JP2934120B2 - 熱分解窒化ほう素容器 - Google Patents
熱分解窒化ほう素容器Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱分解窒化ほう素容器、
特にはIII-Ｖ族化合物半導体単結晶育成時に使用する大
型のルツボ、または真空蒸着もしくは分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）などに使用するＡｌ溶解用ルツボなどに適
した熱分解窒化ほう素容器に関するものである。
特にはIII-Ｖ族化合物半導体単結晶育成時に使用する大
型のルツボ、または真空蒸着もしくは分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）などに使用するＡｌ溶解用ルツボなどに適
した熱分解窒化ほう素容器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】III-Ｖ族化合物半導体単結晶、例えばＧ
ａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶の引き上げには、成分元素
の揮発を防ぐために液体封止チョクラルスキー法（ＬＥ
Ｃ法）が採用されており、このＬＥＣ法では従来から石
英ルツボなどが使用されているが、この場合には結晶中
にＳｉが不純物として混入するという問題があることか
ら、通常はＣｒをドープして引き上げを行なうという方
法が採られている。
ａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶の引き上げには、成分元素
の揮発を防ぐために液体封止チョクラルスキー法（ＬＥ
Ｃ法）が採用されており、このＬＥＣ法では従来から石
英ルツボなどが使用されているが、この場合には結晶中
にＳｉが不純物として混入するという問題があることか
ら、通常はＣｒをドープして引き上げを行なうという方
法が採られている。
【０００３】しかし、このＣｒをドープすると絶縁性が
低下するために、このものはＩＣ用基板として適さない
ものとなるので、これについては最近ノンドープの半導
体基板を得るために、それがIII-Ｖ族化合物で高純度の
ものが得られ、単結晶中に混入しても不純物レベルを形
成しない熱分解窒素ほう素（以下ＰＢＮと略記する）を
使用するということも提案されている。
低下するために、このものはＩＣ用基板として適さない
ものとなるので、これについては最近ノンドープの半導
体基板を得るために、それがIII-Ｖ族化合物で高純度の
ものが得られ、単結晶中に混入しても不純物レベルを形
成しない熱分解窒素ほう素（以下ＰＢＮと略記する）を
使用するということも提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このＰＢＮは
層状の表面剥離が生じ易いために10〜15回の引き上げが
寿命とされていて、この寿命が短いことからＧａＡｓ単
結晶の工業的な量産に大きな障害となっており、これに
ついてはまた積層表面方向の熱伝導率が大きく、熱良伝
体であることから大型容器では容器内の温度分布コント
ロールが難しいという欠点があるが、これは従来公知の
ＰＢＮが密度が 2.1〜2.2 で理論密度2.25に近い高配向
度のものであることに起因するものである。
層状の表面剥離が生じ易いために10〜15回の引き上げが
寿命とされていて、この寿命が短いことからＧａＡｓ単
結晶の工業的な量産に大きな障害となっており、これに
ついてはまた積層表面方向の熱伝導率が大きく、熱良伝
体であることから大型容器では容器内の温度分布コント
ロールが難しいという欠点があるが、これは従来公知の
ＰＢＮが密度が 2.1〜2.2 で理論密度2.25に近い高配向
度のものであることに起因するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決したＰＢＮ容器に関するものであり、こ
れは化合物半導体単結晶育成または真空蒸着もしくは分
子線エピタキシーに使用するルツボであって、密度が1.
90〜2.05g/cm３ であり、積層表面方向の熱伝導率が 50
w/m・k以下であることを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明者らは表面剥離し難く長寿命で、積層表面方
向の熱伝導率が低く温度分布コントロール性のよいＰＢ
Ｎ容器を開発すべく種々検討した結果、これについては
ハロゲン化ほう素、例えばＢＣｌ３ とアンモニアとを
真空条件下に高温で反応させるＰＢＮ製造条件を検討
し、これをＢＣｌ３ １モルとＮＨ３ ３モルとを１〜10
Torrの真空下に 1,800〜1,900 ℃で反応させると密度が
1.90〜2.05g/cm３ のものとして得ることができ、この
ものは表面剥離性、熱伝導率、温度分布コントロール性
のよいものになるということを見出すと共に、これにつ
いてはそのものの配向度がＸ線回折Ｉ(002)/Ｉ(100) の
ピーク強度比（積層表面／積層成長面）で５〜50のもの
とすることがよいことを確認して本発明を完成させた。
以下これをさらに詳述する。
利、欠点を解決したＰＢＮ容器に関するものであり、こ
れは化合物半導体単結晶育成または真空蒸着もしくは分
子線エピタキシーに使用するルツボであって、密度が1.
90〜2.05g/cm３ であり、積層表面方向の熱伝導率が 50
w/m・k以下であることを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明者らは表面剥離し難く長寿命で、積層表面方
向の熱伝導率が低く温度分布コントロール性のよいＰＢ
Ｎ容器を開発すべく種々検討した結果、これについては
ハロゲン化ほう素、例えばＢＣｌ３ とアンモニアとを
真空条件下に高温で反応させるＰＢＮ製造条件を検討
し、これをＢＣｌ３ １モルとＮＨ３ ３モルとを１〜10
Torrの真空下に 1,800〜1,900 ℃で反応させると密度が
1.90〜2.05g/cm３ のものとして得ることができ、この
ものは表面剥離性、熱伝導率、温度分布コントロール性
のよいものになるということを見出すと共に、これにつ
いてはそのものの配向度がＸ線回折Ｉ(002)/Ｉ(100) の
ピーク強度比（積層表面／積層成長面）で５〜50のもの
とすることがよいことを確認して本発明を完成させた。
以下これをさらに詳述する。
【０００６】
【作用】本発明はＰＢＮ容器に関するもので、化合物半
導体単結晶育成または真空蒸着もしくは分子線エピタキ
シーに使用するルツボであって、密度が1.90〜2.05g/cm
3 であることを特徴とするものであるが、このものは剥
離強度が大きく、熱伝導率も低く、容器内の温度分布の
コントロール性もよいので、III-Ｖ族化合物半導体単結
晶育成用の大型ルツボや真空蒸着用、分子エピタキシー
（ＭＢＥ）用のＡｌ溶解用ルツボなどに好適に使用し得
るという有利性をもつものとされる。
導体単結晶育成または真空蒸着もしくは分子線エピタキ
シーに使用するルツボであって、密度が1.90〜2.05g/cm
3 であることを特徴とするものであるが、このものは剥
離強度が大きく、熱伝導率も低く、容器内の温度分布の
コントロール性もよいので、III-Ｖ族化合物半導体単結
晶育成用の大型ルツボや真空蒸着用、分子エピタキシー
（ＭＢＥ）用のＡｌ溶解用ルツボなどに好適に使用し得
るという有利性をもつものとされる。
【０００７】本発明はＰＢＮ容器に関するもので、この
ＰＢＮがハロゲン化ほう素、例えば三塩化ほう素（ＢＣ
ｌ3 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）とを高真空下、高温で反
応させ、この反応生成物をカーボン基体上に析出させる
という方法で作られることはよく知られているところで
あるが、このＰＢＮの密度と配向度との間には図１に示
した関係があり、その配向度をＸ線回折におけるI(002)
／I(100)のピーク強度比（積層表面／積層成長面）で５
〜50となるようにすれば、アルキメデス法により求めた
密度を1.90〜2.05g/cm3 とすることができことが見出さ
れ、このＰＢＮの配向度、密度はこの反応温度、反応圧
力によって決まることから、このＰＢＮの製造に当って
はＢＣｌ3 １モルとＮＨ3 ３モルとを真空度が１〜10To
rr、好ましくは１〜５Torrで 1,800〜 1,900℃、好まし
くは 1,800〜 1,850℃という条件で反応させればよいと
いうことが判った。
ＰＢＮがハロゲン化ほう素、例えば三塩化ほう素（ＢＣ
ｌ3 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）とを高真空下、高温で反
応させ、この反応生成物をカーボン基体上に析出させる
という方法で作られることはよく知られているところで
あるが、このＰＢＮの密度と配向度との間には図１に示
した関係があり、その配向度をＸ線回折におけるI(002)
／I(100)のピーク強度比（積層表面／積層成長面）で５
〜50となるようにすれば、アルキメデス法により求めた
密度を1.90〜2.05g/cm3 とすることができことが見出さ
れ、このＰＢＮの配向度、密度はこの反応温度、反応圧
力によって決まることから、このＰＢＮの製造に当って
はＢＣｌ3 １モルとＮＨ3 ３モルとを真空度が１〜10To
rr、好ましくは１〜５Torrで 1,800〜 1,900℃、好まし
くは 1,800〜 1,850℃という条件で反応させればよいと
いうことが判った。
【０００８】このようにして作られたＰＢＮ容器は、密
度が1.90〜2.05g/cm３ であることから、スタッド法で
求めた剥離強度が強いものとなり、この剥離強度は密度
の小さいほうが強いものとなるが、この密度と剥離強度
との関係については図２に示したとおりの結果が得られ
ており、例えば密度が1.90g/cm３ では剥離強度が125kg
/cm２ となり、密度が2.05g/cm３ では剥離強度が50kg/
cm２となるので、このものは例えばこれをIII-Ｖ族化合
物半導体単結晶引上げルツボとして使用したときの１回
の平均減量が 0.2g/回となって、30回以上使用すること
ができる長寿命のものになるという有利性が与えられ
る。
度が1.90〜2.05g/cm３ であることから、スタッド法で
求めた剥離強度が強いものとなり、この剥離強度は密度
の小さいほうが強いものとなるが、この密度と剥離強度
との関係については図２に示したとおりの結果が得られ
ており、例えば密度が1.90g/cm３ では剥離強度が125kg
/cm２ となり、密度が2.05g/cm３ では剥離強度が50kg/
cm２となるので、このものは例えばこれをIII-Ｖ族化合
物半導体単結晶引上げルツボとして使用したときの１回
の平均減量が 0.2g/回となって、30回以上使用すること
ができる長寿命のものになるという有利性が与えられ
る。
【０００９】また、このＰＢＮ容器はこれが密度1.90〜
2.05g/cm3 のものとされることからこれはレザーフラッ
シュ法で求めた積層表面方向の熱伝導率も低いものとな
り、この熱伝導率も密度の小さいほど熱伝導率の低いも
のとなるが、この密度と熱伝導率との関係については図
３に示したような結果が得られており、密度が1.90g/cm
3 では熱伝導率が 20w/m・kとなり、密度が2.05g/cm3 で
は熱伝導率が 50w/m・kとなるので、この範囲で実用性の
すぐれたものになるという有利性が与えられる。積層表
面方向の熱伝導率測定方法としてはリング法で行い、装
置は LF/TCM-FA8510B（（株）リケン社製）を用いた。
またレーザーフラッシュ光入射側にはφ９×φ８のリン
グスリット、観測側にはφ２の穴スリットを用い、サン
プル厚さは 0.2ｔ以下のものを用いた。
2.05g/cm3 のものとされることからこれはレザーフラッ
シュ法で求めた積層表面方向の熱伝導率も低いものとな
り、この熱伝導率も密度の小さいほど熱伝導率の低いも
のとなるが、この密度と熱伝導率との関係については図
３に示したような結果が得られており、密度が1.90g/cm
3 では熱伝導率が 20w/m・kとなり、密度が2.05g/cm3 で
は熱伝導率が 50w/m・kとなるので、この範囲で実用性の
すぐれたものになるという有利性が与えられる。積層表
面方向の熱伝導率測定方法としてはリング法で行い、装
置は LF/TCM-FA8510B（（株）リケン社製）を用いた。
またレーザーフラッシュ光入射側にはφ９×φ８のリン
グスリット、観測側にはφ２の穴スリットを用い、サン
プル厚さは 0.2ｔ以下のものを用いた。
【００１０】なお、このＰＢＮ容器はこれが密度が1.90
〜2.05g/cm3 のものとなると温度分布コントロール性の
よいものとなるが、この密度が1.85g/cm3 のように1.90
g/cm3より小さいものであるとクラックが発生し易く、
短寿命となり、この密度が2.15g/cm3 のように2.05g/cm
3 より大きいものであると熱伝導度が高くなり、均熱化
傾向が強くなって、温度分布コントロール性がわるくな
るということが判かった。
〜2.05g/cm3 のものとなると温度分布コントロール性の
よいものとなるが、この密度が1.85g/cm3 のように1.90
g/cm3より小さいものであるとクラックが発生し易く、
短寿命となり、この密度が2.15g/cm3 のように2.05g/cm
3 より大きいものであると熱伝導度が高くなり、均熱化
傾向が強くなって、温度分布コントロール性がわるくな
るということが判かった。
【００１１】すなわち、配向度が５以下で密度が1.90g/
cm3 以下のＰＢＮからなるＰＢＮ容器は積層表面方向で
の引張り強度が弱くなり、したがって容器として安定に
長期間使用することができず、配向度が50以上で密度が
2.05g/cm3 以上のＰＢＮからなるＰＢＮ容器では異方性
が強くなって面剥離強度が低下し、容器としての寿命が
短いものとなるが、配向度が５〜50で密度が1.90〜2.05
g/cm3 のＰＢＮからなるＰＢＮ容器は剥離強度が強く、
熱伝導率も低く、温度分布コントロール性もよくなるの
で、III-Ｖ族化合物半導体の引上げ用の大型ルツボまた
は真空蒸着、分子線エピタキシー用のルツボとして使用
した時に作業性がよく、長寿命なものになるという有利
性が与えられる。
cm3 以下のＰＢＮからなるＰＢＮ容器は積層表面方向で
の引張り強度が弱くなり、したがって容器として安定に
長期間使用することができず、配向度が50以上で密度が
2.05g/cm3 以上のＰＢＮからなるＰＢＮ容器では異方性
が強くなって面剥離強度が低下し、容器としての寿命が
短いものとなるが、配向度が５〜50で密度が1.90〜2.05
g/cm3 のＰＢＮからなるＰＢＮ容器は剥離強度が強く、
熱伝導率も低く、温度分布コントロール性もよくなるの
で、III-Ｖ族化合物半導体の引上げ用の大型ルツボまた
は真空蒸着、分子線エピタキシー用のルツボとして使用
した時に作業性がよく、長寿命なものになるという有利
性が与えられる。
【００１２】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげるが、
例中におけるライフテスト法、ルツボライフ、配向度、
剥離強度、単結晶収率、温度分布コントロール性はつぎ
の方法による結果を示したものである。
例中におけるライフテスト法、ルツボライフ、配向度、
剥離強度、単結晶収率、温度分布コントロール性はつぎ
の方法による結果を示したものである。
【００１３】（ライフテスト法およびルツボライフ）Ｐ
ＢＮ容器中に200gのＢ2 Ｏ3 を入れ、1,100 ℃まで昇温
して１時間保持したのち自然放冷した。これによると、
Ｂ2 Ｏ3 は１時溶けて再び固化するが、このときＢ2 Ｏ
3 は熱収縮してＰＢＮ容器内面を剥離するので、この内
面剥離後メタノールに10時間浸漬して付着しているＢ2
Ｏ3 を除去したのち、乾燥し、重量を測定してこれを重
量減少量とし、またこの際容器の底にクラックが生ずる
までの回数を求めてルツボライフとした。 （配向度）積層表面（ａ面）および積層成長面（ｃ面）
のＸ線回析のピーク強度Ｉ 002、Ｉ 001を図４（ａ）、
（ｂ）から測定し、下記の式により求める。
ＢＮ容器中に200gのＢ2 Ｏ3 を入れ、1,100 ℃まで昇温
して１時間保持したのち自然放冷した。これによると、
Ｂ2 Ｏ3 は１時溶けて再び固化するが、このときＢ2 Ｏ
3 は熱収縮してＰＢＮ容器内面を剥離するので、この内
面剥離後メタノールに10時間浸漬して付着しているＢ2
Ｏ3 を除去したのち、乾燥し、重量を測定してこれを重
量減少量とし、またこの際容器の底にクラックが生ずる
までの回数を求めてルツボライフとした。 （配向度）積層表面（ａ面）および積層成長面（ｃ面）
のＸ線回析のピーク強度Ｉ 002、Ｉ 001を図４（ａ）、
（ｂ）から測定し、下記の式により求める。
【００１４】（剥離強度の測定法）図６（ａ）に示した
約６mmφの円盤に引張り棒を取りつけた鉄製の釘状の治
具（スタッド）１を熱分解窒化ほう素板２に２液型エポ
キシ樹脂接着剤（アラルダイト）３で約10μｍの厚さに
張りつけ、80℃×１時間加熱して接着し、ついで室温で
図６（ｂ）に示したようにこのスタッド１をオートグラ
フによって引上げ、窒化ほう素板２が剥離したときの値
を読み取り、これを５つのサンプルについて行なってそ
の平均値をスタッドの円盤の面積で除して剥離強度（kg
/cm2）とした。 （単結晶収率）容器を用いてＬＥＣ法により常法の条件
によって約6"φのＧａＡｓの単結晶の引上げを行ない、
その際得られたブールの単結晶化率を求めて収率（％）
とした。
約６mmφの円盤に引張り棒を取りつけた鉄製の釘状の治
具（スタッド）１を熱分解窒化ほう素板２に２液型エポ
キシ樹脂接着剤（アラルダイト）３で約10μｍの厚さに
張りつけ、80℃×１時間加熱して接着し、ついで室温で
図６（ｂ）に示したようにこのスタッド１をオートグラ
フによって引上げ、窒化ほう素板２が剥離したときの値
を読み取り、これを５つのサンプルについて行なってそ
の平均値をスタッドの円盤の面積で除して剥離強度（kg
/cm2）とした。 （単結晶収率）容器を用いてＬＥＣ法により常法の条件
によって約6"φのＧａＡｓの単結晶の引上げを行ない、
その際得られたブールの単結晶化率を求めて収率（％）
とした。
【００１５】（温度分布コントロール性）図４の（ａ）
に示したようにＰＢＮ容器１を不活性ガス雰囲気に１気
圧で肉厚10mmの等方性緻密質カーボンサセプター２内に
納め、これをその外側から内径190mm φのカーボン製ヒ
ーター３で容器内の中心温度が 1,400℃になるように加
熱し、そのときヒーター３とＰＢＮ容器１との位置関係
ｘを操作し、ＰＢＮ容器内面の温度（開口部付近ＴO と
底部側部ＴB ）の差を調べた。
に示したようにＰＢＮ容器１を不活性ガス雰囲気に１気
圧で肉厚10mmの等方性緻密質カーボンサセプター２内に
納め、これをその外側から内径190mm φのカーボン製ヒ
ーター３で容器内の中心温度が 1,400℃になるように加
熱し、そのときヒーター３とＰＢＮ容器１との位置関係
ｘを操作し、ＰＢＮ容器内面の温度（開口部付近ＴO と
底部側部ＴB ）の差を調べた。
【００１６】実施例１〜３、比較例１〜４ 外熱型減圧ＣＶＤ装置内に 150mmφ×200mmHの円筒状の
カーボン型をセットし、ここにＢＣｌ3 １モルとＮＨ3
３モルを導入し、１〜５Torrの圧力に 1,800〜1,850 ℃
で反応させて内径 150mmφ、長さ 200mm、厚さ１mmのＰ
ＢＮ容器を作り、そのものの密度、配向度、剥離強度、
熱伝導度、ルツボライフ、ＧａＡｓの単結晶収率をしら
べたところ、表１に示したとおりの結果が得られた。
カーボン型をセットし、ここにＢＣｌ3 １モルとＮＨ3
３モルを導入し、１〜５Torrの圧力に 1,800〜1,850 ℃
で反応させて内径 150mmφ、長さ 200mm、厚さ１mmのＰ
ＢＮ容器を作り、そのものの密度、配向度、剥離強度、
熱伝導度、ルツボライフ、ＧａＡｓの単結晶収率をしら
べたところ、表１に示したとおりの結果が得られた。
【００１７】しかし、比較のためにこの反応条件を圧力
を15Torrとし、１,780℃で反応させた場合（比較例１）
および圧力は 0.5Torrとしたが温度を 1,920〜 1,950℃
として反応させた場合（比較例２〜４）において得られ
た内径 150mmφ、長さ 200mm、厚さ１mmのＰＢＮ容器の
密度、配向度、剥離強度、熱伝導度、ルツボライフおよ
びＧａＡｓの単結晶収率をしらべたところ、表１に併記
したとおりの結果が得られた。なお、表１から密度と配
向度の関係、密度と剥離強度との関係、および密度と熱
伝導率との関係をしらべたところ、図１、図２、図３に
示すとおりの結果が得られた。
を15Torrとし、１,780℃で反応させた場合（比較例１）
および圧力は 0.5Torrとしたが温度を 1,920〜 1,950℃
として反応させた場合（比較例２〜４）において得られ
た内径 150mmφ、長さ 200mm、厚さ１mmのＰＢＮ容器の
密度、配向度、剥離強度、熱伝導度、ルツボライフおよ
びＧａＡｓの単結晶収率をしらべたところ、表１に併記
したとおりの結果が得られた。なお、表１から密度と配
向度の関係、密度と剥離強度との関係、および密度と熱
伝導率との関係をしらべたところ、図１、図２、図３に
示すとおりの結果が得られた。
【００１８】
【表１】
【００１９】また、このようにして得られたＰＢＮ容器
についてのライフテストを行なったところ、実施例１〜
３のものは平均減少量が 0.2g/回〜 0.3g/回で寿命も30
回以上であったけれども、比較例１のものは２回目でク
ラックが入って以下使用不能となり、比較例２〜４のも
のは平均減少量が 0.7g/回と多くなり、７回目〜12回目
にクラックが発生した。
についてのライフテストを行なったところ、実施例１〜
３のものは平均減少量が 0.2g/回〜 0.3g/回で寿命も30
回以上であったけれども、比較例１のものは２回目でク
ラックが入って以下使用不能となり、比較例２〜４のも
のは平均減少量が 0.7g/回と多くなり、７回目〜12回目
にクラックが発生した。
【００２０】なお、このようにして得たＰＢＮ容器につ
いての温度分布コントロール性をしらべたところ、図４
（ｂ）に示したように実施例１〜３（図中の）および
比較例１（図中の）のものは最大温度差が大きいため
に温度分布コントロールは容易であったが、比較例２〜
４のもの（図中の）は好ましい最大温度差が容器の大
きさによって異なり、容器が大きくなると最大温度差が
小さくなるために均熱化傾向が強くなり、温度コントロ
ールは難しくなるということが確認された。ただし、比
較例１の場合はルツボライフが２回と小さいものであっ
た。
いての温度分布コントロール性をしらべたところ、図４
（ｂ）に示したように実施例１〜３（図中の）および
比較例１（図中の）のものは最大温度差が大きいため
に温度分布コントロールは容易であったが、比較例２〜
４のもの（図中の）は好ましい最大温度差が容器の大
きさによって異なり、容器が大きくなると最大温度差が
小さくなるために均熱化傾向が強くなり、温度コントロ
ールは難しくなるということが確認された。ただし、比
較例１の場合はルツボライフが２回と小さいものであっ
た。
【００２１】
【発明の効果】本発明はＰＢＮ容器に関するもので、こ
れは前記したように密度が1.90〜2.05g/cm3 であること
を特徴とするものであるが、このものは配向度が５〜50
であり、剥離強度が50〜125kg/cm2 と大きく、熱伝導率
も 50w/m・k以下であり、加熱時における容器内の最大温
度差が制御されるので、III-Ｖ族化合物半導体単結晶の
大型育成用ルツボや真空蒸着または分子線エピタキシー
などに使用するルツボとして有用とされるという有利性
をもつものになる。
れは前記したように密度が1.90〜2.05g/cm3 であること
を特徴とするものであるが、このものは配向度が５〜50
であり、剥離強度が50〜125kg/cm2 と大きく、熱伝導率
も 50w/m・k以下であり、加熱時における容器内の最大温
度差が制御されるので、III-Ｖ族化合物半導体単結晶の
大型育成用ルツボや真空蒸着または分子線エピタキシー
などに使用するルツボとして有用とされるという有利性
をもつものになる。
【図１】 本発明のＰＢＮ容器の密度と配向度との関係
グラフを示したものである。
グラフを示したものである。
【図２】 本発明のＰＢＮ容器の密度と積層成長方向の
剥離強度との関係グラフを示したものである。
剥離強度との関係グラフを示したものである。
【図３】 本発明のＰＢＮ容器の密度と積層表面方向の
熱伝導率との関係グラフを示したものである。
熱伝導率との関係グラフを示したものである。
【図４】 （ａ）はＰＢＮ容器の温度分布コントロール
性を調査する装置の縦断面、（ｂ）は実施例、比較例で
得られたＰＢＮ容器の温度分布コントロール性のグラフ
を示したものである。
性を調査する装置の縦断面、（ｂ）は実施例、比較例で
得られたＰＢＮ容器の温度分布コントロール性のグラフ
を示したものである。
【図５】 （ａ）は（ａ面）のＸ線回析チャート、
（ｂ）は（ｃ面）のＸ線回析チャートのグラフの一例を
示したものである。
（ｂ）は（ｃ面）のＸ線回析チャートのグラフの一例を
示したものである。
【図６】 剥離強度の測定方法を示したものである。
１…ＰＢＮ容器、 ２…カーボンサセプター、３
…カーボン製ヒーター。
…カーボン製ヒーター。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 23/08 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｃ０４Ｂ 35/58 １０３Ｚ (56)参考文献 特開 昭61−236685（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−8792（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−42897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36009（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01B 21/064 B65D 85/84 C04B 35/583 C23C 14/24 C30B 23/08 C30B 15/10 H01L 21/203
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体単結晶育成または真空蒸着
もしくは分子線エピタキシーに使用するルツボであっ
て、密度が1.90〜2.05g/cm３ であり、積層表面方向の
熱伝導率が 50w/m・k以下であることを特徴とする熱分
解窒化ほう素容器。 - 【請求項２】 配向度がＸ線回折［I(002)／I(100)］の
ピーク強度比（積層表面／積層成長面）で５〜50である
請求項１に記載した熱分解窒化ほう素容器。 - 【請求項３】 剥離強度が50〜125kg/cm２ である請求
項１に記載した熱分解窒化ほう素容器。 - 【請求項４】 加熱時における容器内の最大温度差が制
御されている請求項１に記載した熱分解窒化ほう素容
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5152016A JP2934120B2 (ja) | 1992-07-02 | 1993-06-23 | 熱分解窒化ほう素容器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19926492 | 1992-07-02 | ||
| JP4-199264 | 1992-07-02 | ||
| JP5152016A JP2934120B2 (ja) | 1992-07-02 | 1993-06-23 | 熱分解窒化ほう素容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122504A JPH06122504A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2934120B2 true JP2934120B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=26481065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5152016A Expired - Fee Related JP2934120B2 (ja) | 1992-07-02 | 1993-06-23 | 熱分解窒化ほう素容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2934120B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015121795A1 (de) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pyrolytisches bornitrid-element und ein verfahren zur herstellung desselben |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7341702B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-03-11 | Momentive Performance Materials Inc. | Process for producing boron nitride |
| JP4825081B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2011-11-30 | 電気化学工業株式会社 | 窒化ホウ素焼結体の製造方法 |
| US20090169781A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Marc Schaepkens | Low thermal conductivity low density pyrolytic boron nitride material, method of making, and articles made therefrom |
| EP2243166A1 (en) * | 2007-12-31 | 2010-10-27 | Rafael Nathan Kleiman | High efficiency silicon-based solar cells |
| CN102906314B (zh) * | 2010-05-21 | 2015-09-30 | 住友电气工业株式会社 | 用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的半导体晶体生长方法 |
| DE102010050900A1 (de) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg | Bornitrid-Agglomerate, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
| CN104781446B (zh) * | 2012-10-23 | 2017-03-08 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Fe‑Pt基烧结体溅射靶及其制造方法 |
| JP5854512B2 (ja) * | 2012-12-17 | 2016-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化ホウ素被覆炭素質基材の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP5152016A patent/JP2934120B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE102015121795A1 (de) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pyrolytisches bornitrid-element und ein verfahren zur herstellung desselben |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06122504A (ja) | 1994-05-06 |
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