DE112012005867T5 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Eine Kühlrippe 9 ist mit einem Halbleiterelement 1 verbunden. Ein Kunstharz 10 verkapselt das Halbleiterelement 1. Ein Teil der Kühlrippe 9 ragt aus einer Unterseite Kunstharzes 10 heraus. Ein Kühler 11 hat eine Öffnung 12. Die aus dem Kunstharz 10 heraus ragende Kühlrippe 9 ist in die Öffnung 12 des Kühlers 11 eingesetzt. Die Unterseite des Kunstharzes 10 und der Kühler 11 sind miteinander durch ein Verbindungsmaterial 13 wie beispielsweise einen Klebstoff verbunden. Deshalb können eine Verringerung der Anzahl der Bauteile und eine Reduzierung des Gewichts erzielt werden, und eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung kann gewährleistet werden.
Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, bei welcher ein kunstharzgeformtes Halbleitergehäuse mit einer Kühlvorrichtung verbunden ist.
- Technischer Hintergrund
- Herkömmliche Leistungsmodule des Gehäusetyps benötigen eine Gelverkapselung der Halbleiterelemente. Eine große Anzahl von Montageprozessschritten und hohe Teilekosten sind für solche Leistungsmodule erforderlich. Es werden deshalb Leistungsmodule mit spritzgepressten Halbleiterelementen entwickelt (siehe z. B. Patentliteratur 1). Ein kunstharzgeformtes Halbleitergehäuse muss an einer Kühlvorrichtung befestigt werden, um gekühlt zu werden, und es wurde ein Verfahren zum Befestigen eines solchen Halbleitergehäuses mittels Schrauben oder dergleichen vorgeschlagen (siehe z. B. Patentliteratur 2).
- Entgegenhaltungsliste
- Patentliteratur
-
- Patentliteratur 1:
JP 2001-250890 A - Patentliteratur 2:
JP 4583122 B - Zusammenfassung der Erfindung
- Technisches Problem
- Bei dem Verfahren der Befestigung mittels Schrauben oder dergleichen gibt es ein Problem, dass die Anzahl der Bauteile erhöht ist und das Gesamtgewicht erhöht ist. Andererseits werden Verfahren zum Verbinden eines Halbleitergehäuses mit einer Kühlvorrichtung ohne Schrauben oder dergleichen untersucht. Es wurde jedoch kein Erfolg erzielt beim Gewährleisten einer Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung, da der Kühlabschnitt und die Verbindung zusammenfallen.
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, und es ist ihre Aufgabe, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, die eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung gewährleisten und eine Verringerung der Anzahl an Bauteilen und eine Reduzierung des Gewichts erzielen kann.
- Maßnahmen zum Lösen der Probleme
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält ein Halbleiterelement; einen mit dem Halbleiterelement verbundenen Kühlkörper; ein das Halbleiterelement verkapselndes Kunstharz; und einen Kühler mit einer Öffnung, wobei ein Teil des Kühlkörpers aus einer Hauptfläche des Kunstharzes heraus ragt, der aus dem Kunstharz heraus ragende Kühlkörper in die Öffnung des Kühlers eingesetzt ist und die Hauptfläche des Kunstharzes und der Kühler miteinander durch ein Verbindungsmaterial verbunden sind.
- Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung macht es möglich, eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung zu gewährleisten und eine Verringerung der Anzahl der Bauteile und eine Reduzierung des Gewichts zu erzielen.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung. -
2 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung. -
3 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. -
4 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 4 der vorliegenden Erfindung. - Beschreibung der Ausführungsbeispiele
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird bezugnehmend auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen Bauteile sind mit den gleichen Symbolen gekennzeichnet und auf ihre wiederholte Beschreibung kann verzichtet werden.
- Ausführungsbeispiel 1
-
1 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung. Ein Halbleiterelement1 ist ein Leistungshalbleiterelement wie beispielsweise ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT). Ein Steueranschluss (Gate) des Halbleiterelements1 ist durch einen Draht2 mit einer Signalelektrode3 verbunden. Eine Unterseite (Kollektor) des Halbleiterelements ist durch ein auf einer Isolierplatte4 vorgesehenes Schaltungsmuster5 mit einer Hochspannungselektrode6 verbunden. Eine Oberseite (Emitter) des Halbleiterelements ist durch ein Lot7 mit einer Hochspannungselektrode8 verbunden. - Eine Kühlrippe
9 ist mit der Unterseite des Halbleiterelements1 durch das Schaltungsmuster und die Isolierplatte4 verbunden. Bauteile einschließlich des Halbleiterelements1 sind in einem Kunstharz10 verkapselt (spritzgepresst). Ein Teil der Kühlrippe9 ragt aus einer Unterseite des Kunstharzes10 heraus. Die Signalelektrode3 und die Hochspannungselektroden6 und8 sind ebenfalls aus dem Kunstharz10 herausgeführt. - Dieses kunstharzgeformte Halbleitergehäuse ist mit einem Kühler
11 verbunden. Der Kühler11 hat eine Öffnung12 . Die aus dem Kunstharz10 heraus ragende Kühlrippe9 ist in die Öffnung12 des Kühlers11 eingesetzt. Die Unterseite des Kunstharzes10 und der Kühler11 sind miteinander mittels eines Verbindungsmaterials13 wie beispielsweise eines Klebstoffs verbunden. Der Kühler11 führt ein Kühlmedium zur Kühlrippe9 in der Öffnung12 , wodurch das Halbleiterelement1 durch die Kühlrippe9 gekühlt wird. - Eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung kann durch ein eindeutiges Trennen des Kühlabschnitts und der Verbindung voneinander wie oben beschrieben gewährleistet werden. Selbst wenn z. B. das Halbleiterelement
1 einen Hochtemperaturbetrieb durchführt, so dass die Temperatur des Kühlabschnitts auf eine hohe Temperatur erhöht wird, kann die Temperaturveränderung der Verbindung begrenzt werden. Deshalb kann ein SiC-Halbleiterelement, das als Produkt mit garantiertem Hochtemperaturbetrieb vorgesehen ist, als das Halbleiterelement1 verwendet werden. Eine Verringerung der Anzahl der Bauteile und eine Reduzierung des Gewichts können ebenfalls erzielt werden, da kein Bedarf an zusätzlichen Bauteilen wie beispielsweise Schrauben existiert. - Bei der herkömmlichen Vorrichtung ist ein wärmeleitendes Material zwischen den Kühlkörper und den Kühler gesetzt, und deshalb verformt sich die Halbleitervorrichtung entsprechend der Dicke des wärmeleitenden Materials. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die Kühlleistung ohne Beeinflussung durch eine Verformung der Vorrichtung sichergestellt werden, da die Kühlrippe in die Öffnung
12 des Kühlers11 eingesetzt ist. - Ferner ermöglicht das Vorsehen der Isolierplatte
4 zwischen dem Halbleiterelement1 und der Kühlrippe9 die Verwendung eines elektrisch leitfähigen Fluids wie beispielsweise Wasser als Kühlmedium. Die Kühlleistung kann dadurch sichergestellt werden. Falls das Kühlmedium eine Isolierplatte wie beispielsweise Luft oder ein isolierendes Fluid ist, kann die Isolierplatte4 entfernt werden, und das Halbleiterelement1 und das Schaltungsmuster5 können auf der Kühlrippe9 vorgesehen werden. - Vorzugsweise wird eine Oberflächenbehandlung zum Erhöhen der Festigkeit der Verbindung mit dem Verbindungsmaterial
13 an der Unterseite des Kunstharzes10 durchgeführt. Z. B. wird eine Hydrophilisierungsbehandlung zum Aufrauen der Verbindungsfläche durchgeführt. - Ausführungsbeispiel 2
-
2 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung. In der Unterseite des Kunstharzes10 ist eine Ausnehmung14 vorgesehen, und das Verbindungsmaterial13 umfließt in die Ausnehmung14 , um einen Anker zu bilden. Die Verbindungsfläche wird dadurch vergrößert, so dass die Festigkeit der Verbindung verbessert wird. Im Übrigen ist die Konstruktion gleich derjenigen in Ausführungsbeispiel 1. - Ausführungsbeispiel 3
-
3 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die vorliegende Erfindung auf eine doppelseitige Kühlkonstruktion zum Verbessern des Kühlvermögens angewendet. - Eine nachfolgend beschriebene Konstruktion ist zu der Konstruktion von Ausführungsbeispiel 1 hinzugefügt. D. h., eine Kühlrippe
15 ist mit der Oberseite des Halbleiterelements1 durch die Hochspannungselektrode8 und eine Isolierplatte16 verbunden. Ein Kühler17 hat eine Öffnung18 . Ein Teil der Kühlrippe15 ragt aus einer Oberseite des Kunstharzes10 heraus. Die aus dem Kunstharz10 heraus ragende Kühlrippe15 ist in die Öffnung18 des Kühlers17 eingesetzt. Die Oberseite des Kunstharzes10 und der Kühler17 sind miteinander mittels eines Verbindungsmaterials19 verbunden. - Die oberhalb des Halbleiterelements
1 vorgesehene Kühlkonstruktion kann die gleiche Wirkung wie jene der unterhalb des Halbleiterelements1 vorgesehenen Kühlkonstruktion wie in Ausführungsbeispiel 1 beschrieben haben. Eine Verankerungskonstruktion wie jene in Ausführungsbeispiel 2 kann in der Ober- und der Unterseite des Kunstharzes10 vorgesehen sein. - Ausführungsbeispiel 4
-
3 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. Eine Kühlrippe9 besteht aus einer Verbundkonstruktion aus einem isolierenden Keramikmaterial20 und einem elektrisch leitfähigen Material21 mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Im Übrigen ist die Konstruktion gleich derjenigen in Ausführungsbeispiel 1. - Die Wärmeleitfähigkeit der Kühlrippe
9 kann durch Einbetten des elektrisch leitfähigen Materials21 in dem Isoliermaterial20 wie oben beschrieben verbessert werden. Da das elektrisch leitfähige Material21 von dem Halbleiterelement1 durch das Isoliermaterial20 elektrisch isoliert ist, kann die gewünschte Isolation auch sichergestellt werden. - In einem in die Öffnung
12 des Kühlers11 eingesetzten Abschnitt kann das elektrisch leitfähige Material21 aus dem Isoliermaterial20 heraus freiliegen. Eine Verbundkonstruktion der Kühlrippe9 wie beispielsweise jene im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann auch auf die Ausführungsbeispiele 2 und 3 angewendet werden. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Halbleiterelement
- 4
- Isolierplatte
- 9
- Kühlrippe (erster Kühlkörper)
- 10
- Kunstharz
- 11
- Kühler (erster Kühler)
- 12
- Öffnung (erste Öffnung)
- 13
- Verbindungsmaterial (erstes Verbindungsmaterial)
- 14
- Ausnehmung
- 15
- Kühlrippe (zweiter Kühlkörper)
- 17
- Kühler (zweiter Kühler)
- 18
- Öffnung (zweite Öffnung)
- 19
- Verbindungsmaterial (zweites Verbindungsmaterial)
- 20
- Isoliermaterial
- 21
- leitfähiges Material
Claims (8)
- Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Halbleiterelement; einen mit dem Halbleiterelement verbundenen Kühlkörper; ein das Halbleiterelement verkapselndes Kunstharz; und einen Kühler mit einer Öffnung, wobei ein Teil des Kühlkörpers aus einer Hauptfläche des Kunstharzes heraus ragt, der aus dem Kunstharz heraus ragende Kühlkörper in die Öffnung des Kühlers eingesetzt ist, und die Hauptfläche des Kunstharzes und der Kühler miteinander durch ein Verbindungsmaterial verbunden sind.
- Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher der Kühler dem Kühlkörper in der Öffnung ein Kühlmedium zuführt.
- Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, ferner mit einer Isolierplatte, die zwischen dem Halbleiterelement und dem Kühlkörper vorgesehen ist.
- Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welcher eine Oberflächenbehandlung zum Erhöhen einer Festigkeit der Verbindung mit dem Verbindungsmaterial an der Hauptfläche des Kunstharzes durchgeführt ist.
- Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, bei welcher die Oberflächenbehandlung eine Hydrophilisierungsbehandlung zum Aufrauen einer Verbindungsfläche ist.
- Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei welcher eine Ausnehmung in der Hauptfläche des Kunstharzes vorgesehen ist und das Verbindungmaterial in die Ausnehmung umfließt, um einen Anker zu bilden.
- Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei welcher der Kühlkörper einen ersten Kühlkörper, der mit einer Unterseite des Halbleiterelements verbunden ist, und einen zweiten Kühlkörper, der mit einer Oberseite des Halbleiterelements verbunden ist, enthält, der Kühler einen ersten Kühler mit einer ersten Öffnung und einen zweiten Kühler mit einer zweiten Öffnung enthält, ein Teil des ersten Kühlkörpers aus einer Unterseite des Kunstharzes heraus ragt, ein Teil des zweiten Kühlkörpers aus einer Oberseite des Kunstharzes heraus ragt, der aus dem Kunstharz heraus ragende erste Kühlkörper in die erste Öffnung des ersten Kühlers eingesetzt ist, der aus dem Kunstharz heraus ragende zweite Kühlkörper in die zweite Öffnung des zweiten Kühlers eingesetzt ist, die Unterseite des Kunstharzes und der erste Kühler miteinander durch ein erstes Verbindungsmaterial verbunden sind, und die Oberseite des Kunstharzes und der zweite Kühler miteinander durch ein zweites Verbindungsmaterial verbunden sind.
- Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei welcher ein Kühlkörper aus einer Verbundkonstruktion besteht, die aus einem Isoliermaterial und einem leitfähigen Material gebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2012/053375 WO2013121521A1 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112012005867T5 true DE112012005867T5 (de) | 2014-11-13 |
DE112012005867B4 DE112012005867B4 (de) | 2021-10-07 |
Family
ID=48983685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112012005867.4T Active DE112012005867B4 (de) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9324630B2 (de) |
JP (1) | JP5786972B2 (de) |
CN (1) | CN104126225B (de) |
DE (1) | DE112012005867B4 (de) |
WO (1) | WO2013121521A1 (de) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112012005867B4 (de) | 2021-10-07 |
JPWO2013121521A1 (ja) | 2015-05-11 |
JP5786972B2 (ja) | 2015-09-30 |
US20150108629A1 (en) | 2015-04-23 |
US9324630B2 (en) | 2016-04-26 |
CN104126225B (zh) | 2017-04-12 |
WO2013121521A1 (ja) | 2013-08-22 |
CN104126225A (zh) | 2014-10-29 |
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