JP5850122B2 - ガラス基板、有機el照明装置、ガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ガラス基板、これを用いた有機EL照明装置、ガラス基板の製造方法に関するものである。
有機EL(Electro Luminescence)素子は、面発光が可能な自発光素子であり、薄型照明光源やフラットパネルディスプレイなどの有機EL装置を構成するものとして注目されている。この有機EL素子は、ガラス基板などの透明基板上に透明導電層,有機層,金属導電層などを形成する積層膜構造を備えており、透明導電層と金属導電層で構成される一対の電極層間に電圧を印加することで、有機層中で発光した光が透明導電層と透明基板を透過して外部に取り出される。
このような有機EL素子においては、有機層や透明導電層の屈折率が透明基板の屈折率に対してかなり高いことから、有機層で発光した光の一部が透明導電層と透明基板の界面或いは透明基板と空気層の界面で全反射を起こして素子内部に閉じ込められる現象が生じ、発光した光の全てを外部に取り出すことができない。発光した光に対して外部に取り出すことができる光の割合を光取り出し効率と呼んでいるが、この光取り出し効率の向上が有機EL装置、特に省電力でできる限り高輝度を得たい照明装置において大きな課題になっている。
光取り出し効率の改善策としては、従来、透明基板の外表面に凹凸表面形状を有する樹脂フィルムを付着させることがなされている(下記特許文献1参照)。また、透明基板となるガラス基板の屈折率を高くして、その表面をアルミナ研磨やサンドブラストによる加工で粗面化すること(下記特許文献2参照)や、ガラス表面にエッチング加工やダイシングソーによる加工を施すことでその表面に凹凸構造を形成すること(下記特許文献3参照)などが提案されている。
前述した樹脂フィルムを透明基板に付着させる従来技術は、樹脂フィルムが非常に高価であり、透明基板の表面に均一に樹脂フィルムを貼り付ける煩雑な工程が追加されることになるので、有機EL装置の製造単価が高くなると共に、高い生産性が得られない問題がある。
また、屈折率の高いガラス基板を形成した後に、その表面に加工処理を施すものでは、アルミナ研磨やサンドブラストによる粗面化加工を施す場合には、屈折率の高いガラス基板はこのような粗面化加工によってマイクロクラックが発生しやすく、ガラス基板の物理的強度が低下する問題が生じる。これに対して、前述した特許文献2の従来技術では、粗面化加工後にガラス基板を薬液処理することでマイクロクラックを除去することが示されている。しかしながら、このような例においても、粗面化加工の工程が追加されるだけでなく薬液処理の工程も追加されることになり、更に処理後の薬液を乾燥除去するために所定時間を費やすことになるので、有機EL素子の透明基板を製造するに際して高い生産性を得ることができない問題がある。
また、ガラス基板の表面にエッチング加工やダイシングソーによる加工を施すことでその表面に凹凸構造を形成する従来技術においても、加工の工程が追加され、更に加工後にエッチング液の乾燥などに所定の時間を費やすことになるので、前述した従来技術と同様に有機EL素子の透明基板を製造するに際して高い生産性を得ることができない問題がある。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、樹脂フィルムを用いること無く、有機EL素子の光取り出し効率の改善を図ることができる有機EL素子用のガラス基板を提供すること、有機EL素子の光取り出し効率の改善を図ることができる有機EL素子用のガラス基板を高い生産性で製造することができること、などが本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明は、明細書に記載された幾つかの発明のうち以下の構成を具備するものである。
有機EL素子の光取り出し側透明基板となるガラス基板であって、屈折率λdが1.60以上であり、ガラス成分としてNa2O+K2Oを10〜20mol%含有し、光取り出し側表面に型成形による凹凸構造を有することを特徴とするガラス基板。
有機EL素子の光取り出し側透明基板となるガラス基板の製造方法であって、ガラス成分として、TiO2を12〜24mol%,BaOを5〜15mol,Na2O+K2Oを10〜20mol%含有する熔融ガラスを圧延又は延伸して薄板状に成形する工程と、前記工程と同時またはその後に、表面に凹凸構造を形成する型押しを行う工程を有することを特徴とするガラス基板の製造方法。
このような特徴を有する本発明によると、ガラス基板の屈折率λdを1.60以上とし、ガラス基板の光取り出し側表面に凹凸構造を設けることで、このガラス基板を光取り出し側透明基板として用いた有機EL素子の光取り出し効率を改善することが可能になる。ここでガラス基板の光取り出し側表面の凹凸構造は、型成形によって形成されるので、熔融ガラスからガラス基板を形成する圧延または延伸工程と同時又はその後の工程で速やかに成形することが可能になり、高い生産性で、有機EL素子の光取り出し効率を改善することができるガラス基板を製造することができる。
本発明の実施形態に係るガラス基板は、屈折率λdが1.60以上である。ガラス基板の屈折率λdを1.60以上にすることで、ガラス基板と透明導電層(ITOなど)や有機層との屈折率差を低減させることができ、有機層で発光した光の中でガラス基板と透明導電層などとの界面で起こる全反射によって有機EL素子内に閉じ込められる光の割合を減らすことができる。また、ガラス基板の屈折率λdは1.70以下にすることが好ましい。これによって、ガラス基板とその外側の空気層との屈折率差を比較的低く抑えることができ、有機層で発光した光の中でガラス基板と空気層の界面で起こる全反射によって有機EL素子内に閉じ込められる光の割合を減らすことができる。
ここでの屈折率は市販の屈折率測定器で測定されるd線(588nm)の屈折率であり、例えば、カルニュー光学製の精密屈折率測定装置(KPR−30V)などを用いて計測されるものである。
ガラス基板における屈折率λdは、ガラス組成によって適宜調整することができる。屈折率λdを高めるためのガラス成分は、主成分であるSiO2に対して、TiO2,BaO,ZnOなどの屈折率調整成分を適量含有させる。ガラス基板の屈折率λdを1.60以上にするためには、TiO2を12〜24mol%、好ましくは、12〜20mol%含有させ、BaOを5〜15mol%、好ましくは、10〜15mol%含有させる。更に、必要に応じて、ZnOを0〜14mol%含有させる。ここで、TiO2,BaO,ZnOはその含有率を高くすることで屈折率λdを高めることができるが、TiO2の含有率を高くし過ぎるとガラス基板の着色や結晶化が起こりやすくなり、BaOの含有率を高くし過ぎるとガラス基板の板成形が困難になり、ZnOの含有率を高くし過ぎると結晶化しやすくなる。
ガラス成分における屈折率調整成分としては、TiO2,BaO,ZnOに加えて、Al2O3,Bi2O3,La2O3,Nb2O5,Y2O3を選択的に含有させることができる。これらのガラス成分は、これらの成分の中から選択された1または複数の成分を5mol%以下含有させることが好ましい。
本発明の実施形態に係るガラス基板は、有機EL素子の光取り出し側表面に型成形による凹凸構造を有する。ガラス基板の光取り出し側表面に凹凸構造を設けることは、前述した従来技術にも記載されるように公知であり、これによって、有機層で発光した光がガラス基板と空気層との界面で全反射して有機EL素子内に閉じ込められる現象を抑止できることはよく知られている。しかしながら従来技術のように、ガラス基板表面に粗面化加工やエッチング加工などによる加工によって凹凸構造を形成しようとすると、加工による煩雑な工程が付加されることに加えて、その後の薬液処理や薬液処理後の薬液の乾燥除去の工程が付加されることになり、ガラス基板を製造する全工程の所要時間が長くなり、高い生産性を得ることができない。
これに対して、本発明の実施形態に係るガラス基板は、型成形でガラス基板の光取り出し側表面に凹凸構造を形成する。これによると、通常のガラス基板の製造で行われている熔融ガラスの圧延または延伸工程で加熱されている熔融ガラスに対して簡易に型成形の工程を付加することができ、薬液処理や薬液の乾燥除去工程を設ける必要も無いので、ガラス基板を製造する全工程の所要時間を大きく延長させること無く、ガラス基板の光取り出し側表面に凹凸構造を形成することができる。これによって、高い生産性で有機EL素子の光取り出し効率を改善することができるガラス基板を得ることができる。
このような本発明の実施形態に係るガラス基板のガラス成分としては、前述した屈折率調整成分に加えて、成形性向上成分を適量含有させている。この成形性向上成分は、1000℃以下の加熱状態で熔融ガラスが成形に適する粘度を持つために必要な成分である。この成分が含有されていないガラスは、成形に必要な粘度を得るために1000℃を遙かに超える加熱が必要になり、型成形を行う上で必要な型(金型)に過剰な耐熱性が要求させることになると共に、成形される凹凸構造の寸法や形状に制限が加わる問題が生じる。本発明の実施形態に係るガラス基板は、この成形性向上成分を適量含有させることで、例えば600〜1000℃の比較的低温で型成形に必要な適度の粘度を得ることができる。
本発明の実施形態に係るガラス基板は、成形性向上成分としてアルカリ成分を適量含有している。アルカリ成分としては、Na2OとK2Oを適量含有させている。良好な型成形性を得るためには、ガラス成分としてNa2O+K2Oを10〜20mol%含有させることが好ましい。ここでNa2Oはガラス基板の主成分であるSiO2と置換することでガラス基板の屈折率を高めることができる成分であるから、屈折率を高めるためにNa2O+K2OにおいてNa2Oの成分含有率をK2Oの成分含有率より大きくすることが好ましい。また、K2OはTiO2の結晶化を抑える効果があることから、Na2O+K2OにおいてK2Oは1〜10mol%含有することが好ましい。
図1は、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法を示している。(a)がロールアウト成形によるガラス基板の成形方法であり、(b)がスリットダウン成形によるガラス基板の成形方法である。(a)に示したロールアウト成形によると、図示省略した熔融設備から供給される熔融ガラスGmがオリフィス1を通過して第1成形ローラー2に供給される。第1成形ローラー2ではオリフィス1を通過した所定厚さの熔融ガラスを圧延または延伸して薄板状ガラスGaを形成する。そして、この薄板状ガラスGaは第1成形ローラー2を通過後に第2成形ローラー3で成形されて設定厚さのガラス基板Gbが形成される。この際、一対の第2成形ローラー3の一方の表面には凹凸構造を形成するための型が形成されており、この型を押し付けて成形することで、ガラス基板Gbの片側表面には凹凸構造が形成される。
(b)に示したスリットダウン成形によると、ロールアウト成形と同様に、図示省略した熔融設備から熔融ガラスGmが供給され、供給された熔融ガラスGmはスリットオリフィス10を通過することでカーテン状ガラスGcを形成する。このカーテン状ガラスGcを成形ローラー11で延伸することで設定厚さのガラス基板Gdが形成される。この際、一対の成形ローラー11の一方には凹凸構造を形成するための型が形成されており、この型を押し付けて成形することで、ガラス基板Gdの片側表面には凹凸構造が形成される。
図2は、図1(a)の第2成形ローラー3と図1(b)の成形ローラー11が備える型の形態例を示している。(a)に示した例は、湾曲状の凹部S1を並列した型である。この型を600〜1000℃に冷却若しくは加熱して温度調整したガラス基板の表面に押圧することで、所定の粘度を有するガラス基板G表面には湾曲凸部Mが並列された凹凸構造が形成される。(b)に示した例は、矩形断面形状の凹部S2を並列した型である。(c)に示した例は、打ち抜き部S3を並列した型である。これらの型を600〜1000℃に冷却若しくは加熱して温度調整したガラス基板の表面に押圧すると、所定の粘度を有するガラス基板G表面にはその表面張力によって湾曲凸部Mが並列された凹凸構造が形成される。
図2(b),(c)に示した型は、ガラス基板Gに形成される湾曲凸部Mの表面に接触しない型内面を有している。このような型を用いた場合には、ガラス基板Gの表面に形成される湾曲凸部Mの表面と型の内面が接触しないことで、ガラス基板G表面の泡発生を抑えることができる。これによって、ガラス基板Gに凹凸構造を形成する際の不良率を抑えることができ、歩留まりを高めて生産効率を向上させることができる。
なお、図示の例では成形ローラーの表面に型を形成しているが、ローラーではなくプレス板に前述したような形態の型を形成したものを押圧することで、ガラス基板G表面に同様の凹凸構造を形成することができる。
本発明の他の実施形態に係るガラス基板は、前述したように光取り出し側表面が型成形による凹凸構造を有するだけでなく、ガラス基板における光取り出し側表面の裏面が型成形よる凹凸構造を有している。図3は、ガラス基板Gの表裏両面に凹凸構造を設けた例を示している。ガラス基板Gの表裏両面に形成される凹凸構造は、(a)に示すように、表裏対称に形成することができ、また、(b),(c)に示すように、表裏非対称に形成することができる。(a)に示した例は、ガラス基板G(G1)の表裏両面に同じパターンで複数の湾曲凸部Mを形成することで、表裏両面に凹凸構造を形成しており、複数の湾曲凸部Mによってレンズアレイが形成されている。(b)に示した例は、ガラス基板G(G2)における表裏の一方に形成される湾曲凸部M1の径を表裏の他方に形成される湾曲凸部M2の径より大きく形成することによって、それぞれの面にレンズアレイを形成している。(c)に示した例は、ガラス基板G(G3)の表裏一方に複数の湾曲凸部Mを形成し、他方に複数の円錐又は角錐凸部Pを形成している。これによると、一方の湾曲凸部Mが形成された側にレンズアレイが形成され、他方の円錐又は角錐凸部Pが形成された側にプリズムアレイが形成されている。
図4は、ガラス基板の表裏に形成される凹凸構造の平面的な配置パターンを示している。図示の実線が表裏一方の凹凸構造パターンを示しており、図示の破線が表裏他方の凹凸構造パターンを示している。ガラス基板の表裏にそれぞれ形成される凹凸構造のパターンは、平面的にみて一致するパターンに形成することができる。また、図4(a)に示すように、表裏の湾曲凸部Mの配置パターンを、湾曲凸部Mの径の1/2だけ、直線状に配置される湾曲凸部Mの列方向に対して直交する方向にずらしたパターンにするか、図4(b)に示すように、表裏の湾曲凸部Mの配置パターンを、湾曲凸部Mの径だけ、直線状に配置される湾曲凸部Mの列方向に対して直交する方向にずらしたパターンにすることができる。
図3及び図4に示すように、ガラス基板Gの表裏両面に凹凸構造を形成する場合にも、図1及び図2に示す型押しを行う工程で両方の凹凸構造を形成する。また、図5に示すように、第1成形ローラー2又は第2成形ローラー3における一対のローラーの両方に型Sを設けることで、ガラス基板Gの表裏両面に同時に湾曲凸部Mなどからなる凹凸構造を形成することができる。これによると、ガラス基板Gの表裏両面に形成される凹凸構造の配置関係を精度良く定めることができる。
以下、本発明の実施形態に係るガラス基板のガラス成分例を示す。表1,表2,表3は、本発明の実施例と比較例を示している。表1,表2における試料No.1〜No.9が本発明の実施例であり、表3における試料No.10〜No.12が比較例である。表1〜3における各ガラス成分の配合割合の数値における単位はmol%である。
表1〜3における屈折率の測定の試料は、表中記載のガラス組成になるように調合したガラス原料250gをガラス溶融炉(白金ルツボ)に入れ、1400〜1500℃で熔融した後降温し、白金スターラで15分攪拌し、鉄製の金型(70×70×20mm)に流し込んでブロックを作る。これを電気炉に入れて降温し徐冷することでガラスを得る。このガラスから小片(約10×10×5mm)を切り出して試料とする。この試料に対して、カルニュー光学製の精密屈折率測定装置(KPR−30V)を用いてd線(588nm)の屈折率を測定した。
表1〜3における型成形性の評価は、表中記載のガラス組成になるように調合したガラス原料を1400〜1500℃で熔融し、その後薄板状に成形した後、600〜1000℃に降温した状態で、直径100〜800μmの円形平面型を押し付け、離型した後徐冷して、10〜20μm以上の凹凸差が成形されているか否かを評価する。10〜20μm以上の凹凸差が形成されている場合を「良」とし、形成されていない場合を「不良」とした。
表1及び表2の各試料に示されるように、屈折率λdが1.60以上となるガラス組成において、アルカリ成分であるNa2O+K2Oを10〜20mol%含有する試料No.1〜No.9は、型成形性が「良」であり、600〜1000℃の範囲に温度調整した状態で型押しによって光取り出し効率改善に有効な凹凸構造を形成することができる。これに対して、表3の試料No.11に示されるように、アルカリ成分を10mol%未満(Na2Oのみが5mol%)としたものでは、600〜1000℃に降温した状態では所定の凹凸差を得ることができなかった。
アルカリ成分であるNa2O+K2Oを10〜20mol%含有させるガラス組成では、屈折率を高めるためのガラス成分の一つであるBaOの含有率を5〜15mol%程度にした場合には、ガラス基板の屈折率λdを1.60以上にするために、TiO2を12〜24mol%含有させることが有効である。BaOは多く配合すると板状に成形することが困難になるので、含有率を所定の範囲に抑えることが好ましい。また、このようなガラス組成において、試料No.12のようにTiO2の含有率を25mol%以上にすると、ガラス基板の着色が大きくなり良好な透明性を確保できなくなる。
以下に、ガラス基板に型成形で凹凸構造を形成した場合の光取り出し効率改善効果について言及する。ここでは、型成形で形成することができる凹凸構造として凸レンズアレイ形状を例に挙げ、所定の条件下における光取り出し効率を光線追跡法よってシミュレーション計算した。ここでの光線追跡法は、完全拡散面の発光面からランダムに出射した光線20,000本を追跡し、凸レンズアレイを表面に有するガラス基板から外部に放射され、センサー面に到達した光線の比率を「光取り出し効率」とした。
計算条件は以下のとおりである。発光面積:10mm×10mm。発光部の厚みd1=0.2+0.2mmの二層構造、但し、発光面は最上面。発光部の屈折率:1.591。透明導電層(ITO)の厚みd2=0.0001mm。透明導電層の屈折率:2.095。ガラス基板の厚みd3=0.3mm。センサー面は、ガラス基板の0.05mm(d4)上に仮想的なセンサーを設置して光線を検出することとする。
図6にガラス基板の「光取り出し効率」をシミュレーション計算するためのモデル構成を示す。(a)が前述した発光素子の構成条件を模式化したものであり、(b)がガラス基板の表面に形成される凸レンズアレイの断面図である。
図7の(a),(b),(c)に計算結果をグラフ化して示す。(a)は、個々のレンズを曲率半径r=190μm、レンズ高さh=20μmを一定とした場合におけるレンズ面の比率(%:レンズの占有面積比率)と光取り出し効率(%)との関係を示している。図から明らかなように、レンズ面の比率を高くするほど、ガラス基板の屈折率を高くするほど、光取り出し効率を高くすることができる。特に、レンズ面の比率10〜80%の範囲でガラス基板の屈折率を1.60以上にすることで効果的に光取り出し効率を高めることができる。
(b)は、レンズ高さh=20μm、レンズ面比率=80.6%を一定とした場合におけるレンズ径d(μm)と光取り出し効率(%)との関係を示している。図から明らかなように、レンズ径を小さくするほど、ガラス基板の屈折率を高くするほど、光取り出し効率を高くすることができる。特に、レンズの直径が100〜430μmの範囲でガラス基板の屈折率を1.60以上にすることで効果的に光取り出し効率を高めることができる。
(c)は、レンズ径d=169.7μm、レンズ面比率=80.6%で一定とした場合におけるレンズ高さh(μm)と光取り出し効率(%)との関係を示している。図から明らかなように、レンズ高さを大きくするほど、ガラス基板の屈折率を高くするほど、光取り出し効率を高くすることができる。特に、レンズ高さが5〜20μmの範囲でガラス基板の屈折率を1.60以上にすることで効果的に光取り出し効率を高めることができる。
図8は、ガラス基板Gの裏面側に凹凸構造を設けた場合の有機EL素子のモデル構成を示している。有機EL素子が形成されるガラス基板Gの裏面側に凹凸構造を設ける場合には、(a)に示すように、ガラス基板Gの裏面上にガラス基板Gの屈折率より高い屈折率を有する高屈折率層100を形成して、ガラス基板Gの裏面側の平坦化を図り、その上に透明導電層101,有機層からなる発光部102,反射電極層103などを積層させることで有機EL素子を形成することができる。また、(b)に示すように、凹凸構造を設けた裏面上に、直接、透明導電層101,有機層からなる発光部102,反射電極層103などを積層させて有機EL素子を形成することもできる。いずれの構成であって、ガラス基板Gの裏面側の界面で全反射して戻される光を抑制することができるので、有機EL素子の光取り出し効率を高めることが可能になる。ここで、(a),(b)の凹凸構造は、いずれもレンズアレイやプリズムアレイなど、各種形態の凹凸構造にすることができる。
図8に示した有機EL素子のモデル構成における光取り出し効率改善効果のシミュレーション結果を以下に示す。このシミュレーション結果は前述した光線追跡法によるものである。ここでの光線追跡法は、完全拡散面の発光面からランダムに出射した光線20,000本を追跡し、ガラス基板から外部に放射される光をセンサーで検出し、センサー面に到達した光線の比率を「光取り出し効率」とした。
ここで、図8(a)に示すように、ガラス基板Gと透明導電層101との間に高屈折率層100を設けるモデルを第1モデル、図8(b)に示すように、ガラス基板Gと透明導電層101との間に高屈折率層を設けないモデルを第2モデルとする。両者に共通する計算条件は、ガラス基板G出射面とセンサーとの距離が0.05mm、ガラス基板Gの厚みd3=0.7mm、ガラス基板Gの屈折率が1.65、透明導電層101の厚みd2=0.00015mm、その屈折率が1.9、発光部102の厚みd1=0.0002mm、その屈折率が1.7、反射電極層103の反射率を85%とする。
<第1モデル>
発光面積:10mm×10mm。
高屈折率層100の厚みda=0.02mm、その屈折率が1.9。
ガラス基板Gの光取り出し側表面の凹凸構造:レンズアレイ(上側に凸レンズでハニカム配置、レンズ径d=0.08mm、レンズ高さh=0.025mm、レンズピッチp=0.085mm(図6参照))。
ガラス基板Gの裏面側(透明導電層側)の凹凸構造:プリズムアレイ(プリズム高さLh=0.025mm,プリズム底辺Lb=0.05mm(図8(a)参照))。
シミュレーション結果を表4に示す。
発光面積:10mm×10mm。
高屈折率層100の厚みda=0.02mm、その屈折率が1.9。
ガラス基板Gの光取り出し側表面の凹凸構造:レンズアレイ(上側に凸レンズでハニカム配置、レンズ径d=0.08mm、レンズ高さh=0.025mm、レンズピッチp=0.085mm(図6参照))。
ガラス基板Gの裏面側(透明導電層側)の凹凸構造:プリズムアレイ(プリズム高さLh=0.025mm,プリズム底辺Lb=0.05mm(図8(a)参照))。
シミュレーション結果を表4に示す。
<第2モデル>
発光面積:2mm×2mm。
ガラス基板Gの光取り出し側表面の凹凸構造:レンズアレイ(上側に凸レンズでハニカム配置、レンズ径d=0.08mm、レンズ高さh=0.025mm、レンズピッチp=0.085mm(図6参照))。
ガラス基板Gの裏面側(透明導電層側)の凹凸構造:レンズアレイ(同上)。
シミュレーション結果を表5に示す。
発光面積:2mm×2mm。
ガラス基板Gの光取り出し側表面の凹凸構造:レンズアレイ(上側に凸レンズでハニカム配置、レンズ径d=0.08mm、レンズ高さh=0.025mm、レンズピッチp=0.085mm(図6参照))。
ガラス基板Gの裏面側(透明導電層側)の凹凸構造:レンズアレイ(同上)。
シミュレーション結果を表5に示す。
このようなシミュレーション結果から明らかなように、ガラス基板Gにおける光取り出し側表面と裏面の両方に凹凸構造を形成することで、より効果的に光取り出し効率の改善を図ることができる。
本発明の実施形態に係るガラス基板を光取り出し側透明基板として用いた有機EL素子は、前述したように効果的に光取り出し効率を高めることができる。このガラス基板を用いた有機EL素子は、各種用途の有機EL装置の発光要素として採用することができるが、特に、省電力消費で高輝度を得ることが求められる有機EL照明装置に採用することで、装置性能を高めることができる。
1:オリフィス,2:第1成形ローラー,3:第2成形ローラー,
10:スリットオリフィス,11:成形ローラー,
Gm:熔融ガラス,Ga:薄板状ガラス,
Gc:カーテン状ガラス,G(G1,G2,G3),Gb,Gd:ガラス基板,
M,M1,M2:湾曲凸部,P:円錐又は角錐凸部,
100:高屈折率層,101:透明導電層,102:発光部,103:反射電極層
10:スリットオリフィス,11:成形ローラー,
Gm:熔融ガラス,Ga:薄板状ガラス,
Gc:カーテン状ガラス,G(G1,G2,G3),Gb,Gd:ガラス基板,
M,M1,M2:湾曲凸部,P:円錐又は角錐凸部,
100:高屈折率層,101:透明導電層,102:発光部,103:反射電極層
Claims (14)
- 有機EL素子の光取り出し側透明基板となるガラス基板であって、
屈折率λdが1.60以上であり、ガラス成分としてNa2O+K2Oを10〜20mol%含有し、
光取り出し側表面が凹凸構造を有することを特徴とするガラス基板。 - ガラス成分として、TiO2を12〜24mol%、BaOを5〜15mol%含有することを特徴とする請求項1記載のガラス基板。
- Na2Oの成分含有率をK2Oの成分含有率より大きくしたことを特徴とする請求項1又は2記載のガラス基板。
- ガラス成分として、K2Oを1〜10mol%含有させることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基板。
- 前記ガラス基板における光取り出し側表面の裏面が凹凸構造を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス基板。
- 前記ガラス基板における光取り出し側表面の凹凸構造と前記裏面の凹凸構造は、表裏対称に形成されることを特徴とする請求項5記載のガラス基板。
- 前記ガラス基板における光取り出し側表面の凹凸構造と前記裏面の凹凸構造は、表裏非対称に形成されることを特徴とする請求項5記載のガラス基板。
- 前記凹凸構造は、レンズアレイであることを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載されたガラス基板。
- 表面及び裏面の前記凹凸構造の一方がレンズアレイであり他方がプリズムアレイであることを特徴とする請求項7記載のガラス基板。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載されたガラス基板を備えた有機EL照明装置。
- 請求項5〜9のいずれか1項に記載されたガラス基板を備えた有機EL照明装置であって、
前記裏面上には当該ガラス基板の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率層が形成され、該高屈折率層の上側に有機EL素子の透明導電層が形成されていることを特徴とする有機EL照明装置。 - 有機EL素子の光取り出し側透明基板となるガラス基板の製造方法であって、
ガラス成分として、TiO2を10〜24mol%,BaOを5〜15mol%,Na2O+K2Oを10〜20mol%含有する熔融ガラスを圧延又は延伸して薄板状に成形する工程と、
前記工程と同時またはその後に、ガラス基板の表面に凹凸構造を形成する型押しを行う工程を有することを特徴とするガラス基板の製造方法。 - 前記型押しを行う工程で用いられる型は、ガラス基板に形成される湾曲凸部の表面に接触しない型内面を有することを特徴とする請求項12に記載されたガラス基板の製造方法。
- 前記型押しを行う工程は、前記ガラス基板の表裏に対して同時に行うことを特徴とする請求項12又は13に記載されたガラス基板の製造方法。
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