JP2000154089A - るつぼ壁面被覆用ｂ２ｏ３材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結晶製造方法及びその方法により製造された単結晶 - Google Patents
るつぼ壁面被覆用ｂ２ｏ３材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結晶製造方法及びその方法により製造された単結晶Info
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- JP2000154089A JP2000154089A JP10327063A JP32706398A JP2000154089A JP 2000154089 A JP2000154089 A JP 2000154089A JP 10327063 A JP10327063 A JP 10327063A JP 32706398 A JP32706398 A JP 32706398A JP 2000154089 A JP2000154089 A JP 2000154089A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】縦型ボート法による化合物半導体の結晶製造に
おいて、るつぼの側面を完全にＢ2Ｏ3融液で被覆するこ
とができ、低転位の単結晶を高歩留まりで得る。 【解決手段】縦型ボート法により、るつぼ内に充填され
た多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固して単結晶を製造
する際、前記多結晶原料の充填時に前記るつぼの底部に
配置され、加熱により溶融されて該るつぼの壁面を被覆
するＢ2Ｏ3材料であって、中空円錐型部分を有すること
を特徴とする。
おいて、るつぼの側面を完全にＢ2Ｏ3融液で被覆するこ
とができ、低転位の単結晶を高歩留まりで得る。 【解決手段】縦型ボート法により、るつぼ内に充填され
た多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固して単結晶を製造
する際、前記多結晶原料の充填時に前記るつぼの底部に
配置され、加熱により溶融されて該るつぼの壁面を被覆
するＢ2Ｏ3材料であって、中空円錐型部分を有すること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型ボート法（Ｖ
ＧＦ法、ＶＢ法、ＬＥ−ＶＢ法等）によるII-VI,III-V
化合物半導体単結晶の製造に適した、るつぼ壁面被覆用
Ｂ2Ｏ3材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結
晶製造方法及びその方法により製造された単結晶に関す
るものである。
ＧＦ法、ＶＢ法、ＬＥ−ＶＢ法等）によるII-VI,III-V
化合物半導体単結晶の製造に適した、るつぼ壁面被覆用
Ｂ2Ｏ3材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結
晶製造方法及びその方法により製造された単結晶に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】III-V、II-VI化合物半導体として、例え
ば、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（Ｇａ
Ｐ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、テルル化カドミウ
ム（ＣｄＴｅ）等が挙げられる。
ば、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（Ｇａ
Ｐ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、テルル化カドミウ
ム（ＣｄＴｅ）等が挙げられる。
【０００３】これらの化合物半導体の単結晶は、化合物
半導体レーザー、ＬＥＤ、トランジスタなどに幅広く用
いられている。従来、これらの化合物半導体の単結晶
は、水平ブリッジマン法（ＨＢ法）、水平温度勾配凝固
法（ＧＦ法）、液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）、垂直
ブリッジマン法（ＶＢ法）、垂直温度勾配凝固法（ＶＧ
Ｆ法）等様々な方法で製造されている。
半導体レーザー、ＬＥＤ、トランジスタなどに幅広く用
いられている。従来、これらの化合物半導体の単結晶
は、水平ブリッジマン法（ＨＢ法）、水平温度勾配凝固
法（ＧＦ法）、液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）、垂直
ブリッジマン法（ＶＢ法）、垂直温度勾配凝固法（ＶＧ
Ｆ法）等様々な方法で製造されている。
【０００４】このうちＬＥＣ法は高い温度勾配環境下で
育成するため結晶中の転位密度が高く、更に成長中に直
径制御が必要であるという欠点を有する。またＨＢ法、
ＧＦ法は育成中の温度勾配が小さいために、得られる結
晶中の転位密度が低いが、円形断面のウエハーを得るに
は結晶を円形に加工する必要があり歩留まりが悪いとい
う欠点を有する。
育成するため結晶中の転位密度が高く、更に成長中に直
径制御が必要であるという欠点を有する。またＨＢ法、
ＧＦ法は育成中の温度勾配が小さいために、得られる結
晶中の転位密度が低いが、円形断面のウエハーを得るに
は結晶を円形に加工する必要があり歩留まりが悪いとい
う欠点を有する。
【０００５】これに対してＶＢ法、ＶＧＦ法等の縦型ボ
ート法は、るつぼの下端に種結晶を配置し、原料融液を
種結晶に接触させ、種結晶側から除々に温度を降下させ
て単結晶を成長する方法である。転位密度が低く、結晶
を円形に加工する必要がないという両方の利点を併せ持
ち、したがって、低転位でかつ円形断面の結晶が得られ
るために注目されている。しかし、これらＶＢ法または
ＶＧＦ法等の縦型ボート法では、結晶が容器壁に接触す
るため、原料融液と容器壁との濡れによる結晶欠陥の発
生（スティッキング）が問題となる。
ート法は、るつぼの下端に種結晶を配置し、原料融液を
種結晶に接触させ、種結晶側から除々に温度を降下させ
て単結晶を成長する方法である。転位密度が低く、結晶
を円形に加工する必要がないという両方の利点を併せ持
ち、したがって、低転位でかつ円形断面の結晶が得られ
るために注目されている。しかし、これらＶＢ法または
ＶＧＦ法等の縦型ボート法では、結晶が容器壁に接触す
るため、原料融液と容器壁との濡れによる結晶欠陥の発
生（スティッキング）が問題となる。
【０００６】るつぼは一般的に石英やＰＢＮ（熱分解性
窒化ホウ素）が使用される。石英の場合は、表面をサン
ドブラストなどによって粗くして融液を濡れにくくする
ことが知られている。また、ＰＢＮるつぼの場合には、
原料とともに添加するＢ2Ｏ3（酸化ホウ素）でるつぼ壁
面を被覆することによって濡れを防止することが知られ
ている。
窒化ホウ素）が使用される。石英の場合は、表面をサン
ドブラストなどによって粗くして融液を濡れにくくする
ことが知られている。また、ＰＢＮるつぼの場合には、
原料とともに添加するＢ2Ｏ3（酸化ホウ素）でるつぼ壁
面を被覆することによって濡れを防止することが知られ
ている。
【０００７】図５に縦型ボート法の一例としてＶＧＦ法
によるＧａＡｓ単結晶の成長方法の例を示す。るつぼ１
全体が、石英アンプル２内に真空封入されている。石英
アンプル２は、周囲を囲むヒータ６を有する成長炉内の
受け台７に配置される。
によるＧａＡｓ単結晶の成長方法の例を示す。るつぼ１
全体が、石英アンプル２内に真空封入されている。石英
アンプル２は、周囲を囲むヒータ６を有する成長炉内の
受け台７に配置される。
【０００８】るつぼ１の下部は、テーパ部１０を有して
逆円錐形に構成されている。テーパ部１０の下方に種結
晶３が配置され、テーパ部１０の上方にＧａＡｓ多結晶
４及び、Ｂ2Ｏ3（酸化ホウ素）５が充填される。
逆円錐形に構成されている。テーパ部１０の下方に種結
晶３が配置され、テーパ部１０の上方にＧａＡｓ多結晶
４及び、Ｂ2Ｏ3（酸化ホウ素）５が充填される。
【０００９】加熱ヒータ６による昇温時には、まずＢ2
Ｏ3（酸化ホウ素）５が軟化してるつぼ内面を被覆す
る。さらに温度を上昇させてＧａＡｓ多結晶４及び種結
晶３の一部を溶融した後、ヒーター６の温度を除々に冷
却しながら種結晶側から融液を固化して単結晶を成長す
る。
Ｏ3（酸化ホウ素）５が軟化してるつぼ内面を被覆す
る。さらに温度を上昇させてＧａＡｓ多結晶４及び種結
晶３の一部を溶融した後、ヒーター６の温度を除々に冷
却しながら種結晶側から融液を固化して単結晶を成長す
る。
【００１０】ＶＢ法の場合は、るつぼ１とヒータ６との
相対位置を変化させることで、低温部を上方に移動させ
ながら種結晶側から融液を固化して単結晶を成長する。
またこれら以外にも縦型ボート法にはＶＢ法とＶＧＦ法
を組み合わせたＶＢＧ法や石英アンプルを使用せずにチ
ャンバー内でＡｓ圧を印加しながら成長させるＬＥ−Ｖ
Ｂ法等もある。
相対位置を変化させることで、低温部を上方に移動させ
ながら種結晶側から融液を固化して単結晶を成長する。
またこれら以外にも縦型ボート法にはＶＢ法とＶＧＦ法
を組み合わせたＶＢＧ法や石英アンプルを使用せずにチ
ャンバー内でＡｓ圧を印加しながら成長させるＬＥ−Ｖ
Ｂ法等もある。
【００１１】しかし、上記のいずれの方法によっても、
Ｂ2Ｏ3が軟化して、るつぼ表面を被覆することになるが
完全に被覆できるとは限らない。るつぼの壁面がＢ2Ｏ3
によって完全に被覆されないとＢ2Ｏ3未被覆部において
融液と、るつぼのスティッキングが起こり、結晶中の転
位密度の増化や多結晶化を招くという問題があった。
Ｂ2Ｏ3が軟化して、るつぼ表面を被覆することになるが
完全に被覆できるとは限らない。るつぼの壁面がＢ2Ｏ3
によって完全に被覆されないとＢ2Ｏ3未被覆部において
融液と、るつぼのスティッキングが起こり、結晶中の転
位密度の増化や多結晶化を招くという問題があった。
【００１２】特にこの傾向は、結晶の重量負荷の大きい
るつぼの、図５に示した増径部分となるテーパ部１０に
おいて顕著である。このため高品質な結晶を歩留まり良
く得るためには、再現性良くるつぼ壁面、特にテーパ部
１０をＢ2Ｏ3で完全に被覆する必要があった。かかる問
題を解決する方法として円錐台型のＢ2Ｏ3をるつぼ壁面
被覆用原料として使用する方法が提案されてきた。しか
し、この方法でもしばしばＢ2Ｏ3未被覆部が発生し、再
現性良くるつぼ側面をＢ2Ｏ3で完全に被覆するのは困難
であった。
るつぼの、図５に示した増径部分となるテーパ部１０に
おいて顕著である。このため高品質な結晶を歩留まり良
く得るためには、再現性良くるつぼ壁面、特にテーパ部
１０をＢ2Ｏ3で完全に被覆する必要があった。かかる問
題を解決する方法として円錐台型のＢ2Ｏ3をるつぼ壁面
被覆用原料として使用する方法が提案されてきた。しか
し、この方法でもしばしばＢ2Ｏ3未被覆部が発生し、再
現性良くるつぼ側面をＢ2Ｏ3で完全に被覆するのは困難
であった。
【００１３】また上記問題を解決する手段としてＢ2Ｏ3
を多量に充填して確実にるつぼ側面を被覆するという手
法が考えられた。しかし、この方法では例えばＳｉドー
プのＮ型ＧａＡｓ単結晶を成長する際にドーパントのＳ
ｉがＢ2Ｏ3で還元されロスが生じるという問題があっ
た。
を多量に充填して確実にるつぼ側面を被覆するという手
法が考えられた。しかし、この方法では例えばＳｉドー
プのＮ型ＧａＡｓ単結晶を成長する際にドーパントのＳ
ｉがＢ2Ｏ3で還元されロスが生じるという問題があっ
た。
【００１４】ドーパントＳｉのロス分を補うために多量
のＳｉを添加するとスカムと称する異物が発生し、単結
晶化を著しく阻害するという問題もあった。このため多
量のＢ2Ｏ3を使用する方法は高いキャリア濃度のＧａＡ
ｓ単結晶を製造するのに不利であった。またＢ2Ｏ3を多
量に使用する結晶成長方法は製造コストが高くなるとい
う問題もあった。
のＳｉを添加するとスカムと称する異物が発生し、単結
晶化を著しく阻害するという問題もあった。このため多
量のＢ2Ｏ3を使用する方法は高いキャリア濃度のＧａＡ
ｓ単結晶を製造するのに不利であった。またＢ2Ｏ3を多
量に使用する結晶成長方法は製造コストが高くなるとい
う問題もあった。
【００１５】さらにかかる問題を解決する手段の一例と
して、ホウ素を含有する化合物をるつぼ側面に塗布して
焼成し、るつぼ側面に予めＢ2Ｏ3を形成したるつぼを使
用して結晶を成長する方法（特開平７−３００３８
５）、あるいは、るつぼ内面を希薄酸素雰囲気下で焼成
し、るつぼ側面に予めＢ2Ｏ3を形成したるつぼを使用し
て結晶を成長する方法（特開昭６２−１７６９９８）等
が報告されている。
して、ホウ素を含有する化合物をるつぼ側面に塗布して
焼成し、るつぼ側面に予めＢ2Ｏ3を形成したるつぼを使
用して結晶を成長する方法（特開平７−３００３８
５）、あるいは、るつぼ内面を希薄酸素雰囲気下で焼成
し、るつぼ側面に予めＢ2Ｏ3を形成したるつぼを使用し
て結晶を成長する方法（特開昭６２−１７６９９８）等
が報告されている。
【００１６】しかし、これらいずれの方法でも操作が煩
雑で結晶の量産には不向きであるという問題点を有して
いる。
雑で結晶の量産には不向きであるという問題点を有して
いる。
【００１７】したがって、本発明の目的は、上記の従来
の技術を解決する化合物半導体単結晶の製造において使
用するるつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料、その製造方法及び
それを用いた単結晶の製造方法、さらにその方法により
製造される単結晶を提供することにある。
の技術を解決する化合物半導体単結晶の製造において使
用するるつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料、その製造方法及び
それを用いた単結晶の製造方法、さらにその方法により
製造される単結晶を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、か
かる課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、るつぼ
形状と略同一形状で少なくとも中空円錐型部を含むＢ2
Ｏ3の形状物を使用することが有利であることを見いだ
した。
かる課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、るつぼ
形状と略同一形状で少なくとも中空円錐型部を含むＢ2
Ｏ3の形状物を使用することが有利であることを見いだ
した。
【００１９】このようにすると、るつぼ１のテーパ部１
０がＢ2Ｏ3材料と広面積において接触するため、Ｂ2Ｏ3
が溶融する際、るつぼ１のテーパ部１０が確実にＢ2Ｏ3
で被覆されることを見いだした。
０がＢ2Ｏ3材料と広面積において接触するため、Ｂ2Ｏ3
が溶融する際、るつぼ１のテーパ部１０が確実にＢ2Ｏ3
で被覆されることを見いだした。
【００２０】このため増径部分の被覆不良の発生が大幅
に低減し、単結晶が高歩留まりで得られることを見いだ
し本発明に至った。
に低減し、単結晶が高歩留まりで得られることを見いだ
し本発明に至った。
【００２１】すなわち、本発明の第１の要旨は、縦型ボ
ート法により、るつぼ内に充填された多結晶原料を加熱
溶融し、冷却凝固して単結晶を製造する際、前記多結晶
原料の充填時に前記るつぼの底部に配置され、加熱によ
り溶融されて該るつぼの壁面を被覆するＢ2Ｏ3材料であ
って、中空円錐型部分を有することを特徴とするるつぼ
壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料にある。
ート法により、るつぼ内に充填された多結晶原料を加熱
溶融し、冷却凝固して単結晶を製造する際、前記多結晶
原料の充填時に前記るつぼの底部に配置され、加熱によ
り溶融されて該るつぼの壁面を被覆するＢ2Ｏ3材料であ
って、中空円錐型部分を有することを特徴とするるつぼ
壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料にある。
【００２２】本発明の第２の要旨は、縦型ボート法によ
り、るつぼ内に充填された多結晶原料を加熱溶融し、冷
却凝固して単結晶を製造する際、前記多結晶原料の充填
時に前記るつぼの底部に配置され、加熱により溶融され
てるつぼの壁面を被覆するＢ2Ｏ3材料の製造方法におい
て、内面が円錐型部分を含む形状である雌型に加熱溶融
したＢ2Ｏ3を流し込み、次いで、外面が円錐台型部を含
む形状である雄型で型取りし、冷却し、次いで、前記雌
型及び、雄型をはずし、取り出されることを特徴とする
るつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料の製造方法にある。
り、るつぼ内に充填された多結晶原料を加熱溶融し、冷
却凝固して単結晶を製造する際、前記多結晶原料の充填
時に前記るつぼの底部に配置され、加熱により溶融され
てるつぼの壁面を被覆するＢ2Ｏ3材料の製造方法におい
て、内面が円錐型部分を含む形状である雌型に加熱溶融
したＢ2Ｏ3を流し込み、次いで、外面が円錐台型部を含
む形状である雄型で型取りし、冷却し、次いで、前記雌
型及び、雄型をはずし、取り出されることを特徴とする
るつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料の製造方法にある。
【００２３】本発明の第３の要旨は、縦型ボート法によ
り、るつぼ内に充填された多結晶原料を加熱溶融し、冷
却凝固して単結晶を製造する方法において、前記るつぼ
の底部に中空円錐型部分を含む形状のＢ2Ｏ3材料を配置
し、前記Ｂ2Ｏ3材料に多結晶原料を充填し、昇温してＢ
2Ｏ3材料を溶融し、次いで、前記るつぼ壁面を溶融した
Ｂ2Ｏ3材料で被覆した状態で、前記多結晶原料を加熱溶
融し、冷却凝固することにより単結晶を成長させること
を特徴とする単結晶の製造方法にある。
り、るつぼ内に充填された多結晶原料を加熱溶融し、冷
却凝固して単結晶を製造する方法において、前記るつぼ
の底部に中空円錐型部分を含む形状のＢ2Ｏ3材料を配置
し、前記Ｂ2Ｏ3材料に多結晶原料を充填し、昇温してＢ
2Ｏ3材料を溶融し、次いで、前記るつぼ壁面を溶融した
Ｂ2Ｏ3材料で被覆した状態で、前記多結晶原料を加熱溶
融し、冷却凝固することにより単結晶を成長させること
を特徴とする単結晶の製造方法にある。
【００２４】本発明の第４の要旨は、るつぼの底部に中
空円錐型部分を含む形状のＢ2Ｏ3材料を配置し、このＢ
2Ｏ3材料に多結晶原料を充填し、昇温してＢ2Ｏ3材料を
溶融し、次いで、前記るつぼ壁面を該溶融したＢ2Ｏ3材
料で被覆した状態で、前記多結晶原料を加熱溶融し、冷
却凝固することにより成長させたことを特徴とする単結
晶にある。
空円錐型部分を含む形状のＢ2Ｏ3材料を配置し、このＢ
2Ｏ3材料に多結晶原料を充填し、昇温してＢ2Ｏ3材料を
溶融し、次いで、前記るつぼ壁面を該溶融したＢ2Ｏ3材
料で被覆した状態で、前記多結晶原料を加熱溶融し、冷
却凝固することにより成長させたことを特徴とする単結
晶にある。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。なお、図の説明において、同一又は、類似の部分に
は、同一の参照数字又は、参照記号を付して説明する。
る。なお、図の説明において、同一又は、類似の部分に
は、同一の参照数字又は、参照記号を付して説明する。
【００２６】図１及び、図２に本発明におけるＢ2Ｏ3材
料５の形状例を示す。
料５の形状例を示す。
【００２７】Ｂ2Ｏ3材料５の形状は、るつぼ１の内面形
状に対応し、略同一である。図１に示す形状では、るつ
ぼ１のテーパ部１０に対応して中空円錐型部１１を有す
る。さらに、図２の例では、中空円錐型部１１の上部
に、るつぼ１の内面円筒形状に対応する円筒型部１２を
有する形状である。このＢ2Ｏ3材料５は、るつぼ１の底
部に充填され、充填時は固形である。
状に対応し、略同一である。図１に示す形状では、るつ
ぼ１のテーパ部１０に対応して中空円錐型部１１を有す
る。さらに、図２の例では、中空円錐型部１１の上部
に、るつぼ１の内面円筒形状に対応する円筒型部１２を
有する形状である。このＢ2Ｏ3材料５は、るつぼ１の底
部に充填され、充填時は固形である。
【００２８】図３に示すように、結晶成長に使用するる
つぼ１のテーパ部１０の増径角度（テーパ）をｂ°、そ
の稜線の長さをｄとして考える。Ｂ2Ｏ3材料５の形状に
おける中空円錐型部１１の増径角度（テーパ）をａ°と
する時、｜ａ°−ｂ°｜＜１０°、好ましくは｜ａ°−
ｂ°｜＜５°、さらに好ましくは｜ａ°−ｂ°｜＜２°
の関係にあることが望ましい。
つぼ１のテーパ部１０の増径角度（テーパ）をｂ°、そ
の稜線の長さをｄとして考える。Ｂ2Ｏ3材料５の形状に
おける中空円錐型部１１の増径角度（テーパ）をａ°と
する時、｜ａ°−ｂ°｜＜１０°、好ましくは｜ａ°−
ｂ°｜＜５°、さらに好ましくは｜ａ°−ｂ°｜＜２°
の関係にあることが望ましい。
【００２９】この範囲であれば、Ｂ2Ｏ3材料５をるつぼ
１の底部に充填する際に割れたり、Ｂ2Ｏ3が溶融する際
に、Ｂ2Ｏ3被覆不良部を発生したりといった問題が発生
し難く好ましい。
１の底部に充填する際に割れたり、Ｂ2Ｏ3が溶融する際
に、Ｂ2Ｏ3被覆不良部を発生したりといった問題が発生
し難く好ましい。
【００３０】さらに、図１の実施例において、Ｂ2Ｏ3材
料５の中空円錐型部１１の稜線の長さｃは、るつぼ１の
テーパ部１０の稜線の長さｄに対し、ｃ＜ｄを満たせば
良いが、より確実にＢ2Ｏ3の被覆を行うためには ｄ／
２＜ｃ＜ｄを満たすことが好ましい。（２ｄ／３）＜ｃ
＜ｄを満たせばさらに好ましい。
料５の中空円錐型部１１の稜線の長さｃは、るつぼ１の
テーパ部１０の稜線の長さｄに対し、ｃ＜ｄを満たせば
良いが、より確実にＢ2Ｏ3の被覆を行うためには ｄ／
２＜ｃ＜ｄを満たすことが好ましい。（２ｄ／３）＜ｃ
＜ｄを満たせばさらに好ましい。
【００３１】中空円錐型部１１の先端部１３は、Ｂ2Ｏ3
で塞がっていても、塞がっていなくても構わないが、る
つぼ１のテーパ部１０に配置した際、Ｂ2Ｏ3種結晶３と
接触しないように平坦になっている方が好ましい。
で塞がっていても、塞がっていなくても構わないが、る
つぼ１のテーパ部１０に配置した際、Ｂ2Ｏ3種結晶３と
接触しないように平坦になっている方が好ましい。
【００３２】なお、Ｂ2Ｏ3材料５の先端部１３が塞がっ
ていても、ＧａＡｓ等の成長すべき単結晶材料の方が比
重が大きいので、種付けの際、単結晶材料と種結晶との
必要な接触に対して阻害は生じない。
ていても、ＧａＡｓ等の成長すべき単結晶材料の方が比
重が大きいので、種付けの際、単結晶材料と種結晶との
必要な接触に対して阻害は生じない。
【００３３】また、Ｂ2Ｏ3材料５の中空部分の形態につ
いては、図１に示すように中空円錐型部１１の円錐中空
部分に多結晶原料が設置でききる程度の空間があれば構
わない。しかし、Ｂ2Ｏ3材料５の肉厚が均等になるよう
に円錐型になっている方が、Ｂ2Ｏ3材料５が溶融した際
にるつぼ１の壁面を均等に被覆できて好ましい。
いては、図１に示すように中空円錐型部１１の円錐中空
部分に多結晶原料が設置でききる程度の空間があれば構
わない。しかし、Ｂ2Ｏ3材料５の肉厚が均等になるよう
に円錐型になっている方が、Ｂ2Ｏ3材料５が溶融した際
にるつぼ１の壁面を均等に被覆できて好ましい。
【００３４】さらに、図２の実施例のように、中空円錐
型部１１に円筒型部１２を組み合わせた形状である場合
は、より好ましい。Ｂ2Ｏ3材料５の重量Ｗｇについては
成長しようとする結晶サイズ及び、品種により異なる
が、例えば成長しようとする結晶の半径をＸインチとし
たとき次の関係を満たすのが好ましい。
型部１１に円筒型部１２を組み合わせた形状である場合
は、より好ましい。Ｂ2Ｏ3材料５の重量Ｗｇについては
成長しようとする結晶サイズ及び、品種により異なる
が、例えば成長しようとする結晶の半径をＸインチとし
たとき次の関係を満たすのが好ましい。
【００３５】Ｘ2×６ ≦ Ｗ この関係式によると直径が２インチ結晶の場合では６ｇ
以上、３インチ結晶では１３．５ｇ以上、４インチ結晶
では２４ｇ以上が好ましいことになる。
以上、３インチ結晶では１３．５ｇ以上、４インチ結晶
では２４ｇ以上が好ましいことになる。
【００３６】ただし，Ｓｉドープのように還元性のドー
パントを使用する場合にはＢ2Ｏ3材料５とドーパントと
の酸化還元反応によるドーパントのロスを生じる。この
ために多量のＢ2Ｏ3を使用するのは好ましくない。
パントを使用する場合にはＢ2Ｏ3材料５とドーパントと
の酸化還元反応によるドーパントのロスを生じる。この
ために多量のＢ2Ｏ3を使用するのは好ましくない。
【００３７】したがって、るつぼ１にＢ2Ｏ3材料５を充
填する多結晶原料の重量をＹｇとした時、以下の関係を
満たすことが好ましい。
填する多結晶原料の重量をＹｇとした時、以下の関係を
満たすことが好ましい。
【００３８】Ｘ2×６ ≦ Ｗ ≦ Ｙ／５０ この関係式によると直径３インチの結晶を成長させるた
めのるつぼ１に４，０００ｇの多結晶原料を充填する際
の、Ｂ2Ｏ3材料５の好ましい重量は、１３．５ｇ以上８
０ｇ以下となる。
めのるつぼ１に４，０００ｇの多結晶原料を充填する際
の、Ｂ2Ｏ3材料５の好ましい重量は、１３．５ｇ以上８
０ｇ以下となる。
【００３９】Ｂ2Ｏ3材料５の製造方法としては、目的と
する形状の鋳型に加熱溶融したＢ2Ｏ3を流し込んで冷却
固化する。その後、型を分解してＢ2Ｏ3材料５を取り出
すような方法が可能である。
する形状の鋳型に加熱溶融したＢ2Ｏ3を流し込んで冷却
固化する。その後、型を分解してＢ2Ｏ3材料５を取り出
すような方法が可能である。
【００４０】また、雌型に加熱溶融したＢ2Ｏ3を流し込
み、雄型で型どりし、冷却し、Ｂ2Ｏ3が固化した後、型
を外してＢ2Ｏ3材料５を取り出す方法がより簡便であ
る。また、この方法では、製造の際にＢ2Ｏ3材料５中に
気泡が取り込まれにくいため、より高純度のＢ2Ｏ3が得
られて好ましい。
み、雄型で型どりし、冷却し、Ｂ2Ｏ3が固化した後、型
を外してＢ2Ｏ3材料５を取り出す方法がより簡便であ
る。また、この方法では、製造の際にＢ2Ｏ3材料５中に
気泡が取り込まれにくいため、より高純度のＢ2Ｏ3が得
られて好ましい。
【００４１】この製造方法における雌型、雄型の材質と
しては、Ｂ2Ｏ3材料５中に不純物が混入しにくい材料が
好ましく、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）、モリブデ
ン、グラファイト、ＢＮ（窒化ホウ素）などがよい。
しては、Ｂ2Ｏ3材料５中に不純物が混入しにくい材料が
好ましく、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）、モリブデ
ン、グラファイト、ＢＮ（窒化ホウ素）などがよい。
【００４２】また、Ｂ2Ｏ3材料５の外壁、内壁は平坦で
あることが好ましいが、型から取り出しやすくするため
に突起を設けたり、筋を設けたりしてもよい。
あることが好ましいが、型から取り出しやすくするため
に突起を設けたり、筋を設けたりしてもよい。
【００４３】またＢ2Ｏ3材料５は、一体ものである必要
はなく複数の断片を組み合わせてるつぼ内に充填しても
よい。
はなく複数の断片を組み合わせてるつぼ内に充填しても
よい。
【００４４】本発明において、ＰＢＮ（熱分解製窒化ホ
ウ素）は石英、グラファイト等るつぼ１の材質によらず
適用可能である。なお、石英るつぼ１の場合は、Ｂ2Ｏ3
材料５を使用しなくとも、内面をサンドブラスト等によ
り荒らすだけで、スティツキングが生じず使用可能であ
る。
ウ素）は石英、グラファイト等るつぼ１の材質によらず
適用可能である。なお、石英るつぼ１の場合は、Ｂ2Ｏ3
材料５を使用しなくとも、内面をサンドブラスト等によ
り荒らすだけで、スティツキングが生じず使用可能であ
る。
【００４５】また、グラファイトるつぼ１では、結晶中
へのカーボン（Ｃ）の混入が問題になる場合がある。そ
の意味で本発明は、ＰＢＮ製るつぼ１と組み合わせて用
いるのが好ましい。
へのカーボン（Ｃ）の混入が問題になる場合がある。そ
の意味で本発明は、ＰＢＮ製るつぼ１と組み合わせて用
いるのが好ましい。
【００４６】本発明による結晶原料の充填方法の一例を
図４に示す。中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５は、るつぼ１の
下部のテーパ部１０に密着させるように配置する。また
Ｂ2Ｏ3材料５が溶融する際に、るつぼ１のテーパ部１０
をＢ2Ｏ3で確実に被覆させるために、その上に多結晶原
料４を配置する際、円錐中空部には多結晶原料４を密に
充填するのが好ましい。
図４に示す。中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５は、るつぼ１の
下部のテーパ部１０に密着させるように配置する。また
Ｂ2Ｏ3材料５が溶融する際に、るつぼ１のテーパ部１０
をＢ2Ｏ3で確実に被覆させるために、その上に多結晶原
料４を配置する際、円錐中空部には多結晶原料４を密に
充填するのが好ましい。
【００４７】最も好ましいのは、円錐台形の多結晶原料
４をＢ2Ｏ3材料５の円錐中空部に設置する形態である。
４をＢ2Ｏ3材料５の円錐中空部に設置する形態である。
【００４８】結晶成長の方法としては縦型ボート法であ
ればよく一定の温度勾配を保ったまま、るつぼ１と炉体
の相対位置を変化させて結晶を固化するＶＢ法、るつぼ
１と炉体を固定した状態でヒーター温度を制御して結晶
を固化させるＶＧＦ法、ＶＢ法とＶＧＦ法を組み合わせ
たＶＢＧ法あるいは、液体封止剤を使用しＡｓ圧を印加
した状態で成長を行うＬＥ−ＶＢ法の何れでも構わな
い。
ればよく一定の温度勾配を保ったまま、るつぼ１と炉体
の相対位置を変化させて結晶を固化するＶＢ法、るつぼ
１と炉体を固定した状態でヒーター温度を制御して結晶
を固化させるＶＧＦ法、ＶＢ法とＶＧＦ法を組み合わせ
たＶＢＧ法あるいは、液体封止剤を使用しＡｓ圧を印加
した状態で成長を行うＬＥ−ＶＢ法の何れでも構わな
い。
【００４９】また結晶材料４としてはＧａＡｓの他にＧ
ａＰ、ＩｎＰ、ＺｎＳｅなどであってもよい。
ａＰ、ＩｎＰ、ＺｎＳｅなどであってもよい。
【００５０】
【実施例】実施例１ ＢＮ製の雌型に加熱溶融したＢ2Ｏ3を流し込み、雄型で
型どりし冷却し、Ｂ2Ｏ3が固化した後、型を外してＢ2
Ｏ3材料５を取り出す。Ｂ2Ｏ3材料５の円錐部１１の角
度ａ°が４５°、稜線の長さｄが３．５ｃｍ、重量が３
０ｇの中空円錐型のＢ２Ｏ３材料５を製造した。
型どりし冷却し、Ｂ2Ｏ3が固化した後、型を外してＢ2
Ｏ3材料５を取り出す。Ｂ2Ｏ3材料５の円錐部１１の角
度ａ°が４５°、稜線の長さｄが３．５ｃｍ、重量が３
０ｇの中空円錐型のＢ２Ｏ３材料５を製造した。
【００５１】次に、円筒部の直径が３インチでテーパ部
１０の角度ｂ°が４５°のＰＢＮ製るつぼ１の底に上記
の方法で製造した中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５を配置し、
その上に４，０００ｇのＧａＡｓ多結晶４を充填し、全
体を石英アンプル２中に真空封入した。
１０の角度ｂ°が４５°のＰＢＮ製るつぼ１の底に上記
の方法で製造した中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５を配置し、
その上に４，０００ｇのＧａＡｓ多結晶４を充填し、全
体を石英アンプル２中に真空封入した。
【００５２】次にこの石英アンプル２を図５に示した成
長炉に設置し、ヒーター６を加熱し、ＧａＡｓ多結晶４
と種結晶３の一部を溶融してシーディングを行う。３〜
５℃／ｃｍの温度勾配を保ったまま除冷して、ＧａＡｓ
結晶を育成した。
長炉に設置し、ヒーター６を加熱し、ＧａＡｓ多結晶４
と種結晶３の一部を溶融してシーディングを行う。３〜
５℃／ｃｍの温度勾配を保ったまま除冷して、ＧａＡｓ
結晶を育成した。
【００５３】得られた結晶は、単結晶であり結晶側面の
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面はすべ
てＢ2Ｏ3で被覆されていたことが確認された。
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面はすべ
てＢ2Ｏ3で被覆されていたことが確認された。
【００５４】得られた単結晶から（１００）面の３イン
チＧａＡｓ基板を切り出し、４００℃で３０分間溶融Ｋ
ＯＨエッチングを実施して転位密度を測定した。その測
定結果は、平均転位密度は２，３００ｃｍ-2であった。
また転位密度の密集部分は観測されなかった。
チＧａＡｓ基板を切り出し、４００℃で３０分間溶融Ｋ
ＯＨエッチングを実施して転位密度を測定した。その測
定結果は、平均転位密度は２，３００ｃｍ-2であった。
また転位密度の密集部分は観測されなかった。
【００５５】同じ条件で１０回結晶成長を実施したとこ
ろ、すべて単結晶が得られた。
ろ、すべて単結晶が得られた。
【００５６】実施例２ ＢＮ製の雌型に加熱溶融したＢ2Ｏ3を流し込み、雄型で
型どりし冷却し、Ｂ2Ｏ3が固化した後、型を外してＢ2
Ｏ3材料５を取り出す。これにより、円錐部１１の角度
ａ°が４５°、稜線の長さｄが３．５ｃｍ、重量が３０
ｇの中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５を製造した。
型どりし冷却し、Ｂ2Ｏ3が固化した後、型を外してＢ2
Ｏ3材料５を取り出す。これにより、円錐部１１の角度
ａ°が４５°、稜線の長さｄが３．５ｃｍ、重量が３０
ｇの中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５を製造した。
【００５７】次に，直胴部の直径が３インチでテーパ部
１０の角度が４５°のＰＢＮ製るつぼ１の底に上記の方
法で製造した中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５を配置し、その
上に４，０００ｇのＧａＡｓ多結晶を充填し、さらにド
ーパントとしてＳｉを１．０ｇ添加し、全体を石英アン
プル２中に真空封入した。
１０の角度が４５°のＰＢＮ製るつぼ１の底に上記の方
法で製造した中空円錐型のＢ2Ｏ3材料５を配置し、その
上に４，０００ｇのＧａＡｓ多結晶を充填し、さらにド
ーパントとしてＳｉを１．０ｇ添加し、全体を石英アン
プル２中に真空封入した。
【００５８】次に、この石英アンプル２を図５に示す成
長炉に設置し、ヒーター６で加熱し、ＧａＡｓ多結晶４
と種結晶３の一部を溶融してシーディングを行い、３〜
５℃／ｃｍの温度勾配を保ったまま除冷して、ＧａＡｓ
結晶を育成した。
長炉に設置し、ヒーター６で加熱し、ＧａＡｓ多結晶４
と種結晶３の一部を溶融してシーディングを行い、３〜
５℃／ｃｍの温度勾配を保ったまま除冷して、ＧａＡｓ
結晶を育成した。
【００５９】得られた結晶は単結晶であり、結晶側面の
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面はすべ
てＢ2Ｏ3で被覆されていたことが確認された。
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面はすべ
てＢ2Ｏ3で被覆されていたことが確認された。
【００６０】得られた単結晶から（１００）面の３イン
チＧａＡｓ基板を切り出し、４００℃で３０分間溶融Ｋ
ＯＨエッチングを実施して転位密度を測定した結果、平
均転位密度は２００ｃｍ-2であった。また転位密度の密
集部分は観測されなかった。キャリア濃度は、シード側
で１×１０18であった。
チＧａＡｓ基板を切り出し、４００℃で３０分間溶融Ｋ
ＯＨエッチングを実施して転位密度を測定した結果、平
均転位密度は２００ｃｍ-2であった。また転位密度の密
集部分は観測されなかった。キャリア濃度は、シード側
で１×１０18であった。
【００６１】同じ条件で１０回結晶成長を実施したとこ
ろすべて単結晶が得られた。比較例１ 使用するＢ2Ｏ3材料５の形状を円錐部１１の角度ａ°が
４５°、稜線の長さｄを２ｃｍの中空ではない円錐台型
とする以外は，実施例１と同じとしてＧａＡｓ結晶を育
成した。
ろすべて単結晶が得られた。比較例１ 使用するＢ2Ｏ3材料５の形状を円錐部１１の角度ａ°が
４５°、稜線の長さｄを２ｃｍの中空ではない円錐台型
とする以外は，実施例１と同じとしてＧａＡｓ結晶を育
成した。
【００６２】得られた結晶は、多結晶であり結晶側面の
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面にＢ2
Ｏ3の被覆不良部が発生していたことが確認された。多
結晶化はこのＢ2Ｏ3未被覆部より発生していた。
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面にＢ2
Ｏ3の被覆不良部が発生していたことが確認された。多
結晶化はこのＢ2Ｏ3未被覆部より発生していた。
【００６３】同じ条件で１０回結晶成長を実施したとこ
ろ、７本が単結晶で残り３本はＢ2Ｏ3未被覆部より多結
晶していた。また得られた単結晶のうち２本でＢ2Ｏ3未
被覆領域が観測された。
ろ、７本が単結晶で残り３本はＢ2Ｏ3未被覆部より多結
晶していた。また得られた単結晶のうち２本でＢ2Ｏ3未
被覆領域が観測された。
【００６４】Ｂ2Ｏ3未被覆領域が観測された単結晶から
（１００）面の３インチＧａＡｓ基板を切り出し、４０
０℃で３０分間溶融ＫＯＨエッチングを実施して転位密
度を測定した結果、転位密度の密集部分が観測された。
このため平均転位密度は５８００ｃｍ-2であった。比較例２ 使用するＢ2Ｏ3の重量が６０ｇで、直径５０ｍｍのペレ
ットとする以外は実施例２と同じにして結晶を成長し
た。
（１００）面の３インチＧａＡｓ基板を切り出し、４０
０℃で３０分間溶融ＫＯＨエッチングを実施して転位密
度を測定した結果、転位密度の密集部分が観測された。
このため平均転位密度は５８００ｃｍ-2であった。比較例２ 使用するＢ2Ｏ3の重量が６０ｇで、直径５０ｍｍのペレ
ットとする以外は実施例２と同じにして結晶を成長し
た。
【００６５】得られた結晶は単結晶であり、結晶側面の
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面はすべ
てＢ2Ｏ3で被覆されていたことが確認された。
光沢より成長中は結晶と接触するるつぼ１の側面はすべ
てＢ2Ｏ3で被覆されていたことが確認された。
【００６６】ところが、結晶のキャリア濃度はシード側
で４×１０17であり、ドーパントＳｉのロスによりキャ
リア濃度が低下していた。
で４×１０17であり、ドーパントＳｉのロスによりキャ
リア濃度が低下していた。
【００６７】このためＳｉのドーピング量を増やしたと
ころシード側のキャリア濃度は１０×１０18となった
が、スカムと称する異物が多量に発生し、結晶は多結晶
であった。
ころシード側のキャリア濃度は１０×１０18となった
が、スカムと称する異物が多量に発生し、結晶は多結晶
であった。
【００６８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
り、縦型ボート法による化合物半導体の結晶製造におい
て、中空円錐型のＢ2Ｏ3材料を使用することで、るつぼ
１の側面を完全にＢ2Ｏ3融液で被覆することができる。
このためＢ2Ｏ3の被覆不良が発生せず、低転位の単結晶
を高歩留まりで得ることが出来る。
り、縦型ボート法による化合物半導体の結晶製造におい
て、中空円錐型のＢ2Ｏ3材料を使用することで、るつぼ
１の側面を完全にＢ2Ｏ3融液で被覆することができる。
このためＢ2Ｏ3の被覆不良が発生せず、低転位の単結晶
を高歩留まりで得ることが出来る。
【００６９】また、この方法によれば、Ｂ2Ｏ3の使用量
を少なくしても高歩留まりで単結晶が得られるため、製
造コストの低減が可能である。
を少なくしても高歩留まりで単結晶が得られるため、製
造コストの低減が可能である。
【００７０】さらに、本発明により、例えばＳｉドープ
のＮ型ＧａＡｓ単結晶を成長する際に、ドーパントのＳ
ｉがＢ2Ｏ3で還元されてロスが生じないという利点も併
せ持つことが可能である。
のＮ型ＧａＡｓ単結晶を成長する際に、ドーパントのＳ
ｉがＢ2Ｏ3で還元されてロスが生じないという利点も併
せ持つことが可能である。
【図１】本発明におけるＢ2Ｏ3材料の形状例であり、中
空円錐形状を成す例である。
空円錐形状を成す例である。
【図２】本発明におけるＢ2Ｏ3材料の形状例であり、図
１の形状に対し、さらに円筒部を有する例である。
１の形状に対し、さらに円筒部を有する例である。
【図３】図１、図２のＢ2Ｏ3材料の中空円錐形状と、る
つぼのテーパ部形状との関係を説明する図である。
つぼのテーパ部形状との関係を説明する図である。
【図４】本発明による結晶原料の充填方法の一例を示す
図である。
図である。
【図５】ＶＧＦ法によるＧａＡｓ単結晶製造方法の概略
を示す図である。
を示す図である。
１ るつぼ １０ るつぼのテーパ部 ２ 石英アンプル ３ 種結晶 ４ ＧａＡｓ多結晶 ５ Ｂ2Ｏ3材料 ６ ヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 治 茨城県牛久市東猯穴町1000番地 三菱化学 株式会社筑波事業所内 Ｆターム(参考） 4G077 CD02 CD04 EG02 MB04 MB08 NC01 NC02 PD02 PD05 5F053 AA09 AA11 BB04 BB06 BB09 BB12 BB13 BB15 DD03 DD07 DD11 DD14 FF04 GG01 JJ03 KK01 LL01 LL02 LL03 RR03 RR04
Claims (10)
- 【請求項１】縦型ボート法により、るつぼ内に充填され
た多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固して単結晶を製造
する際、前記多結晶原料の充填時に前記るつぼの底部に
配置され、加熱により溶融されて該るつぼの壁面を被覆
するＢ2Ｏ3材料であって、中空円錐型部分を有すること
を特徴とするるつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料。 - 【請求項２】請求項１において、 前記中空円錐型部分は、前記るつぼ底部のテーパ部に対
応する形状を有することを特徴とするるつぼ壁面被覆用
Ｂ2Ｏ3材料。 - 【請求項３】請求項２において、 前記中空円錐型部分の前記るつぼ底部のテーパ部に対応
する形状における増径角度をｂ°とし、該るつぼ底部の
テーパ部の増径角度をａ°とする時、 ｜ａ°−ｂ°｜＜１０°の関係を満すことを特徴とする
るつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記Ｂ2Ｏ3材料の重量Ｗｇ、成長しようとする結晶の半
径Ｘインチ及び、前記るつぼに充填する多結晶原料の重
量Ｙｇが、 Ｘ2×６≦ Ｗ ≦ Ｙ／５０の関係を満すことを特徴
とするるつぼ壁面被覆用Ｂ２Ｏ３材料。 - 【請求項５】請求項１〜６のいずれかにおいて、 さらに、中空円錐型部分の上部に前記るつぼの円筒内径
に対応する形状の円筒型部分を有することを特徴とする
るつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料。 - 【請求項６】縦型ボート法により、るつぼ内に充填され
た多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固して単結晶を製造
する際、前記多結晶原料の充填時に前記るつぼの底部に
配置され、加熱により溶融されて該るつぼの壁面を被覆
するＢ2Ｏ3材料の製造方法において、 内面が円錐型部分を含む形状である雌型に加熱溶融した
Ｂ2Ｏ3を流し込み、 次いで、外面が円錐型部を含む形状である雄型で型取り
し、冷却し、 次いで、該雌型及び、雄型をはずし、取り出されること
を特徴とするるつぼ壁面被覆用Ｂ2Ｏ3材料の製造方法。 - 【請求項７】請求項６において、 前記雌型内面の円錐型部分が、前記るつぼ底部のテーパ
部に対応する形状を有することを特徴とするるつぼ壁面
被覆用Ｂ2Ｏ3材料の製造方法。 - 【請求項８】縦型ボート法により、るつぼ内に充填され
た多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固して単結晶を製造
する方法において、 前記るつぼの底部に中空円錐型部分を含む形状のＢ2Ｏ3
材料を配置し、 該Ｂ2Ｏ3材料に多結晶原料を充填し、昇温して該Ｂ2Ｏ3
材料を溶融し、 次いで、前記るつぼ壁面を該溶融したＢ2Ｏ3材料で被覆
した状態で、前記多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固す
ることにより単結晶を成長させることを特徴とする単結
晶の製造方法。 - 【請求項９】請求項８において、 前記Ｂ2Ｏ3材料の中空円錐型部分の外面が、前記るつぼ
底部のテーパ部に対応する形状であることを特徴とする
単結晶の製造方法。 - 【請求項１０】るつぼの底部に中空円錐型部分を含む形
状のＢ2Ｏ3材料を配置し、 該Ｂ2Ｏ3材料に多結晶原料を充填し、昇温して該Ｂ2Ｏ3
材料を溶融し、 次いで、前記るつぼ壁面を該溶融したＢ2Ｏ3材料で被覆
した状態で、前記多結晶原料を加熱溶融し、冷却凝固す
ることにより成長させたことを特徴とする単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10327063A JP2000154089A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | るつぼ壁面被覆用ｂ２ｏ３材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結晶製造方法及びその方法により製造された単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10327063A JP2000154089A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | るつぼ壁面被覆用ｂ２ｏ３材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結晶製造方法及びその方法により製造された単結晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000154089A true JP2000154089A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18194895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10327063A Pending JP2000154089A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | るつぼ壁面被覆用ｂ２ｏ３材料及びその製造方法並びに、それを用いた単結晶製造方法及びその方法により製造された単結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000154089A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121100A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-23 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
| JP2008247706A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jfe Mineral Co Ltd | コランダム単結晶の育成方法、コランダム単結晶およびコランダム単結晶ウェーハ |
-
1998
- 1998-11-17 JP JP10327063A patent/JP2000154089A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121100A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-23 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
| JP2008247706A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jfe Mineral Co Ltd | コランダム単結晶の育成方法、コランダム単結晶およびコランダム単結晶ウェーハ |
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