JP2003152127A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よ
く放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生す
る。 【解決手段】上面に半導体素子４が載置される載置部１
ａを有し、該載置部１ａより外部にかけて導出する半導
体素子４の各電極が接続される配線層６を有する絶縁基
体１と、前記絶縁基体１の上面に取着され、前記半導体
素子４が載置される載置部１ａを封止する蓋体２と、前
記絶縁基体１の下面に取着されている放熱体３とからな
る半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体
１は熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結
体からなり、かつ放熱体３は６５乃至９５重量％の立方
晶窒化硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る。
く放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生す
る。 【解決手段】上面に半導体素子４が載置される載置部１
ａを有し、該載置部１ａより外部にかけて導出する半導
体素子４の各電極が接続される配線層６を有する絶縁基
体１と、前記絶縁基体１の上面に取着され、前記半導体
素子４が載置される載置部１ａを封止する蓋体２と、前
記絶縁基体１の下面に取着されている放熱体３とからな
る半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体
１は熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結
体からなり、かつ放熱体３は６５乃至９５重量％の立方
晶窒化硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ（大規模集積
回路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素子
収納用パッケージに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体
から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部から外部にかけて導出するタングステンや
モリブデン等から成る複数個の配線層を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の上面に取着され、前記半導体素子が
載置される載置部を封止する蓋体と、前記絶縁基体の下
面に取着されている放熱体とにより構成されており、絶
縁基体の半導体素子載置部に半導体素子をガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに該
半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して配線
層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体
をガラス、樹脂、ロウ材等からなる封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とからなる容器内部に半導体素子
を気密に収容することによって製品としての半導体装置
となる。 【０００３】また前記絶縁基体の下面には銅−タングス
テン合金や銅−モリブデン合金等の金属材料からなる放
熱体が取着されており、半導体素子の作動時に発する熱
を外部に良好に放散させて半導体素子を常に適温とし半
導体素子に熱破壊が発生したり、特性に熱劣化が発生し
たりするのを有効に防止している。 【０００４】なお上述の半導体素子収納用パッケージの
放熱体として使用される銅−タングステン合金や銅−モ
リブデン合金はタングステン粉末やモリブデン粉末を焼
成して焼結多孔体を得、次に前記焼結多孔体の空孔内に
溶融させた銅を含浸させることによって製作されてお
り、例えば、タングステンから成る焼結多孔体の空孔内
に溶融させた銅を含浸させる場合は焼結多孔体が８０乃
至９５重量％、銅が５乃至２０重量％の範囲に、モリブ
デンから成る焼結多孔体に銅を含浸させる場合は焼結多
孔体が８５乃至９５重量％、銅が５乃至１５重量％の範
囲となっている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
が酸化アルミニウム質焼結体から成り、熱伝導率が２０
Ｗ／ｍ・Ｋと低いこと、放熱体がタングステン粉末やモ
リブデン粉末を焼成して焼結多孔体を得るとともに該焼
結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによ
って形成されており、熱伝導率が約１８０Ｗ／ｍ・Ｋ程
度であること等から半導体素子収納用パッケージ内に近
時の高密度化、高集積化が大きく進み、作動時に多量の
熱を発する半導体素子を収容した場合、半導体素子が作
動時に発する熱は絶縁基体及び放熱体を介して外部に完
全に放出させることができなくなり、その結果、半導体
素子が該素子自身の発する熱によって高温となり、半導
体素子に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきを生じ
安定に作動させることができないという欠点を有してい
た。 【０００６】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体及び放熱体の熱伝導率を高いも
のとし、半導体素子が作動時に発する多量の熱を絶縁基
体及び放熱体を介して外部に良好に放出させて半導体素
子を常に適温となし半導体素子を常に正常、かつ安定に
作動させることができる半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上面に半導体
素子が載置される載置部を有し、該載置部より外部にか
けて導出する半導体素子の各電極が接続される配線層を
有する絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に取着され、前
記半導体素子が載置される載置部を封止する蓋体と、前
記絶縁基体の下面に取着されている放熱体とからなる半
導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体は熱
伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体から
なり、かつ放熱体が６５乃至９５重量％の立方晶窒化硼
素と、５乃至３５重量％の銅とから成ることを特徴とす
るものである。 【０００８】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、絶縁基体を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラ
ミックス焼結体で、放熱体を立方晶窒化硼素が６５乃至
９５重量％、銅が５乃至３５重量％から成る熱伝導率が
７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした立方晶窒化硼素−銅で形成
したことから半導体素子が作動時に多量の熱を発したと
してもその熱は熱伝導率が高い絶縁基体及び放熱体を介
して外部に効率よく放散され、これによって半導体素子
は常に適温となり、半導体素子を長期間にわたり安定か
つ正常に作動させることが可能となる。 【０００９】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、放熱体を６５乃至９５重量％の立方晶窒化硼
素と、５乃至３５重量％の銅とで形成したことから、放
熱体の線熱膨張係数を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体等のセラ
ミックス焼結体からなる絶縁基体の線熱膨張係数に近似
させることができ、その結果、絶縁基体の下面に放熱体
を取着させる際や半導体素子が作動した際等において絶
縁基体と放熱体の両者に熱が作用したとしても絶縁基体
と放熱体との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生することはなく、これによって放
熱体を絶縁基体に割れやクラックを発生させることなく
強固に取着させて半導体素子が作動時に発する熱を常に
外部に良好に放出させることが可能となる。 【００１０】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に示す実
施例に基づき詳細に説明する。図１は本発明の半導体素
子収納用パッケージの一実施例を示す断面図である。 【００１１】図１において、１は絶縁基体、２は蓋体、
３は放熱体である。この絶縁基体１と蓋体２とにより内
部に半導体素子４を気密に収容する容器５が構成され
る。 【００１２】前記絶縁基体１はその上面に半導体素子３
が載置される載置部１ａを有する凹部が形成されてお
り、該凹部底面の載置部１ａに半導体素子４がガラス、
樹脂、ロウ材等の接着材を介して接着固定される。 【００１３】前記絶縁基体１は半導体素子４を支持する
支持部材として作用するとともに半導体素子４が作動時
に発する熱を吸収して後述する放熱体３に良好に伝達さ
せる作用をなし、窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体、窒化珪素質焼結体等の熱伝導率が７０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上のセラミックス焼結体により形成されている。 【００１４】前記絶縁基体１は例えば、窒化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合には窒化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化イットリ
ウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶
剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来
周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用
することによってセラミックグリーンシート（セラミッ
ク生シート）を形成し、次に前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとと
もに必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しか
る後、これを１６００℃の温度で焼成することによって
製作される。 【００１５】また前記絶縁基体１は凹部の内側から外側
にかけて導出する複数個の配線層６が形成されており、
凹部内側の領域には半導体素子４の電極がボンディング
ワイヤ７を介して電気的に接続され、また外側に導出す
る領域には外部電気回路に接続される外部リード端子８
が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されている。 【００１６】前記配線層６は半導体素子４の各電極を外
部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タング
ステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に
より形成されている。 【００１７】前記配線層６はタングステン、モリブデ
ン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストを絶
縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周
知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いることにより所
定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１
の凹部内側から外側にかけて被着形成される。 【００１８】なお前記配線層６はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に
優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法により
被着させておくと、配線層６の酸化腐蝕を有効に防止す
ることができるとともに配線層６への外部リード端子８
のロウ付けを強固となすことができる。従って、前記配
線層６はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に
優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２
０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。 【００１９】また前記配線層６には外部リード端子８が
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されており、該
外部リード端子８は容器５内部に収容する半導体素子４
の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をな
し、外部リード端子８を外部電気回路に接続することに
よって容器５内部に収容される半導体素子４は配線層６
および外部リード端子８を介して外部電気回路に電気的
に接続されることとなる。 【００２０】前記外部リード端子８は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
インゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成
される。 【００２１】更に前記絶縁基体１はその下面に放熱体３
が取着されており、該放熱体３は半導体素子４が作動時
に発した熱を絶縁基体１を介して吸収するとともに吸収
した熱を大気中に放出する作用をなし、立方晶窒化硼素
−銅により形成されている。 【００２２】前記立方晶窒化硼素−銅より成る放熱体３
は、例えば、溶融させた銅に平均粒径５μｍ程度の立方
晶窒化硼素粉末を分散混入させることによって製作され
る。 【００２３】また前記放熱体３の絶縁基体１下面への取
着は絶縁基体１の下面に予め金属層を形成しておき、該
金属層と放熱体３とを銀ロウ等のロウ材を介しロウ付け
することによって行われる。 【００２４】また更に前記絶縁基体１はその上面に蓋体
２がガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して接合さ
れ、これによって絶縁基体１と蓋体２とから成る容器５
内部に半導体素子４が気密に収容されることとなる。 【００２５】前記蓋体２はセラミックス製の板材や鉄−
ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材
から成る板材により形成されている。 【００２６】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の半導体素子載置部１ａ上に半
導体素子４をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して
接着固定するとともに該半導体素子４の各電極をボンデ
ィングワイヤ７を介して所定の配線層６に接続させ、し
かる後、前記絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹
脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器５内部に半導体素子４を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。 【００２７】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いては、絶縁基体１を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
セラミックス焼結体で形成しておくことが重要である。 【００２８】前記絶縁基体１を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上のセラミックス焼結体で形成しておくと半導体素
子４が作動時に発した多量の熱は絶縁基体１を介して放
熱体３に効率よく伝達され、これによって半導体素子４
は常に適温と成り、半導体素子４を常に正常、かつ安定
に作動させることができる。 【００２９】なお、前記絶縁基体１はその熱伝導率が７
０Ｗ／ｍ・Ｋ未満となると半導体素子４が作動時に発し
た多量の熱を放熱体３に効率よく伝達させることができ
なくなり、その結果、半導体素子４が該素子自身の発す
る熱によって高温となり、熱破壊や特性に熱劣化等を招
来してしまう。従って、前記絶縁基体１はその熱伝導率
が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体に特定され
る。 【００３０】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
においては、前記放熱体３を６５乃至９５重量％の立方
晶窒化硼素と、５乃至３５重量％の銅とで形成しておく
ことが重要である。 【００３１】前記放熱体３を６５乃至９５重量％の立方
晶窒化硼素と、５乃至３５重量％の銅とで形成すると、
放熱体３の熱伝導率が７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となり、そ
の結果、半導体素子４が作動時に多量の熱を発したとし
てもその熱は熱伝導率が高い絶縁基体１及び放熱体３を
介して外部に効率よく放散され、これによって半導体素
子４は常に適温となり、半導体素子４を長期間にわたり
安定かつ正常に作動させることが可能となる。 【００３２】また上述の６５乃至９５重量％の立方晶窒
化硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る放熱体３はそ
の線熱膨張係数が熱伝導率７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化ア
ルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体等のセラミック
焼結体から成る絶縁体１の線熱膨張係数に近似する５ｐ
ｐｍ／℃乃至７．５ｐｐｍ／℃（室温〜８００℃）とな
り、その結果、絶縁基体１に放熱体３を取着させる際や
半導体素子４が作動した際において絶縁基体１と放熱体
３の両者に熱が作用したとしても絶縁基体１と放熱体３
との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな
熱応力が発生することはなく、これによって放熱体３を
絶縁基体１に割れやクラックを発生させることなく強固
に取着させて半導体素子４が作動時に発する熱を常に外
部に良好に放出させることができる。 【００３３】なお前記基体１は立方晶窒化硼素の量が９
５重量％を超えると、言い換えれば銅の量が５重量％未
満となると、基体１の線熱膨張係数が枠状絶縁体２の線
熱膨張係数に対して大きく相違することとなり、その結
果、基体１に枠状絶縁体２を強固に取着させておくこと
ができなくなってしまい、また立方晶窒化硼素の量が６
５重量％未満となると、言い換えれば銅の量が３５重量
％を超えると基体１の熱伝導率を７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
の高いものと成すことができず、半導体素子４が作動時
に多量の熱を発した場合、その熱を基体１を介して外部
に完全に放散させることができなくなり、その結果、半
導体素子４を高温として、半導体素子４に熱破壊を招来
させたり、特性にばらつきが生じ安定に作動させること
ができなくなってしまう。従って、前記基体１は立方晶
窒化硼素の量が６５乃至９５重量％の範囲に、銅の量が
５乃至３５重量％の範囲に特定される。 【００３４】また前記６５乃至９５重量％の立方晶窒化
硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る基体１は窒化硼
素が六方晶のものは熱伝導率が悪く基体１としての特性
を充分に発揮することができず、これに対し立方晶のも
のは熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、基体１
の熱伝導率を７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものになすこ
とができるため立方晶のものに特定される。 【００３５】前記立方晶窒化硼素は、例えば、まず圧力
２６６Ｐａ以下、温度１９５０℃以上、蒸着速度１００
μｍ／ｈ以下において原料であるＢＣｌ2及びＮＨ3ガス
を高流速（１００ｍ／ｓ以上）で基材に上に吹き付けて
Ｐ−ＢＮ（六方晶窒化硼素）を作成し、次に圧力、温度
を上昇させ、所要の温度・圧力（１５００〜２１００
℃、５〜６ＧＰａ）で一定時間（０．５〜２ｈ）保持し
て高温処理を行いＰ−ＢＮをＣＢＮ（立方晶窒化硼素）
に変えることによって製作される。 【００３６】更に前記６５乃至９５重量％の立方晶窒化
硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る基体１は立方晶
窒化硼素の表面に酸化物膜やチタン、ジルコン、ハフニ
ウム等の活性金属膜を０．０５μｍ乃至１μｍ程度の厚
みに被着させておくと立方晶窒化硼素と銅とが強固に被
着し、基体１としての信頼性が大幅に向上する。従っ
て、前記基体１は表面に酸化物膜や活性金属膜を０．０
５μｍ乃至１μｍ程度の厚みに被着させた立方晶窒化硼
素と銅とで形成しておくことが好ましい。 【００３７】前記立方晶窒化硼素の表面に酸化物膜や活
性金属膜を被着させる方法としては、スパッタリングや
蒸着等を採用することによって行われる。 【００３８】また更に前記基体１は溶融させた銅に立方
晶窒化硼素粉末を分散混入させて形成した場合、基体１
のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度
の軟質なものとなり、その結果、基体１上に半導体素子
を載置させた後、基体１と半導体素子４に熱が作用して
両者間に熱応力が発生したとしてもその熱応力は基体１
を若干変形させることによって効率よく吸収され、半導
体素子４が基体１より剥離したり、半導体素子４に割れ
やクラックを発生したりすることがなく半導体素子４を
常に正常かつ安定に作動させることができる。 【００３９】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。 【００４０】 【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセ
ラミックス焼結体で、放熱体を立方晶窒化硼素が６５乃
至９５重量％、銅が５乃至３５重量％から成る熱伝導率
が７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした立方晶窒化硼素−銅で形
成したことから半導体素子が作動時に多量の熱を発した
としてもその熱は熱伝導率が高い絶縁基体及び放熱体を
介して外部に効率よく放散され、これによって半導体素
子は常に適温となり、半導体素子を長期間にわたり安定
かつ正常に作動させることが可能となる。 【００４１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、放熱体を６５乃至９５重量％の立方晶窒化硼
素と、５乃至３５重量％の銅とで形成したことから、放
熱体の線熱膨張係数を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体等のセラ
ミックス焼結体からなる絶縁基体の線熱膨張係数に近似
させることができ、その結果、絶縁基体の下面に放熱体
を取着させる際や半導体素子が作動した際等において絶
縁基体と放熱体の両者に熱が作用したとしても絶縁基体
と放熱体との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生することはなく、これによって放
熱体を絶縁基体に割れやクラックを発生させることなく
強固に取着させて半導体素子が作動時に発する熱を常に
外部に良好に放出させることが可能となる。
回路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素子
収納用パッケージに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体
から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部から外部にかけて導出するタングステンや
モリブデン等から成る複数個の配線層を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の上面に取着され、前記半導体素子が
載置される載置部を封止する蓋体と、前記絶縁基体の下
面に取着されている放熱体とにより構成されており、絶
縁基体の半導体素子載置部に半導体素子をガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに該
半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して配線
層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体
をガラス、樹脂、ロウ材等からなる封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とからなる容器内部に半導体素子
を気密に収容することによって製品としての半導体装置
となる。 【０００３】また前記絶縁基体の下面には銅−タングス
テン合金や銅−モリブデン合金等の金属材料からなる放
熱体が取着されており、半導体素子の作動時に発する熱
を外部に良好に放散させて半導体素子を常に適温とし半
導体素子に熱破壊が発生したり、特性に熱劣化が発生し
たりするのを有効に防止している。 【０００４】なお上述の半導体素子収納用パッケージの
放熱体として使用される銅−タングステン合金や銅−モ
リブデン合金はタングステン粉末やモリブデン粉末を焼
成して焼結多孔体を得、次に前記焼結多孔体の空孔内に
溶融させた銅を含浸させることによって製作されてお
り、例えば、タングステンから成る焼結多孔体の空孔内
に溶融させた銅を含浸させる場合は焼結多孔体が８０乃
至９５重量％、銅が５乃至２０重量％の範囲に、モリブ
デンから成る焼結多孔体に銅を含浸させる場合は焼結多
孔体が８５乃至９５重量％、銅が５乃至１５重量％の範
囲となっている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
が酸化アルミニウム質焼結体から成り、熱伝導率が２０
Ｗ／ｍ・Ｋと低いこと、放熱体がタングステン粉末やモ
リブデン粉末を焼成して焼結多孔体を得るとともに該焼
結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによ
って形成されており、熱伝導率が約１８０Ｗ／ｍ・Ｋ程
度であること等から半導体素子収納用パッケージ内に近
時の高密度化、高集積化が大きく進み、作動時に多量の
熱を発する半導体素子を収容した場合、半導体素子が作
動時に発する熱は絶縁基体及び放熱体を介して外部に完
全に放出させることができなくなり、その結果、半導体
素子が該素子自身の発する熱によって高温となり、半導
体素子に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきを生じ
安定に作動させることができないという欠点を有してい
た。 【０００６】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体及び放熱体の熱伝導率を高いも
のとし、半導体素子が作動時に発する多量の熱を絶縁基
体及び放熱体を介して外部に良好に放出させて半導体素
子を常に適温となし半導体素子を常に正常、かつ安定に
作動させることができる半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上面に半導体
素子が載置される載置部を有し、該載置部より外部にか
けて導出する半導体素子の各電極が接続される配線層を
有する絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に取着され、前
記半導体素子が載置される載置部を封止する蓋体と、前
記絶縁基体の下面に取着されている放熱体とからなる半
導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体は熱
伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体から
なり、かつ放熱体が６５乃至９５重量％の立方晶窒化硼
素と、５乃至３５重量％の銅とから成ることを特徴とす
るものである。 【０００８】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、絶縁基体を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラ
ミックス焼結体で、放熱体を立方晶窒化硼素が６５乃至
９５重量％、銅が５乃至３５重量％から成る熱伝導率が
７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした立方晶窒化硼素−銅で形成
したことから半導体素子が作動時に多量の熱を発したと
してもその熱は熱伝導率が高い絶縁基体及び放熱体を介
して外部に効率よく放散され、これによって半導体素子
は常に適温となり、半導体素子を長期間にわたり安定か
つ正常に作動させることが可能となる。 【０００９】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、放熱体を６５乃至９５重量％の立方晶窒化硼
素と、５乃至３５重量％の銅とで形成したことから、放
熱体の線熱膨張係数を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体等のセラ
ミックス焼結体からなる絶縁基体の線熱膨張係数に近似
させることができ、その結果、絶縁基体の下面に放熱体
を取着させる際や半導体素子が作動した際等において絶
縁基体と放熱体の両者に熱が作用したとしても絶縁基体
と放熱体との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生することはなく、これによって放
熱体を絶縁基体に割れやクラックを発生させることなく
強固に取着させて半導体素子が作動時に発する熱を常に
外部に良好に放出させることが可能となる。 【００１０】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に示す実
施例に基づき詳細に説明する。図１は本発明の半導体素
子収納用パッケージの一実施例を示す断面図である。 【００１１】図１において、１は絶縁基体、２は蓋体、
３は放熱体である。この絶縁基体１と蓋体２とにより内
部に半導体素子４を気密に収容する容器５が構成され
る。 【００１２】前記絶縁基体１はその上面に半導体素子３
が載置される載置部１ａを有する凹部が形成されてお
り、該凹部底面の載置部１ａに半導体素子４がガラス、
樹脂、ロウ材等の接着材を介して接着固定される。 【００１３】前記絶縁基体１は半導体素子４を支持する
支持部材として作用するとともに半導体素子４が作動時
に発する熱を吸収して後述する放熱体３に良好に伝達さ
せる作用をなし、窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体、窒化珪素質焼結体等の熱伝導率が７０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上のセラミックス焼結体により形成されている。 【００１４】前記絶縁基体１は例えば、窒化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合には窒化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化イットリ
ウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶
剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来
周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用
することによってセラミックグリーンシート（セラミッ
ク生シート）を形成し、次に前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとと
もに必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しか
る後、これを１６００℃の温度で焼成することによって
製作される。 【００１５】また前記絶縁基体１は凹部の内側から外側
にかけて導出する複数個の配線層６が形成されており、
凹部内側の領域には半導体素子４の電極がボンディング
ワイヤ７を介して電気的に接続され、また外側に導出す
る領域には外部電気回路に接続される外部リード端子８
が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されている。 【００１６】前記配線層６は半導体素子４の各電極を外
部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タング
ステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に
より形成されている。 【００１７】前記配線層６はタングステン、モリブデ
ン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストを絶
縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周
知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いることにより所
定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１
の凹部内側から外側にかけて被着形成される。 【００１８】なお前記配線層６はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に
優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法により
被着させておくと、配線層６の酸化腐蝕を有効に防止す
ることができるとともに配線層６への外部リード端子８
のロウ付けを強固となすことができる。従って、前記配
線層６はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に
優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２
０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。 【００１９】また前記配線層６には外部リード端子８が
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されており、該
外部リード端子８は容器５内部に収容する半導体素子４
の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をな
し、外部リード端子８を外部電気回路に接続することに
よって容器５内部に収容される半導体素子４は配線層６
および外部リード端子８を介して外部電気回路に電気的
に接続されることとなる。 【００２０】前記外部リード端子８は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
インゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成
される。 【００２１】更に前記絶縁基体１はその下面に放熱体３
が取着されており、該放熱体３は半導体素子４が作動時
に発した熱を絶縁基体１を介して吸収するとともに吸収
した熱を大気中に放出する作用をなし、立方晶窒化硼素
−銅により形成されている。 【００２２】前記立方晶窒化硼素−銅より成る放熱体３
は、例えば、溶融させた銅に平均粒径５μｍ程度の立方
晶窒化硼素粉末を分散混入させることによって製作され
る。 【００２３】また前記放熱体３の絶縁基体１下面への取
着は絶縁基体１の下面に予め金属層を形成しておき、該
金属層と放熱体３とを銀ロウ等のロウ材を介しロウ付け
することによって行われる。 【００２４】また更に前記絶縁基体１はその上面に蓋体
２がガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して接合さ
れ、これによって絶縁基体１と蓋体２とから成る容器５
内部に半導体素子４が気密に収容されることとなる。 【００２５】前記蓋体２はセラミックス製の板材や鉄−
ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材
から成る板材により形成されている。 【００２６】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の半導体素子載置部１ａ上に半
導体素子４をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して
接着固定するとともに該半導体素子４の各電極をボンデ
ィングワイヤ７を介して所定の配線層６に接続させ、し
かる後、前記絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹
脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器５内部に半導体素子４を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。 【００２７】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いては、絶縁基体１を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
セラミックス焼結体で形成しておくことが重要である。 【００２８】前記絶縁基体１を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上のセラミックス焼結体で形成しておくと半導体素
子４が作動時に発した多量の熱は絶縁基体１を介して放
熱体３に効率よく伝達され、これによって半導体素子４
は常に適温と成り、半導体素子４を常に正常、かつ安定
に作動させることができる。 【００２９】なお、前記絶縁基体１はその熱伝導率が７
０Ｗ／ｍ・Ｋ未満となると半導体素子４が作動時に発し
た多量の熱を放熱体３に効率よく伝達させることができ
なくなり、その結果、半導体素子４が該素子自身の発す
る熱によって高温となり、熱破壊や特性に熱劣化等を招
来してしまう。従って、前記絶縁基体１はその熱伝導率
が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体に特定され
る。 【００３０】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
においては、前記放熱体３を６５乃至９５重量％の立方
晶窒化硼素と、５乃至３５重量％の銅とで形成しておく
ことが重要である。 【００３１】前記放熱体３を６５乃至９５重量％の立方
晶窒化硼素と、５乃至３５重量％の銅とで形成すると、
放熱体３の熱伝導率が７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となり、そ
の結果、半導体素子４が作動時に多量の熱を発したとし
てもその熱は熱伝導率が高い絶縁基体１及び放熱体３を
介して外部に効率よく放散され、これによって半導体素
子４は常に適温となり、半導体素子４を長期間にわたり
安定かつ正常に作動させることが可能となる。 【００３２】また上述の６５乃至９５重量％の立方晶窒
化硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る放熱体３はそ
の線熱膨張係数が熱伝導率７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化ア
ルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体等のセラミック
焼結体から成る絶縁体１の線熱膨張係数に近似する５ｐ
ｐｍ／℃乃至７．５ｐｐｍ／℃（室温〜８００℃）とな
り、その結果、絶縁基体１に放熱体３を取着させる際や
半導体素子４が作動した際において絶縁基体１と放熱体
３の両者に熱が作用したとしても絶縁基体１と放熱体３
との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな
熱応力が発生することはなく、これによって放熱体３を
絶縁基体１に割れやクラックを発生させることなく強固
に取着させて半導体素子４が作動時に発する熱を常に外
部に良好に放出させることができる。 【００３３】なお前記基体１は立方晶窒化硼素の量が９
５重量％を超えると、言い換えれば銅の量が５重量％未
満となると、基体１の線熱膨張係数が枠状絶縁体２の線
熱膨張係数に対して大きく相違することとなり、その結
果、基体１に枠状絶縁体２を強固に取着させておくこと
ができなくなってしまい、また立方晶窒化硼素の量が６
５重量％未満となると、言い換えれば銅の量が３５重量
％を超えると基体１の熱伝導率を７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
の高いものと成すことができず、半導体素子４が作動時
に多量の熱を発した場合、その熱を基体１を介して外部
に完全に放散させることができなくなり、その結果、半
導体素子４を高温として、半導体素子４に熱破壊を招来
させたり、特性にばらつきが生じ安定に作動させること
ができなくなってしまう。従って、前記基体１は立方晶
窒化硼素の量が６５乃至９５重量％の範囲に、銅の量が
５乃至３５重量％の範囲に特定される。 【００３４】また前記６５乃至９５重量％の立方晶窒化
硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る基体１は窒化硼
素が六方晶のものは熱伝導率が悪く基体１としての特性
を充分に発揮することができず、これに対し立方晶のも
のは熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、基体１
の熱伝導率を７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものになすこ
とができるため立方晶のものに特定される。 【００３５】前記立方晶窒化硼素は、例えば、まず圧力
２６６Ｐａ以下、温度１９５０℃以上、蒸着速度１００
μｍ／ｈ以下において原料であるＢＣｌ2及びＮＨ3ガス
を高流速（１００ｍ／ｓ以上）で基材に上に吹き付けて
Ｐ−ＢＮ（六方晶窒化硼素）を作成し、次に圧力、温度
を上昇させ、所要の温度・圧力（１５００〜２１００
℃、５〜６ＧＰａ）で一定時間（０．５〜２ｈ）保持し
て高温処理を行いＰ−ＢＮをＣＢＮ（立方晶窒化硼素）
に変えることによって製作される。 【００３６】更に前記６５乃至９５重量％の立方晶窒化
硼素と５乃至３５重量％の銅とから成る基体１は立方晶
窒化硼素の表面に酸化物膜やチタン、ジルコン、ハフニ
ウム等の活性金属膜を０．０５μｍ乃至１μｍ程度の厚
みに被着させておくと立方晶窒化硼素と銅とが強固に被
着し、基体１としての信頼性が大幅に向上する。従っ
て、前記基体１は表面に酸化物膜や活性金属膜を０．０
５μｍ乃至１μｍ程度の厚みに被着させた立方晶窒化硼
素と銅とで形成しておくことが好ましい。 【００３７】前記立方晶窒化硼素の表面に酸化物膜や活
性金属膜を被着させる方法としては、スパッタリングや
蒸着等を採用することによって行われる。 【００３８】また更に前記基体１は溶融させた銅に立方
晶窒化硼素粉末を分散混入させて形成した場合、基体１
のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度
の軟質なものとなり、その結果、基体１上に半導体素子
を載置させた後、基体１と半導体素子４に熱が作用して
両者間に熱応力が発生したとしてもその熱応力は基体１
を若干変形させることによって効率よく吸収され、半導
体素子４が基体１より剥離したり、半導体素子４に割れ
やクラックを発生したりすることがなく半導体素子４を
常に正常かつ安定に作動させることができる。 【００３９】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。 【００４０】 【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセ
ラミックス焼結体で、放熱体を立方晶窒化硼素が６５乃
至９５重量％、銅が５乃至３５重量％から成る熱伝導率
が７２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした立方晶窒化硼素−銅で形
成したことから半導体素子が作動時に多量の熱を発した
としてもその熱は熱伝導率が高い絶縁基体及び放熱体を
介して外部に効率よく放散され、これによって半導体素
子は常に適温となり、半導体素子を長期間にわたり安定
かつ正常に作動させることが可能となる。 【００４１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、放熱体を６５乃至９５重量％の立方晶窒化硼
素と、５乃至３５重量％の銅とで形成したことから、放
熱体の線熱膨張係数を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体等のセラ
ミックス焼結体からなる絶縁基体の線熱膨張係数に近似
させることができ、その結果、絶縁基体の下面に放熱体
を取着させる際や半導体素子が作動した際等において絶
縁基体と放熱体の両者に熱が作用したとしても絶縁基体
と放熱体との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生することはなく、これによって放
熱体を絶縁基体に割れやクラックを発生させることなく
強固に取着させて半導体素子が作動時に発する熱を常に
外部に良好に放出させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。 【符号の説明】 １・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・載置部 ２・・・・・蓋体 ３・・・・・放熱体 ４・・・・・半導体素子 ５・・・・・容器 ６・・・・・配線層
例を示す断面図である。 【符号の説明】 １・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・載置部 ２・・・・・蓋体 ３・・・・・放熱体 ４・・・・・半導体素子 ５・・・・・容器 ６・・・・・配線層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】上面に半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部より外部にかけて導出する半導体素子の各
電極が接続される配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁
基体の上面に取着され、前記半導体素子が載置される載
置部を封止する蓋体と、前記絶縁基体の下面に取着され
ている放熱体とからなる半導体素子収納用パッケージで
あって、前記絶縁基体は熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
のセラミックス焼結体からなり、かつ放熱体は６５乃至
９５重量％の立方晶窒化硼素と、５乃至３５重量％の銅
とから成ることを特徴とする半導体素子収納用パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347448A JP2003152127A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347448A JP2003152127A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152127A true JP2003152127A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19160450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001347448A Pending JP2003152127A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003152127A (ja) |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347448A patent/JP2003152127A/ja active Pending
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040517 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050523 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |