JPWO2011096597A1 - 結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器、およびそれを用いた半導体結晶の成長方法 - Google Patents
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
Description
2 段部
3 定径部
4 開口部
13 チャンバ
14 ヒータ
15 下軸
16 容器台
17 種結晶
18 GaAs単結晶
19 GaAs原料(融液)
20 B2O3封止剤
51 区間a1におけるf(x)の中点
52 区間a3におけるf(x)の中点
53 区間a1の開始点
54 区間a1の終了点(区間a3の開始点)
55 区間a3の終了点
Claims (10)
- 縦型容器に収容した原料融液を下端から開口部に向かって凝固させる結晶成長方法に用いる熱分解窒化ホウ素製容器であって、実質的に断面積が一定の定径部を有し、開口部から所定の位置で内径または外径が変化する段部を設け、定径部内側の断面積と同じ面積を有する真円の直径をD、開口部から段部上端までの距離をxとする時、D≧54mmかつx≧5mmであることを特徴とする、結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 前記定径部下端から開口部までの長さをLとする時、5mm≦x≦L/3または5mm≦x≦Dであることを特徴とする、請求項1に記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 前記段部より開口部側の容器内側の断面積と同じ面積を有する真円の直径をD’とする時、3mm≦(D’−D)であることを特徴とする、請求項1または2に記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- D≧79mmであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 前記段部より開口部側の容器の厚みをt2、開口部と反対側の容器の厚みをt1とする時、t1とt2が、共に0.3mm以上、3mm以下であることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 前記結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器の平均比重をρとする時、1.88g/cm3≦ρ≦2.08g/cm3であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 熱分解窒化ホウ素製容器の中心軸を含む縦断面において、容器の長さ方向をy軸、半径方向をx軸として、段部の容器の内径側の形状線を関数f(x)で表すとき、1階微分f’(x)≧0であることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 前記段部の曲率半径R(x)の最小値が0.5mm以上であることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 前記段部の2階微分f”(x)<0となる領域の中点における曲率半径R1(mid)が、2階微分f”(x)>0となる領域の中点における曲率半径R3(mid)と等しいかそれ以上であることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器を用いる半導体結晶の成長方法。
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