JPWO2013121521A1 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2013121521A1
JPWO2013121521A1 JP2013558613A JP2013558613A JPWO2013121521A1 JP WO2013121521 A1 JPWO2013121521 A1 JP WO2013121521A1 JP 2013558613 A JP2013558613 A JP 2013558613A JP 2013558613 A JP2013558613 A JP 2013558613A JP WO2013121521 A1 JPWO2013121521 A1 JP WO2013121521A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
cooler
cooling body
semiconductor device
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013558613A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5786972B2 (ja
Inventor
宮本　昇
宮本　　昇
菊池　正雄
正雄 菊池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2013121521A1 publication Critical patent/JPWO2013121521A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5786972B2 publication Critical patent/JP5786972B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体素子１の下面に冷却フィン９が接合されている。樹脂１０が半導体素子１を封止する。樹脂１０の下面から冷却フィン９の一部が突出している。冷却器１１は、開口１２を有する。樹脂１０から突出した冷却フィン９が冷却器１１の開口１２に挿入されている。樹脂１０の下面と冷却器１１が、接着材などの接合材１３により接合されている。これにより、部品点数削減・軽量化を実現しつつ、熱伝導性と接合強度の両立を図ることができる。

Description

本発明は、樹脂モールドされた半導体パッケージを冷却装置に接合した半導体装置に関する。
従来のパッケージ型パワーモジュールでは、半導体素子をゲル封止する必要があり、組み立て工程数が多く、部品コストが高かった。そこで、半導体素子をトランスファモールドしたパワーモジュールが開発されている（例えば、特許文献１参照）。樹脂モールドされた半導体パッケージは冷却のために冷却装置に固定する必要があり、ねじ等を用いて固定する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００１−２５０８９０号公報 特許第４５８３１２２号公報
ねじ等を用いた固定方法では、部品点数が増加し、重量が増えるという問題があった。一方、ねじ等を用いずに半導体パッケージを冷却装置に接合する方法も検討されているが、冷却部分と接合部分が同じであるため、熱伝導性と接合強度の両立を図ることができなかった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は部品点数削減・軽量化を実現しつつ、熱伝導性と接合強度の両立を図ることができる半導体装置を得るものである。
本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に接合された冷却体と、前記半導体素子を封止する樹脂と、開口を有する冷却器とを備え、前記樹脂の主面から前記冷却体の一部が突出し、前記樹脂から突出した前記冷却体が前記冷却器の前記開口に挿入され、前記樹脂の前記主面と前記冷却器が接合材により接合されていることを特徴とする。
本発明により、部品点数削減・軽量化を実現しつつ、熱伝導性と接合強度の両立を図ることができる。
本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体装置を示す断面図である。
本発明の実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。半導体素子１はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワー半導体素子である。半導体素子１の制御端子（ゲート）がワイヤ２を介して信号電極３に接続されている。半導体素子１の下面（コレクタ）が、絶縁板４上に設けられた回路パターン５を介して高圧電極６に接続されている。半導体素子１の上面（エミッタ）がはんだ７を介して高圧電極８に接続されている。
冷却フィン９が、回路パターン５及び絶縁板４を介して半導体素子１の下面に接合されている。樹脂１０が半導体素子１などを封止している（トランスファモールド）。樹脂１０の下面から冷却フィン９の一部が突出している。信号電極３及び高圧電極６，８も樹脂１０から導出されている。
この樹脂モールドされた半導体パッケージが冷却器１１に接合されている。冷却器１１は、開口１２を有する。樹脂１０から突出した冷却フィン９が冷却器１１の開口１２に挿入されている。樹脂１０の下面と冷却器１１が、接着材などの接合材１３により接合されている。冷却器１１は、開口１２内において冷却フィン９に冷媒を供給する。これにより、冷却フィン９を介して半導体素子１が冷却される。
このように冷却部分と接合部分を明確に分けることで、熱伝導性と接合強度の両立を図ることができる。例えば、半導体素子１が高温動作して冷却部分が高温になった場合でも、接合部分の温度変化を抑制する。このため、高温動作保証品であるＳｉＣの半導体素子１を用いることができる。そして、ねじ等の構造部品を追加する必要が無いため、部品点数削減・軽量化を実現することもできる。
また、従来の装置では冷却体と冷却器の間に熱伝導材を挟むため、熱伝導材の厚みに応じて半導体装置が反る。しかし、本実施の形態では、冷却フィン９を冷却器１１の開口１２に挿入するため、装置の反りの影響を受けずに冷却性能を確保できる。
また、半導体素子１と冷却フィン９の間に絶縁板４が設けられているため、冷媒として水などの導電性流体を用いることができる。これにより、冷却性能を確保することができる。ただし、冷媒が空気や絶縁流体などの絶縁板である場合には絶縁板４を省略して冷却フィン９上に半導体素子１や回路パターン５を設けてもよい。
また、樹脂１０の下面には、接合材１３との接合強度を高めるための表面処理が施されていることが好ましい。例えば、接合表面を荒くする親水化処理が施されていることが好ましい。
実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。樹脂１０の下面に凹部１４が設けられ、接合材１３が凹部１４に回り込んでアンカーとなる。これにより、接合面積が増加するため、接合強度が向上する。その他の構成は実施の形態１と同様である。
実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。本実施の形態は、冷却能力を向上させた両面冷却構造に本発明を適用したものである。
実施の形態１の構成に以下のような構成が追加されている。即ち、冷却フィン１５が半導体素子１の上面に高圧電極８及び絶縁板１６を介して接合されている。冷却器１７は、開口１８を有する。樹脂１０の上面から冷却フィン１５の一部が突出している。樹脂１０から突出した冷却フィン１５が冷却器１７の開口１８に挿入されている。樹脂１０の上面と冷却器１７が接合材１９により接合されている。
半導体素子１の上側の冷却構造についても、実施の形態１のような半導体素子１の下側の冷却構造と同様の効果を得ることができる。なお、樹脂１０の上面と下面に実施の形態２のようなアンカー構造を設けてもよい。
実施の形態４．
図３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。冷却フィン９は、セラミックの絶縁材２０と高熱伝導性の導電材２１のコンポジット構造である。その他の構成は実施の形態１と同様である。
このように絶縁材２０の内部に導電材２１を内装することで、冷却フィン９の熱伝導率を向上することができる。また、導電材２１は絶縁材２０により半導体素子１とは電気的に絶縁しているため、絶縁性を確保することもできる。
なお、冷却器１１の開口１２に挿入される部分において、導電材２１が絶縁材２０から露出していてもよい。また、本実施の形態のような冷却フィン９のコンポジット構造を実施の形態２，３に適用してもよい。
１ 半導体素子
４ 絶縁板
９ 冷却フィン（第１の冷却体）
１０ 樹脂
１１ 冷却器（第１の冷却器）
１２ 開口（第１の開口）
１３ 接合材（第１の接合材）
１４ 凹部
１５ 冷却フィン（第２の冷却体）
１７ 冷却器（第２の冷却器）
１８ 開口（第２の開口）
１９ 接合材（第２の接合材）
２０ 絶縁材
２１ 導電材

Claims (8)

  1. 半導体素子と、
    前記半導体素子に接合された冷却体と、
    前記半導体素子を封止する樹脂と、
    開口を有する冷却器とを備え、
    前記樹脂の主面から前記冷却体の一部が突出し、
    前記樹脂から突出した前記冷却体が前記冷却器の前記開口に挿入され、
    前記樹脂の前記主面と前記冷却器が接合材により接合されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記冷却器は、前記開口内において前記冷却体に冷媒を供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記半導体素子と前記冷却体の間に設けられた絶縁板を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記樹脂の前記主面には、前記接合材との接合強度を高めるための表面処理が施されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
  5. 前記表面処理は、接合表面を荒くする親水化処理であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
  6. 前記樹脂の前記主面には凹部が設けられ、
    前記接合材が前記凹部に回り込んでアンカーとなることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置。
  7. 前記冷却体は、前記半導体素子の下面に接合された第１の冷却体と、前記半導体素子の上面に接合された第２の冷却体とを有し
    前記冷却器は、第１の開口を有する第１の冷却器と、第２の開口を有する第２の冷却器とを有し、
    前記樹脂の下面から前記第１の冷却体の一部が突出し、
    前記樹脂の上面から前記第２の冷却体の一部が突出し、
    前記樹脂から突出した前記第１の冷却体が前記第１の冷却器の前記第１の開口に挿入され、
    前記樹脂から突出した前記第２の冷却体が前記第２の冷却器の前記第２の開口に挿入され、
    前記樹脂の前記下面と前記第１の冷却器が第１の接合材により接合され、
    前記樹脂の前記上面と前記第２の冷却器が第２の接合材により接合されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置。
  8. 前記冷却体は、絶縁材と導電材のコンポジット構造であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置。
JP2013558613A 2012-02-14 2012-02-14 半導体装置 Active JP5786972B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/053375 WO2013121521A1 (ja) 2012-02-14 2012-02-14 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013121521A1 true JPWO2013121521A1 (ja) 2015-05-11
JP5786972B2 JP5786972B2 (ja) 2015-09-30

Family

ID=48983685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013558613A Active JP5786972B2 (ja) 2012-02-14 2012-02-14 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9324630B2 (ja)
JP (1) JP5786972B2 (ja)
CN (1) CN104126225B (ja)
DE (1) DE112012005867B4 (ja)
WO (1) WO2013121521A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101570946B1 (ko) 2012-02-15 2015-11-20 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 디지털 콘텐트의 콘택스트적 이용 및 만료
DE102016222909A1 (de) * 2016-11-21 2018-05-24 Robert Bosch Gmbh Kühlkörper zur Kühlung eines Leistungsmoduls und Verfahren zur Herstellung eines Kühlkörpers
US20190357386A1 (en) * 2018-05-16 2019-11-21 GM Global Technology Operations LLC Vascular polymeric assembly
DE112018008134T5 (de) * 2018-11-12 2021-07-29 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
JP7176397B2 (ja) * 2018-12-21 2022-11-22 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
DE102020205979A1 (de) 2020-05-12 2021-11-18 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul mit einer Wärmesenke
EP4060724B1 (en) * 2021-03-19 2023-08-23 Hitachi Energy Switzerland AG A power module comprising at least one semiconductor module, and a method for manufacturing a power module

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064131A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Denso Corp 半導体装置
JP2010177529A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Honda Motor Co Ltd パワーモジュールのシール部構造
JP2012004218A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2012049167A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6712948B1 (en) 1998-11-13 2004-03-30 Enthone Inc. Process for metallizing a plastic surface
JP3553849B2 (ja) 2000-03-07 2004-08-11 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20060055056A1 (en) * 2003-11-21 2006-03-16 Denso Corporation Semiconductor equipment having a pair of heat radiation plates
JP4583122B2 (ja) 2004-09-28 2010-11-17 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2006310363A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Toshiba Corp パワー半導体装置
JP4569473B2 (ja) 2006-01-04 2010-10-27 株式会社日立製作所 樹脂封止型パワー半導体モジュール
JP5018355B2 (ja) 2007-09-05 2012-09-05 株式会社デンソー モールドパッケージ
DE102008005529A1 (de) * 2008-01-22 2009-07-23 Robert Bosch Gmbh Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung eines Kühlkörpers
JP4586087B2 (ja) 2008-06-30 2010-11-24 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
JP5382049B2 (ja) * 2010-06-30 2014-01-08 株式会社デンソー 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064131A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Denso Corp 半導体装置
JP2010177529A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Honda Motor Co Ltd パワーモジュールのシール部構造
JP2012004218A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2012049167A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5786972B2 (ja) 2015-09-30
WO2013121521A1 (ja) 2013-08-22
US20150108629A1 (en) 2015-04-23
US9324630B2 (en) 2016-04-26
CN104126225B (zh) 2017-04-12
CN104126225A (zh) 2014-10-29
DE112012005867T5 (de) 2014-11-13
DE112012005867B4 (de) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5786972B2 (ja) 半導体装置
US7848104B2 (en) Power module
JP6120704B2 (ja) 半導体装置
JP4120876B2 (ja) 半導体装置
US9754855B2 (en) Semiconductor module having an embedded metal heat dissipation plate
JPWO2014181426A1 (ja) 半導体モジュール
WO2014097798A1 (ja) 半導体装置
JP2013219267A (ja) パワーモジュール
JP6053858B2 (ja) パワー半導体装置および車載用回転電機の駆動装置
JP2014183078A (ja) 半導体装置
JP6391527B2 (ja) パワー半導体モジュール
US20140367842A1 (en) Power semiconductor device and method of manufacturing the same
TWI648829B (zh) 半導體裝置的散熱結構
US20150130042A1 (en) Semiconductor module with radiation fins
WO2013118275A1 (ja) 半導体装置
JP2010192591A (ja) 電力用半導体装置とその製造方法
JP2017017109A (ja) 半導体装置
WO2017130370A1 (ja) 半導体装置
JP2015185835A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2012138475A (ja) 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
JP2017224689A (ja) 半導体装置
JP6818636B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP2019102519A (ja) 半導体装置
JP2007081155A (ja) 半導体装置
JP2017069351A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150630

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150713

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5786972

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250