JPWO2011046156A1 - 有機ｌｅｄ素子の散乱層用ガラス及びそれを用いた有機ｌｅｄ素子 - Google Patents

有機ｌｅｄ素子の散乱層用ガラス及びそれを用いた有機ｌｅｄ素子 Download PDF

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Abstract

本発明は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１５〜２８％、ＺｎＯを２０〜５０％含有し、Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラスに関する。

Description

本発明は、有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス及びそれを用いた有機ＬＥＤ素子に関する。
従来、有機ＬＥＤ素子の光取り出し効率を向上させるため、有機ＬＥＤ素子内に散乱層を設けることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の散乱層は、ベース材中に散乱材を分散させてなる。ベース材としては、アルカリ金属を含有していないガラスが例示されている。
また、Ｐ２Ｏ５とＢｉ２Ｏ３とＺｎＯとを含有し、高屈折率と低温軟化性と低熱膨張率を有する光学ガラスが知られている（例えば、特許文献２参照）。
国際公開第０９／０１７０３５号パンフレット 日本国特許第４０５９６９５号公報
しかしながら、特許文献１の表１２に記載の散乱層用のガラスは、鉛（Ｐｂ３Ｏ４）を多く含有している。そのため、鉛の使用量をできるだけ減らしたいという使用者の要求に応えられるものではなかった。
また、特許文献２には、有機ＬＥＤ素子の散乱層用のガラスとして用いる記載はない。加えて、特許文献２に記載のガラスは、ガラスフリットとして焼成したときに、容易に結晶化してしまうという問題点があった。結晶化してしまうと、光透過率が低下すると共に、ガラス表面の平滑性が損なわれるので、有機ＬＥＤ素子の電極間の短絡を招くおそれがある。尚、以下の説明において、「結晶化」とは、ガラスフリットとして焼成したときの結晶化を意味する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、結晶化しにくく、かつ鉛の使用量をできるだけ減らしたいというという使用者の要求に応えられる有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス、それを用いた有機ＬＥＤ素子を提供することを目的とする。
上記目的を解決するため、本発明の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラスは、
酸化物基準のモル％表示で、
Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１５〜２８％、ＺｎＯを２０〜５０％含有し、
Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、
Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、
Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、
不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない。
また、本発明の他の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラスは、
酸化物基準のモル％表示で、
Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜３７％、ＺｎＯを５〜５０％、ＳｉＯ２を０〜２０％、Ａｌ２Ｏ３を０〜１０％、ＺｒＯ２を０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３を０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１５％、ＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯを合計で０〜１０％含有し、
Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、
Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、
Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、
不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない。
また、本発明の有機ＬＥＤ素子は、
基板と、散乱層と、第１の電極と、有機層と、第２の電極とを順次有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記散乱層は、ベース材、及び前記ベース材中に分散され、前記ベース材と異なる屈折率を有する１種以上の散乱材を含み、
前記ベース材は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１５〜２８％、ＺｎＯを２０〜５０％含有し、Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しないガラスからなる。
また、本発明の他の有機ＬＥＤ素子は、
基板と、散乱層と、第１の電極と、有機層と、第２の電極とを順次有する有機ＬＥＤ素子であって、
前記散乱層は、ベース材、及び前記ベース材中に分散され、前記ベース材と異なる屈折率を有する１種以上の散乱材を含み、
前記ベース材は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜３７％、ＺｎＯを５〜５０％、ＳｉＯ２を０〜２０％、Ａｌ２Ｏ３を０〜１０％、ＺｒＯ２を０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３を０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１５％、ＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯを合計で０〜１０％含有し、Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない。
本発明によれば、結晶化しにくく、かつ鉛の使用量をできるだけ減らしたいという使用者の要求に応えられる有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス、それを用いた有機ＬＥＤ素子を提供することができる。
図１は、本発明の有機ＬＥＤ素子の一例を示す断面図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。尚、以下の実施形態は、一例として示されたものであって、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変形をして実施することが可能である。
図１は、本発明の有機ＬＥＤ素子の一例を示す断面図である。
図１に示す例では、有機ＬＥＤ素子は、ボトムエミッションタイプの有機ＬＥＤ素子であって、基板１１０と、散乱層１２０と、第１の電極１３０と、有機層１４０と、第２の電極１５０とを順次有する。第１の電極１３０は、透明電極（陽極）であり、有機層１４０から発光された光を散乱層１２０へ伝えるための透明性を有する。一方、第２の電極１５０は、反射電極（陰極）であり、有機層１４０から発光された光を反射して有機層１４０へ戻すための反射性を有する。
尚、図１に示す例では、第１の電極１３０を陽極とし、第２の電極１５０を陰極としたが、第１の電極１３０を陰極とし、第２の電極１５０を陽極としても良い。
（基板）
基板１１０は、透光性を有する。基板１１０（以下、「透光性基板１１０」という）は、可視光に対する透過率が高い材料で構成され、例えばガラスやプラスチックで構成される。
透光性基板１１０を構成するガラスとしては、アルカリガラス、無アルカリガラス及び石英ガラスなどがある。一般的には、ソーダライムガラスが用いられる。一般的なソーダライムガラスは、５０〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」ともいう）が８７×１０−７／℃程度であり、徐冷点が５５０℃程度である。このようなソーダライムガラスで構成された透光性基板１１０は、５５０℃以上の温度で熱処理すると変形するおそれがあるので、散乱層１２０等を５５０℃よりも低い温度で形成することが好ましい。
透光性基板１１０をプラスチック基板で構成した場合、プラスチック基板は、ガラス基板に比較して耐湿性が低いので、バリア性をもたせた構成としてもよい。例えば、透光性基板１１０は、プラスチック基板上の散乱層１２０側と反対側に別のガラス層を更に形成した構成としてもよい。
透光性基板１１０の厚さは、通常０．１ｍｍ〜２．０ｍｍである。透光性基板１１０であるガラス基板が薄い場合には強度が不足するおそれがある。透光性基板１１０であるガラス基板の厚さは、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍであることが特に好ましい。
透光性基板１１０上には、散乱層１２０が形成されている。透光性基板１１０であるガラス基板上の散乱層形成面は、シリカコーティング等の表面処理が施されたものであってもよい。即ち、透光性基板１１０であるガラス基板と散乱層１２０との間には、シリカ膜等の保護層が形成されていてもよい。
（第１の電極）
第１の電極（陽極）１３０は、有機層１４０で発生した光を外部に取り出すために、８０％以上の透光性が要求される。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いものが要求される。具体的には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３：アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３：ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＮｂドープＴｉＯ２、ＴａドープＴｉＯ２などの材料が用いられる。
第１の電極１３０の厚さは、１００ｎｍ以上であることが好ましい。１００ｎｍ未満では、電気抵抗が高くなる。
第１の電極１３０の屈折率は、通常、１．９〜２．２である。第１の電極１３０であるＩＴＯの屈折率を低下させるため、ＩＴＯのキャリア濃度を増加させてもよい。具体的には、ＩＴＯのＳｎ濃度を増やすことで、ＩＴＯの屈折率を下げることができる。但し、Ｓｎ濃度を増やすと、移動度及び透過率が低下するので、これらのバランスをとって、Ｓｎ濃度を決める必要がある。
なお、第１の電極１３０は、単層であっても複数層であっても良いことは言うまでもない。
第１の電極１３０上には、有機層１４０が形成されている。
（有機層）
有機層１４０は、発光機能を有する層であり、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とにより構成される。
正孔注入層は、陽極からの正孔注入障壁を低くするために、イオン化ポテンシャルの差が小さいものが要求される。正孔注入層における電極界面からの電荷の注入効率の向上は、素子の駆動電圧を下げるとともに、電荷の注入効率を高める。高分子では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、低分子ではフタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が広く用いられる。
正孔輸送層は、正孔注入層から注入された正孔を発光層に輸送する役割をする。適切なイオン化ポテンシャルと正孔移動度を有することが必要である。正孔輸送層は、具体的には、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）−４'−アミノビフェニル−４−イル］−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＨＴＭ２）およびＮ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ジフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）などが用いられる。正孔輸送層の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましい。厚さは薄ければ薄いほど低電圧化できるが、電極間短絡の問題から１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが特に好ましい。
発光層は、注入された電子と正孔が再結合する場を提供し、かつ、発光効率の高い材料を用いる。詳細に説明すると、発光層に用いられる発光ホスト材料および発光色素のドーピング材料は、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子の再結合中心として機能する、また、発光層におけるホスト材料への発光色素のドーピングは、高い発光効率を得ると共に、発光波長を変換させる。これらは電荷注入のための適切なエネルギーレベルを有すること、化学的安定性や耐熱性に優れ、均質なアモルファス薄膜を形成することなどが求められる。また、発光色の種類や色純度が優れていることや発光効率の高いことが求められる。有機材料である発光材料には、低分子系と高分子系の材料がある。さらに、発光機構によって、蛍光材料、りん光材料に分類される。発光層は、具体的には、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ′２ＯＰｈ）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム−２，５−ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８−キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８−キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ２）などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレン並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。ホスト材料としては、キノリノラート錯体が好ましく、特に、８−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が好ましい。
電子輸送層は、電極から注入された電子を輸送するという役割をする。電子輸送層は、具体的には、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）および２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）など）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、シロール誘導体などが用いられる。
電子注入層は、電子の注入効率を高めるものが要求される。電子注入層は、具体的には、陰極界面にリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドープした層を設ける。
有機層１４０の屈折率は、通常、１．７〜１．８である。
有機層１４０上には、第２の電極１５０が形成されている。
（第２の電極）
第２の電極（陰極）１５０は、反射性が要求されるので、仕事関数の小さな金属またはその合金が用いられる。第２の電極１５０は、具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び周期表第３族の金属などが挙げられる。このうち、安価で化学的安定性の良い材料であることから、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）またはこれらの合金などが好ましく用いられる。また、Ａｌ、ＭｇＡｇの共蒸着膜、ＬｉＦまたはＬｉ２Ｏの薄膜蒸着膜の上にＡｌを蒸着した積層電極等が用いられる。また、高分子系では、カルシウム（Ｃａ）またはバリウム（Ｂａ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層等が用いられる。
（散乱層）
散乱層１２０は、透光性基板１１０と第１の電極１３０との間に設けられる。
散乱層１２０を介さずに、透光性基板１１０上に第１の電極１３０を形成した場合、一般に、透光性基板１１０は第１の電極１３０よりも屈折率が低いので、透光性基板１１０に浅い角度で進入しようとした光は、スネルの法則により有機層１４０側に全反射される。全反射された光は、第２の電極１５０である反射電極で再び反射され、透光性基板１１０に再び到達する。このとき、透光性基板１１０への再入射角度は変わらないので、有機ＬＥＤ素子の外部に光を取り出せなくなる。
これに対し、本実施形態では、散乱層１２０が透光性基板１１０と第１の電極１３０との間に設けられているので、透光性基板１１０への再入射角度を変えることができ、有機ＬＥＤ素子の光取り出し効率を高めることができる。
散乱層１２０は、図１に示すように、ベース材１２１中に、ベース材１２１と異なる屈折率を有する１種以上の散乱材１２２が分散されたものである。
ベース材１２１の屈折率は、第１の電極１３０の屈折率と同等若しくは高いことが好ましい。ベース材１２１の屈折率が低い場合、散乱層１２０と第１の電極１３０との界面において、全反射による損失が生じてしまうために光取り出し効率が低下するからである。ベース材１２１の屈折率は、少なくとも有機層１４０の発光スペクトル範囲における一部分（例えば、赤、青、緑など）において上回っていれば良いが、発光スペクトル範囲全域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）に亘って上回っていることが好ましく、可視光の波長範囲全域（３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）に亘って上回っていることがより好ましい。なお、以下では特に断らない限り、「屈折率」とは、Ｈｅランプｄ線（波長：５８７．６ｎｍ）で２５℃で測定した屈折率を意味する。
ベース材１２１と散乱材１２２の屈折率の差は、少なくとも発光層の発光スペクトル範囲における一部分において０．０５以上であることが好ましい。十分な散乱特性を得るために、屈折率の差は、発光スペクトル範囲全域（４３０ｎｍ〜６５０ｎｍ）若しくは可視光の波長範囲全域（３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）に亘って０．０５以上であることがより好ましい。
散乱材１２２は、散乱層１２０に占める割合が１〜８５体積％であることが好ましい。１体積％未満であると、十分な散乱効果が得られず、光取り出し効率の向上効果も少ないからである。より好ましくは、２０体積％以上である。一方、８５体積％より多過ぎると、光取り出し効率が低下するおそれがある。より好ましくは、８０体積％以下である。さらに好ましくは３０体積％以下である。
ここで、散乱層１２０に占める散乱材１２２の割合とは、散乱層１２０中に複数種の散乱材が分散されている場合、全ての散乱材の割合の合計をいう。
散乱材１２２の形状は、特に制限されないが、散乱材１２２が球形である場合、その直径の平均値は０．１〜１０μｍであることが好ましい。０．１μｍより小さいと、光散乱材として十分に機能しない。一方、１０μｍより大きいと、散乱層１２０全体に均質に存在させることが困難になり、光取り出し効率のムラが発生する。また、相対的に散乱材１２２の数が少なくなる部分において、散乱性が低下する。また、塗布焼成膜の表面平滑性が得られなくなる。散乱材１２２は、最大長さが１０μｍ以上のものの割合が１５体積％以下であることがより望ましい。さらに望ましくは１０体積％以下である。
散乱層１２０上には、第１の電極１３０が形成されている。散乱層１２０上の第１の電極形成面の表面粗さＲａは、３０ｎｍ以下であるのが好ましく、１０ｎｍ以下であるのがより好ましく、１ｎｍ以下であるのが特に好ましい。３０ｎｍを超えると、第１の電極１３０や有機層１４０の平滑性が損なわれ、第１の電極１３０と第２の電極１５０との間で短絡が発生するおそれがある。ここで、表面粗さＲａとは、微視的にみた表面粗さであり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に規定されている輪郭曲線フィルタの長波長カットオフ値λｃを１０μｍとした値であって、例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）などで測定されるものである。
散乱層１２０上の第１の電極形成面は、平坦性を向上するため、コーティングが施されたものであっても良い。
（散乱層の散乱材）
散乱材１２２としては、気泡、ベース材１２１と異なる屈折率を有する材料の粒子が用いられる。ここで、粒子とは固体の小さな物質をいい、例えば、ガラスやその他のセラミックがある。また、気泡とは、空気若しくはガスの物体をいう。なお、散乱材１２２が気泡の場合、散乱材１２２の径とは空隙の長さをいう。
（散乱層のベース材）
ベース材１２１としては、ガラスが用いられる。ベース材１２１がガラスで構成されているので、散乱層１２０の散乱特性を高めつつ、散乱層１２０の表面の平滑性と透明性を維持することができる。
ベース材１２１に用いられるガラス（以下、「ベース材ガラス」という）は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜３７％、ＺｎＯを５〜５０％、ＳｉＯ２を０〜２０％、Ａｌ２Ｏ３を０〜１０％、ＺｒＯ２を０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３を０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１５％、ＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯを合計で０〜１０％含有し、Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない。
次に、このベース材ガラスのガラス組成について説明する。なお、単位％は、モル％を意味する。
Ｂｉ２Ｏ３は、屈折率を上げ、粘性を下げる成分であり、含有量が１０％未満では、散乱層１２０の屈折率が低くなり過ぎる。一方、Ｂｉ２Ｏ３含有量が３７％超では、平均線膨張係数が大きくなり過ぎるとともに、焼成工程で結晶化しやすい。Ｂｉ２Ｏ３含有量は、１５〜２８％が好ましい。
Ｂ２Ｏ３はガラスの骨格となる成分であり、含有量が１５％未満では、ガラス成形時に失透しやすく、フリット化した後の焼成時に結晶化しやすくなる。Ｂ２Ｏ３含有量が６０％超では、耐水性が低下する。
ＺｎＯは、ガラスを安定化させる成分であり、含有量が５％未満では、ガラス成形時に失透しやすくなるとともに、ガラス転移点が高くなり、フリット焼成膜の平滑性が得られなくなる。また、屈折率が低下し好ましくない。ＺｎＯ含有量が５０％超では、平均線膨張係数が大きくなるとともに、ガラス成形時に失透しやすくなる。耐候性が低下するおそれがある。ＺｎＯ含有量は、２０〜５０％が好ましい。
ＳｉＯ２は、ガラスの安定性を高めるとともに、平均線膨張係数を小さくする任意成分である。ＳｉＯ２含有量は、０〜２０％が好ましい。２０％超であると、屈折率が低下し過ぎるおそれがある。
Ａｌ２Ｏ３は、ガラスの安定性を高める任意成分である。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、０〜１０％が好ましい。１０％超であると、液相温度が上がり、失透するおそれがある。
Ｐ２Ｏ５はガラスの骨格となる成分であり、耐酸性を向上させる任意成分である。Ｐ２Ｏ５含有量は、０〜２０％が好ましい。２０％超では、ガラス成形時に失透しやすく、フリット化した後の焼成時に結晶化しやすくなる。また、屈折率が低下する。Ｐ２Ｏ５の含有量が０％であると、結晶化を特に抑制でき、より広い温度範囲で結晶化を伴わずにフリットの焼成を行なうことができるため好ましい。なお、耐酸性向上の効果を期待する場合は、２％以上含有することがより望ましく、５％以上含有することがさらに望ましい。
ＺｒＯ２はガラスの耐候性を高める任意成分であり、ＺｒＯ２の含有量は０〜５％が好ましい。５％超であると、結晶化しやすくなるとともに、ガラス転移点が高くなり過ぎるおそれがある。
Ｇｄ２Ｏ３は、平均線膨張係数を低く抑えながら屈折率を上げるとともに軟化点付近での結晶化を抑制する任意成分である。Ｇｄ２Ｏ３の含有量は、０〜１０％が好ましい。１０％超であると、結晶化し易く、ガラス転移点と軟化点が上がるおそれがある。特に、低膨張と高屈折率を両立したい場合、２％以上含有することがより望ましい。
ＴｉＯ２は、必須ではないが、屈折率を上げる成分であり、１５％まで含有しても良い。ただし、過剰に含有すると、結晶化し易く、ガラス転移点と軟化点が上がるおそれがある。なお、ＴｉＯ２の代わりに（または加えて）ＷＯ３を使用することも可能である。ＴｉＯ２とＷＯ３の含有量の合量は、０〜１２％がより望ましい。
アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯ）は、ガラスの粘性を下げる任意成分である。アルカリ土類金属酸化物の含有量は、０〜１０％が好ましい。１０％超であると、平均線膨張係数が大きくなり、屈折率が下がるおそれがある。７％以下であることがより好ましい。
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏは、実質的に含まれない。これらのアルカリ金属酸化物が含まれると、熱処理工程において、そのアルカリ成分が拡散するおそれがある。そして、そのアルカリ成分は、素子へ電気的な悪影響を与える場合がある。
ここで、実質的に含まないとは、不純物として含まれるのを除き、積極的に含有しないことをいう。
ＰｂＯとＰｂ３Ｏ４は、実質的に含まれない。
Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値は、０．４８未満である。０．４８以上では失透し易くなり、結晶化し易くなるおそれがある。また、０．４８以上では屈折率が下がり、ガラス転移点と軟化点が上がるおそれがある。
Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量は３０〜６０％である。３０％未満では失透し易くなり、結晶化し易くなり、安定性を損なうおそれがある。一方、６０％超では失透し易くなり、結晶化し易くなり、屈折率が下がるおそれがある。ここで、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超える場合、Ｐ２Ｏ５の含有量は１０％以下である。１０％超では失透し易くなり、結晶化し易くなる。
ベース材ガラスは、発明の効果を失わない範囲で、上記成分の他、例えば、ＧｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等を含んでいてもよい。ただし、それらは合計で５％までにとどめることが好ましい。また、色味を調整するために、微量の着色剤を含有していてもよい。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、金属コロイドなどの公知のものが用いられる。これらの着色剤は、単独であるいは組み合わせて用いられる。
次に、このベース材ガラスの特性について説明する。
ベース材ガラスの屈折率ｎｄは、１．７５以上が好ましく、１．８０以上がより好ましく、１．８５以上が特に好ましい。１．７５未満であると、散乱層１２０と第１の電極１３０との界面において、全反射による損失が大きく、光取り出し効率が低下しやすい。
ベース材ガラスのガラス軟化点Ｔｓは、６００℃以下が好ましく、５９５℃以下がより好ましく、５９０℃以下が特に好ましい。
ベース材ガラスのガラス転移点Ｔｇは、透光性基板１１０がソーダライムガラスで構成される場合、透光性基板１１０の熱変形を抑制するため、５００℃以下が好ましく、４９５℃以下がより好ましく、４８５℃以下が特に好ましい。
ベース材ガラスの結晶化ピーク温度Ｔｃは、結晶化を抑制する観点から、６００℃以上が好ましく、６５０℃以上がより好ましく、７００℃以上が特に好ましい。
ベース材ガラスの結晶化ピーク温度Ｔｃとガラス軟化温度Ｔｓとの差（Ｔｃ−Ｔｓ）は、結晶化を抑制する観点から、５５℃以上が好ましく、７０℃以上がより好ましく、９０℃以上が特に好ましい。
ベース材ガラスの５０〜３００℃における平均線膨張係数αは、透光性基板１１０がソーダライムガラスで構成される場合、ソーダライムガラスの破損や反りを防止するため、６０×１０−７／℃以上が好ましく、６５×１０−７／℃以上がより好ましい。また、ベース材ガラスの５０〜３００℃における平均線膨張係数αは、１００×１０−７／℃以下が好ましく、９０×１０−７／℃以下がより好ましい。
このベース材ガラスは、酸化物、リン酸塩、メタリン酸塩、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等の原料を秤取し、混合した後、白金等の坩堝を用いて９００〜１４００℃の温度で溶解し、冷却することによって得ることができる。その後、必要に応じて徐冷して歪みを取り除く場合がある。得られたベース材ガラスを乳鉢、ボールミル、ジェットミル等により粉砕し、必要に応じて分級することによってベース材ガラスの粉末が得られる。ベース材ガラスの粉末の表面を、界面活性剤やシランカップリング剤によって改質して用いても良い。
（散乱層の製造方法）
散乱層１２０は、ガラスフリットを透光性基板１１０上に塗布し、焼成することによって、製造することができる。
（１）ガラスフリット
ガラスフリットは、上記ベース材ガラスの粉末を含むものである。ベース材ガラスの粉末の粒径は、塗工性の観点から、１〜１０μｍであることが好ましい。ベース材ガラスの粉末の表面は、界面活性剤やシランカップリング剤によって改質されたものであってもよい。
ガラスフリットは、ベース材ガラスの粉末の他に、散乱材１２２として、ベース材ガラスよりも低い屈折率を有するガラスの粉末を含むものであってもよい。
ガラスフリットは、塗工性の観点から、樹脂や溶剤などと混練されたフリットペーストとして、透光性基板１１０上に塗布されることが好ましい。
（２）フリットペースト
フリットペーストは、ガラスフリットとビヒクルとを、プラネタリーミキサー等で混合し、３本ロール等で均一に分散させて得られる。粘度調整のため、混練機で更に混練してもよい。通常、ガラスフリットを７０〜８０質量％、ビヒクルを２０〜３０質量％の割合で混合する。
ここで、ビヒクルとは、樹脂、溶剤を混合したものをいい、界面活性剤を更に混合したものを含む。具体的には、５０〜８０℃に加熱した溶剤中に樹脂、界面活性剤などを投入し、その後４時間から１２時間程度静置したのち、ろ過し、得られる。
樹脂は、塗布後のフリットペースト膜を保形するためのものである。具体例としては、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ロジン樹脂などが用いられる。主剤として用いられるのは、エチルセルロースとニトロセルロースがある。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ロジン樹脂は塗膜強度向上の為の添加として用いられる。焼成時の脱バインダ温度は、エチルセルロースで３５０〜４００℃、ニトロセルロースで２００〜３００℃である。
溶剤は、樹脂を溶解すると共にフリットペーストの粘度を調整するためのものである。溶剤は、塗工中には乾燥せず、乾燥中にはすばやく乾燥するものが好ましく、沸点が２００〜２３０℃のものが好ましい。具体例としては、エーテル系溶剤（ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ）、アルコール系溶剤（α−テルピネオール、パインオイル、ダワノール）、エステル系溶剤（２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、フタル酸エステル系溶剤（ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート））がある。これらの溶剤は、単独で用いられてもよいし、粘度、固形分比、乾燥速度調整のため、組み合わせて用いられてもよい。主に用いられているのは、α−テルピネオールや２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）である。なお、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）は、可塑剤としても機能する。
（３）塗布
フリットペーストを透光性基板１１０上に塗布する方法としては、スクリーン印刷、ドクターブレード印刷、ダイコート印刷等が用いられる。また、フリットペーストをＰＥＴフィルム等に塗布して乾燥してグリーンシートとし、グリーンシートを透光性基板１１０上に熱圧着してもよい。
スクリーン印刷を用いる場合、スクリーン版のメッシュ粗さ、乳剤の厚み、印刷時の押し圧、スキージ押し込み量などを調節することにより、塗布後のフリットペースト膜の膜厚を制御できる。
ドクターブレード印刷、ダイコート印刷を用いる場合、スクリーン印刷を用いる場合と比較して、塗布後のフリットペースト膜の膜厚を厚くすることができる。
尚、塗布、乾燥を繰り返し行うことで、フリットペースト膜を厚くしてもよい。
（４）焼成
透光性基板１１０上に塗布されたフリットペーストを焼成する。焼成は、フリットペースト中の樹脂を分解・消失させる脱バインダ処理と、脱バインダ処理後のフリットペーストを焼結、軟化させる焼成処理とからなる。脱バインダ温度は、エチルセルロースで３５０〜４００℃、ニトロセルロースで２００〜３００℃であり、３０分から１時間大気雰囲気で加熱する。焼成温度（焼成処理温度）は、ベース材ガラスのガラス軟化点Ｔｓを基準として−４０℃〜＋３０℃の範囲内、あるいはベース材ガラスのガラス転移点Ｔｇを基準として＋５０℃〜＋１２０℃の範囲内に設定される。焼成後、室温まで冷却することによって透光性基板１１０上に散乱層１２０が形成される。
焼成温度や焼成雰囲気、ガラスフリットの粒度分布などを調節することにより、散乱層１２０の内部に残存する気泡の形状、大きさを調節することができる。
尚、散乱材１２２として、気泡の代わりに（又は気泡に加えて）、ベース材１２１と異なる屈折率を有する材料の粒子を用いる場合、該材料の粒子をガラスフリットに混ぜて透光性基板１１０上に塗布し焼成する。
以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
（実験１）
例１〜例４４については、表１〜表６中の組成のガラスが得られるように、Ｈ３ＢＯ３、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｚｎ（ＰＯ３）２、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、ＭｇＯ、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＺｒＯ２、Ｇｄ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の各粉末原料を合計で２００ｇとなるよう秤取し、混合した後、白金坩堝を用いて、例１〜例２５については１０５０℃で例２６〜例４４については１２５０℃で、１時間溶解し、続けて例１〜例２５については９５０℃で例２６〜例４４については１１００℃で、１時間溶解し、この融液の半量をカーボン鋳型に流しだしてバルク状のガラスを得、残りを双ロールの隙間に流しだして急冷しフレーク状のガラスを得た。また、バルク状ガラスは５００℃の電気炉に入れ、１時間あたり１００℃の速度で室温まで温度を下げることにより、歪みを取り除いた。
ここで、例１〜例２２及び例２６〜例４４は実施例であり、例２３〜例２５は比較例である。
得られたガラスについて、バルク作製時の失透の有無、フレーク作製時の失透の有無、フリット焼成時の結晶化の有無、屈折率ｎｄ、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）、５０〜３００℃における平均線膨張係数α（単位：１０−７／℃）、ガラス軟化点Ｔｓ（単位：℃）、結晶化ピーク温度Ｔc（単位：℃）、結晶化ピーク温度のピーク高さ（単位：μＶ）を以下の測定法によって、測定した。
１．バルク作製時の失透：
ガラスをカーボン型に流しだし、固化するまでの間に、目視でガラス内部に結晶析出や分相が確認できないものを○とし、部分的に結晶析出や分相が確認できるものを△とし、全体に結晶析出や分相が生じているものを×とした。
２．フレーク作製時の失透：
ガラスを双ロールの隙間に流しだして急冷し、固化した後に、目視でガラス内部に結晶析出や分相が確認できないものを○とし、部分的に結晶析出や分相が確認できるものを×とした。
３．屈折率ｎｄ：
バルク状ガラスを研磨した後、カルニュー社製精密屈折計ＫＰＲ−２０００によって、Ｖブロック法で、測定波長５８７．６ｎｍで２５℃で測定した。
４．ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）：
バルク状ガラスを直径５ｍｍ長さ２００ｍｍの丸棒状に加工した後、ブルッカー・エイエックスエス社製熱膨張計ＴＤ５０００ＳＡによって、昇温速度を５℃／ｍｉｎにして測定した。
５．５０〜３００℃における平均線膨張係数α（単位：１０−７／℃）：
バルク状ガラスを直径５ｍｍ長さ２００ｍｍの丸棒状に加工した後、ブルッカー・エイエックスエス社製熱熱膨張計ＴＤ５０００ＳＡによって、昇温速度を５℃／ｍｉｎにして測定した。５０℃におけるガラス棒の長さをＬ５０とし、３００℃におけるガラス棒の長さをＬ３００としたとき、５０℃〜３００℃における平均線膨張係数αは、α＝｛（Ｌ３００／Ｌ５０）−１｝／（３００−５０）によって求められる。
６．ガラス軟化点Ｔｓ（単位：℃）：
フレーク状ガラスをめのう乳鉢で粉砕した後、粒径７４μｍから１０６μｍまでのガラス粉末を篩い分け、この１２０ｍｇを白金パンに入れ、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製熱ＴＧ／ＤＴＡ ＥＸＳＴＡＲ６０００によって昇温速度を１０℃／ｍｉｎにして測定し、ガラス転移点Ｔｇよりも高温側に現れる軟化流動に伴うＤＴＡ曲線の屈曲点における温度をガラス軟化点Ｔｓとした。
７．結晶化ピーク温度Ｔc（単位：℃）：
フレーク状ガラスをめのう乳鉢で粉砕した後、粒径７４μｍから１０６μｍまでのガラス粉末を篩い分け、この１２０ｍｇを白金パンに入れ、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製熱ＴＧ／ＤＴＡ ＥＸＳＴＡＲ６０００によって昇温速度を１０℃／ｍｉｎにして測定し、結晶化に伴うＤＴＡ曲線の発熱ピークの温度をＴｃとした。結晶化ピークがないか十分に低く検知できないときは「−」と記した。
８．結晶化ピーク温度のピーク高さ（単位：μＶ）：
フレーク状ガラスをめのう乳鉢で粉砕した後、粒径７４μｍから１０６μｍまでのガラス粉末を篩い分け、この１２０ｍｇを白金パンに入れ、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製熱ＴＧ／ＤＴＡ ＥＸＳＴＡＲ６０００によって昇温速度を１０℃／ｍｉｎにして測定し、結晶化に伴うＤＴＡ曲線の発熱ピークの高さを読み取った。結晶化ピークがないか十分に低く検知できないときは「−」と記した。
９．フリット焼成時の結晶化：
フレーク状ガラスをめのう乳鉢で粉砕した後、粒径７４μｍから１０６μｍまでのガラス粉末を篩い分け、この１２０ｍｇを白金パンに入れ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで室温から６００℃まで電気炉で加熱したとき、目視でガラス内部に結晶析出が確認できないものを○とし、結晶が析出し不透明になっているものを×とした。
結果を表１〜表６に示す。なお、失透により、物性値測定のための試料を作製できなかった時、「Ｎ／Ａ」と記した。
Figure 2011046156
Figure 2011046156
Figure 2011046156
Figure 2011046156
Figure 2011046156
Figure 2011046156
表１〜表６からわかるように、例１〜例２２及び例２６〜例４４のガラスは、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有せず、高屈折率と低温軟化性と低熱膨張率を有し、かつ、ガラス作製時の失透やフリット焼成時の結晶化を抑制することができる。また、例１〜例２２及び例２６〜例４４のガラスは、いずれも、ガラス転移点Ｔｇが５００℃以下であり、平均線膨張係数αが６０×１０−７〜１００×１０−７／℃であるため、ソーダライムガラス基板上で焼成して散乱層を形成させることができる。
（実験２）
次に、例１の組成のフレーク状ガラスをアルミナ製のボールミルで２時間乾式粉砕して、ガラスフリットを得た。ガラスフリットの質量平均粒径は、３ミクロン程度であった。得られたガラスフリット７５ｇを、有機ビヒクル（α―テルピネオールにエチルセルロースを１０質量％溶解したもの）２５ｇと混練してガラスペーストを作製した。このガラスペーストを、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ厚さ０．５５ｍｍのソーダライムガラス基板上に、焼成後の厚みが３０μｍとなるよう均一に９ｃｍ角のサイズで中央に印刷した。これを１５０℃で３０分間乾燥した後、一旦室温に戻し、４５０℃まで３０分で昇温し、４５０℃で３０分間保持して、有機ビヒクルの樹脂を分解・消失させた。その後、５１５℃まで７分で昇温し、５１５℃で３０分間保持して、ガラスフリットを軟化させた。その後、室温まで３時間で降温し、ソーダライムガラス基板上に例１の組成のガラス層を形成した。目視試験の結果、ソーダライムガラス基板とガラス層の両面に割れは発見されなかった。また、透過型顕微鏡（ニコン社製ＥＣＬＩＰＳＥ ＭＥ６００）を用いてガラス層を観察した結果、ガラス層に結晶は発見されなかった。また、有機ＬＥＤの電極間短絡の原因となるような局所的な凹凸は見られなかった。
また、例１９の組成のフレーク状ガラスをアルミナ製のボールミルで２時間乾式粉砕して、ガラスフリットを得た。ガラスフリットの質量平均粒径は、３ミクロン程度であった。得られたガラスフリット７５ｇを、有機ビヒクル（α―テルピネオールにエチルセルロースを１０質量％溶解したもの）２５ｇと混練してガラスペーストを作製した。このガラスペーストを、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ厚さ０．５５ｍｍのソーダライムガラス基板上に、焼成後の厚みが３０μｍとなるよう均一に９ｃｍ角のサイズで中央に印刷した。これを１５０℃で３０分間乾燥した後、一旦室温に戻し、４５０℃まで３０分で昇温し、４５０℃で３０分間保持して、有機ビヒクルの樹脂を分解・消失させた。その後、５２０℃まで７分で昇温し、５２０℃で３０分間保持して、ガラスフリットを軟化させた。その後、室温まで３時間で降温し、ソーダライムガラス基板上に例１の組成のガラス層を形成した。目視試験の結果、ソーダライムガラス基板とガラス層の両面に割れは発見されなかった。また、透過型顕微鏡（ニコン社製ＥＣＬＩＰＳＥ ＭＥ６００）を用いてガラス層を観察した結果、ガラス層に結晶は発見されなかった。また、有機ＬＥＤの電極間短絡の原因となるような局所的な凹凸は見られなかった。
また、例４２の組成のフレーク状ガラスをアルミナ製のボールミルで２時間乾式粉砕して、ガラスフリットを得た。ガラスフリットの質量平均粒径は、３ミクロンであった。得られたガラスフリット７５ｇを、有機ビヒクル（α―テルピネオールにエチルセルロースを１０質量％溶解したもの）２５ｇと混練してガラスペーストを作製した。このガラスペーストを、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ厚さ０．５５ｍｍのソーダライムガラス基板上に、焼成後の厚みが３０μｍとなるよう均一に９ｃｍ角のサイズで中央に印刷した。これを１５０℃で３０分間乾燥した後、一旦室温に戻し、４５０℃まで３０分で昇温し、４５０℃で３０分間保持して、有機ビヒクルの樹脂を分解・消失させた。その後、５４５℃まで１０分で昇温し、５４５℃で３０分間保持して、ガラスフリットを軟化させた。その後、室温まで３時間で降温し、ソーダライムガラス基板上に例１の組成のガラス層を形成した。目視試験の結果、ソーダライムガラス基板とガラス層の両面に割れや反りは発見されなかった。また、透過型顕微鏡（ニコン社製ＥＣＬＩＰＳＥ ＭＥ６００）を用いてガラス層を観察した結果、ガラス層に結晶は発見されなかった。
以上のように、本実施形態のベース材ガラスは、ソーダライムガラス基板との密着性が良く、割れや結晶化等の問題も生じないことから、有機ＬＥＤ素子の散乱層として適していることがわかる。
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２００９年１０月１５日出願の日本特許出願２００９−２３８６７６及び２０１０年４月３０日出願の日本特許出願２０１０−１０５７１５に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本発明によれば、結晶化しにくく、かつ鉛の使用量をできるだけ減らしたいという使用者の要求に応えられる有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス、それを用いた有機ＬＥＤ素子を提供することができる。
１１０ 基板
１２０ 散乱層
１３０ 第１の電極
１４０ 有機層
１５０ 第２の電極

Claims (11)

  1. 酸化物基準のモル％表示で、
    Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１５〜２８％、ＺｎＯを２０〜５０％含有し、
    Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、
    Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、
    Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、
    不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  2. 酸化物基準のモル％表示で、
    ＴｉＯ２とＷＯ３の含有量の合量が０〜１２％であり、
    ＺｒＯ２の含有量が０〜５％であり、
    ＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯの含有量の合量が０〜１０％である請求項１に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  3. Ｈｅランプｄ線（波長：５８７．６ｎｍ）で２５℃で測定した屈折率が１．８５以上である請求項１または２に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  4. ５０℃〜３００℃における平均線膨張係数が６０×１０−７〜１００×１０−７／℃である請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  5. 酸化物基準のモル％表示で、
    Ｐ２Ｏ５の含有量が５〜２０％である請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  6. 不純物として含有されることを除き、Ｐ２Ｏ５を実質的に含有しない請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  7. 基板と、散乱層と、第１の電極と、有機層と、第２の電極とを順次有する有機ＬＥＤ素子であって、
    前記散乱層は、ベース材、及び前記ベース材中に分散され、前記ベース材と異なる屈折率を有する１種以上の散乱材を含み、
    前記ベース材は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１５〜２８％、ＺｎＯを２０〜５０％含有し、Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しないガラスからなる有機ＬＥＤ素子。
  8. 酸化物基準のモル％表示で、
    Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜３７％、ＺｎＯを５〜５０％、ＳｉＯ２を０〜２０％、Ａｌ２Ｏ３を０〜１０％、ＺｒＯ２を０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３を０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１５％、ＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯを合計で０〜１０％含有し、
    Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、
    Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、
    Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、
    不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  9. 酸化物基準のモル％表示で、
    Ｐ２Ｏ５の含有量が２〜２０％である請求項８に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  10. 酸化物基準のモル％表示で、
    Ｇｄ２Ｏ３の含有量が２〜１０％である請求項８または９に記載の有機ＬＥＤ素子の散乱層用ガラス。
  11. 基板と、散乱層と、第１の電極と、有機層と、第２の電極とを順次有する有機ＬＥＤ素子であって、
    前記散乱層は、ベース材、及び前記ベース材中に分散され、前記ベース材と異なる屈折率を有する１種以上の散乱材を含み、
    前記ベース材は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ２Ｏ５を０〜２０％、Ｂ２Ｏ３を１５〜６０％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜３７％、ＺｎＯを５〜５０％、ＳｉＯ２を０〜２０％、Ａｌ２Ｏ３を０〜１０％、ＺｒＯ２を０〜５％、Ｇｄ２Ｏ３を０〜１０％、ＴｉＯ２を０〜１５％、ＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯを合計で０〜１０％含有し、Ｐ２Ｏ５の含有量をＺｎＯの含有量で割った値が０．４８未満であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が３０〜６０％であり、Ｐ２Ｏ５とＢ２Ｏ３の含有量の合量が５０％を超えるときはＰ２Ｏ５の含有量は１０％以下であり、不純物として含有されることを除き、鉛（ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４）とＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏを実質的に含有しない有機ＬＥＤ素子。
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