JPWO2011064822A1 - 磁気抵抗効果素子、及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子10の構成を示す図である。
図4は、第1の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第1の変形例を示す図である。
図5は、第1の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第2の変形例を示す図である。
図6は、第1の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第3の変形例を示す図である。
図7は、第1の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第4の変形例を示す図である。
図8は、第1の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第5の変形例を示す図である。
図9は、第1の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第6の変形例を示す図である。
第1の実施形態及び変形例1〜6に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、電極11と電極20間で垂直通電を行うことで磁気抵抗効果素子10のRA値、及び磁気抵抗効果素子10のMR変化率を評価した。
第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図1に示すようにスペーサ層16とフリー層18との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[4nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[2nm]
図10は、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10の断面TEM像を示す図である。スぺーサ層16とフリー層18との界面に機能層21が均一に形成されていることが確認できる。
変形例1に係わる磁気抵抗効果素子10を作製してRA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図4に示すようにフリー層18内に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[4nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
フリー層18A:Fe50Co50[1nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
フリー層18B:Fe50Co50[1nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.18Ωμm2、MR変化率は3%であった。
変形例2に係わる磁気抵抗効果素子10を作製してRA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図5に示すようにキャップ層19とフリー層18との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[4nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[2nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.18Ωμm2、MR変化率は2.5%であった。
変形例3に係わる磁気抵抗効果素子10を作製してRA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図6に示すようにスペーサ層16と上部ピン層143との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[2nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[4nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.2Ωμm2、MR変化率は2.5%であった。
変形例4に係わる磁気抵抗効果素子10を作製してRA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図7に示すように上部ピン層143内に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
ピン層143B:Fe50Co50[1nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[4nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.2Ωμm2、MR変化率は2.8%であった。
変形例5に係わる磁気抵抗効果素子10を作製してRA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図8に示すように、上部ピン層143と磁気結合層142との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
ピン層143B:Fe50Co50[2nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[4nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.2Ωμm2、MR変化率は2.5%であった。
変形例6に係わる磁気抵抗効果素子10を作製してRA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図9に示すように、フリー層18とスペーサ層16との間に機能層22を設け、スペーサ層16と上部ピン層143との間にも機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[2nm]
機能層21:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
機能層22:Zn−Fe50Co50−O[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[2nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.2Ωμm2、MR変化率は4.2%であった。
機能層を用いていない磁気抵抗効果素子を作製してRA値及びMR変化率を評価した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14:Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[4nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
フリー層18:Fe50Co50[4nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.08Ωμm2、MR変化率は1.5%であった。
図12Aは、本発明の第2の実施形態に係る磁気抵抗効果素子10の構成を示す図である。
図14は、第2の実施形態に係る磁気抵抗効果素子10の第7の変形例を示す図である。
図15は、第2の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第8の変形例を示す図である。
図16は、第2の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第9の変形例を示す図である。
図17は、第2の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第10の変形例を示す図である。
図18は、第2の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第11の変形例を示す図である。
図19は、第2の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10の第12の変形例を示す図である。
第2の実施形態及び変形例7〜12に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、電極11と電極20間で垂直通電を行うことで磁気抵抗効果素子10のRA値とMR変化率を評価した。
第2の実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図12Aに示すように、フリー層18と金属層17との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]/Fe50Co50[1.8nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162・金属層17:Cu[0.4nm]
金属層17 : Cu[0.4nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[2nm]
フリー層18: Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.3Ωμm2、MR変化率は15%であった。
変形例7に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図14に示すように、フリー層18内に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]/Fe50Co50[1.8nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
フリー層18A: Fe50Co50[1nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[1nm]
フリー層18: Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.33Ωμm2、MR変化率は14.5%であった。
変形例8に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図15に示すように、キャップ層19とフリー層18との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]/Fe50Co50[1.8nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
フリー層18: Fe50Co50[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[1nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.3Ωμm2、MR変化率は14%であった。
変形例9に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図16に示すように、金属層15と上部ピン層143との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[2nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
フリー層18: Fe50Co50[2nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.35Ωμm2、MR変化率は14.5%であった。
変形例10に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図17に示すように、上部ピン層143内に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[1nm]
ピン層143B:Fe50Co50[1nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
フリー層18: Fe50Co50[2nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.31Ωμm2、MR変化率は14.5%であった。
変形例11に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図18に示すように、上部ピン層143と磁気結合層142との間に機能層21を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[1nm]
ピン層143B:/Cu[0.25nm]/Fe50Co50[1.8nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
フリー層18: Fe50Co50[2nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.31Ωμm2、MR変化率は13.8%であった。
変形例12に係わる磁気抵抗効果素子10を作製して、RA値及びMR変化率を評価した。すなわち、図19に示すように、フリー層18と金属層17との間に機能層21を設け、金属層15と上部ピン層143との間にも機能層22を設けた構造を作製した。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[2nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[2nm]
フリー層18: Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.45Ωμm2、MR変化率は16%であった。
機能層を用いていない磁気抵抗効果素子を作製してRA値及びMR変化率を評価した。比較例1に係わる磁気抵抗効果素子とことなる点は、スペーサ層が、2層の金属層に挟まれ、貫通した電流パスを有する絶縁層を有する点が異なる。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co75Fe25[3.9nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[1.8nm]/Cu[0.25nm]/Fe50Co50[1.8nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[2nm]
金属層15 : Cu[0.6nm]
電流狭窄層16:Al2O3の絶縁層161およびCuの電流パス162
金属層17 : Cu[0.4nm]
フリー層18: Fe50Co50[2nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
また、本実施例に係わる磁気抵抗効果素子10のRAは0.28Ωμm2、MR変化率は12.5%であった。
第1の実施形態で説明した図1に示す磁気抵抗効果素子10について、酸素曝露量を変化させることで、磁気抵抗効果素子のRA値と磁気抵抗効果素子を構成する機能層の抵抗率を変化させた。そして、磁気抵抗効果素子のRA値と機能層の抵抗率が、MR変化率に及ぼす影響を調べた。
ピニング層13:Ir22Mn78[7nm]
ピン層14 : Co90Fe10[4.4nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[4nm]
スペーサ層16:Cu[3nm]
機能層21 : Zn−Fe50Co50−O[2nm]
フリー層18: Fe50Co50[3nm]
機能層の作製方法は、Cuからなるスペーサ層上に、Fe50Co50を1nm形成し、その上にZnを0.6nm形成した。次に、IAOによりZnとFe50Co50の酸化物(以下、Zn−Fe50Co50−Oと表記する)へと変換行い機能層を形成した。また、IAOで用いる酸素曝露量を変化させた。このときの実施例15での酸素曝露量は、1.2×104Langmiur、実施例16では、1.5×104Langmiur、実施例17では1.8×104Langmiurとした。比較例3では、3.0×104Langmiurとした。なお、実施例1〜14では、機能層の膜厚が厚いので酸素曝露量が実施例15〜17と比較して若干大きめに設定していた。
次に、本実施形態に係わる磁気抵抗効果素子10を用いた磁気ヘッドについて説明する。
次に、本実施形態に係わる磁気抵抗効素子10を用いた磁気記録再生装置、磁気ヘッドアセンブリについて説明する。
、13 … ピニング層、14 … ピン層(磁化固着層)、16 … スペーサ層、18 … フリー層(磁化自由層)、19 … キャップ層、21 … 機能層、141 … 下部ピン層、142 … 磁気結合層、143 … 上部ピン層
Claims (8)
- キャップ層と、
磁化固着層と、
前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、
前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたスペーサ層と、
前記磁化固着層中、前記磁化固着層と前記スペーサ層との間、前記スペーサ層と前記磁化自由層との間、前記磁化自由層中、及び前記磁化自由層と前記キャップ層との間の何れかに設けられ、Zn、In、Sn、及びCdから選択される少なくとも1つの元素、並びにFe、Co、及びNiから選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物を有する機能層と、
を備えた積層体と、
前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記機能層の抵抗率が5×104μΩcm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記機能層の膜厚が1nm以上10nm以下であるとこを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記積層体の積層方向に対して垂直な断面積と前記積層体の膜面に垂直に電流を流したときに一対の電極から得られる抵抗との積が1Ωμm2以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記スペーサ層は、酸素又は窒素を含む絶縁層と、
前記スペーサ層の膜面垂直方向に貫通し、前記スペーサ層に電流を流すための電流パスと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記機能層がさらにAl、B、Ga、C、Si、Ge、及びSnから選択される少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記スペーサ層はCu、Au及びAgの何れか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 磁気記録媒体と、
請求項1に記載の磁気抵抗効果素子を備えた磁気記録ヘッドと、
前記磁気記録ヘッドを用いて前記磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部と、
を備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
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