JPWO2012070151A1 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に、ゲート電極と半導体層との間に絶縁膜を形成した構造のトランジスタにおいて、保護膜として絶縁膜を形成した構造のトランジスタについて説明する。図1に示されるように、この構造のトランジスタは、HEMT(High Electron Mobility Transistor)と呼ばれるものであり、基板511上に、電子走行層512、電子供給層513、キャップ層514がエピタキシャル成長により積層して形成されている。尚、この構造により、電子走行層512において電子供給層513に近い側に2次元電子ガス(2DEG:2 dimensional electron gas)512aが形成される。また、ソース電極515及びドレイン電極516は、キャップ層514及び電子供給層513を除去することにより形成された開口部内に形成されており、電子走行層512と接続されている。ゲート電極518は、キャップ層514及び電子供給層513の一部を除去することにより形成された開口部内に絶縁膜517を介して形成されている。尚、絶縁膜517はキャップ層514上にも形成されており、絶縁膜517の上には、保護膜519が形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置の構造を図2に示す。本実施の形態における半導体装置は、HEMTと呼ばれるトランジスタであり、半導体等からなる基板11上に、電子走行層12、電子供給層13、キャップ層14がエピタキシャル成長により積層して形成されている。また、ソース電極15及びドレイン電極16は電子走行層12と接続されて形成されており、ゲート電極18は、キャップ層14及び電子供給層13の一部を除去することにより形成された開口部内に絶縁膜17を介して形成されている。尚、絶縁膜17はキャップ層14上にも形成されており、絶縁膜17の上には、保護膜20として、第1の絶縁保護膜21、アモルファスカーボン膜22及び第2の絶縁保護膜23が形成されている。
次に、図3及び図4に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。
次に、アモルファスカーボン膜を成膜するためのFCA法について説明する。図6に、FCA法に用いられるFCA成膜装置の構造を示す。このFCA成膜装置は、プラズマ発生部110、プラズマ分離部120、パーティクルトラップ部130、プラズマ移送部140、成膜チャンバー150を有している。プラズマ発生部110、プラズマ分離部120及びパーティクルトラップ部130は、いずれも筒状に形成されており、この順で連結されている。プラズマ移送部140も筒状に形成されており、一方の端部はプラズマ分離部120に略垂直に接続されており、他方の端部は、成膜チャンバー150に接続されている。成膜チャンバー150の内部には、成膜対象となる基板等151を設置するためのステージ152が設けられている。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における半導体装置は、絶縁膜17上に保護膜220としてアモルファスカーボン膜221及び絶縁保護膜222を形成した構造のものである。
次に、第3の本実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置の構造を図8に示す。本実施の形態における半導体装置は、半導体等からなる基板311上に、電子走行層312、電子供給層313、キャップ層314がエピタキシャル成長により積層して形成されている。また、ソース電極315及びドレイン電極316は電子走行層312と接続されて形成されており、キャップ層314上には絶縁膜317が形成されており、更に、絶縁膜317上にはゲート電極318が形成されている。また、露出している絶縁膜317の上には、保護膜320として、第1の絶縁保護膜321、アモルファスカーボン膜322及び第2の絶縁保護膜323が形成されている。
また、ソース電極315、ドレイン電極316及びゲート電極318は金属材料により形成されており、絶縁膜17は、プラズマALDにより酸化アルミニウム(Al2O3)膜を成膜することにより形成されている。また、第1の絶縁保護膜321は、酸化アルミニウム膜により形成されており、第2の絶縁保護膜323は、窒化シリコン(SiN)膜により形成されている。アモルファスカーボン膜322は、第1の実施の形態におけるアモルファスカーボン膜22と同様のものが用いられている。
次に、図9及び図10に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。
12 電子走行層(第1の半導体層)
12a 2DEG
13 電子供給層(第2の半導体層)
14 キャップ層(第3の半導体層)
15 ソース電極
16 ドレイン電極
17 絶縁膜
18 ゲート電極
20 保護膜
21 第1の絶縁保護膜
22 アモルファスカーボン膜
23 第2の絶縁保護膜
Claims (20)
- 基板上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層にまたは前記第2の半導体層に接して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第1の半導体層に形成された開口部と、
前記第2の半導体層の上方及び前記開口部の内部表面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜を介し前記開口部内に形成されたゲート電極と、
前記絶縁膜上に形成された保護膜と、
を有し、
前記保護膜は、炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層にまたは前記第2の半導体層に接して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の半導体層の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記絶縁膜上に形成された保護膜と、
を有し、
前記保護膜は、炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置。 - 前記保護膜は、炭素を主成分とするアモルファス膜と絶縁保護膜により形成されているものであり、
前記炭素を主成分とするアモルファス膜は、前記絶縁膜上に形成されるものであり、
前記絶縁保護膜は、前記炭素を主成分とするアモルファス膜上に形成されるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記絶縁保護膜は、窒化シリコンを含むものであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、第1の絶縁保護膜と炭素を主成分とするアモルファス膜と第2の絶縁保護膜により形成されているものであり、
前記第1の絶縁保護膜は、前記絶縁膜上に形成されるものであり、
前記炭素を主成分とするアモルファス膜は、前記第1の絶縁保護膜上に形成されるものであって、
前記第2の絶縁保護膜は、前記炭素を主成分とするアモルファス膜上に形成されるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第2の絶縁保護膜は、窒化シリコンを含むものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁保護膜は、前記絶縁膜と同じ材料により形成されているものであることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。
- 前記炭素を主成分とするアモルファス膜は、膜厚が、1nm以上、30nm以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記炭素を主成分とするアモルファス膜における炭素間結合の比率は、sp2≦sp3であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記炭素を主成分とするアモルファス膜における膜密度は、2.7g/cm3以上、3.56g/cm3以下であることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、酸化アルミニウムにより形成されているものであることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体層は、GaNを含むものであることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体層は、AlGaNを含むものであることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体層と前記絶縁層との間には、第3の半導体層が設けられており、
前記第3の半導体層は、n−GaNを含むものであることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、HEMTであることを特徴とする請求項1から14に記載の半導体装置。
- 基板上に第1の半導体層と、第2の半導体層を積層形成する工程と、
前記第1の半導体層にまたは前記第2の半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層に開口部を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上方及び前記開口部の内部表面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を介し前記開口部内にゲート電極を形成する工程と、
露出している前記絶縁膜上に炭素を主成分とするアモルファス膜を含む保護膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に第1の半導体層と、第2の半導体層を積層形成する工程と、
前記第1の半導体層にまたは前記第2の半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上の一部にゲート電極を形成する工程と、
露出している前記絶縁膜上に炭素を主成分とするアモルファス膜を含む保護膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成する工程は、
前記絶縁膜上に前記炭素を主成分とするアモルファス膜を形成する工程と、
前記炭素を主成分とするアモルファス膜上に絶縁保護膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項16または17に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成する工程は、
前記絶縁膜上に第1の絶縁保護膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁保護膜上に前記炭素を主成分とするアモルファス膜を形成する工程と、
前記炭素を主成分とするアモルファス膜上に第2の絶縁保護膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項16または17に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記炭素を主成分とするアモルファス膜は、アーク蒸着法により形成されるものであることを特徴とする請求項16から19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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