片的常规制绒工艺一般采用氢氧化钠或氢氧化钾，并适当添加无醇制绒添加剂进行制绒。该制绒工艺比较适应砂浆片，但随着金刚线切割硅片的普及，上述制绒工艺已无法满足产线需求。
与传统砂浆片相比，金刚线切割硅片线痕重，损伤层小，反应速度慢，如果依然使用常规制绒添加剂，会导致制绒时间过长，产能下降，并且制绒金字塔均匀性不好，不利于进一步提高电池效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单晶硅片制绒添加剂及应用，在单晶硅片制绒液中添加本发明的添加剂，能使制绒反应变快，可对金刚线切割的单晶硅片进行快速制绒，使得产能提高，并且可以获得均匀、密集的绒面金字塔，降低反射率，提高电池效率。
为实现上述目的，本发明提供一种单晶硅片制绒添加剂，其各组分的质量百分含量为：A组分0.1%～30%，B组分0.01%～10%，余量为水；
所述A组分选自冠醚、冠醚衍生物和冠醚的碱金属络合物中的一种或几种；
所述B组分为醇醚。
优选的，单晶硅片制绒添加剂中各组分的质量百分含量为：A组分15%～30%，B组分5%～10%，余量为水。
优选的，所述冠醚选自12-冠醚-4、15-冠醚-5和18-冠醚-6中的一种或几种。
优选的，所述冠醚衍生物为苯并-15-冠醚-5。
优选的，所述冠醚的碱金属络合物选自12-冠醚-4的钠离子络合物、12-冠醚-4的钾离子络合物、15-冠醚-5的钠离子络合物、15-冠醚-5的钾离子络合物、18-冠醚-6的钠离子络合物和18-冠醚-6的钾离子络合物中的一种或几种。
优选的，所述醇醚选自乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丙醚和三丙二醇甲醚中的一种或几种。
优选的，所述水为去离子水。
本发明还提供一种用于单晶硅片制绒的制绒液，其含有碱溶液和上述单晶硅片制绒添加剂，所述单晶硅片制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2～5:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。
优选的，所述碱溶液为0.5～5wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
本发明还提供一种单晶硅片的制绒方法，利用上述制绒液对单晶硅片进行表面制绒。
上述单晶硅片的制绒方法的具体步骤包括：
1）配置制绒添加剂：将质量百分比为0.1%～30%的A组分、0.01%～10%的B组分加入到余量的水中，混合均匀配成制绒添加剂；
2）配置制绒液：将步骤1）制成的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成制绒液；所述制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2～5:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；
3）将单晶硅片浸入步骤2）制得的制绒液中进行表面制绒，制绒温度为70～90℃，制绒时间为150～850s。
优选的，步骤3）中的制绒时间为150～300s。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种单晶硅片制绒添加剂及应用，在单晶硅片制绒液中添加本发明的添加剂，能使制绒反应变快，可对金刚线切割的单晶硅片进行快速制绒（制绒时间可为150～300s），使得产能提高，并且可以获得均匀、密集的绒面金字塔，降低反射率，提高电池效率。
制绒添加剂中的A组分（冠醚、冠醚衍生物和冠醚的碱金属络合物中的一种或几种）可以起到辅助脱泡的作用，可有效改善单晶硅片和制绒液间的表面张力，从而使得硅片表面反应所产生的气泡快速脱离，进而使制绒反应变快。
制绒添加剂中的B组分（醇醚）可以起到辅助出绒的作用，其提供了大量的出绒核心，从而可以获得高密度且均匀性好的绒面。
附图说明
图1是本发明制绒所得单晶硅片表面绒面的扫描电镜平面图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
一种单晶硅片的制绒方法，具体步骤包括：
1）配置制绒添加剂：将质量百分比为0.1%～30%的A组分、0.01%～10%的B组分加入到余量的水中，混合均匀配成制绒添加剂；
2）配置制绒液：将步骤1）制成的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成制绒液；所述制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2～5:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；
3）将单晶硅片浸入步骤2）制得的制绒液中进行表面制绒，制绒温度为70～90℃，制绒时间为150～850s；
其中，
步骤1）中的A组分选自冠醚、冠醚衍生物和冠醚的碱金属络合物中的一种或几种；
所述冠醚选自12-冠醚-4、15-冠醚-5和18-冠醚-6中的一种或几种；
所述冠醚衍生物为苯并-15-冠醚-5；
所述冠醚的碱金属络合物选自12-冠醚-4的钠离子络合物、12-冠醚-4的钾离子络合物、15-冠醚-5的钠离子络合物、15-冠醚-5的钾离子络合物、18-冠醚-6的钠离子络合物和18-冠醚-6的钾离子络合物中的一种或几种；
步骤1）中的B组分为醇醚；
所述醇醚选自乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丙醚和三丙二醇甲醚中的一种或几种；
步骤1）中的水可选去离子水；
步骤2）中的碱溶液为0.5～5wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
优选的，步骤1）中的制绒添加剂由15%～30%的A组分、5%～10%的B组分和余量的水混合均匀配制而成；相应的，步骤3）中的制绒时间可为150～300s。
本发明制绒所得单晶硅片，其表面绒面的扫描电镜平面图如图1所示。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.单晶硅片制绒添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：A组分0.1%～30%，B组分0.01%～10%，余量为去离子水；
所述A组分选自12-冠醚-4、15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-15-冠醚-5、12-冠醚-4的钠离子络合物、12-冠醚-4的钾离子络合物、15-冠醚-5的钠离子络合物、15-冠醚-5的钾离子络合物、18-冠醚-6的钠离子络合物、18-冠醚-6的钾离子络合物；
所述B组分选自乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丙醚、三丙二醇甲醚。
2.用于单晶硅片制绒的制绒液，其特征在于，其含有碱溶液和权利要求1所述的单晶硅片制绒添加剂，所述单晶硅片制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2～5:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。
3.根据权利要求2所述用于单晶硅片制绒的制绒液，其特征在于，所述碱溶液为0.5～5wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
4.单晶硅片的制绒方法，其特征在于，利用权利要求2或3所述的制绒液对单晶硅片进行表面制绒。
5.根据权利要求4所述单晶硅片的制绒方法，其特征在于，其具体步骤包括：
1）配置制绒添加剂：将质量百分比为0.1%～30%的A组分、0.01%～10%的B组分加入到余量的水中，混合均匀配成制绒添加剂；
2）配置制绒液：将步骤1）制成的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成制绒液；所述制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2～5:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；
3）将单晶硅片浸入步骤2）制得的制绒液中进行表面制绒，制绒温度为70～90℃，制绒时间为150～850s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610738890.5A CN106119977B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 单晶硅片制绒添加剂及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610738890.5A CN106119977B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 单晶硅片制绒添加剂及应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106119977A CN106119977A (zh) | 2016-11-16 |
| CN106119977B true CN106119977B (zh) | 2018-10-16 |
Family
ID=57275362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610738890.5A Active CN106119977B (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 单晶硅片制绒添加剂及应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106119977B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106835288A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒方法 |
| CN106521636A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂 |
| CN106833954B (zh) * | 2017-01-23 | 2020-08-11 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用 |
| CN108219071B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-03-10 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种单晶硅片制绒用的硫酸软骨素-聚（乙烯基吡咯烷酮-乙烯基吡啶）共聚物的制备方法 |
| CN108251894B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-06-14 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒方法 |
| CN108221050B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-12-31 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片 |
| CN108624962A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-09 | 上海汉遥新材料科技有限公司 | 一种金刚线多晶切片制绒添加剂及其制备方法、使用方法 |
| CN109554762B (zh) * | 2018-12-18 | 2020-08-21 | 武汉风帆电化科技股份有限公司 | 一种多晶硅蚀刻液添加剂及其应用 |
| CN109750353B (zh) * | 2019-03-14 | 2020-12-29 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用 |
| CN111485290B (zh) * | 2020-05-14 | 2021-06-11 | 杭州聚力氢能科技有限公司 | 单晶硅表面处理用的制绒添加剂、制绒剂以及单晶硅表面制绒的方法 |
| CN111593412B (zh) * | 2020-05-25 | 2021-03-30 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片链式制绒用添加剂及其应用 |
| CN111593413A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-08-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片链式机台制绒用添加剂及其应用 |
| CN112813501A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-18 | 广东省科学院化工研究所 | 一种单晶硅片制绒添加剂及其应用 |
| CN112899791A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-04 | 阎新燕 | 一种金刚线切割单晶硅片用制绒剂及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101962811A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-02-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种单晶硅片制绒液及其用于制绒的方法 |
| CN102912451A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-02-06 | 贵州威顿晶磷电子材料有限公司 | 一种低成本单晶硅片制绒添加剂 |
| CN103938276A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-07-23 | 尚德太阳能电力有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂、制绒液及对应的制绒方法 |
| CN104962999A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-07 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 基于金刚线切割的硅片的制绒方法、硅片制绒品及硅片制绒预处理液 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009012827A1 (de) * | 2009-03-03 | 2010-10-07 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur Texturierung von Siliziumwafern für Solarzellen und Behandlungsflüssigkeit dafür |
-
2016
- 2016-08-29 CN CN201610738890.5A patent/CN106119977B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101962811A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-02-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种单晶硅片制绒液及其用于制绒的方法 |
| CN102912451A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-02-06 | 贵州威顿晶磷电子材料有限公司 | 一种低成本单晶硅片制绒添加剂 |
| CN103938276A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-07-23 | 尚德太阳能电力有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂、制绒液及对应的制绒方法 |
| CN104962999A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-07 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 基于金刚线切割的硅片的制绒方法、硅片制绒品及硅片制绒预处理液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106119977A (zh) | 2016-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106119977B (zh) | 单晶硅片制绒添加剂及应用 | |
| CN104362221B (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| CN102468371A (zh) | 准单晶硅片的制绒方法 | |
| CN105040108B (zh) | 多晶硅太阳能电池的制绒方法 | |
| CN106935669A (zh) | 一种金刚线切片多晶黑硅的制绒方法 | |
| CN102270702A (zh) | 一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺 | |
| CN105449045B (zh) | 一种适用于rie制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法 | |
| CN107039241B (zh) | 一种超薄硅的化学切割方法 | |
| CN103710705A (zh) | 一种多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 | |
| CN101818348A (zh) | 一步法制备单晶硅太阳能电池绒面的方法 | |
| CN102593268A (zh) | 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法 | |
| CN106340446B (zh) | 一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法 | |
| CN107287597A (zh) | 单晶硅表面处理用的制绒剂及其制作方法和使用方法 | |
| CN104009116A (zh) | 金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法 | |
| CN104294369A (zh) | 一种用于多晶硅片酸制绒的添加剂及使用方法 | |
| CN104009125A (zh) | 多晶硅片的制绒工艺 | |
| TW201412946A (zh) | 一種半導體晶片之蝕刻組成物及蝕刻方法 | |
| CN102867880A (zh) | 一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法 | |
| CN107245761B (zh) | 金刚线多晶硅片制绒辅助剂及其应用 | |
| CN105405930A (zh) | 一种太阳电池用多晶硅片的微液滴刻蚀制绒方法 | |
| CN103668467A (zh) | 一种多晶硅片制绒添加剂及其应用 | |
| CN204216005U (zh) | 一种等离子体刻蚀设备 | |
| CN101634046A (zh) | 制备单晶硅绒面的方法 | |
| CN102623551A (zh) | 减少太阳能硅片腐蚀厚度的制造工艺 | |
| CN103597604B (zh) | 太阳能电池的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Liyang Licheng town 213300 Jiangsu city of Changzhou province Wu Tandu Road No. 8 Patentee after: Changzhou Shichuang Energy Co., Ltd Address before: Liyang Licheng town 213300 Jiangsu city of Changzhou province Wu Tandu Road No. 8 Patentee before: CHANGZHOU SHICHUANG ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |