JP2003142762A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率
よく放散することができず、光半導体素子に熱破壊が発
生する。 【解決手段】基体１と、側部に貫通孔２ａおよび切欠部
２ｂを有する鉄−ニッケル−コバルト合金もしくは鉄−
ニッケル合金から成る枠体２と、光ファイバー部材８が
接合される固定部材６と、セラミックス絶縁体１０に配
線層が形成されているセラミック端子体９と、蓋部材３
とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、前
記基体１は５５乃至９０重量％の立方晶窒化硼素と１０
乃至４５重量％の銅とから成る。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄−ニッケル−
コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料からな
り、上面中央に光半導体素子が載置される載置部を有す
る基体と、前記光半導体素子載置部を囲繞するようにし
て基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に
貫通孔及び切欠部を有する鉄−ニッケル−コバルト合金
や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成る枠体と、前記
枠体の貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、内
部に光信号が伝達される空間を有する鉄−ニッケル−コ
バルト合金等の金属材料から成る筒状の固定部材と、前
記筒状の固定部材に融点が２００〜４００℃の金−錫合
金等の低融点ロウ材を介して取着された固定部材の内部
を塞ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材と、前記枠体
の切欠部に挿着され、酸化アルミニウム質焼結体等のセ
ラミックス絶縁体に光半導体素子の各電極がボンディン
グワイヤを介して電気的に接続される配線層を形成した
セラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半
導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成されてお
り、基体の光半導体素子載置部に光半導体素子を載置固
定させるとともに該光半導体素子の各電極をボンディン
グワイヤを介してセラミック端子体の配線層に電気的に
接続し、しかる後、前記枠体の上面に蓋部材を接合さ
せ、基体と枠体と蓋部材とから成る容器内部に光半導体
素子を気密に収容するとともに筒状固定部材に光ファイ
バー部材を、例えば、ＹＡＧ溶接等により取着すること
によって製品としての光半導体装置となる。 【０００３】なお上述の光半導体素子収納用パッケージ
においては、内部に収容される光半導体素子が高周波領
域で駆動し、外部ノイズの影響を受け易いものであるた
め基体及び枠体を金属材料で形成し、容器内部をシール
ドしておくことによって光半導体素子に外部ノイズが影
響しないようにしている。また基体及び枠体はセラミッ
ク端子体や光半導体素子等の線熱膨張係数と合わすため
一般に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金
等が使用されている。 【０００４】しかしながら、この従来の光半導体素子収
納用パッケージにおいては、光半導体素子が載置固定さ
れる基体の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、熱を
効率良く伝達することができないことから光半導体素子
が作動時に熱を発した際、その熱を基体を介して外部に
十分放散させることができず、その結果、光半導体素子
は該光半導体素子自身の発する熱で高温となり、熱破壊
を起こしたり、特性に熱劣化を招来し、誤動作したりす
るという欠点を有していた。 【０００５】そこで上記欠点を解消するために基体を熱
伝導率が高く、かつ線熱膨張係数がセラミック端子体の
線熱膨張係数に近似する銅−タングステン合金や銅−モ
リブデン合金で形成しておくことが考えられる。 【０００６】かかる銅−タングステン合金や銅−モリブ
デン合金は一般にタングステン粉末やモリブデン粉末を
焼成して焼結多孔体を得、次に前記焼結多孔体の空孔内
に溶融させた銅を含浸させることによって製造されてお
り、例えば、タングステンから成る焼結多孔体に銅を含
浸させる場合は焼結多孔体が７５乃至９０重量％、銅が
１０乃至２５重量％の範囲に、モリブデンから成る焼結
多孔体に銅を含浸させる場合は焼結多孔体が８０乃至９
０重量％、銅が１０乃至２０重量％の範囲となってい
る。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、基体が
タングステン粉末やモリブデン粉末を焼成して焼結多孔
体を得るとともに該焼結多孔体の空孔内に溶融させた銅
を含浸させることによって形成されており熱伝導率が約
１８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。 【０００８】そのためこの従来一般に製造されている銅
−タングステン合金等を基体として用いた光半導体素子
収納用パッケージは鉄−ニッケル−コバルト合金等を基
体として用いた光半導体素子収納用パッケージよりも熱
放散性に優れているものの近時の発光出力が高く作動時
に従来に比し多量の熱を発する光半導体素子を収容した
場合、光半導体素子が発する熱を基体を介して外部に完
全に放出させることができなくなり、その結果、光半導
体素子が該素子自身の発する熱によって高温となり、光
半導体素子に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきを
生じ安定に作動させることができないという欠点を有し
ていた。 【０００９】本発明は上記知見に基づき案出されたもの
で、その目的は発光出力が高く作動時に多量の熱を発す
る光半導体素子を常に適温に保持し、光半導体素子を長
期間にわたり安定に機能させることができる光半導体素
子収納用パッケージを提案することにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上
に光半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、
側部に貫通孔および切欠部を有する鉄−ニッケル−コバ
ルト合金もしくは鉄−ニッケル合金から成る枠体と、前
記貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファ
イバー部材が接合される固定部材と、前記切欠部に挿着
され、セラミックス絶縁体に光半導体素子の各電極が接
続される配線層が形成されているセラミック端子体と、
前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止
する蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケージで
あって、前記基体は５５乃至９０重量％の立方晶窒化硼
素と１０乃至４５重量％の銅とから成ることを特徴とす
るものである。 【００１１】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、基体を５５乃至９０重量％の立方晶窒化硼素と
１０乃至４５重量％の銅とで形成し熱伝導率を７００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の高いものとなしたことから、基体上に載
置される光半導体素子が作動時に多量の熱を発したとし
てもその熱は基体の光半導体素子載置部平面方向に素早
く広がらせるとともに基体の厚さ方向を良好に伝搬させ
て外部に効率よく確実に放散させることができ、これに
よって光半導体素子は常に適温となり、光半導体素子を
長期間にわたり安定かつ正常に作動させることが可能と
なる。 【００１２】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、基体を５５乃至９０重量％の立方晶窒化硼
素と１０乃至４５重量％の銅とで形成し、その線熱膨張
係数を鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金
から成る枠体あるいは酸化アルミニウム質焼結体やガラ
スセラミック焼結体等のセラミックス絶縁体から成るセ
ラミック端子体の線熱膨張係数（６ｐｐｍ／℃乃至８ｐ
ｐｍ／℃：室温〜８００℃）に近似するものとなしたこ
とから基体上に枠体やセラミック端子体を取着させる際
や光半導体素子が作動した際等において基体と枠体やセ
ラミック端子体に熱が作用したとしても基体と枠体やセ
ラミック端子体との間には両者の線熱膨張係数の相違に
起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによ
って光半導体素子を収容する空所の気密封止が常に完全
となり、光半導体素子を安定かつ正常に作動させること
が可能となる。 【００１３】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に示す実
施例に基づき詳細に説明する。図１及び図２は本発明の
光半導体素子収納用パッケージの一実施例を示し、図１
において、１は基体、２は枠体、３は蓋部材である。こ
の基体１と枠体２と蓋部材３とにより内部に光半導体素
子４を気密に収容する容器５が構成される。 【００１４】前記基体１はその上面に光半導体素子４が
載置される載置部１ａを有しており、該載置部１ａには
光半導体素子４が取着されている。 【００１５】前記基体１は光半導体素子４を支持する支
持部材として作用するとともに光半導体素子４が作動時
に発する熱を良好に吸収し、かつ大気中に効率よく放散
させて光半導体素子４を常に適温とする作用をなす。 【００１６】なお前記基体１は立方晶窒化硼素と銅とか
ら成り、例えば、溶融させた銅に平均粒径５μｍ程度の
立方晶窒化硼素粉末を分散混入させることによって製作
されている。 【００１７】また前記基体１の上面外周部には該基体１
の上面に設けた光半導体素子４が載置される載置部１ａ
を囲繞するようにして枠体２がロウ材等の接着剤を介し
て取着されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を
収容するための空所が形成されている。 【００１８】前記枠体２は鉄−ニッケル−コバルト合金
や鉄−ニッケル合金で形成されており、例えば、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等のインゴット（塊）をプレス加
工により枠状とすることによって形成され、基体１への
取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介しロ
ウ付けすることによって行われている。 【００１９】前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが設け
てあり、該貫通孔２ａの内壁面には筒状の固定部材６が
取着され、更に筒状の固定部材６の内側の一端には、例
えば、透光性部材７が取着されている。 【００２０】前記枠体２の側部に形成されている貫通孔
２ａは固定部材６を枠体２に取着するための取着孔とし
て作用し、枠体２の側部に従来周知のドリル孔あけ加工
を施すことによって所定形状に形成される。 【００２１】前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている
固定部材６は光ファイバー部材８を枠体２に固定する際
の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子４
が励起した光を光ファイバー部材８に伝達させる作用を
なし、その内側の一端には、例えば、透光性部材７が取
着され、また外側の一端には光ファイバー部材８が取着
される。 【００２２】前記筒状の固定部材６は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料からなり、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等のインゴット
（塊）をプレス加工により筒状とすることによって形成
されている。 【００２３】更に前記固定部材６はその内側の一端に、
例えば、透光性部材７が取着されており、該透光性部材
７は固定部材６の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２と蓋
部材３とからなる容器５の気密封止を保持させるととも
に固定部材６の内部空間を伝達する光半導体素子４の励
起した光をそのまま固定部材６に取着した光ファイバー
部材８に伝達させる作用をなす。 【００２４】前記透光性部材７は例えば、酸化珪素、酸
化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分と
したホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、該
非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体素
子４の励起する光を透光性部材７を通過させて光ファイ
バー部材８に授受させる場合、光半導体素子４の励起し
た光は透光性部材７で複屈折を起こすことはなくそのま
ま光ファイバー部材８に授受されることとなり、その結
果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー部材８
への授受が高効率となって光信号の伝送効率を高いもの
となすことができる。 【００２５】なお、前記透光性部材７の固定部材６への
取着は、例えば、透光性部材７の外周部に予め金属層を
被着させておき、該金属層と固定部材６とを金−錫合金
等のロウ材を介しロウ付けすることによって行われる。 【００２６】更に前記枠体２はその側部に切欠部２ｂが
形成されており、該切欠部２ｂにはセラミック端子体９
が挿着されている。 【００２７】前記セラミック端子体９はセラミックス絶
縁体１０と複数個の配線層１１とから成り、配線層１１
を枠体２に対し電気的絶縁をもって枠体２の内側から外
側にかけて配設する作用をなし、セラミックス絶縁体１
０の側面に予め金属層を被着させておくとともに該金属
層を枠体２の切欠部２ｂ内壁面に銀ロウ等のロウ材を介
し取着することによって枠体２の切欠部２ｂに挿着され
る。 【００２８】前記セラミック端子体９のセラミックス絶
縁体１０は酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミッ
ク焼結体等から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結
体から成る場合には酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化
マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有
機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード法や
カレンダーロール法を採用することによってセラミック
グリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次に
前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施し、所定形状となすとともに必要に応じて複数枚を積
層して成形体となし、しかる後、これを１６００℃の温
度で焼成することによって製作される。 【００２９】また前記セラミック端子体９には枠体２の
内側から外側にかけて導出する複数個の配線層１１が埋
設されており、該配線層１１の枠体２の内側に位置する
領域には光半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ
１２を介して電気的に接続され、また枠体２の外側に位
置する領域には外部電気回路と接続される外部リード端
子１３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されて
いる。 【００３０】前記配線層１１は光半導体素子４の各電極
を外部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タ
ングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉
末により形成されている。 【００３１】前記配線層１１はタングステン、モリブデ
ン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストをセ
ラミックス絶縁体１０となるセラミックグリーンシート
に予め従来周知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いる
ことにより所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
てセラミックス絶縁体１０に形成される。 【００３２】なお前記配線層１１はその露出する表面に
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性
に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法によ
り被着させておくと、配線層１１の酸化腐蝕を有効に防
止することができるとともに配線層１１への外部リード
端子１３のロウ付けを強固となすことができる。従っ
て、前記配線層１１はその露出する表面にニッケル、金
等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属
を１μｍ〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ま
しい。 【００３３】また前記配線層１１には外部リード端子１
３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されてお
り、該外部リード端子１３は容器５内部に収容する光半
導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続する
作用をなし、外部リード端子１３を外部電気回路に接続
することによって容器５内部に収容される光半導体素子
４は配線層１１および外部リード端子１３を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。 【００３４】前記外部リード端子１３は鉄−ニッケル−
コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から
成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法
等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状
に形成される。 【００３５】更に前記枠体２はその上面に、例えば、鉄
−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属
材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１
と枠体２と蓋部材３とからなる容器５の内部に光半導体
素子４が気密に封止されることとなる。 【００３６】前記蓋部材３の枠体２上面への接合は、例
えば、シームウェルド法等の溶接によって行われる。 【００３７】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
おいては、前記基体１を５５乃至９０重量％の立方晶窒
化硼素と１０乃至４５重量％の銅とで形成しておくこと
が重要である。 【００３８】前記基体１を５５乃至９０重量％の立方晶
窒化硼素と１０乃至４５重量％の銅とで形成しておくと
基体１の熱伝導率が７００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものと
なり、その結果、基体１上に載置される半導体素子４が
作動時に多量の熱を発したとしてもその熱は基体１の載
置部１ａの平面方向に素早く広がらせるとともに基体１
の厚さ方向を良好に伝搬させて外部に効率よく確実に放
散させることができ、これによって光半導体素子４は常
に適温となり、光半導体素子４を長期間にわたり安定か
つ正常に作動させることが可能となる。 【００３９】また上述の５５乃至９０重量％の立方晶窒
化硼素と１０乃至４５重量％の銅とから成る基体１はそ
の線熱膨張係数が鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニ
ッケル合金から成る枠体２あるいは酸化アルミニウム質
焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミックス絶縁
体１０から成るセラミック端子体９の線熱膨張係数（６
ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜８００℃）に近似
するものとなり、その結果、基体１上に枠体２やセラミ
ック端子体９等を取着させる際や光半導体素子４が作動
した際等において基体１と枠体２とセラミック端子体９
に熱が作用したとしても基体１と枠体２とセラミック端
子体９との間には両者の線熱膨張係数の差に起因する大
きな熱応力が発生することはなく、これによって光半導
体素子４を収容する容器５の気密封止が常に完全とな
り、光半導体素子４を安定かつ正常に作動させることが
可能となる。 【００４０】なお前記基体１は立方晶窒化硼素の量が９
０重量％を超えると、言い換えれば銅の量が１０重量％
未満となると、基体１の線熱膨張係数が枠状絶縁体２の
線熱膨張係数に対して大きく相違することとなり、その
結果、基体１に枠状絶縁体２を強固に取着させておくこ
とができなくなってしまい、また立方晶窒化硼素の量が
５５重量％未満となると、言い換えれば銅の量が４５重
量％を超えると基体１の熱伝導率を７００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の高いものと成すことができず、半導体素子４が作動
時に多量の熱を発した場合、その熱を基体１を介して外
部に完全に放散させることができなくなり、その結果、
半導体素子４を高温として、半導体素子４に熱破壊を招
来させたり、特性にばらつきが生じ安定に作動させるこ
とができなくなってしまう。従って、前記基体１は立方
晶窒化硼素の量が５５乃至９０重量％の範囲に、銅の量
が１０乃至４５重量％の範囲に特定される。 【００４１】また前記５５乃至９０重量％の立方晶窒化
硼素と１０乃至４５重量％の銅とから成る基体１は窒化
硼素が六方晶のものは熱伝導率が悪く基体１としての特
性を充分に発揮することができず、これに対し立方晶の
ものは熱伝導率が８００Ｗ／ｍ・Ｋと極めて高く、基体
１の熱伝導率を７００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものになす
ことができるため立方晶のものに特定される。 【００４２】前記立方晶窒化硼素は、例えば、まず圧力
２６６Ｐａ以下、温度１９５０℃以上、蒸着速度１００
μｍ／ｈ以下において原料であるＢＣｌ₂及びＮＨ₃ガス
を高流速（１００ｍ／ｓ以上）で基材に上に吹き付けて
Ｐ−ＢＮ（六方晶窒化硼素）を作成し、次に圧力、温度
を上昇させ、所要の温度・圧力（１５００〜２１００
℃、５〜６ＧＰａ）で一定時間（０．５〜２ｈ）保持し
て高温処理を行いＰ−ＢＮをＣＢＮ（立方晶窒化硼素）
に変えることによって製作される。 【００４３】更に前記５５乃至９０重量％の立方晶窒化
硼素と１０乃至４５重量％の銅とから成る基体１は立方
晶窒化硼素の表面に酸化物膜やチタン、ジルコン、ハフ
ニウム等の活性金属膜を０．０５μｍ乃至１μｍ程度の
厚みに被着させておくと立方晶窒化硼素と銅とが強固に
被着し、基体１としての信頼性が大幅に向上する。従っ
て、前記基体１は表面に酸化物膜や活性金属膜を０．０
５μｍ乃至１μｍ程度の厚みに被着させた立方晶窒化硼
素と銅とで形成しておくことが好ましい。 【００４４】前記立方晶窒化硼素の表面に酸化物膜や活
性金属膜を被着させる方法としては、スパッタリングや
蒸着等を採用することによって行われる。 【００４５】また更に前記基体１は溶融させた銅に立方
晶窒化硼素粉末を分散混入させて形成した場合、基体１
のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度
の軟質なものとなり、その結果、基体１上に半導体素子
を載置させた後、基体１と半導体素子４に熱が作用して
両者間に熱応力が発生したとしてもその熱応力は基体１
を若干変形させることによって効率よく吸収され、半導
体素子４が基体１より剥離したり、半導体素子４に割れ
やクラックを発生したりすることがなく半導体素子４を
常に正常かつ安定に作動させることができる。 【００４６】かくして上述の光半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａ上に光
半導体素子４を固定するとともに該光半導体素子４の各
電極をボンディングワイヤ１２を介して所定の配線層１
１に接続させ、次に枠体２の上面に蓋部材３を接合さ
せ、基体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器５内部に
光半導体素子４を収容し、最後に枠体２に取着させた筒
状の固定部材６に光ファイバー部材８を取着させること
によって最終製品としての光半導体装置となる。 【００４７】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。 【００４８】 【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、基体を５５乃至９０重量％の立方晶窒化硼素
と１０乃至４５重量％の銅とで形成し熱伝導率を７００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとなしたことから、基体上に
載置される光半導体素子が作動時に多量の熱を発したと
してもその熱は基体の光半導体素子載置部平面方向に素
早く広がらせるとともに基体の厚さ方向を良好に伝搬さ
せて外部に効率よく確実に放散させることができ、これ
によって光半導体素子は常に適温となり、光半導体素子
を長期間にわたり安定かつ正常に作動させることが可能
となる。 【００４９】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、基体を５５乃至９０重量％の立方晶窒化硼
素と１０乃至４５重量％の銅とで形成し、その線熱膨張
係数を鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金
から成る枠体あるいは酸化アルミニウム質焼結体やガラ
スセラミック焼結体等のセラミックス絶縁体から成るセ
ラミック端子体の線熱膨張係数（６ｐｐｍ／℃乃至８ｐ
ｐｍ／℃：室温〜８００℃）に近似するものとなしたこ
とから基体上に枠体やセラミック端子体を取着させる際
や光半導体素子が作動した際等において基体と枠体やセ
ラミック端子体に熱が作用したとしても基体と枠体やセ
ラミック端子体との間には両者の線熱膨張係数の相違に
起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによ
って光半導体素子を収容する空所の気密封止が常に完全
となり、光半導体素子を安定かつ正常に作動させること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。 【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの平
面図である。 【符号の説明】 １・・・・・基体 １ａ・・・・載置部 ２・・・・・枠体 ２ａ・・・・貫通孔 ２ｂ・・・・切欠部 ３・・・・・蓋部材 ４・・・・・光半導体素子 ５・・・・・容器 ６・・・・・固定部材 ７・・・・・透光性部材 ８・・・・・光ファイバー部材 ９・・・・・セラミック端子体 １０・・・・セラミックス絶縁体

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
   有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞
   するようにして取着され、側部に貫通孔および切欠部を
   有する鉄−ニッケル−コバルト合金もしくは鉄−ニッケ
   ル合金から成る枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺
   の枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される固定
   部材と、前記切欠部に挿着され、セラミックス絶縁体に
   光半導体素子の各電極が接続される配線層が形成されて
   いるセラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、
   光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導
   体素子収納用パッケージであって、前記基体は５５乃至
   ９０重量％の立方晶窒化硼素と１０乃至４５重量％の銅
   とから成ることを特徴とする光半導体素子収納用パッケ
   ージ。