KR101092076B1 - 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 물, 산화제, 및 산을 포함하는 에칭 조성물에 있어서, 폴리아크릴아미드, 술폰산계 화합물 및 아졸계 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 조성물 관한 것으로서, 간단한 공정으로 에칭할 수 있고, 에칭시 회로폭 감소량이 적고 언더컷의 현상이 작은 에칭 조성물을 제공할 수 있다.

Description

에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 {ETCHING COMPOSITION AND ETCHING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 환경 친화적이고 선택적이며, 에칭효율이 뛰어난 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법에 관한 발명이다.
전자 제품의 다양화, 소형화에 따라 고집적화가 요구되고 있으며, 내부 메인 보드의 패턴이 미세화되고 있다. 최근 들어, 미세한 배선을 형성하는 방법으로서, 세미 어디티브 공정(semi-additive process)이 사용되고 있다.
상기 세미 어디티브 공정에 의한 배선 형성법은 절연 수지층에 팔라듐(Pd) 촉매층 및 0.1∼2 ㎛ 정도의 구리도금 시드층인 화학 구리도금 시드층을 형성하고 패턴 레지스트를 형성 후, 구리도금층인 전기 구리도금층으로 도체 회로를 형성한 후, 레지스트를 박리하고 아울러 필요 없는 구리 도금부를 에칭 제거함으로써 수행된다.
상기 에칭액으로는 프린트 배선 기판의 제조에 이용되는 과황산염류, 과산화수소-황산-알코올류, 염화구리, 염화철 에칭액, 아민계 에칭액이 사용되고 있다. 그러나, 이들 에칭액으로는 화학 구리도금 시드층을 에칭되는 것과 동시에 전기 구리도금층도 에칭되기 때문에, 세미 어디티브법으로 필요 없는 화학 구리도금층을 에칭 제거할 때에 전기 구리도금층으로 형성된 도체 회로의 배선 폭, 배선 두께가 감소하는 문제가 있다.
또한 배선 폭의 가늘기를 억제하는 방법으로서, 배선 측면 혹은 표면에 구리 이외의 금속 피막을 형성하여 시드층의 구리를 에칭 제거하는 방법이 있다. 그러나, 구리 이외의 금속 피막의 형성, 박리하는 공정수가 증가하는 등의 문제점이 있었다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 간단한 공정으로 에칭할 수 있고, 에칭시 회로 배선폭의 감소량이 적고 선택적 에칭이 가능해 언더컷 현상이 작은 에칭 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 에칭 조성물을 이용한 에칭방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 물, 산화제 및 산을 포함하는 에칭 조성물에 있어서, 상기 에칭 조성물은 폴리아크릴아미드, 술폰산계 화합물 및 아졸계 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 조성물을 제공한다.
상기 술폰산계 화합물의 함량은 상기 폴리아크릴아미드100중량부에 대하여 1내지 50중량부일 수 있다.
상기 아졸계 화합물의 함량은 상기 폴리아크릴아미드100중량부에 대하여 0.5내지 50중량부일 수 있다.
상기 폴리아크릴아미드는 중량평균분자량이 1,000 내지 500,000인 것이 바람직하다.
상기 술폰산계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011019424309-pat00001
화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 히드록시기, 카르복실기, C1 -9 알킬기, 또는 C6 -14 아릴기이다.
상기 아졸계 화합물은 1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 1H-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 1H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 피라졸, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸, 이소옥사졸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상 일 수 있다.
상기 산화제는 과산화수소, 과산화이황산암모늄((NH4)2S2O8),이산화납(PbO2), 이산화망간(MnO2), 과망간산칼륨(KMnO4), 티오황산칼륨(K2S2O8), 하이포염소산나트륨(NaClO,aq), 이산화염소(Cl2O), 과염소산(HClO4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 산은 황산, 염산, 질산, 인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 발명은
절연 수지층 상에 구리 도금 시드층을 형성하는 단계;
상기 구리 도금 시드층 상에 패턴 레지스트를 형성하는 단계;
전기 도금으로 상기 구리 도금 시드층 상에 도체 회로를 형성하는 단계;
상기 레지스트를 박리하는 단계; 및
상기 에칭 조성물로 상기 구리 도금 시드층을 에칭하는 단계;를 포함하는 에칭 방법을 제공한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 간단한 공정으로 에칭할 수 있고, 에칭시 회로폭 감소량이 적고 언더컷의 현상이 작은 에칭 조성물을 제공할 수 있고, 상기 에칭 조성물을 제조할 수 있는 에칭 조성물의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 에칭하지 않은 회로기판의 단면을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1의 에칭 조성물로 에칭한 회로기판의 단면을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 비교예 2의 에칭 조성물로 에칭한 회로기판의 단면을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
이하, 본 발명에 따른 에칭 조성물 및 이의 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 물, 산화제, 산을 포함하는 에칭 조성물에 있어서, 폴리아크릴아미드, 술폰산계 화합물 및 아졸계 화합물을 추가로 포함하는 에칭 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 상기 폴리아크릴아미드는 중량평균분자량이 1,000 내지 500,000일 수 있다.
상기 에칭 조성물은 상기 폴리아크릴아미드, 술폰산계 화합물 및 아졸계 화합물 이외에, 에칭용 조성물에 통상적으로 함유되는 성분을 추가로 포함할 수 있으며, 예를 들어 에칭용 조성물의 안정성을 높이기 위하여 인산, 인산염, 시트르산, 포름산, 아세트산, 호박산, 벤조산, 글리신 등을 함유할 수 있으며, 표면장력을 감소시켜 미세한 부분까지 에칭용 조성물이 침투할 수 있도록 계면활성제를 함유할 수 있다.
또한 상기 에칭 조성물은 별도로 첨가제 형태로 제품화함으로써, 생산 현장에서 에칭 공정 수행 시에 통상의 에칭액 즉, 과산화수소 및 황산을 함유하는 통상의 에칭액에 혼합하여 에칭용 조성물로 조제될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 상기 술폰산계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011019424309-pat00002
화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 히드록시기, 카르복실기, C1 -9 알킬기, 또는 C6 -14 아릴기이다.
또한 상기 C1 -9 알킬기의 구체적인 예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, n-펜틸기, n-뷰틸, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 아이소프로필기, sec-뷰틸기 또는 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기 등을 들 수 있다.
또한 상기 C6 -14 아릴기로서의 구체적인 예로서는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-tert-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기 또는 4-메틸바이페닐일기 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 술폰산계 화합물의 함량은 상기 폴리아크릴아미드100중량부에 대하여 1내지 50중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 30중량부일 수 있다.
또한 상기 술폰산계 화합물의 함량은 상기 에칭 조성물 총 중량에 대하여 0.05 ∼ 5 중량%, 바람직하게는 0.1 ∼ 3 중량% 범위로 사용할 수 있다.
본 발명에서 아졸계 화합물은 전기 구리도금층의 에칭 억제 효과를 늘리는 보조제로서 첨가된다. 아졸계 화합물 첨가에 의해, 에칭 자체를 억제하기 때문에 표면이 조화되기 어렵다. 상기 아졸계 화합물로서 1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 1H-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 1H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 피라졸, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸, 또는 이소옥사졸을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 상기 아졸계 화합물의 함량은 상기 폴리아크릴아미드100중량부에 대하여 0.5내지 50중량부, 보다 바람직하게는 1 내지 30중량부일 수 있다
또한 상기 아졸계 화합물의 함량은 상기 에칭 조성물 총 중량에 대하여 0.001~5 중량%, 보다 바람직하게는 0.1~3 중량% 범위로 사용할 수 있다. 아졸계의 농도가 0.001 중량% 이상이면 첨가제의 효과가 충분히 얻어지고, 또 5 중량% 이하이면 억제제 (inhibitor) 효과가 너무 높아지는 일 없이 화학 구리도금, 전기 구리도금 모두 구리의 에칭 시간이 작아져 배선 폭의 감소를 억제할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 상기 물 대신에 극성용매를 사용할 수 있으며, 구체적으로는 지방족 알코올 또는 방향족 알코올을 사용할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서, 상기 산화제로서 과산화수소, 과산화이황산암모늄((NH4)2S2O8), 이산화납(PbO2), 이산화망간(MnO2), 과망간산칼륨(KMnO4), 티오황산칼륨(K2S2O8), 하이포염소산나트륨(NaClO, aq), 이산화염소(Cl2O), 과염소산(HClO4) 또는 이들의 혼합물을 단독 또는 병행하여 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 과산화수소를 사용할 수 있다.
상기 에칭 조성물에서의 과산화수소의 농도는 0.2~15 중량%, 보다 바람직하게는 0.5~10 중량, 보다 더욱 바람직하게는 0.5~3 중량%이다. 또한, 유기 카르복실산류, 유기 아민 화합물류 등의 공지의 과산화수소 안정제를 필요에 따라 첨가할 수 있다.
본 발명에서 상기 산으로서 황산, 염산, 질산, 인산, 또는 이들의 혼합물을 단독 또는 병행하여 사용할 수 있으며, 황산이 보다 바람직하다.
상기 에칭 조성물에서의 산의 농도는 0.5~15 중량%, 보다 바람직하게는 0.5~10 중량%, 보다 더욱 바람직하게는 0.5~3 중량%이다. 산 농도가 0.5 중량%를 초과하면 처리시의 액관리가 용이해지고, 산 농도가 15 중량% 미만이면 구리를 용해하는 과정에서 산구리의 용해도가 저하하지 않아 산구리 결정이 석출되지 않는다.
본 발명은, 예를 들어 세미에디티브 공정에 의한 배선 기판의 제조에서, 절연 수지층 상에 팔라듐 촉매층 및 구리 도금 시드층을 형성하고, 상기 구리 도금 시드층 상에 패턴 레지스트를 형성한 후, 전기 구리 도금으로 상기 구리 도금 시드층 상에 도체 회로를 형성한 후, 상기 레지스트를 박리하고, 상기 에칭 조성물로 무전해 도금된 상기 구리 도금 시드층을 에칭하여 제거하는 에칭 방법을 포함한다.
본 발명의 에칭 조성물은 각 조성물을 사용시에 정해진 함유량이 되도록 각각 첨가하여도 되지만, 미리 배합해 두는 것도 가능하다. 따라서, 농후액을 조제한 후, 본 발명에서 정한 함유량이 되도록 물로 희석하여 사용하는 것이 적절하다. 에칭 처리의 온도에 특별히 제한은 없지만, 20~50℃의 범위로부터 희망하는 에칭 속도에 맞춰 임의로 온도 설정할 수 있다.
에칭 조성물의 관리에 대해서는 구리의 처리량에 따라 액 중의 구리 농도의 상승과 성분 저하가 생기기 때문에, 이 때 각 성분량을 각각 분석에 의해 산출하여 부족분을 보충하면 된다. 이 보충 방법으로는 각 성분을 개별로 보충하는 방법으로도, 구리 용해량, 처리액의 성분 분석에 의해 미리 요구된 부족 성분량을 그 비율로 혼합한 이른바 보충액에 의한 방법으로도 안정적인 처리면이 연속하여 얻어질 수 있다. 이 때, 일부의 처리액이 폐기됨으로써 처리액 중에 함유되는 구리 농도 상승에 수반하는 황산구리 결정의 석출이 억제된다.
본 발명의 에칭 조성물은 공지의 에칭 방법에 이용하는 기기에 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 스프레이법에 이용하는 스프레이 에칭 머신을 들 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명의 사용한 에칭방법은 상기의 에칭 조성물을 이용함으로써 선택적으로 화학 구리도금을 에칭 제거할 수 있으므로, 도체 회로의 배선 폭, 배선 두께의 감소를 억제함으로써 단선, 결락 등을 억제할 수 있다.
[실시예]
본 발명에서 구현하고자 하는 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭방법의 바람직한 실시예를 아래에 기재하였으며, 이에 의하여 본 발명이 제한되지는 않는다.
실시예 1
물 1L에 1H-벤조트리아졸(1H-benzotriazole) 2g, 벤젠술폰산 2g, 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500, 알드리치사) 20g을 용해시켜 에칭 첨가제를 제조하였다. 상기에서 얻어진 에칭 첨가제에 황산과 과산화수소를 각각 2중량%의 농도로 용해시키고 구리입자 10g을 용해시켜 에칭조성물을 제조하였다.
실시예 2
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500, 알드리치사) 대신에 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=10,000, 알드리치사)를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
실시예 3
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500, 알드리치사) 대신에 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=100,000, 알드리치사)를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
실시예 4
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500, 알드리치사) 대신에 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=250,000, 알드리치사)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
실시예 5
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500, 알드리치사) 20g 대신에 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500, 알드리치사) 15g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
실시예 6
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 20g 대신에 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 25g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
실시예 7
실시예 1에서 1H-벤조트리아졸(1H-benzotriazole) 2g 대신에 5-페닐-1H-테트라졸 0.5g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
비교예 1
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 20g 대신에 PPG-400(폴리프로필렌글리콜, 중량평균분자량=400)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
비교예 2
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 20g 대신에 PEG-400(폴리에틸렌글리콜, 중량평균분자량=400)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
비교예 3
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 20g 대신에 PPG-400(폴리프로필렌글리콜, 중량평균분자량=400)을 사용하고 1H-벤조트리아졸 2g 대신에 5-페닐-1H-테트라졸 0.5g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
비교예 4
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 20g 대신에 PEG-400(폴리에틸렌글리콜, 중량평균분자량=400)을 사용하고 1H-벤조트리아졸 2g 대신에 5-페닐-1H-테트라졸 0.5g을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
비교예 5
실시예 1에서 폴리아크릴아미드(중량평균분자량 Mw=1,500) 20g 대신에 PEG-400(폴리에틸렌글리콜, 중량평균분자량=400) 20g과 시클로헥실아민 10g을 사용하고 1H-벤조트리아졸과 벤제술폰산을 사용하지 않은 것을 제외하고 실시예 1과 동일하다.
표 1에 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 에칭 조성물의 조성이 기재되어 있으며 조성물 성분의 함량단위는 중량부이다.
1H-벤조트리아졸 5-페닐-1H-테트라졸 벤젠술폰산
 폴리아크릴아미드(분자량, Mw) PPG-400 PEG-400 시클로헥실아민
1,500 10,000 100,000 250,000
실시예1 2 　 2 20 　 　
실시예2 2 　 2 　 20 　
실시예3 2 　 2 　 　 20
실시예4 2 　 2 　 　 　 20
실시예5 2 　 2 15 　 　
실시예6 2 　 2 25 　 　
실시예7 　 0.5 2 20 　 　
비교예 1 2 2 20
비교예 2 2 2 20
비교예 3 0.5 2 20
비교예 4 0.5 2 20
비교예 5 20 10
[시험예]
에칭에 의한 화학 구리 도금 시드층의 제거시간 측정
회로 넓이/회로와 회로 사이의 넓이가 10μm/10μm로 형성되고, 0.8um 높이의 화학 구리 도금 시드층 및 15μm 높이의 전기 구리 도금층이 적층된 시편을 실시예 및 비교예에서 제조한 에칭 조성물로 화학 구리 도금 시드층이 제거 될 때까지 5초 단위로 에칭시간을 늘려 스프레이법에 이용하는 스프레이 에칭 머신으로 에칭하였다. 에칭된 시편을 현미경으로 관찰하여 화학 구리 도금층이 완전히 제거됨을 확인하여 회로와 회로 사이의 화학 구리 도금 시드층을 완전히 제거하는 데 소요되는 최소 에칭시간(t1)을 측정하고 표 2에 기재하였다.
테이프 테스트에 의한 회로의 파괴시간 측정
회로 넓이/회로와 회로 사이의 넓이가 10μm/10μm로 형성되고, 0.8μm 높이의 화학 구리 도금 시드층 및 15μm 높이의 전기 구리 도금층이 적층된 시편을 실시예 및 비교예에서 제조한 에칭 조성물로 5초 단위로 늘려 에칭한 후 테이프 테스트를 하였다. 테이프 테스트는 일정시간 에칭이 수행된 시편에 대하여 회로가 형성된 면에 3M 스카치 매직테이프 800(폭 18mm)을 밀착시킨 후 30초 후에 테이프를 분리하는 시험이었고, 테이프 시험 후 회로가 형성되었던 면을 현미경으로 관찰하였다. 회로 도금층의 파괴가 최초로 발생한 시료를 확인하여 테이프 테스트로 회로의 파괴가 발생한 최소 에칭시간(t2)을 측정하고 표 2에 기재하였다.
회로폭 감소량 측정
회로 넓이/회로와 회로 사이의 넓이가 평균 10μm/10μm로 형성되고, 평균 0.8μm 높이의 화학 구리 도금 시드층 및 평균 15μm 높이의 전기 구리 도금층이 적층된 시편의 단면을 에칭하지 않고 현미경으로 관찰하여 회로폭(L1)을 측정하였다.
또한 상기 시편의 단면을 실시예 및 비교예에서 제조한 에칭 조성물로 화학 구리 도금 시드층이 제거 될 때까지 5초 단위로 에칭시간을 늘려 스프레이법에 이용하는 스프레이 에칭 머신으로 에칭하였다. 에칭된 시편을 현미경으로 관찰하여 최초로 화학 구리 도금층이 완전히 제거됨을 확인한 후 단면을 크로스 섹션하여 회로폭(L2)을 측정하였다.
회로폭 감소량은 에칭 전의 회로폭(L1)과 에칭액을 이용하여 화학구리도금시드층의 에칭 제거 후의 회로폭(L2)의 차이로 회로폭 감소량(L1-L2)을 측정하였다.
　 화학 구리 도금 시드층 제거시간(t1, 초) 테이프 테스트에 의한 회로 파괴시간(t2, 초) 회로폭 감소량(μm) (t2-5)/t1
실시예1 75 115 1 이하 1.47
실시예2 80 125 1 이하 1.50
실시예3 80 125 1 이하 1.50
실시예4 75 115 1 이하 1.46
실시예5 60 85 1 이하 1.33
실시예6 90 135 1 이하 1.44
실시예7 80 125 1 이하 1.50
비교예1 30 35 2-3 1.00
비교예2 30 35 2-3 1.00
비교예3 25 30 2-3 1.00
비교예4 25 35 2-3 1.20
비교예5 30 25 3-4 0.66
표 2, 도 1 내지 3을 참고하여 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 에칭 조성물에 의하여 에칭을 수행한 경우에 종래기술인 비교예에 의한 경우에 비하여 에칭에 의한 회로폭의 감소량이 작았고, 에칭 시에 언더컷 현상이 작았다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 에칭 조성물에 의하여 에칭을 수행한 경우에 종래기술인 비교예에 의한 경우에 비하여 화학 구리 도금 시드층의 제거시간(t1)에 대한 테이프 테스트에 의한 회로의 파괴억제시간(t2-5)인 (t2-5)/t1이 크게 나타나 본 발명에 의한 에칭 조성물이 화학구리도금시드층을 보다 효율적으로 선택하여 에칭함을 확인할 수 있었다.

Claims (9)

  1. 물, 과산화수소 및 황산을 포함하는 에칭 조성물에 있어서,
    상기 에칭 조성물은 폴리아크릴아미드 100중량부, 상기 폴리아크릴아미드 100중량부에 대하여 술폰산계 화합물 1 내지 50중량부 및 아졸계 화합물 0.5 내지 50중량부를 추가로 포함하고,
    상기 술폰산계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것이고,
    상기 아졸계 화합물은 1H-벤조트리아졸 및 5-페닐-1H-테트라졸 중에서 선택된 1종 이상이고,
    상기 에칭 조성물은 세미어디티브 공정에 의한 배선 형성방법에서 구리도금 시드층을 에칭하기 위한 것임을 특징으로 하는 에칭 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112011087284061-pat00007

    화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 히드록시기, 카르복실기, C1-9 알킬기, 또는 C6-14 아릴기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 술폰산계 화합물의 함량은 상기 폴리아크릴아미드 100중량부에 대하여 5 내지 30중량부인 것을 특징으로 하는 에칭 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 아졸계 화합물의 함량은 상기 폴리아크릴아미드 100중량부에 대하여 1 내지 30중량부인 것을 특징으로 하는 에칭 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 폴리아크릴아미드는 중량평균분자량이 1,000 내지 500,000인 것을 특징으로 하는 에칭 조성물.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 절연 수지층 상에 구리 도금 시드층을 형성하는 단계;
    상기 구리 도금 시드층 상에 패턴 레지스트를 형성하는 단계;
    전기 도금으로 상기 구리 도금 시드층 상에 도체 회로를 형성하는 단계;
    상기 레지스트를 박리하는 단계; 및
    제1항에 따른 에칭 조성물로 상기 구리 도금 시드층을 에칭하는 단계;를 포함하는,
    세미어디티브 공정에 의한 배선 형성 방법에서의 에칭 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103627400A (zh) * 2012-08-22 2014-03-12 易安爱富科技有限公司 钼合金膜与氧化铟膜液体腐蚀剂组成物质
CN104411797A (zh) * 2012-07-09 2015-03-11 摄津制油株式会社 蚀刻液、蚀刻力回复剂、太阳能电池用半导体基板的制备方法及太阳能电池用半导体基板
US9507255B2 (en) 2014-10-27 2016-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing integrated circuit devices by using photomask cleaning compositions
JP2019502824A (ja) * 2015-12-23 2019-01-31 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ 銅および銅合金の表面用のエッチング溶液

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