JP2003124376A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よ
く放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生す
る。 【解決手段】半導体素子４が載置される載置部１ａを有
する基体１と、基体１上に半導体素子載置部１ａを囲繞
するようにして取着され、半導体素子４の各電極が接続
される配線層６を有する枠状絶縁体２と、枠状絶縁体２
上に取着される蓋体３とから成る半導体素子収納用パッ
ケージであって、前記枠状絶縁体２は比誘電率が７以
下、熱膨張係数が４ｐｐｍ／℃〜８ｐｐｍ／℃のガラス
セラミックス焼結体で、配線層６は電気抵抗率が２．５
μΩ・ｃｍ以下の金属材料で、基体１は５５乃至９７重
量％の立方晶窒化硼素と３乃至４５重量％の銅とで形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ（大規模集積
回路素子）や光半導体素子等の半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子が載置さ
れる載置部を有する銅−タングステン合金や銅−モリブ
デン合金等の金属材料からなる基体と、該基体の上面に
前記載置部を囲繞するようにして取着された酸化アルミ
ニウム質焼結体等の電気絶縁材料からなる枠状絶縁体
と、該枠状絶縁体の内周部から外周部にかけて被着導出
されているタングステン、モリブデン、マンガン等の高
融点金属からなる複数個の配線層と、前記枠状絶縁体の
上面に取着され、絶縁体の内側の穴を塞ぐ蓋体とから構
成されており、基体の半導体素子載置部に半導体素子を
接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子の各
電極をボンディングワイヤを介して枠状絶縁体に形成し
た配線層に電気的に接続し、しかる後、枠状絶縁体に蓋
体を該枠状絶縁体の内側の穴を塞ぐようにしてガラス、
樹脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、基体
と枠状絶縁体と蓋体とからなる容器内部に半導体素子を
気密に収容することによって製品としての半導体装置と
なる。 【０００３】なお上述の半導体素子収納用パッケージに
おいては、半導体素子が載置される基体が銅−タングス
テン合金や銅−モリブデン合金等の金属材料で形成され
ており、該銅−タングステン合金や銅−モリブデン合金
等は熱伝導率が約１８０Ｗ／ｍ・Ｋと高く熱伝導性に優
れていることから基体は半導体素子の作動時に発する熱
を良好に吸収するとともに大気中に良好に放散させるこ
とができ、これによって半導体素子を常に適温とし半導
体素子に熱破壊が発生したり、特性に熱劣化が発生した
りするのを有効に防止している。 【０００４】また上述の半導体素子収納用パッケージの
基体として使用されている銅−タングステン合金や銅−
モリブデン合金はタングステン粉末やモリブデン粉末を
焼成して焼結多孔体を得、次に前記焼結多孔体の空孔内
に溶融させることによって製作されており、例えば、タ
ングステンから成る焼結多孔体に銅を含浸させる場合は
焼結多孔体が７５乃至９０重量％、銅が１０乃至２５重
量％の範囲に、モリブデンから成る焼結多孔体に銅を含
浸させる場合は焼結多孔体が８０乃至９０重量％、銅が
１０乃至２０重量％の範囲となっている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、基体がタ
ングステン粉末やモリブデン粉末を焼成して焼結多孔体
を得るとともに該焼結多孔体の空孔内に溶融させた銅を
含浸させることによって形成されており、前記銅の量を
増加させればさせるほど前記基体の熱伝導率は高くなる
が、それにつれて基体の線熱膨張係数も大きくなる。前
記基体は上面に取着される酸化アルミニウム質焼結体か
ら成る枠状絶縁体の線熱膨張係数（７ｐｐｍ／℃：室温
〜８００℃）と大きく相違すると、両者の線熱膨張係数
の相違により発生する応力が両者の接合界面に働き、該
応力により前記接合界面にクラックがはいったり、ひど
い場合には両者の接合界面に剥離が発生したりして、半
導体素子収納用パッケージの気密封止の信頼性が損なわ
れ、内部に収容する半導体素子を信頼性よく正常に作動
させることができなくなると言う問題が発生してしまう
ことから、前記基体の線熱膨張係数は前記枠状絶縁体の
線熱膨張係数と近似させる必要があり、前記基体の銅の
含有率は１０乃至２５重量％（基体が銅−タングステン
合金から成る場合は銅の含有率は１０乃至２５重量％、
銅−モリブデン合金から成る場合は銅の含有率は１０乃
至２０重量％）の範囲に限定されることとなり、前記基
体の熱伝導率は最大でも約１８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であっ
た。 【０００６】そのためこの従来の半導体素子収納用パッ
ケージ内に近時の高密度化、高集積化が大きく進み、作
動時に多量の熱を発する半導体素子を収容した場合、半
導体素子が作動時に発する熱は基体を介して外部に完全
に放散させることができなくなり、その結果、半導体素
子が該素子自身の発する熱によって高温となり、半導体
素子に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきを生じ安
定に作動させることができないという欠点を有してい
た。 【０００７】またこの従来の半導体素子収納用パッケー
ジにおいては、枠状絶縁体を形成する酸化アルミニウム
質焼結体の比誘電率が９〜１０（室温、１ＭＨｚ）と高
いことから枠状絶縁体に設けた配線層を伝わる電気信号
の伝搬速度が遅く、そのため信号の高速伝搬を要求する
半導体素子は収容が不可となる欠点を有していた。 【０００８】更にこの従来の半導体素子収納用パッケー
ジにおいては、枠状絶縁体に形成されている配線層はタ
ングステンやモリブデン、マンガン等の高融点金属材料
により形成されており、該タングステン等はその比電気
抵抗が５．４μΩ・ｃｍ（２０℃）以上と高いことから
配線層に電気信号を伝搬させた場合、電気信号に大きな
減衰が生じ、電気信号を正確、かつ確実に伝搬させるこ
とができないという欠点も有していた。 【０００９】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は内部に高速駆動を行う半導体素子を収容
することができ、かつ収容する半導体素子を長期間にわ
たり正常、かつ安定に作動させることができる半導体素
子収納用パッケージを提供することにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は、上面に半導体
素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に
半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、半導
体素子の各電極が接続される配線層を有する枠状絶縁体
と、前記枠状絶縁体上に取着され、枠状絶縁体の内側を
気密に封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケ
ージであって、前記枠状絶縁体は比誘電率が７以下、熱
膨張係数が４ｐｐｍ／℃〜８ｐｐｍ／℃のガラスセラミ
ックス焼結体で、配線層は電気抵抗率が２．５μΩ・ｃ
ｍ（２０℃）以下の金属材料で、基体は５５乃至９７重
量％の立方晶窒化硼素と３乃至４５重量％の銅とで形成
されていることを特徴とするものである。 【００１１】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、枠状絶縁体を比誘電率が７以下のガラスセラミッ
クス焼結体で形成したことから枠状絶縁体に設けた配線
層を伝わる電気信号の伝搬速度を速いものとして信号の
高速伝搬を要求する半導体素子の収容が可能となる。 【００１２】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、枠状絶縁体を低温焼成（約８００℃〜９００
℃）が可能なガラスセラミックス焼結体で形成したこと
から枠状絶縁体と同時焼成により形成される配線層を比
電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下と低い銅や
銀、金で形成することができ、その結果、配線層に電気
信号を伝搬させた場合、電気信号に大きな減衰が生じる
ことはなく、電気信号を正確、かつ確実に伝搬させるこ
とが可能となる。 【００１３】更に本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、基体を５５乃至９７重量％の立方晶窒化硼素
と３乃至４５重量％の銅とで形成し、熱伝導率を７００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとなしたことから、基体上に
載置される半導体素子が作動時に多量の熱を発したとし
てもその熱は基体の半導体素子載置部平面方向に素早く
広がらせるとともに基体の厚さ方向を良好に伝搬させて
外部に効率よく確実に放散させることができ、これによ
って半導体素子は常に適温となり、半導体素子を長期間
にわたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。 【００１４】また更に本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体を５５乃至９７重量％の立方晶窒化
硼素と３乃至４５重量％の銅とで形成し、その線熱膨張
係数をガラスセラミックス焼結体から成る枠状絶縁体の
線熱膨張係数（４ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜
８００℃）に近似するものとなしたことから、基体上に
枠状絶縁体を取着させる際や半導体素子が作動した際等
において基体と枠状絶縁体の両者に熱が作用したとして
も基体と枠状絶縁体との間には両者の線熱膨張係数の相
違に起因する大きな熱応力が発生することはなく、これ
によって半導体素子を収納する空所の気密封止が常に完
全となり、半導体素子を安定かつ正常に作動させること
が可能となる。 【００１５】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に示す実
施例に基づき詳細に説明する。図１は本発明の半導体素
子収納用パッケージの一実施例を示す断面図であり、図
１において、１は基体、２は枠状絶縁体、３は蓋体であ
る。この基体１と枠状絶縁体２と蓋体３とにより内部に
半導体素子４を気密に収容する容器５が構成される。 【００１６】前記基体１はその上面に半導体素子４が載
置される載置部１ａを有するとともに上面外周部に該基
体１の上面に設けた半導体素子４が載置される載置部１
ａを囲繞するようにして枠状絶縁体２がロウ材やガラ
ス、樹脂等の接着剤を介して取着されている。 【００１７】前記基体１は半導体素子４を支持する支持
部材として作用するとともに半導体素子４が作動時に発
する熱を良好に吸収して大気中に効率よく放散させ、半
導体素子４を常に適温とする作用をなし、枠状絶縁体２
に囲まれた基体１の載置部１ａ上に半導体素子４がガラ
ス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して固定される。 【００１８】なお前記基体１は立方晶窒化硼素と銅とか
ら成り、例えば、溶融させた銅に平均粒径５μｍ程度の
立方晶窒化硼素粉末を分散混入させることによって製作
されている。 【００１９】また前記基体１の上面外周部には該基体１
の上面に設けた半導体素子４が載置される載置部１ａを
囲繞するようにして枠状絶縁体２がロウ材やガラス、樹
脂等の接着剤を介して取着されており、基体１と枠状絶
縁体２とで半導体素子４を収容するための空所が内部に
形成される。 【００２０】前記基体１に取着される枠状絶縁体２は否
誘電率が７以下のガラスセラミックス焼結体（４ｐｐｍ
／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜８００℃）から成り、具
体的には、 １）硼珪酸ガラスにアルミナもしくはムライトを添加し
てなる原料粉末より製作されるガラスセラミックス焼結
体（比誘電率５〜６） ２）コージェライト系結晶化ガラスにアルミナもしくは
ムライトを添加して成る原料粉末より製作されるガラス
セラミックス焼結体（比誘電率５〜６） ３）ムライト系結晶化ガラスにアルミナもしくはムライ
トを添加して成る原料粉末より製作されるガラスセラミ
ックス焼結体（比誘電率５〜６） 等で形成されている。 【００２１】前記枠状絶縁体２は、例えば、硼珪酸ガラ
スにアルミナもしくはムライトを添加してなる原料粉末
より製作されるガラスセラミックス焼結体から成る場
合、原料粉末の組成が重量比で７２〜７６％のシリカ、
１５〜１７％の酸化硼素、２〜４％の酸化アルミニウ
ム、１．５％以下の酸化マグネシウム、１．１〜１．４
％の酸化ジルコニウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム
及び酸化リチウムの合計量２．０〜３．０％から成る硼
珪酸ガラス粉末にアルミナもしくはムライトの各粉末と
アクリル樹脂を主成分とするバインダー及び分散剤、可
塑剤、有機溶媒を加えて泥漿物を作るとともに該泥漿物
をドクターブレード法やカレンダーロール法を採用する
ことによってグリーンシート（生シート）となし、しか
る後、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施す
とともにこれを複数枚積層し、約８００℃〜９００℃の
温度で焼成することによって製作される。 【００２２】また前記枠状絶縁体２はその内周部から上
部にかけて導出する複数の配線層６が被着形成されてお
り、枠状絶縁体２の内周部に露出する配線層６の一端に
は半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ７を介し
て電気的に接続され、また枠状絶縁体２の上面に導出さ
れた部位には外部電気回路と接続される外部リードピン
８が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されてい
る。 【００２３】前記配線層６は半導体素子４の各電極を外
部電気回路に接続する際の導電路として作用し、銅、
銀、金等の金属粉末により形成されている。 【００２４】前記配線層６は銅、銀、金等の金属粉末に
適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して得られた
金属ペーストを枠状絶縁体２となるグリーンシートに予
め従来周知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いること
により所定パターンに印刷塗布しておくことによって枠
状絶縁体２の内周部から上面にかけて被着形成される。 【００２５】前記配線層６を形成する銅、銀、金等はそ
の融点が約１０００℃と低いものの枠状絶縁体２を構成
するガラスセラミックス焼結体の焼成温度が低いことか
ら枠状絶縁体２に所定パターンに被着形成することが可
能となる。 【００２６】また前記配線層６を形成する銅や銀、金等
はその比電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ以下と低いことか
ら配線層６を介して容器内部に収容する半導体素子４と
外部電気回路との間に電気信号の出し入れをしたとして
も配線層６において電気信号が大きく減衰することはな
く、その結果、半導体素子４に正確、かつ確実な駆動を
行わせることができる。 【００２７】更に前記配線層６は、該配線層６の被着さ
れている枠状絶縁体２の比誘電率が７以下（室温、１Ｍ
Ｈｚ）、好適には５．５〜６と低いことから配線層６を
伝わる電気信号の伝搬速度が速いものとなり、その結
果、配線層６を介して容器内部に収容する半導体素子４
と外部電気回路との間に電気信号の出し入れをしたとし
ても、電気信号の伝搬に遅延を生じることなく、半導体
素子４に正確、かつ確実に電気信号を出し入れすること
ができる。 【００２８】なお、前記配線層６は銅や銀からなる場
合、その露出表面に耐蝕性に優れる金属をメッキ法によ
り１μｍ〜２０μｍの厚みに被着させておくと、配線層
６の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに配
線層６とボンディングワイヤ７との接続及び配線層６へ
の外部リードピン８の取着を強固となすことができる。
従って、前記配線層６は銅や銀からなる場合、配線層６
の酸化腐蝕を防止し、配線層６とボンディングワイヤ７
及び外部リードピン８との取着を強固とするには配線層
６の露出表面に金等の耐蝕性に優れる金属を１μｍ〜２
０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。 【００２９】また前記枠状絶縁体２に被着した配線層６
にロウ付けされる外部リードピン８は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
半導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続す
る作用をなす。 【００３０】前記外部リードピン８は、例えば、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属から成るインゴット
（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を施すことによって所定形状に形成される。 【００３１】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いては、基体１を５５乃至９７重量％の立方晶窒化硼素
と３乃至４５重量％の銅とで形成しておくことが重要で
ある。 【００３２】前記基体１を５５乃至９７重量％の立方晶
窒化硼素と３乃至４５重量％の銅とで形成しておくと基
体１の熱伝導率が７００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとな
り、その結果、基体１上に載置される半導体素子４が作
動時に多量の熱を発したとしてもその熱は基体１の半導
体素子載置部１ａ平面方向に素早く広がらせるとともに
基体１の厚さ方向を良好に伝搬させて外部に効率よく確
実に放散させることができ、これによって半導体素子４
は常に適温となり、半導体素子４を長期間にわたり安定
かつ正常に作動させることが可能となる。 【００３３】また上述の５５乃至９７重量％の立方晶窒
化硼素と３乃至４５重量％の銅とから成る基体１はその
線熱膨張係数がガラスセラミック焼結体から成る枠状絶
縁体２の線熱膨張係数（４ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／
℃：室温〜８００℃）に近似する５ｐｐｍ／℃乃至８ｐ
ｐｍ／℃となり、その結果、基体１上に枠状絶縁体２を
取着させる際や半導体素子４が作動した際において基体
１と枠状絶縁体２の両者に熱が作用したとしても基体１
と枠状絶縁体２との間には両者の線熱膨張係数の相違に
起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによ
って半導体素子４を収納する空所の気密封止が常に完全
となり、半導体素子４を安定かつ正常に作動させること
が可能となる。 【００３４】なお前記基体１は立方晶窒化硼素の量が９
７重量％を超えると、言い換えれば銅が３重量％未満と
なると、基体１の線熱膨張係数が枠状絶縁体２の線熱膨
張係数に対し大きく相違することとなり、その結果、基
体１に枠状絶縁体２を強固に取着させておくことができ
なくなってしまい、また立方晶窒化硼素の量が５５重量
％未満となると、言い換えれば銅が４５重量％を超える
と基体１の熱伝導率を７００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いもの
と成すことができず、半導体素子４が作動時に多量の熱
を発した場合、その熱を基体１を介して外部に完全に放
散させることができなくなり、その結果、半導体素子４
を高温として半導体素子４に熱破壊を招来させたり、特
性にばらつきが生じ安定に作動させることができなくな
ってしまう。従って、前記基体１は立方晶窒化硼素の量
が５５乃至９７重量％の範囲に、銅の量が３乃至４５重
量％の範囲に特定される。 【００３５】また前記５５乃至９７重量％の立方晶窒化
硼素と３乃至４５重量％の銅とから成る基体１は窒化硼
素が六方晶のものは熱伝導率が悪く基体１としての特性
を充分に発揮することができず、これに対し立方晶のも
のは熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、基体１
の熱伝導率を７００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものになすこ
とができるため立方晶のものに特定される。 【００３６】前記立方晶窒化硼素は、例えば、まず圧力
２６６Ｐａ以下、温度１９５０℃以上、蒸着速度１００
μｍ／ｈ以下において原料であるＢＣｌ₂及びＮＨ₃ガス
を高流速（１００ｍ／ｓ以上）で基材に上に吹き付けて
Ｐ−ＢＮ（六方晶窒化硼素）を作成し、次に圧力、温度
を上昇させ、所要の温度・圧力（１５００〜２１００
℃、５〜６ＧＰａ）で一定時間（０．５〜２ｈ）保持し
て高温処理を行いＰ−ＢＮをＣＢＮ（立方晶窒化硼素）
に変えることによって製作される。 【００３７】更に前記５５乃至９０重量％の立方晶窒化
硼素と１０乃至４５重量％の銅とから成る基体１は立方
晶窒化硼素の表面に酸化物膜やチタン、ジルコン、ハフ
ニウム等の活性金属膜を０．０５μｍ乃至１μｍ程度の
厚みに被着させておくと立方晶窒化硼素と銅とが強固に
被着し、基体１としての信頼性が大幅に向上する。従っ
て、前記基体１は表面に酸化物膜や活性金属膜を０．０
５μｍ乃至１μｍ程度の厚みに被着させた立方晶窒化硼
素と銅とで形成しておくことが好ましい。 【００３８】前記立方晶窒化硼素の表面に酸化物膜や活
性金属膜を被着させる方法としては、スパッタリングや
蒸着等を採用することによって行われる。 【００３９】また更に前記基体１は溶融させた銅に立方
晶窒化硼素粉末を分散混入させて形成した場合、基体１
のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度
の軟質なものとなり、その結果、基体１上に半導体素子
を載置させた後、基体１と半導体素子４に熱が作用して
両者間に熱応力が発生したとしてもその熱応力は基体１
を若干変形させることによって効率よく吸収され、半導
体素子４が基体１より剥離したり、半導体素子４に割れ
やクラックを発生したりすることがなく半導体素子４を
常に正常かつ安定に作動させることができる。 【００４０】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、基体１の半導体素子載置部１ａ上に半導体
素子４をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着
固定するとともに該半導体素子４の各電極をボンディン
グワイヤ７を介して所定の配線層６に接続させ、しかる
後、前記枠状絶縁体２の上面に蓋体３をガラス、樹脂、
ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、基体１、枠
状絶縁体２及び蓋体３とから成る容器５内部に半導体素
子４を気密に収容することによって製品としての半導体
装置となる。 【００４１】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。 【００４２】 【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、枠状絶縁体を比誘電率が７以下のガラスセラミ
ックス焼結体で形成したことから枠状絶縁体に設けた配
線層を伝わる電気信号の伝搬速度を速いものとして信号
の高速伝搬を要求する半導体素子の収容が可能となる。 【００４３】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、枠状絶縁体を低温焼成（約８００℃〜９００
℃）が可能なガラスセラミックス焼結体で形成したこと
から枠状絶縁体と同時焼成により形成される配線層を比
電気抵抗が２．５μΩ・ｃｍ（２０℃）以下と低い銅や
銀、金で形成することができ、その結果、配線層に電気
信号を伝搬させた場合、電気信号に大きな減衰が生じる
ことはなく、電気信号を正確、かつ確実に伝搬させるこ
とが可能となる。 【００４４】更に本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、基体を５５乃至９７重量％の立方晶窒化硼素
と３乃至４５重量％の銅とで形成し、熱伝導率を７００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとなしたことから、基体上に
載置される半導体素子が作動時に多量の熱を発したとし
てもその熱は基体の半導体素子載置部平面方向に素早く
広がらせるとともに基体の厚さ方向を良好に伝搬させて
外部に効率よく確実に放散させることができ、これによ
って半導体素子は常に適温となり、半導体素子を長期間
にわたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。 【００４５】また更に本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体を５５乃至９７重量％の立方晶窒化
硼素と３乃至４５重量％の銅とで形成し、その線熱膨張
係数をガラスセラミックス焼結体から成る枠状絶縁体の
線熱膨張係数（４ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜
８００℃）に近似するものとなしたことから、基体上に
枠状絶縁体を取着させる際や半導体素子が作動した際等
において基体と枠状絶縁体の両者に熱が作用したとして
も基体と枠状絶縁体との間には両者の線熱膨張係数の相
違に起因する大きな熱応力が発生することはなく、これ
によって半導体素子を収納する空所の気密封止が常に完
全となり、半導体素子を安定かつ正常に作動させること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。 【符号の説明】 １・・・・・基体 １ａ・・・・載置部 １ｂ・・・・上層 １ｃ・・・・中間層 １ｄ・・・・下層 ２・・・・・枠状絶縁体 ３・・・・・蓋体 ４・・・・・半導体素子 ５・・・・・容器 ６・・・・・配線層 ７・・・・・ボンディングワイヤ ８・・・・・外部リードピン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】上面に半導体素子が載置される載置部を有
   する基体と、前記基体上に半導体素子載置部を囲繞する
   ようにして取着され、半導体素子の各電極が接続される
   配線層を有する枠状絶縁体と、前記枠状絶縁体上に取着
   され、枠状絶縁体の内側を気密に封止する蓋体とから成
   る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁
   体は比誘電率が７以下、熱膨張係数が４ｐｐｍ／℃〜８
   ｐｐｍ／℃のガラスセラミックス焼結体で、配線層は電
   気抵抗率が２．５μΩ・ｃｍ以下の金属材料で、基体は
   ５５乃至９７重量％の立方晶窒化硼素と３乃至４５重量
   ％の銅とで形成されていることを特徴とする半導体素子
   収納用パッケージ。