JPWO2010084955A1 - 素子搭載用基板、およびこれを用いた素子収納用パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
上述の実施形態では、図3に示すように、主面31aに電力用半導体素子4が装着される素子搭載部31と、素子搭載部31の裏面31bから突出された複数の柱部32と、複数の柱部32の下面32aと接合された基体2とを備えた素子搭載用基板について説明した。しかしながら、このような構成であっても、電力用半導体素子4の種類や使用状況等によっては、電力用半導体素子4から発せられる熱を、放熱し過ぎる場合がある。そこで、変形例1に係る素子搭載用基板1aでは、図5に示すように、支持体3aに、複数の柱部32の下面32aと接続された底板33が含まれている例について説明する。なお、図5において、図3と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
上述の変形例1では、図5に示すように、主面31aに半導体素子4が装着される平板状の素子搭載部31と、素子搭載部31の裏面31bから突出された複数の柱部32と、複数の柱部32の下面32aと接続された底板33と、底板33と接合された基体2とを備えた素子搭載用基板について説明した。しかしながら、このような構成であっても、電力用半導体素子4の種類や使用状況等によっては、電力用半導体素子4から発せられる熱を、放熱し過ぎる場合がある。そこで、変形例2に係る素子搭載用基板1bでは、図6に示すように、支持体3bに、素子搭載部31の裏面31bに接続され、かつ複数の柱部32を囲むようにして囲繞部が設けられている。ここでは、囲繞部として、側面板34を例に説明する。なお、図6において、図3と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
上述の変形例2では、図6に示すように、主面31aに電力用半導体素子4が装着される平板状の素子搭載部31と、素子搭載部31の裏面31bから突出された複数の柱部32と、素子搭載部4の裏面31bに接続され、かつ複数の柱部32を囲むようにして設けられた側面板34と、複数の柱部32の下面32aおよび側面板34の下面34aと接合された基体2とを備えた素子搭載用基板について説明した。しかしながら、このような構成であっても、電力用半導体素子4の種類や使用状況等によっては、電力用半導体素子4から発せられる熱を、放熱し過ぎる場合がある。そこで、変形例3に係る素子搭載用基板1cでは、図7に示すように、支持体3cに、複数の柱部32の下面32aおよび側面板35の下面35aと接続された底板36が含まれている例について説明する。なお、図7において、図3と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図8に示すように、変形例4に係る素子収納用パッケージ1dは、図1に示す支持体3の代わりに、支持体3dを備えている。なお、図8において、図3と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
上述の実施形態、および変形例1〜4では、素子収納用パッケージ1,1a〜1d内に、支持体3,3a〜3d、および電力用半導体素子4のみを収納する例について説明した。しかしながら、図9に示すように、素子収納用パッケージ1e内に、支持体3および電力用半導体素子4とともに、基体2の上面に接合された台座11と、台座11の上面に装着された電子部品12とをさらに収納してもよい。すなわち、枠体5は、基体2の上面であって、かつ電力用半導体素子4および電子部品12を囲むようにして設けられている。ここで、電子部品12は、例えば、抵抗器、圧電素子、水晶振動子又はセラミック発振子等である。このようにすると、素子収納用パッケージ1e内に、電力用半導体素子4および電子部品12の双方を収納することができる。なお、電子部品12の代わりに、半導体素子(例えば、SiC製半導体素子、Si製半導体素子、窒化ガリウム又はダイヤモンド等を用いた半導体素子)であってもよい。
上述の変形例5における図9では、台座11が、直方体である例について図示した。しかしながら、上述の変形例5では、電力用半導体素子4から発せられる熱が、支持体3、基体2、および台座11を介して、電子部品12へ伝わることになる。このため、電子部品12は、電力用半導体素子4から発せられる熱の影響を大きく受けることになる。そのため、電力用半導体素子4から発せられる熱によって、電子部品12が故障する可能性がある。そこで、変形例6では、図10に示すように、柱部132間における基体2に切欠部14が形成されている例について説明する。なお、電子部品12の代わりに、半導体素子(例えば、SiC製半導体素子、Si製半導体素子、窒化ガリウム又はダイヤモンド等を用いた半導体素子)であってもよい。
上述の実施形態では、図3に示すように、主面31aに電力用半導体素子4が装着される素子搭載部31と、素子搭載部31の裏面31bから突出された複数の柱部32と、複数の柱部32の下面32aと接合された基体2とを備えた素子搭載用基板について説明した。しかしながら、このような構成であっても、電力用半導体素子4の種類や使用状況等によっては、電力用半導体素子4から発せられる熱を、放熱し過ぎる場合がある。そこで、図11に示すように、変形例7に係る素子収納用パッケージ1dは、図1に示す柱部同士の間に設けられる空間P1の代わりに、柱部同士の間に保温材料P2が設けられている。なお、図11において、図3と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
上述の変形例2では、図6に示すように、主面31aに電力用半導体素子4が装着される平板状の素子搭載部31と、素子搭載部31の裏面31bから突出された複数の柱部32と、素子搭載部31の裏面31bに接続され、かつ複数の柱部32を囲むようにして設けられた側面板34と、複数の柱部32の下面32aおよび側面板34の下面34aと接合された基体2とを備えた素子搭載用基板について説明した。しかしながら、このような構成であっても、電力用半導体素子4の種類や使用状況等によっては、電力用半導体素子4から発せられる熱を、放熱し過ぎる場合がある。そこで、変形例3に係る素子搭載用基板1cでは、図7に示すように、支持体3cに、複数の柱部32の下面32aおよび側面板35の下面35aと接続された底板36が含まれている例について説明する。なお、図7において、図3と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
Claims (8)
- 一方主面に電力用半導体素子を装着するための素子搭載部を有する支持体であって、前記搭載面に対して厚み方向に離間させて設けられ、互いに間隔を空けて配置された複数の柱部を有する支持体と、
前記柱部間に設けられ、前記支持体よりも熱伝導率が低い蓄熱領域と、を備えた素子搭載用基板。 - 請求項1に記載の素子搭載用基板であって、
前記柱部で前記支持体に接合された基体を更に備え、
前記柱部間における前記基体に切欠部が形成されている素子搭載用基板。 - 請求項1又は請求項2に記載の素子搭載用基板であって、
前記支持体は、前記複数の柱部を囲むようにして設けられた囲繞部を更に有する、素子搭載用基板。 - 上面に電力用半導体素子が装着される支持体と、
前記支持体の下面と接合された基体とを備え、
前記支持体には、内部に複数の気孔が形成されている、素子搭載用基板。 - 請求項4に記載の素子搭載用基板であって、
前記支持体の内部に形成された複数の気孔の気孔率は、前記支持体における前記電力用半導体素子側から前記基体側へ向かうに従って、高くなっている、素子搭載用基板。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の素子搭載用基板であって、
前記電力用半導体素子は、SiCからなる半導体素子である、素子搭載用基板。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の素子搭載用基板と、
前記素子搭載用基板を内部に収容し、かつ前記電力用半導体素子を囲むようにして設けられた枠体と、
前記枠体の上面に接合された蓋体とを備えた、素子収納用パッケージ。 - 請求項7に記載の素子収納用パッケージであって、
前記枠体内に、電子部品が装着される台座を更に備えた、素子収納用パッケージ。
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US5144412A (en) * | 1987-02-19 | 1992-09-01 | Olin Corporation | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby |
EP0434264B1 (en) * | 1989-12-22 | 1994-10-12 | Westinghouse Electric Corporation | Package for power semiconductor components |
US5148265A (en) * | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US5158912A (en) * | 1991-04-09 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Integral heatsink semiconductor package |
US5206460A (en) * | 1991-07-24 | 1993-04-27 | Yang Mu K | Oscillator package |
JPH0567658A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Advantest Corp | Icキヤリア |
US5736787A (en) * | 1996-07-11 | 1998-04-07 | Larimer; William R. | Transistor package structured to provide heat dissipation enabling use of silicon carbide transistors and other high power semiconductor devices |
JPH11111898A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Zojirushi Vacuum Bottle Co | 半導体素子の冷却装置 |
US5930666A (en) * | 1997-10-09 | 1999-07-27 | Astralux, Incorporated | Method and apparatus for packaging high temperature solid state electronic devices |
KR100259080B1 (ko) * | 1998-02-11 | 2000-06-15 | 김영환 | 히트 스프레드를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한반도체 패키지 |
KR100506534B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2005-08-05 | 긴세키 가부시키가이샤 | 압전진동자를 사용한 발진회로용 용기, 그 제조방법 및발진기 |
US6683368B1 (en) * | 2000-06-09 | 2004-01-27 | National Semiconductor Corporation | Lead frame design for chip scale package |
US6292367B1 (en) * | 2000-06-22 | 2001-09-18 | International Business Machines Corporation | Thermally efficient semiconductor chip |
US6541310B1 (en) * | 2000-07-24 | 2003-04-01 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Method of fabricating a thin and fine ball-grid array package with embedded heat spreader |
US6894903B2 (en) * | 2001-02-28 | 2005-05-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical data link |
JP2004296726A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 放熱部材および半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
US6921971B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-07-26 | Kyocera Corporation | Heat releasing member, package for accommodating semiconductor element and semiconductor device |
JP4133635B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2008-08-13 | 株式会社豊田自動織機 | 電機器システム、電機器モジュールの冷却装置およびその冷却装置用多孔質放熱体 |
US20050110168A1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-05-26 | Texas Instruments Incorporated | Low coefficient of thermal expansion (CTE) semiconductor packaging materials |
US7196907B2 (en) * | 2004-02-09 | 2007-03-27 | Wen-Chun Zheng | Elasto-plastic sockets for Land or Ball Grid Array packages and subsystem assembly |
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JP4568202B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2010-10-27 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP4811936B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2011-11-09 | オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 | 電子機器の製造方法、電子機器 |
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US20080130935A1 (en) * | 2006-09-27 | 2008-06-05 | Yamaha Corporation | Microphone package |
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US20100019379A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Broadcom Corporation | External heat sink for bare-die flip chip packages |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
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